「表面拡散」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

光拡散シート本体２の片面に、１０^６〜１０^１１Ω／□の表面抵抗率を有する透光性制電層３を積層した構成の制電性光拡散シート１とする。例文帳に追加

The anti-static light diffusion sheet 1 is formed by laminating a translucent anti-static layer 3, having 10^6-10^11 Ω/square for the surface resistivity on one surface of a light diffusion sheet body 2. - 特許庁

被接合部材の表面の清浄度を高めることにより、高い接合性を得ることができる拡散接合装置及び拡散接合方法を提供する。例文帳に追加

To provide diffusion welding equipment and its method with which high joining property can be obtained by increasing a cleanliness degree on the surface of members to be joined. - 特許庁

高濃度の不純物拡散を行う場合であっても、シート抵抗のバラツキや表面欠陥の発生を抑制できる半導体ウェーハへの不純物拡散方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for diffusing impurity in a semiconductor wafer by which dispersion of sheet resistance and generation of surface defect can be restrained, even when high concentration impurity diffusion is conducted. - 特許庁

迷光により表面輝度が低下したりコントラストが低下したりすることがなく、角度依存性が少なく、外光の散乱反射の少ない光拡散シート、及びこの光拡散シート用いたプロジェクションスクリーンを提供する。例文帳に追加

To provide a light diffusion sheet preventing decrease in surface luminance or deterioration of contrast due to stray light and having less angle dependence and less scattering reflection of external light, and to provide a projection screen using the light diffusion sheet. - 特許庁

入射光Ｌｉが反射層２０で反射され、反射光Ｌｒは、乱拡散層１６の表面の皺で不規則に屈折させられてランダムな方向への拡散光Ｌｏとなり不規則な光量の偏り（明暗）が生じる。例文帳に追加

Incident light Li is reflected at the reflection layer 20, reflected light Lr is irregularly refracted by creases on the surface of the irregular diffusion layer 16 and turned to diffused light Lo in random directions and thus irregular light quantity bias (brightness and darkness) is generated. - 特許庁

第２不純物拡散領域１１ｂは、半導体基板の表面に形成され、一端が第１側壁に接し、第１不純物拡散領域と同じ導電型を有する。例文帳に追加

A second impurity diffusion region 11b is formed on the surface of the semiconductor substrate, one end of the second impurity diffusion region is contacted with the first side wall, and has the same conduction type as the first impurity diffusion region. - 特許庁

体液吸収性物品における表面層２と防漏層３との間に、可拡散性吸収体５を設けるとともに、その内部に難拡散性吸収体４，４…を製品長手方向に沿って複数列配置する。例文帳に追加

In the body fluid absorbent article, a diffusible absorbent body 5 is disposed between a surface layer 2 and a leakproof layer 3 and a plurality of rows of hardly-diffusible absorbent bodies 4. 4, ... are arranged along the longitudinal direction in the diffusible absorbent body 5. - 特許庁

さらに、半導体基板１００の表面側に、ｐ型拡散領域１０７にコンタクトするｐ側電極１０９と、ｎ型拡散領域１２０にコンタクトするｎ側電極１１０を設ける。例文帳に追加

Furthermore, this light emitter is provided with a p-type electrode 109 to contact with a ptype diffused region 107 and an n-side electrode 110 to contact with the n-type diffused region 120, on the surface side of the semiconductor substrate 100. - 特許庁

このとき、Ｐ型の拡散層３１、３２は二重拡散構造となり、ベース領域の表面及びその近傍領域の不純物濃度が高濃度となっている。例文帳に追加

At this time, the p-type diffusion layers 31, 32 are formed in double diffusion construction, and impurity concentrations of front surface of the base region and its neighboring region become high. - 特許庁

蛍光体は、組成式をＳｒＴｉＯ_３：Ｐｒ，Ａｌとするもので、蛍光体粒子の表面部分に、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの少なくとも一種を含む拡散材を拡散している。例文帳に追加

This fluorescent substance having the composition formula: SrTiO3: Pr, Al is characterized in that a diffusing material containing at least one of Be, Mg, Ca, Sr, and Ba is diffused in the surface portions of the fluorescent substance particles. - 特許庁

コーディエライトハニカム構造体の表面に、ＮＯｘ吸蔵材として担持されるアルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を防止する拡散防止層を形成したセラミック担体を用いる。例文帳に追加

The ceramic carrier to be used is constituted by forming a diffusion preventing layer, which prevents the diffusion of an alkali metal, an alkaline earth metal, or the like, supported as an NOx occluding material, on the surface of a cordierite honeycomb structure. - 特許庁

基板５０の表面領域にベース領域６２およびソース領域となるｎ^+拡散領域６１を形成すると共にトレンチ５１の底部にドレイン領域となるｎ^+拡散領域５８を形成する。例文帳に追加

A base region 62 and an n^+ diffusion region 61, which is to be a source region, are formed in the surface region of the substrate 50, while an n^+ diffusion region 58 serving as the drain region is formed at the bottom of the trench 51. - 特許庁

第２導電型のウェル１０６の表面部には、金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８が形成されている。例文帳に追加

A metal layer 107-1, a diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and a diffusion layer 108 of the second conductive type are formed in a surface portion of the well 106 of the second conductive type. - 特許庁

ＳＯＩ基板１のシリコン層４にＮウエル６及びＰウエル７を形成し、Ｎウエル６の表面に、夫々複数個のＰ^＋拡散領域９（アノード）及びＮ^＋拡散領域１０（ベース電極）を交互に配列する。例文帳に追加

An n-type well 6 and a p-type well 7 are formed in the silicon layer 4 of the SOI substrate 1 and pluralities of p^+-type diffusion regions 9 (anodes) and n^+-type diffusion regions 10 (base electrodes) are alternately arranged on the surface of the n-type well 6. - 特許庁

表面が平滑でありながら、光透過性、光拡散性、機械的強度、および生産性に優れた積層光拡散性フィルム、およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laminated light-diffusing film and a method for manufacturing the film excellent in translucency, light diffusion, mechanical strength and prodoctivity although it has a smooth surface. - 特許庁

Ｐ型基板１の表面に、内部回路２ｂを囲むようにリング状のｐ^＋拡散領域３を形成し、Ｐ型基板１上のｐ^＋拡散領域３の直上域を含む領域にシャント配線４を形成する。例文帳に追加

A cyclic p^+ diffusion region 3 is formed on a top surface of a P-type substrate 1 in such a way as to surround an internal circuit 2b and a shunt circuit 4 is formed in an area including the region directly above the p^+ diffusion region 3 on the P-type substrate 1. - 特許庁

熱拡散方程式解法部３５は、モデルに基づき、ランプ加熱工程でのウエハ表面の過渡熱拡散を計算しウエハの温度分布を算出する。例文帳に追加

The thermal diffusion equation solution part 35 calculates the temperature distribution of the wafer by calculating transitional thermal diffusion of the wafer surface in a lamp heating step based on the model. - 特許庁

このｐ＋拡散層１０ａおよびｎ＋拡散層１０ｂの表面には外部ベース層の低抵抗層用のシリサイド膜１４ｂ，ｃ，ｄが形成される。例文帳に追加

Silicide films 14b, 14c and 14d for a low resistance layer of the outer base layer are formed on the surface of the p^+ diffusion layer 10a and the n^+ diffusion layer 10b. - 特許庁

背面側透明基板３０４の粗面化された外側表面が、入射光の効果的な拡散機能を有するので、バックライト・ユニット１０１の拡散板の数を低減することができる。例文帳に追加

Since the roughened outer side surface of the rear surface side transparent substrate 304 has an effective diffusion function of incident light, the number of diffusion plates of the backlight unit 101 can be reduced. - 特許庁

基板５０の表面領域にベース領域６２およびソース領域となるｎ^+拡散領域６１を形成すると共にトレンチ５１の底部にドレイン領域となるｎ^+拡散領域５８を形成する。例文帳に追加

On the surface region of the substrate 50, an n^+ diffusion region 61 which becomes a base region 62 and a source region is formed and an n^+ diffusion region 58 which becomes drain region is formed on the bottom of the trench 51. - 特許庁

表面に凹凸を有する光拡散層１０ａ，１０ｂのように二層以上が支持体１１上に積層されてなり、凹凸欠損部位ｄを改善することを特徴とする光拡散シート１０を提供する。例文帳に追加

The light diffusion sheet 10 is constituted by layering, on a support 11, at least two layers of light diffusion layers 10a, 10b having the ruggedness on the surface, wherein a rugged deficient part d is reduced. - 特許庁

軸部２の一端に傘部３が連設されたチタン合金よりなるバルブ本体４における少なくとも耐摩耗性が要求される表面に、酸素拡散層または酸素拡散及び浸炭層を形成する。例文帳に追加

An oxygen diffused layer or an oxygen diffused and carbonized layer is formed on the surface for which at least abrasion resistance is required in the valve body 4 made of titanium alloy, in which a mushroom section 3 is connected to one end of the shaft section 2. - 特許庁

これにより、窒素拡散層２５の表面組織を撹拌するように塑性流動させて、表面側が微細な凹凸面からなる見かけ上は均一で安定した表面組織を母材１８′の表面側に形成する。例文帳に追加

This causes the surface texture of a nitrogen diffusion layer 25 undergo plastic flow in a stirring manner, thereby forming an apparently uniform and stable surface texture having a front side surface superficially consisting of a finely irregular surface, on the front surface side of the base material 18. - 特許庁

この光学フィルムは、第一の表面がフィルムに入射した光を拡散させるため働くように第二の表面構造関数で変調された第一の表面構造関数で定義される第一の表面を含み、第一の表面構造関数はマイクロレンズ構造物の機能を有すると共に、第二の表面構造関数は拡散光を与えるための特性を有する。例文帳に追加

The optical film comprises a first surface defined by a first surface structure function modulated by a second surface structure function such that the first surface acts to diffuse light incident on the film, wherein the first surface structure function has a function of microlens structure, and the second surface structure function has characteristics to provide the diffuse light. - 特許庁

第１導電型の半導体基板と、半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とを備えており、第２導電型不純物拡散領域を複数有し、隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間隔が４００μｍ以下である太陽電池セルである。例文帳に追加

The solar cell includes a semiconductor substrate of a first conductivity type, and a first conductivity type impurity diffusion region and a plurality of second conductivity type impurity diffusion regions, formed on one surface side of the semiconductor substrate, wherein adjacent second conductivity type impurity diffusion regions are at an interval of ≤400 μm. - 特許庁

例えば、ＵＤＣ拡散バリア膜２２、ポーラスシリカ膜２３、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ポーラスシリカ膜２５およびＵＤＣ拡散バリア膜２６の積層構造にビア溝２７ａと配線溝２７ｂを形成したときに、内部に露出するＵＤＣ拡散バリア膜２２、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ＵＤＣ拡散バリア膜２６の表面に対し、水素プラズマを照射する。例文帳に追加

For example, when a via groove 27a and a wiring groove 27b are formed in a laminate structure of a UDC diffusion barrier film 22, a porous silica film 23, a UDC middle stopper film 24, a porous silica film 25, and a UDC diffusion barrier film 26, surfaces of the UDC diffusion barrier film 22, UDC middle stopper film 24, and a UDC diffusion barrier film 26 which are exposed inside are irradiated with hydrogen plasma. - 特許庁

第１の電気伝導型の化合物半導体の表面領域に第２の電気伝導型の不純物を含む拡散領域が周期的に配列された化合物半導体素子において、前記拡散領域の、横方向周囲および／または底部に、前記拡散領域に含まれる不純物とは異なる第２の電気伝導型の不純物を含む拡散阻止領域が設けられていることを特徴とする。例文帳に追加

Concerning the compound semiconductor device with which a diffusing area containing a second electro-conductive impurity is cyclically located on the surface area of a first electro-conductive compound semiconductor, a diffusion blocking area containing a second electro-conductive impurity different from the impurity contained in the diffusing area is provided in the lateral periphery and/or on the bottom of the diffusion area. - 特許庁

本発明の半導体装置は、Ｎ型のウェル２１表面に形成されたＰ型の高濃度不純物拡散層２５と、これに隣接しかつ周囲を囲むように形成されたＰ型の中濃度不純物拡散層２６と、高濃度Ｐ型不純物拡散層２５および中濃度Ｐ型不純物拡散層２６を囲むように形成された素子分離領域２２とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes a diffused layer 25 of a P-type high concentration impurities formed on an N type well 21, a diffused layer 26 of a P-type intermediate concentration impurities, which is adjacent to this layer 25 and formed so as to enclose surroundings thereof, and an element isolation region 22 formed so as to enclose the layers 25, 26. - 特許庁

炭素繊維で構成されガス透過性および電子伝導性を有するガス拡散基材と、前記ガス拡散基材の表面に添加された樹脂とを具備するガス拡散層において、前記ガス拡散基材の厚み方向のガス透過率ｘ１と面方向のガス透過率ｘ２との比Ｒｘ（ｘ１／ｘ２）を特定の範囲に設定する。例文帳に追加

In a gaseous diffusion layer provided with gaseous diffusion base material composed of carbon fibers having gas permeability and electronic conductivity; and with a resin added on a surface of the gaseous diffusion base material, a ratio Rx (x1/x2) between a gas permeability x1 in the thickness direction and a gas permeability x2 in the facial direction of the gaseous diffusion base material is set within a specific range. - 特許庁

環状オレフィン系フィルム２の少なくとも一方の表面に光拡散剤４１と電離放射線硬化型樹脂から形成されてなる光拡散層４を有する光拡散性シート１であって、光拡散層４と環状オレフィン系フィルム２との間にゴム状弾性を有するエラストマー層３を設けてなるものとする。例文帳に追加

The light diffusion sheet 1 has a light diffusion layer 4 formed from a light diffusing agent 41 and an ionizing radiation curable resin on at least one surface of a cycloolefin-base film 2 and has an elastomer layer 3 having rubber-like elasticity disposed between the light diffusion layer 4 and the cycloolefin-base film 2. - 特許庁

複数の光学シート３は、例えば、導光板２の裏側に配置された反射シート８、導光板２の表面（光の出射面２ｂ）２ｂ側に配置された２枚の拡散シート（下拡散シート１７及び上拡散シート１６）、これらの拡散シート１６、１７の間に配置されたプリズムシート１８を含む。例文帳に追加

A plurality of the optical sheets 3 include, for example, a reflecting sheet 8 disposed on the back side of a light guide plate 2, two diffusion sheets (a lower diffusion sheet 17 and an upper diffusion sheet 16) disposed on the surface (light emitting surface 2b) 2b side, and a prism sheet 18 disposed between these diffusion sheets 16, 17. - 特許庁

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。例文帳に追加

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13. - 特許庁

電解質膜１２の両面に、それぞれ、触媒層１４、および、ガス拡散層１６を接合してなり、シリコーン系接着剤によって、周縁部にガスケット２０が接着される膜電極接合体１０において、シリコーン系接着剤から溶出したシリコン成分を拡散させるためのシリコン拡散促進層１８を、ガス拡散層１６の周縁部表面に形成する。例文帳に追加

In the membrane electrode assembly 10 having a catalyst layer 14 and gas diffusion layer 16 jointed to either face of the electrolyte membrane 12, with a gasket 20 adhered to a peripheral edge part with a silicone-system adhesive, a silicon diffusion accelerating layer 18 for diffusing silicon components eluted from the silicone-system adhesive is formed on a peripheral edge surface of the gas diffusion layer 16. - 特許庁

透明プラスチックフィルム基材と、少なくとも１種の活性エネルギー線硬化樹脂および光拡散性粒子を含有する光拡散層とを有する光学フィルムであって、前記透明プラスチックフィルム基材とは反対側の光拡散層の表面の水の接触角が９０度以上であることを特徴とする光拡散性フィルム。例文帳に追加

A light-diffusing film has a transparent plastic film substrate and a light-diffusing layer comprising at least one kind of active energy ray-cured resin and a light-diffusing particle, wherein a contact angle with water on a surface, on the side opposite to the transparent plastic film substrate, of the light-diffusing layer is ≥90°. - 特許庁

配線３２、３４の構成材料である銀が拡散させられる拡散吸収層５０、５２が、その配線３２、３４と電極３８、４０との重なり部分の近傍においてそれらに重ねて設けられていることから、厚膜銀や絶縁層の形成のための加熱処理によって、配線３２、３４に銀がその表面から外側に拡散する際には、その銀が拡散吸収層５０、５２内にも向かわせられる。例文帳に追加

Since diffusion absorption layers 50 and 52, where silver that is the component of wiring 32 and 34 is diffused, are overlapped to an area near the overlapping portion of the wiring 32 and 33 and electrodes 38 and 40, silver is directed also toward the inside of the diffusion absorption layers 50 and 52, when the silver is diffused from the surface of the wiring 32 and 34 to the outside. - 特許庁

透明基板の少なくとも片面に、表面に微細凹凸形状を有する樹脂皮膜層からなる光拡散層が形成されている光拡散性シートにおいて、当該光拡散性シートのヘイズ値が４０％以上であって、かつＪＩＳ Ｋ７１０５における０．５ｍｍ幅の光学くしで測定した像鮮明性が３５以上であることを特微とする光拡散性シート。例文帳に追加

In the light diffusible sheet formed with the light diffusing layer consisting of a resin film layer having a fine rugged shape at least on one side surface of a transparent substrate, the haze value of the light diffusible sheet is 40% or more, and the image definition measured with an optical comb having 0.5 mm width in JIS K7105 is 35 or more. - 特許庁

半導体基板１０の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜１８を有する太陽電池であって、受光面の表面にＰ型不純物拡散層１１とＰ型不純物拡散層１１に接続されたＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とＮ型不純物拡散層１３に接続されたＮ電極１４とを有している太陽電池。例文帳に追加

This solar cell has a P-N junction on the light receiving face side of a semiconductor substrate 10 and a passivation film 18 on the rear surface thereof wherein a P type impurity diffusion layer 11 and a P electrode 12 connected therewith, and an N type impurity diffusion layer 13 and an N electrode 14 connected therewith are provided on the surface of the light receiving face. - 特許庁

カソード側セパレータ、カソード側ガス拡散層、カソード電極、高分子電解質膜、アノード電極、アノード側ガス拡散層、アノード側セパレータを積層してなる固体高分子型燃料電池において、セパレータとガス拡散層との接触面におけるガス拡散層表面に、カーボン粒子と撥水性樹脂とからなる高密度カーボン層を設ける。例文帳に追加

In the polymer electrolyte fuel cell formed by stacking a cathode side separator, an anode side gas diffusion layer, a cathode, a polymer electrolyte membrane, an anode, an anode side gas diffusion layer, and an anode side separator, a high density carbon layer comprising carbon particles and water repellent resin is arranged on the surface of the gas difffusion layer on the contact surface between the separator and the gas diffusion layer. - 特許庁

半導体基板１１の水平方向には、ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂが横方向に拡がらず、深さ方向には、シリサイド層２１Ａとソース拡散層１７Ａ、シリサイド層２１Ｂとドレイン拡散層１７Ｂのそれぞれの境界付近のボロンの濃度が半導体基板１１の表面付近の濃度より大きくなる。例文帳に追加

In the horizontal direction of the semiconductor substrate 11, the source diffusion later 17A and the drain diffusion layer 17B are not expanded in the transverse direction, and in the depth direction, a boron concentration near each boundary between the silicide layer 21A and the source diffusion layer 17A and between the silicide layer 21B and the drain diffusion layer 17B become larger than that near the surface of the semiconductor substrate 11. - 特許庁

正面輝度を維持しつつ光拡散性を付与する為に表面を光拡散性微凹凸面としたときに発生するモアレと輝度ムラとを共に防ぎ、モアレ解消と輝度ムラ解消とが両立する光拡散シートと、この光拡散シートを用いた面光源装置と画像表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a light diffusion sheet which satisfies both of eliminating moire and eliminating luminance unevenness by preventing both of the moire and the luminance unevenness generated when a surface is made a light-diffusive finely uneven surface to apply light diffusivity, while maintaining front surface luminance, and to provide a surface light source device using the light diffusion sheet and an image display device. - 特許庁

その後、一回の拡散処理によって、第２ポリシリコン層１１０の表面から第２ポリシリコン層１１０内部に不純物を拡散させるとともに、第２ポリシリコン層１１０に拡散された不純物をさらに第１ポリシリコン層１０４ａの側壁から第１ポリシリコン層１０４ａの内部に向かって、拡散させる。例文帳に追加

Thereafter, impurity is diffused from the surface of the second polysilicon layer 110 into the second polysilicon layer 110 by one time of diffusion treatment and, at the same time, impurity diffused into the second polysilicon layer 110 is diffused further from the side wall of the first polysilicon layer 104a toward the inside of the first polysilicon layer 104a. - 特許庁

拡散層は、燃料電池の積層方向に直交する方向に沿った拡散層内部から外部へのガスの流出を抑制する流出抑制部と、発電体に対向する側の表面が拡散層中央部と比較して発電体に対してより遠くに位置するような形状の拡散層周縁部と、を含む。例文帳に追加

The diffusion layer includes a flow-out restraining part restraining flow-out of gas outside from inside the diffusion layer along a direction crossing a lamination direction of the fuel cell, and a diffusion layer periphery edge part of a shape in which the surface at a side opposing to the power generating body is positioned farther from the power generating body as compared with a center part of the diffusion layer. - 特許庁

ターンオフ時にＮ型のＩＧＢＴのベース・エミッタ間を短絡するために設けるＰＭＯＳトランジスタＱ２は、Ｐ拡散領域５、Ｐ拡散領域６、及びＰ拡散領域５、Ｐ拡散領域６間のＮ^−エピタキシャル層２の表面上にゲート酸化膜２１を介して設けられた導電膜１０及び第２ゲート電極１５により構成される。例文帳に追加

A PMOS transistor Q2 provided to short-circuit between a base and an emitter of an N type IGPT when turned off comprises a P diffusion area 5, P diffusion area 6 and a conductive film 10 and a second gate electrode 15 which are provided on a surface of an N-epitaxial layer 2 between the P diffusion area 5 and the P diffusion area 6 through a gate oxide film 21. - 特許庁

ロ　超合金又はチタン合金の拡散接合による加工に係るものであって、加工材料の表面処理、温度又は圧力に係るもの例文帳に追加

(b) Data pertaining to processing by diffusion bonding of super alloys or titanium alloys, and to the surface treatment, deformation rate, temperature or pressure of processed materials  - 日本法令外国語訳データベースシステム

窒化層３は、公知の窒化処理によって母材１の表面層に窒素を拡散させることにより形成されている。例文帳に追加

The nitriding layer 3 is formed by diffusing nitrogen into a surface layer of the base metal 1 by a known nitriding treatment. - 特許庁