「選択めっき」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

アルミパッド２２の開口部分にＮｉ膜２４を選択的にメッキする。例文帳に追加

The Ni film 24 is selectively plated on an opening section of an aluminum pad 22. - 特許庁

被覆材６で覆われていなかった部分に、無電解めっきを選択的に行なう。例文帳に追加

On the part not coated with the coating material 6, electroless plating is selectively performed. - 特許庁

選択的キャッピングおよび無電解めっきに利用可能な銅リセス・プロセス例文帳に追加

SELECTIVE CAPPING AND COPPER RECESS FORMING PROCESS APPLICABLE TO ELECTROLESS DEPOSITION - 特許庁

ガス滅菌により綿棒13と消毒剤14とのいずれか一方を選択的に滅菌できる。例文帳に追加

Either the swab 13 or the disinfectant 14 can be selectively sterilized by gas sterilization. - 特許庁

その結果、無電解めっき膜のＣｕ配線上への選択析出性を向上することができる。例文帳に追加

As a result, the selective precipitation properties of the electroless plating film onto the Cu wiring can be improved. - 特許庁

エッチングストップ層１６は無電解めっきによって接続パッド上に選択的に形成される。例文帳に追加

The etching stop layers 16 are formed on the connection pads selectively by nonelectrolytic plating. - 特許庁

基体の選択的な金属めっき方法およびその方法により製造された成形回路部品例文帳に追加

SELECTIVE METAL PLATING METHOD OF SUBSTRATE, AND FORMED CIRCUIT COMPONENT MANUFACTURED BY THE METHOD - 特許庁

めっき液中の有機成分から生成された副生成物を、選択的に除去する。例文帳に追加

To selectively remove a by-product produced from an organic constituent in a plating solution. - 特許庁

被めっき材の非めっき領域に有機錯化剤を付着させ、前記被めっき材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき材のめっき領域にめっき層を選択的に形成する。例文帳に追加

An organic complexing agent is stuck to the non-plating region in the material to be plated, and the material to be plated is subjected to electroless plating treatment, thus a plating layer is selectively formed on the plating region in the material to be plated. - 特許庁

トレンチやビアホール等の凹部内に選択的にめっきを行って、表面の平坦性が高いめっき膜を形成することができるようにする。例文帳に追加

To form a plating film whose surface has high flatness by selectively performing plating to the inside of a recessed part such as a trench and a via hole. - 特許庁

Ａｌ電極３の上には、選択的にＮｉめっき層５が析出されるため、周辺耐圧構造４部分には、Ｎｉめっき層５は形成されない。例文帳に追加

Since the Ni plating layer 5 is selectively deposited on the Al electrode 3, the Ni plating layer 5 is not formed on a circumferential voltage-withstanding structure 4 part. - 特許庁

選択的な部分めっき処理が可能で、コネクターなどの電子部品に好適な硬質金系めっき液を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid for hard gold plating, which enables selective partial plating and is suitable for an electronic component such as a connector. - 特許庁

特定の配線路上に鍍金により低抵抗金属層を選択的に形成する。例文帳に追加

A low resistance metal layer is selectively formed on a specific wiring path by plating. - 特許庁

メッキ金属としては、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＣｏおよびＣｏ合金より選択できる。例文帳に追加

The plating metal is selected from among Ni, Ni alloy, Cu, Cu alloy, Co and Co alloy. - 特許庁

選択的にメッキしたマイクロ波吸収カバーを有するパッケージ化電子装置例文帳に追加

PACKED ELECTRONIC DEVICE COMPRISING SELECTIVELY-PLATED MICROWAVE ABSORBING COVER - 特許庁

このカバーは、このパッケージ装置の遮蔽の要求に十分応えるために選択的にメッキされる。例文帳に追加

The cover is selectively plated to sufficiently shield the packaged device. - 特許庁

運転モードとして滅菌運転またはボウィー・ディックテストを選択して実行可能である。例文帳に追加

The sterilizer permits a sterilization operation or a Bowie and Dick test to be selected and implemented as an operation mode. - 特許庁

めっき層の形成速度を著しく向上させることができると共に、被めっき材のめっき領域のみに、ムラなく、均一に精度よくめっき層を選択的に形成することができる無電解めっき方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electroless plating method with which the forming rate of a plating layer can be remarkably improved, and further, the plating layer can be selectively formed only on a plating region in the material to be plated uniformly at high precision. - 特許庁

放熱が必要なダイアタッチ部に選択的に熱伝導率のよい材料を用い、また、その材料の板厚を選択的に厚くし、また、ワイヤボンディングを行うためのリード部のめっき厚を選択的に厚くする半導体装置用パッケージを提供すること。例文帳に追加

To provide a package for semiconductor device in which a material having higher heat conductivity is selectively used to a die attachment part required to realize heat radiation, thickness of such material plate is selectively formed thick, and a lead wire for wire bonding is selectively plated thick. - 特許庁

エッチングにより、シード層１４の溝１０Ａ内の領域以外の部分を選択的に除去した後、めっきによりシード層１４上に金属１５（例えば銅（Ｃｕ））を選択的に成長させて配線層Ｌ１を形成する。例文帳に追加

Parts other than a region of the seed layer 14 in the groove 10A are selectively removed by etching and thereafter, a metal 15 (e.g. copper (Cu)) is selectively grown on the seed layer 14 by plating to form a wire layer L1. - 特許庁

硬質金めっき液およびそのめっき方法であって、シアン化金、コバルト塩およびヘキサメチレンテトラミンを含む金めっき液を用いることにより、高い析出選択性を有する金めっき液を提供する。例文帳に追加

As for the hard gold plating liquid and plating method therefor, a gold plating liquid having high precipitation selectivity is provided by using a gold plating liquid comprising a gold cyanide, a cobalt salt and hexamethylenetetramine. - 特許庁

無電解めっき法を用いることによって、Ａｕめっき層６もＮｉめっき層５と同様に、Ｎｉめっき層５の上に選択的、かつ均一に形成される。例文帳に追加

By using the electroless plating, the Au plating layer 6 also is selectively and uniformly formed on the Ni plating layer 5 as in the case of the Ni plating layer 5. - 特許庁

基板表面の微小溝や微孔の中に選択的に銅めっき等の金属めっきを析出することができるめっき装置及びめっき方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plating device and a plating method by which metal plating such as copper plating can selectively be precipitated into micro-grooves and fine pores on the surface of a substrate. - 特許庁

無電解めっき法を用いることによって、Ａｕめっき層６もＮｉめっき層５と同様に、Ｎｉめっき層５の上に選択的、かつ均一に形成される。例文帳に追加

By using the electroless plating method, the Au plating layer 6 is selectively and uniformly formed on the Ni plating layer 5 similarly to the Ni plating layer 5. - 特許庁

被メッキ材のメッキが必要な部分のみに、選択的にメッキをすることができるメッキ用マスク材及び、被メッキ材の各部分のメッキの厚さを、夫々所望の厚さにすることができるメッキ方法を提供する。例文帳に追加

To provide mask materials for plating capable of selectively applying plating only on the parts requiring plating in the materials to be plated and to provide a plating method capable of controlling the thickness of the plating in each part of the materials to be plated respectively to the desired one. - 特許庁

従来の白血球選択除去フィルター材が有する、高圧蒸気滅菌処理による性能低下という問題と、低温において溶出しやすいという問題を克服し、かつ、血小板を透過させて白血球を選択的に除去する白血球選択除去フィルター材を提供する。例文帳に追加

To provide a filter material for selectively removing a white blood cell which overcomes problems such as decrease in performance due to high-pressure steam sterilization and easy elution at low temperature included in a conventional filter material for selectively removing the white blood cell, and also permeates a blood platelet to selectively remove the white blood cell. - 特許庁

前記接点部１の表面にはカーボンナノチューブ又はカーボンブラックを含有するめっき層４が選択的に形成される。例文帳に追加

A plating layer 4 containing carbon nanotubes or carbon black is selectively formed on a surface of the contact part 1. - 特許庁

焼結セラミック上に選択的にめっきを形成する方法及びインクジェットヘッドの電極形成方法例文帳に追加

METHOD FOR SELECTIVELY PERFORMING PLATING ON SINTERED CERAMIC, AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE OF INK JET HEAD - 特許庁

回路となる部分にのみ密着性の強い無電解めっき層を選択的に形成し、他の非回路となる部分を粗化しない。例文帳に追加

To selectively form an electroless plating layer with strong adhesion on only a portion serving as a circuit and not to make rough the other portion not serving as the circuit. - 特許庁

より微細で信頼性の高い微細パターンを容易に形成可能な選択的無電解めっき方法を提供する。例文帳に追加

To provide a selective electroless plating method by which a finer pattern having high reliability can be easily formed. - 特許庁

層間絶縁膜上に析出しためっき成分を選択的に除去して、埋め込み配線を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having embedded wiring, wherein plating components deposited on the interlayer insulating film have been selectively removed. - 特許庁

コバルトめっき４３を選択した場合、その厚さを０．０５μｍ以上０．１０μｍ以下とすることが好適である。例文帳に追加

When cobalt plating 43 is selected, it is suitable that its thickness is made between 0.05 μm or more and 0.10 μm or less. - 特許庁

溝やビア孔の底面部に、電気メッキを促進する添加剤を含む膜を選択的に形成してから、電気銅メッキを行う。例文帳に追加

A film containing an additive accelerating electroplating is selectively formed on the bottom face part of a trench or a via hole, and then, copper electroplating is performed. - 特許庁

パラジウムめっき４４を選択した場合、その量を５ｍｇ／ｍ^２以上１０ｍｇ／ｍ^２以下とすることが好適である。例文帳に追加

When palladium plating 44 is selected, it is suitable that its quantity is between 5 mg/m^2 or more and 10 mg/m^2 or less. - 特許庁

そして、上記パターニングした下地樹脂２ａ上に、無電解選択めっきによってＣｕによる低抵抗金属３を成膜する。例文帳に追加

A low-resistance metal 3 of Cu is subjected to film formation on the patterned underlying resin film 2a with electroless selective plating. - 特許庁

層間絶縁膜上に析出しためっき成分を選択的に除去した、埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having embedded wiring, wherein plating components deposited on the interlayer insulating film have been selectively removed. - 特許庁

２種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。例文帳に追加

To control the generation of a crack when two or more kinds of platings are selectively deposited by using a same photosensitive material. - 特許庁

前記めっき過電圧を低下させる元素は、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、及びＣｒよりなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。例文帳に追加

The elements reducing the plating overvoltage are preferably composed of at least one kind selected from the group consisting of Mo, W, Zr and Cr. - 特許庁

また、無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３が分散し、攪拌しているめっき液中へ、表面に導電体２を有する被めっき体を浸漬することを特徴とする導電体２への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法。例文帳に追加

Further, in the selective electroless plating method on the conductor 2 and the selective activation preprocessing method, the nuclide 3 is dispersed in the electroless plating solution, the nuclide 3 on the surface of which the conductive layer 1 is being deposited by the electroless plating is dispersed, and the body to be plated having the conductive body 2 on its surface is immersed in the stirred plating solution. - 特許庁

次にめっきフレームレジスト４に覆われていない第２の金属膜３の領域を、ウェットエッチング法で選択的に除去し、露出している第１の金属膜２の領域上に、磁性材料をめっきして、磁性薄膜６を選択的に形成する。例文帳に追加

The area not covered by the plating frame resist 4 of the second metal film 3 is selectively removed by a wet etching method and the exposed area of the first metal film 2 is plated with a magnetic material to selectively form a magnetic thin film 6. - 特許庁

アルカリ金属による汚染や配線内部のボイドの生成等を防止しつつ、配線の表面のみを選択的に覆って露出配線を保護するめっき膜（保護膜）を形成するのに使用される無電解めっき液、及び露出配線を保護膜で選択的に保護した半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electroless plating solution which is used for forming a plated film (a protective film) for protecting exposed wiring by selectively covering only a surface of the wiring while preventing contamination by an alkali metal, occurrence of voids inside the wiring or the like and to provide a semiconductor device in which the exposed wiring is selectively protected by the protective film. - 特許庁

十分な選択めっき性が得られるとともに、耐食性に優れる無電解ニッケル／金めっきを施すことが可能な無電解ニッケルめっき方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an electroless nickel plating method where electroless nickel/gold plating capable of obtaining sufficient selective plating properties and further having excellent corrosion resistance can be applied. - 特許庁

硬質クロムめっき層の硬度はＨｖ７５０〜１２００の範囲内から選択された硬度を有し、軟質クロムめっき層の硬度は、前記硬質クロムめっき層の硬度よりも低いことを特徴とする。例文帳に追加

The hardness of the hard chromium plating layer is controlled to 750-1200 Hv, and the hardness of the hardness of the soft chromium plating layer is lower than that of the hard chromium plating layer. - 特許庁

下地ニッケルめっきを全面に施した銅合金等のリードフレームにおいて、少なくともアウターリード部表面に極薄の金を全面にめっきし、インナーリード一部（接合部）にのみ選択的に金めっきする構造とした。例文帳に追加

In a copper alloy lead frame, subjected to undercoat nickel plating over the entire surface, at least the outer lead part is subjected to an extremely thin gold plating over the entire surface and only the inner lead part (bonding part) is subjected to selective gold plating. - 特許庁

別の方法は、めっき金属板4,6を供給する工程と、めっき金属板4,6の局部領域を選択する工程と、局部領域へ保護被膜2を塗布する工程と、組立金属部品へめっき金属板を組み込む工程と、を含む。例文帳に追加

Another method includes providing a galvanized metal sheets 4 and 6; selecting a localized region on the galvanized metal sheets 4 and 6; applying a protective coating 2 to the localized region; and fabricating the galvanized metal sheet into a fabricated metal part. - 特許庁