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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 選択めっきに関連した英語例文

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選択めっきの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 302



例文

基材の少なくとも一部に、表面に活性化された硫黄が存在する被めっき層を設け、この基材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき層上に選択的にめっき層を形成することを特徴とするめっき方法。例文帳に追加

In the plating method, at least a part of a base material is provided with the layer to be plated in which activated sulfur is present on the surface, and the base material is subjected to electroless plating treatment, so as to selectively form a plated layer on the layer to be plated. - 特許庁

無電解めっき液中に核体3が分散され、核体3表面に無電解めっきにより導電層1が析出中の核体3を、表面に導電体2を有する被めっき体へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体2への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法である。例文帳に追加

In the selective electroless plating method on a conductor 2 and a selective activation preprocessing method, a nuclide 3 is dispersed in an electroless plating solution, and the nuclide 3 on the surface of which a conductive layer 1 is being deposited by the electroless plating is brought into intermittent contact with a body to be plated having the conductive body 2 on its surface. - 特許庁

そして、電解メッキ法等により、配線15上のみに選択的に金属拡散防止膜16を形成する。例文帳に追加

A metal diffusion preventive film 16 is selectively formed only on the wiring 15 by electrolytic plating method or the like. - 特許庁

導電粒子11を成長核として無電解メッキ法により選択的に金属を成長させて導電パターン16を形成する(c)。例文帳に追加

Thereafter, a conductive pattern 16 is formed by selectively growing a metal by electroless plating by using the particles 11 as growing crystals (c). - 特許庁

例文

10〜40重量%のケイフッ化銅水溶液を電解液として用い、銅シード層上に選択的に銅薄膜をメッキ堆積させる。例文帳に追加

The subject electrolytic plating liquid is characterized by using 10-40 wt.% copper fluorosilicide solution, to selectively plate the copper thin film on the copper seed layer. - 特許庁


例文

キャップ接合パターン部34上に選択的にメッキされた金−スズ合金をろうとして、キャップ20のろう付け接合が行われる。例文帳に追加

A cap 20 is jointed by brazing with a gold-tin alloy plated selectively on the cap jointing pattern 34 as a solder. - 特許庁

無電解メッキによるメタル系バリア膜被覆プロセスにおける選択性を向上し、配線間の導通による動作不良を解消する。例文帳に追加

To improve selectivity in the metal-system barrier film covering process with the electroless plating in order to eliminate operation failure by continuation among wirings. - 特許庁

光重合、選択的除去、鍍金、及び凹んだランド用の逆ECMを含むその他の方法が開示される。例文帳に追加

Other methods including phtopolymerization, selective removal, plating, and reverse-ECM for an intended land are disclosed. - 特許庁

この場合、金属試験片2の端部の弛れを防止するためにメッキ層3の硬度は金属試験片3の硬度と近しいものを選択する。例文帳に追加

In this case, the hardness of the plating layer 3 similar to that of the metal test piece 2 is selected for preventing the end parts of the metal test piece 2 from coming off. - 特許庁

例文

この場合、金属試験片2の端部の弛れを防止するために、メッキ層3の硬度は金属試験片3の硬度と近しいものを選択する。例文帳に追加

In this case, the hardness of the plating layer 3 similar to that of the metal test piece 2 is selected for preventing the end parts of the metal test piece 2 from coming off. - 特許庁

例文

基板10の一方の主面には選択メッキ処理により嵌合孔形成部材38A,38Bを設ける。例文帳に追加

On one principal surface of the substrate 10, there are provided fitting hole forming members 38A, 38B through a selective plating process. - 特許庁

このようにして、メッキ部、シルク印刷部、ラウンド部の欠陥検出感度を独立して選択できるようにしたことを特徴とする。例文帳に追加

Defect detection sensitivity of a plated part, a silk-printed part, and a round part can be independently selected in this way. - 特許庁

そこで、Cuメッキ膜8の表面に金属膜のマスク9を成膜し、凸部に対応する部分のマスク9を選択して研磨する。例文帳に追加

A mask 9 of metal film is thereby formed on the surface part of the Cu plating film 8 and the mask 9 at a part corresponding to the protrusion is polished selectively. - 特許庁

また、放熱性や発光性の必要度に応じて樹脂構造物の材料を選択したり、回路パターンの面積や厚みを変えたり、あるいは表面のめっきの種類を選択して反射率を変えるなどして、所望の特性を自由に得ることができる。例文帳に追加

Desired characteristics can be obtained freely, by selecting a material of resin structure and changing the area and the thickness of the circuit pattern, according to the requirement of heat dissipation and luminescence, or selecting the type of plating on the surface and changing the reflection factor. - 特許庁

Auめっき浴中に浸漬した保液部材に被めっき部材の凸部を接触させてその凸部頂面部に選択的に電解めっきを施す方法において、凸部頂面部領域に、より集中してめっき層を形成できるようにする。例文帳に追加

To form a plating layer concentrically on a projecting part top surface area in a method of electroplating a projecting part top surface part by bringing a projecting part of a plated member into contact with a liquid holding member dipped in an Au plating bath. - 特許庁

めっきによる金属膜の成膜をビアホール内に選択的に行って、ビアホール内を欠陥なくめっき膜で充填するとともに、ビアホール以外に形成される余分な金属膜を極めて薄くできるようにしためっき装置及びめっき方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plating apparatus in which a metal film can be selectively deposited by plating onto an interior of a via hole so as to fill the interior of the via hole with a plating film without any defects and to make the excessive metal film formed on parts other than the via hole extremely thin, and a plating method used therefor. - 特許庁

パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用せず、無電解めっきシステムと積層する金属の組み合わせの制限が緩い選択的な無電解めっき方法、パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用することなく、下地の金属より卑な金属を無電解めっき方法により選択的に積層する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a selective electroless plating method which does not use any precious metal catalyst such as palladium and silver, and accepts the loose limit of combination of an electroless plating system with metal for deposition, and to provide a method which allows metal more basic than base metal to be selectively deposited by the electroless plating without using any precious metal catalyst such as palladium and silver. - 特許庁

無電解ニッケルめっき液に蓄積した亜鉛イオン、アルミニウムイオン、鉄イオン等の不純物金属イオンを選択的に、しかも簡便な操作で除去することができる無電解ニッケルめっき液の再生処理方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a regeneration treatment method of an electroless nickel plating solution capable of selectively and simply removing impurity metal ions of zinc ions, aluminum ions, and iron ions, etc. accumulated in the electroless nickel plating solution. - 特許庁

本発明の複合めっき液は、めっき金属塩と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属から選択される少なくとも1つの硫酸塩と、ホウ酸と、カーボンナノチューブと、分散剤とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The composite plating liquid includes: a plating metal salt; at least one sulfate selected from an alkali metal or alkali earth metal; a boric acid; carbon nanotubes; and a dispersant. - 特許庁

埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線の表面に無電解めっき膜を選択的に形成する無電解めっき液であって、コバルトイオン、錯化剤、及びアルカリ金属を含まない還元剤を含有する。例文帳に追加

The electroless plating solution for selectively forming the electroless plated film on the surface of the exposed wiring of the semiconductor device having embedded wiring structure, contains cobalt ions, a complexing agent and a reducing agent containing no alkali metal. - 特許庁

無電解ニッケルめっき液に蓄積する亜りん酸イオンを選択的に除去し、無電解ニッケルめっき液に再使用できるようにし、廃液の排出量を大幅に低減する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for drastically reducing the discharge amount of waste solutions by selectively removing the phosphite ions accumulated in an electroless nickel plating solution, thereby making the solution reusable for the electroless nickel plating solution. - 特許庁

埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線の表面に、無電解めっきで配線保護層を選択的に形成するに際し、無電解めっき液の構成成分で前処理を行う。例文帳に追加

When a wiring protective layer is selectively formed on the surface of exposed wiring of a semiconductor device having a flush wiring structure by electroless plating, pretreatment is performed with the constituting components of an electroless plating solution. - 特許庁

電解めっきを、任意選択のクリーニングステップおよび焼鈍ステップと共に使用して、銅、ニッケル、または他の導電材料の直接めっきされた部分を形成することができる。例文帳に追加

Electrolytic plating is employed in conjunction with optional cleaning and annealing steps to form directly plated portions of copper, nickel or other conductive materials. - 特許庁

コア電極13には、電解めっき、無電解めっき、静電塗装又はスクリーン印刷の中から選択されるいずれか一つの方法により、導電性物質を付着させる。例文帳に追加

The conductive material is caused to adhere to the core electrode 13 by one method selected from electrolytic plating, electroless plating, electrostatic coating or screen printing. - 特許庁

銅(銅合金)配線表面に対するパラジウムによる触媒化を選択的かつ均一に行って、次亜リン酸塩を還元剤として用いる無電解めっきめっき性の改善、配線の信頼性の向上を図る。例文帳に追加

To improve the plating property of electroless plating using a hypophosphite as a reducing agent or the reliability or copper (copper alloy) wiring by selectively and uniformly catalyzing the surface of the wiring by using palladium. - 特許庁

素材に対する腐食性の低い弱酸性から弱アルカリ性の無電解めっき用活性化液であって、目的とする導体部分にのみ選択性よく無電解めっき用触媒を付与できる新規な活性化液を提供する。例文帳に追加

To provide an activation liquid in a state of slightly acidic to weak alkaline so as to be less corrosive against a base material, which is used for electroless plating, and selectively imparts a catalyst for electroless plating only to an aimed conductor part. - 特許庁

ガラス基板11上に配線用の下地パターン膜12を形成し、その下地パターン膜12上に選択的にめっきを施することによりめっき膜13を形成する。例文帳に追加

A wiring substrate pattern film 12 is formed on a glass substrate 11, and the substrate pattern film 12 is selectively plated, thereby forming a plated film 13. - 特許庁

本発明では、基板の表面に選択的にめっき触媒を付着させることができ、所望パターンで付着しためっき触媒によって所望パターンの配線を形成することができる技術を実現する。例文帳に追加

To provide a technology for forming wiring with a desired pattern on the surface of a substrate, by selectively depositing the plating catalyst into the desired pattern on the surface. - 特許庁

生産性の高いバッチ処理を採用して装置としての処理能力を高め、しかも、無電解めっき装置に適用した場合に、均一な膜厚のめっき膜を選択性よく形成できるようにする。例文帳に追加

To enhance processing capability as an apparatus by employing batch processing with high productivity and further to make it possible to form plated films with uniform thickness with good selectability when using the apparatus as an electroless plating apparatus. - 特許庁

本発明は選択的にめっきすることによって配線を形成しながら、基板と配線の間で高い密着性を得ることができるめっき配線形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming wiring by plating, which provides high adhesiveness between a substrate and a wire, while forming the wiring by selective plating. - 特許庁

セラミック素材上に形成された金属部分などに選択性良く析出し、パターン外析出が発生し難く、めっき浴の分解、沈殿なども生じにくい、安定性に優れた新規な無電解金めっき浴を提供する。例文帳に追加

To provide an electroless gold-plating bath which deposits gold adequately selectively on a metallic part formed on a ceramic material, hardly deposits gold on a part outside the pattern, hardly causes its own decomposition or sedimentation, and has superior stability. - 特許庁

次いで、ビアホール6を形成し、ビアホール側壁部の絶縁層部分に選択的に無電解銅めっき皮膜7を形成し、次いで1回目の電解銅めっきによりビアホールを銅金属8で充填する。例文帳に追加

Then, a via hole 6 is formed, a non-electrolytic copper plated coating 7 is selectively formed at the insulating parts of the via hole side wall parts, and the via hole is packed with copper metal 8 by the first electrolytic copper plating. - 特許庁

半導体ウェハから半導体装置を製造する場合に、めっき工程においてレジストを用いることなく、裏面電極のめっき層を半導体ウェハの裏面側に選択的に形成する。例文帳に追加

To selectively form a rear electrode plating layer on the rear side of a semiconductor wafer, without having to use a resist in a plating process, when manufacturing a semiconductor device from the semiconductor wafer. - 特許庁

Al電極3の上には、選択的にNiめっき層5が析出されるため、周辺耐圧構造4部分には、Niめっき層5は形成されない。例文帳に追加

On the Al electrode 3, the Ni plating layer 5 is selectively deposited, so the Ni plating layer 5 is not formed at a part of a peripheral pressure-resisting structure 4 portion. - 特許庁

その製造工程は、基板全体に薄金メッキを施し、ICバンプとのボンデングするリ−ド7以外をメッキレジスト等でマスキングし、再メッキを施すことによりメッキ厚を選択できる。例文帳に追加

In the manufacturing process of a flexible circuit board, a thin gold plating is applied to the whole board, the general lead parts 4 other than the leads 7 which are bonded to the IC bumps are masked with a plating resist or the like, and the plating thickness of the lead parts 4 can be selected by applying again a plating to the lead parts 4. - 特許庁

メッキ浴槽45、46とメッキ液収納浴槽49、50でメッキ液を移動させることで、導電部材21に形成されるメッキ膜を選択できる。例文帳に追加

Plating liquids are moved among the plating baths 45 and 46, and plating liquid storing baths 49 and 50, so that plating films to be formed on an electroconductive member 21 can be selected. - 特許庁

工程が容易で、厚膜を高速で形成することができ、且つムラなく、所望の領域に選択的にめっき層を形成することができるめっき方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plating method whose process is facilitated, and capable of forming a thick film at a high speed, and also, capable of selectively forming a plated layer on a desired region without irregularity. - 特許庁

内部の微細孔が生じることを防止し、しかも面内均一性及び選択性を向上させためっき膜を形成することができるようにした無電解めっき方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electroless plating method and equipment which are capable of preventing the production of internal pores and are capable of forming a plating film improved in intra-surface uniformity and selectivity. - 特許庁

選択めっきを行う際に必要となるマスクパターンとめっき電極との剥離を確実に防止する薄膜磁気ヘッドの配線方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming wiring of a thin-film magnetic head for sure preventing of stripping of a mask pattern needed, when selective plating is conducted and a plating electrode. - 特許庁

そして、メッキ浴槽とメッキ液収納浴槽でメッキ液を移動させることにより、導電部材21に形成するメッキ膜を選択することができる。例文帳に追加

The sort of plated film to be formed on an electro-conductive member 21 can be selected by means of moving the plating liquid back and forth between the plating bath tank and the plating liquid storage tank. - 特許庁

リードフレーム素材を露出させているため、防錆機能が低下すると共に、リードフレームに施す選択めっき工程が増え、めっき層形成工程が煩雑になり製造コストが上昇すること。例文帳に追加

To solve a problem that antirust function decreases and a selective electroplating process to be performed on a lead frame must be added due to the exposure of the lead frame material resulting in a complicated forming process of an electroplated layer and increased manufacturing cost. - 特許庁

メッキ浴槽45、46とメッキ液収納浴槽49、50でメッキ液を移動させることで、導電部材に形成されるメッキ膜を選択できる。例文帳に追加

The plating liquid is transferred through the plating baths 45, 46 and the plating-liquid containing bath 49, 50 consequently, the plated film formed on a conductive component can be selected. - 特許庁

本発明の目的は、被めっき物の金属導体部分にのみ選択的に、無電解ニッケルめっき処理、置換金めっき処理および無電解金めっき処理を、順次行う無電解金めっき方法において、無電解金めっきの未析出が発生しない無電解金めっき方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide an electroless gold plating method by which the occurrence of unplated parts in an electroless gold plating is suppressed, in an electroless gold plating method comprising successively performing an electroless nickel plating treatment for selectively plating nickel only on a metal conductor part of an article to be plated, a substitution gold plating treatment and an electroless gold plating treatment. - 特許庁

多品種少量生産における回分式操業方式において、任意の流体を選択して特定のタンクへ送入・排出したり、任意のタンクを選択してその中の流体を他のタンクに送出・分配したり、管路を洗浄したり,滅菌したりする等のことを可能とする新規の流体管路の選択接続装置を提供する。例文帳に追加

To provide a selective connecting device for a fluid pipeline, capable of selecting an arbitrary fluid to be fed into and discharged from a specified tank or selecting an arbitrary tank to deliver or distribute the fluid in the tank to another tank, and cleaning or sterilizing the pipeline in batch operation system in multi-sort small-amount production. - 特許庁

ウェーハをサポートチャンバーに移送して、サポートチャンバー内に加圧気体を供給し、次いでめっきされるウェーハをめっき槽内のめっき液に接触させ、予め選択した時間の間、ウェーハのめっき液との接触を維持し、次いでウェーハをめっき液から分離する、ウェーハをめっきする方法を提供する。例文帳に追加

A method for plating wafer comprises transporting the wafer to the support chamber, supplying the pressurized gas to the support chamber, bringing the wafer to be plated into contact with the plating solution, keeping the wafer to be in contact with the plating solution during a previously selected time and separating the wafer from the plating solution. - 特許庁

また、銅貼基材に銅めっき処理をする工程を含むプリント配線板の製造方法において、銅めっき処理は、銅貼基材に無電解銅めっき処理をし、次いで、銅貼基材に電解銅めっきレジストを形成した後、電解めっきレジストが形成されていない箇所を選択的に電解銅めっきする工程であるプリント配線板の製造方法である。例文帳に追加

The manufacturing method for the printed-wiring board containing a process conducting a copper-plating treatment to a copper-clad base material has the process conducting an electroless copper plating to the copper-clad base material in the copper plating treatment, forming an electrolytic copper-plating resist to the copper-clad base material and selectively conducting an electrolytic copper plating at a place forming no electrolytic plating resist. - 特許庁

金属導体配線を形成した被めっき物の金属導体部分にのみ選択的に無電解ニッケルめっき処理を施す無電解ニッケルめっき方法において、該被めっき物にパラジウム触媒付与を行った後、硫酸水素塩および金属塩化物を含む液で処理してから無電解ニッケルめっき処理を行うことを特徴とする無電解ニッケルめっき方法。例文帳に追加

In the electroless nickel plating method where electroless nickel plating treatment is selectively performed only to the metal conductor part in the object to be plated with metal conductor wiring formed, palladium catalyst application is performed to the object to be plated, and thereafter, the object to be plated is treated with a liquid comprising a hydrogen sulfate salt and metal chloride, and is then subjected to electroless nickel plating treatment. - 特許庁

また、触媒に対して光化学反応を選択的に生じさせ、この基材に無電解メッキの処理を行ない、光化学反応が生じた部分にはメッキ層が形成されず、光化学反応が生じない部分にメッキ層が形成される。例文帳に追加

This method also includes selectively generating a photochemical reaction on the catalyst, and electroless plating this base material to form a plated layer on a part which has not generated the photochemical reaction and not to form a plated layer on otherwise. - 特許庁

本発明は、Niメッキピンホールが封孔された高耐食性Niメッキ鋼板の製造方法を提供することを課題とし、メッキピンホール部を選択的に反応させることが可能な処理方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a high corrosion resistant Ni plated steel sheet in which nickel plating pin holes are sealed and a treating method by which plating pin hole parts are selectively reacted. - 特許庁

例文

配線板に対して金属メッキを行なう場合に発生するメッキの染み込み現象を改善し、かつ製造工程が煩雑にならず、多種の関連設備を必要としない選択的金属メッキ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a selective metal plating method by which plating penetrat ing phenomenon occurring at the time of metal plating to a wiring board is improved, a manufacturing process is not complicated and many kinds of related devices are dispensed with. - 特許庁

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