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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 配線柱に関連した英語例文

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配線柱の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 347



例文

内側から4番目の仮想周回線上に配置された状電極12の間隔は、内側から1番目、2番目及び3番目の仮想周回線上に配置された状電極12から引き出された上層配線18を3本引き回すことができる間隔となっている。例文帳に追加

The interval of the columnar electrodes 12 arranged on the fourth virtual circulating line from the inner side is such an interval that three of the upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first, second and third virtual circulating lines from the inner side can be put around. - 特許庁

配線基板10とプリント基板20との間に熱膨張差による変形が生じても、状端子3の状部3bが屈曲変形し、基端部3cが上記形状により応力集中を防ぐので、破断しにくく、高い接続信頼性を得ることができる。例文帳に追加

Even if distortion due to the differences in thermal expansion occurs between the wiring board and the printed wiring board, the columnar part 3b of the columnar terminal 3 bends and transforms, and the base end 3c prevents the stress concentration by this shape, so that it becomes hard to break, and high reliability on connection can be obtained. - 特許庁

高さ調整手段12は、支11の上端部に載るように配置されたベース部材33を備え、当該ベース部材は、オプション装着溝31及び配線空間Sを閉塞することなく支11の外縁側をカバーする形状に設けられている。例文帳に追加

The height adjusting means 12 is provided with a base member 33 arranged to be placed on the upper end of the post 11, and the base member is provided in such a shape as to cover the outer edge side of the post 11 without blocking the optional mounting grooves 31 and wiring spaces S. - 特許庁

配線基板1上に第1の半導体チップ2を配置し、第1の半導体チップ2上に第2の半導体チップ3を配置し、第1の半導体チップ2と第2の半導体チップ3との間に空洞12を有する支4を配置し、支4の空洞12によって伝熱方向を制御する。例文帳に追加

A first semiconductor chip 2 is arranged on a wiring board 1, a second semiconductor chip 3 is arranged on the first semiconductor chip 2, a column 4 having a cavity 12 is arranged between the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 and the direction of heat transmission is controlled by the cavity 12 in the column 4. - 特許庁

例文

さらに、前記配線収容部材12は、所定高さに支持された方形パネル21と、その方形パネル21の側方に所定間隔をおいて立設された複数の支持22とから一体形成されている。例文帳に追加

Each wire storage member 12 is integrally formed with square panels 21 supported at the prescribed height and a plurality of support columns 22 erected at prescribed intervals on the side of the square panels 21. - 特許庁


例文

複数の半導体装置に対応するサイズのベース板92上の接着層91上に、シリコン基板24上に再配線および状電極を有する半導体構成体を相互に離間して接着する。例文帳に追加

Semiconductor configuration each having re-wiring and columnar electrodes on a silicon substrate 24 are bonded spaced from each other on an adhesive layer 91 on a base plate 92 having a size corresponding to a plurality of semiconductor devices. - 特許庁

第1の再配線7の接続パッド部上および島状の下地金属層7a上には状電極8A、8B、8C、8D、8Eが形成されている。例文帳に追加

Columnar electrodes 8A, 8B, 8C, 8D, and 8E are formed on a connection pad of a first re-wiring 7 and on an island-like base metal layer 7a. - 特許庁

ネガ型のドライフォトレジストフィルムからなるメッキレジスト膜を用いて電解メッキを行なうことにより、再配線7の接続パッド部上面に状電極8を形成する。例文帳に追加

The columnar electrode 8 is formed on the upper surface of the connecting pad of rewiring 7 by electrolytically plating by using the plating resist made of a negative type dry photoresist film. - 特許庁

本発明の半導体装置は、プリント配線基板の各ランドに対応するよう、半導体チップ10の主面上に、複数の弾性材料からなる、好ましくはメサ型の絶縁性支14を備える。例文帳に追加

This semiconductor device is equipped with a plurality of elastic insulating stays 14 preferably of a mesa-type on the main surface of a semiconductor chip 10 corresponding to each land of a printed wiring board. - 特許庁

例文

封止膜11上において配線形成禁止領域7の周囲には半田ボール14が表面処理層12を介して状電極10の上面に接続されて設けられている。例文帳に追加

Solder balls 14 are provided on the sealing film 11 around the wiring formation inhibition region 7 while connected to top surfaces of columnar electrodes 10 across surface treatment layers 12. - 特許庁

例文

配線8の表面および状電極11の外周面は、ポリイミド系樹脂、PBO系樹脂等からなるエレクトロマイグレーション防止膜12によって覆われている。例文帳に追加

The surface of wiring 8 and the outer peripheral surface of the columnar electrodes 11 are covered with an electromigration prevention film 12 comprising a polyimide-based resin, a PBO-based resin, or the like. - 特許庁

本発明の目的は、架空配線された電を簡便に作業性よく写真撮影し、これを規格化し、一元的に管理することが可能な技術を提供することにある。例文帳に追加

To provide a technology capable of easily photographing, standardizing and unitarily managing photographs of utility poles of aerial wiring with high workability. - 特許庁

この場合、上層再配線16の下面に一体的に形成された裁頭円錐形状の突起電極17は、絶縁膜15に食い込むように状電極12の上面中央部に接続する。例文帳に追加

In this case, frustum-shaped protruding electrodes 17 formed integrally on the lower surface of the upper-layer rewiring 16 encroach on the insulating film 15 to make them contact respectively to the upper surface centers of pillar-shaped electrodes 12. - 特許庁

第2の保護膜10の開口部11を介して露出された配線7の接続パッド部7c上面およびその周囲における第2の保護膜10上には状電極13が設けられている。例文帳に追加

Columnar electrodes 13 are provided on the upper surface of the connection pads 7c of the wiring 7 exposed via the opening 11 of the second protective film 10 and on the second protective film 10 therearound. - 特許庁

この場合、状電極12間の間隔は80μmであるため、この間隔に対応する領域に配置することができる配線18の本数は1本である。例文帳に追加

In this condition, as the interval between columnar electrodes 12 is 80 μm, the number of interconnections 18 allowed to be arranged in a region corresponding to the interval is one. - 特許庁

シールリングとして各層で積み重ねられた支配線層に対して水平方向にずれた場合であってもCuの染み出しを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of restraining the oozing of Cu even when columns superposed in respective layers as a seal ring are deviated into horizontal direction with respect to a wiring layer. - 特許庁

を利用したガラス棚等の下に照明器具類を設けた際、配線コードが見える点を解消するとともに、安価で自由度の高い照明計画を可能にする。例文帳に追加

To obtain an inexpensive illumination plan with a high degree of freedom wherein a wiring code is not visible when lighting fittings are arranged under a glass shelf utilizing shelf posts. - 特許庁

シリコン基板1上に設けられた第3の上層絶縁膜9上には複数の配線13、状電極15、封止膜16および半田ボール17が設けられている。例文帳に追加

A plurality of pieces of wiring 13, a columnar electrode 15, a sealing film 16 and a solder ball 17 are provided on a third upper layer insulating film 9 formed on a silicon substrate 1. - 特許庁

そして、絶縁膜6、再配線11、状電極12、封止膜13および半田ボール14を形成した後に、シリコン基板1間において切断し、光電変換デバイス領域2を備えた半導体パッケージを複数個得る。例文帳に追加

After an insulating film 6, rewiring 11, columnar electrodes 12, a sealing film 13 and solder balls 14 are formed, the package is cut between the silicon substrates 1 into the plurality of semiconductor packages each having a photoelectric conversion region 2. - 特許庁

次に、配線形成用金属膜7aの上面にネガ型のドライフィルムレジストからなる状電極形成用メッキレジスト膜23をパターン形成する。例文帳に追加

Then, a plating resist film for forming column-shaped electrode 23 consisting a negative type dry film resist is patterned on an upper surface of the metal film for forming wiring 7a. - 特許庁

その後、スクリーン印刷法で、開口部5aを介して再配線用導電体に接触する略状で応力緩和機能を持つ外部電極6を形成する。例文帳に追加

Afterwards, an almost pole-shaped external electrode 6 having a stress relaxing function to be brought into contact through the opening 5a to the conductor for rewriting is formed by the screen print method. - 特許庁

従って、20に沿って配策されてきた配線や配管等の配策物60は、ドッキングプレート28を迂回させることなく、貫通孔60、切欠54を通して配策することができる。例文帳に追加

Distributed materials 60 such as wiring and piping distributed along the columns 20 can thereby be distributed through the through hole 50 and cutouts 54 without making a detour around the docking plate 28. - 特許庁

これにより、酸化還元銅層10が無い場合と比較して、エポキシ系樹脂等からなる封止膜11が配線8の表面および状電極9の外周面から剥離しにくいようにすることができる。例文帳に追加

By this, the sealing film 11 formed of epoxy resin etc can be made hard to separate from the surface of the wiring 8 and the outer surface of the columnar electrode 9 compared with the case that the oxidation-reduced copper layer 10 is not present. - 特許庁

これにより、壁面を構成するための間の位置に影響されることなく、電気機器11への電源供給を行うための配線施工を行うことができる。例文帳に追加

Thus, wiring construction for supplying power to the electric device 11 is performed without being affected by a position of a stud for constituting the wall face. - 特許庁

第1の半導体構成体11は、上面周辺部に接続パッド13を有する半導体基板(ベアチップ)13上に再配線20、状電極21、封止膜23が設けられた構造となっている。例文帳に追加

The first semiconductor assembly 11 is provided with rewiring 20, a columnar electrode 21, and a sealing film 23 on a semiconductor substrate (bare chip) 13 having connecting pads 13 in the peripheral edge of its upper surface. - 特許庁

半導体チップ1の配線層2上に密着層4、接着層5を介して銅からなる状バンプ6をウェハ単位で一括形成可能な電解メッキにより形成する。例文帳に追加

A pillar-shaped bump 6 of copper is formed using electrolytic plating, which makes bundle formation possible in wafer unit via an adhesion layer 4 and a gluing layer 5 on the wiring layer 2 of a semiconductor chip 1. - 特許庁

球殻型接触子1の製造方法においては、配線板4に形成されたレジストを熱硬化させて形成したレジスト球体を型としてばね部2をめっき形成する。例文帳に追加

In the method for manufacturing the spherical shell type contact 1, plating formation of the spring part 2 is performed using a resist spherical body formed by thermally hardening a resist column formed on the wiring board 4 as a mold. - 特許庁

対向基板(130)に設けられた状スペーサ(133)をアクティブマトリクス基板(140)の配線層、特に補助容量線(152)上に当接させることにより、絶縁の維持を図っている。例文帳に追加

Insulation is maintained by making a columnar spacer (133) provided in a counter substrate (130) abut on a wiring layer, specially on an auxiliary capacity line (152) of an active matrix substrate (140). - 特許庁

銅からなる配線8の表面および銅からなる状電極9の外周面には、該外周面に形成された酸化銅層を還元処理してなる酸化還元銅層10が設けられている。例文帳に追加

An oxidation-reduced copper layer 10 formed by applying reduction treatment to an oxide copper layer formed on the outer surface of a columnar electrode 9 is formed on the surface of the wiring 8 composed of copper and on the outer surface of the columnar electrode. - 特許庁

配線基板18を固定子16に対して位置決めするための2本の位置決め32を、固定子鉄心12から突出するように絶縁性樹脂によってプレモールド時に絶縁層30と一体に形成したものである。例文帳に追加

Two pieces of positioning columns 32 for positioning the wiring board 18 to a stator 16 are formed integral with an insulating layer 30 at the time of pre-molding by using an insulating resin, so as to protrude from a stator core 12. - 特許庁

また、導通部として機能する磁性体結合体9は状であるので、配線間隔に短い高密度に集積された回路の結線が可能となる。例文帳に追加

Since the magnetic combination body 9 functioning as a conductive part is columnar, wiring of a circuit integrated at small wiring intervals with high density is enabled. - 特許庁

配線8を含む保護膜5の上面には第1の封止膜10がその上面が状電極9の上面と面一となるように設けられている。例文帳に追加

According to the semiconductor device, a first sealing film 10 is so formed on the upper surface of a protective film 5 including wiring 8 that the upper surface of the first sealing film 10 is flush with the upper faces of columnar electrodes 9. - 特許庁

上層保護膜13の上面には銅箔からなる上層配線17が状電極9上に設けられた第1、第2の表面処理層11、12に接続されて設けられている。例文帳に追加

An upper-layer wire 17 made of copper foil is connected to first and second surface treatment layers 11, 12 provided on a columnar electrode 9 on the upper surface of the upper-layer protective film 13. - 特許庁

これにより、酸化銅膜11が無い場合と比較して、エポキシ系樹脂等からなる封止膜12が配線7の表面および状電極10の外周面から剥離しにくいようにすることができる。例文帳に追加

This configuration enables the sealing film 12 made of an epoxy resin etc. to be hardly peeled off from the surface of the wiring 7 and the outer circumferential surface of the columnar electrode 10, compared to a case where the copper oxide film 11 is not formed. - 特許庁

貫通孔内へ導電性金属配線を形成するに際し、前記貫通孔内にガスデポジション法により導電性金属微粒子からなる金属を形成する。例文帳に追加

A metal pole comprising fine particles of a conductive metal material is formed in the through-hole with a gas deposition method at the time of forming the conductive metal wiring into the through-hole. - 特許庁

が木製であっても軽量型鋼製であっても、堅固ですばやく取り付けることができる取り付けねじを装着した配線ボックスを提供する。例文帳に追加

To provide a strong and quickly mountable wiring box with a mounting screw, even if a stud is made of wood or light-gauge steel. - 特許庁

導電体14Bの上方において溝配線部絶縁膜15を除去して容量用開口部151を形成し、第1層間絶縁膜15の上面に容量素子用絶縁膜16を形成する。例文帳に追加

The groove wiring portion insulation film 15 is removed over the conductor post 14B to form a capacitive opening 151, and a capacitive element insulation film 16 is formed on the top surface of the groove wiring portion insulation film 15. - 特許庁

配線8の表面および状電極11の外周面は、ポリイミド系樹脂、PBO系樹脂等からなるエレクトロマイグレーション防止膜12によって覆われている。例文帳に追加

The surface of the wiring 8 and the outer circumferential surface of the columnar electrode 11 are covered by an electromigration-preventing film 12 made of polyimide based resin, poly benzo oxysazole (PBO) based resin, or the like. - 特許庁

分割コア30a,30bに貫通孔を形成する溝36a,36bを設け、予めかご形に形成された固定子用コイルのコイル支23aに取り付けられた温度検出素子26からの導電ライン28を配線する。例文帳に追加

Grooves 36a, 36b for penetration hole formation are formed at the divided cores 30a, 30b, and a conductive line 28 from a temperature detection element 26 attached to a coil columnar support 23a of the stator coil formed in the cage shape in advance is wired. - 特許庁

から複数本のアームを放射状に延伸させて設けてなり、これらのアームに天板等の家具用部材をそれぞれ下方から支持させてなる家具に、少ない部品点数及び少ない組立工数で配線支持具を設ける。例文帳に追加

To provide a wire support implement with a small number of components and assembling man-hours in furniture formed by radially extending a plurality of arms from a support and supporting a furniture member such as a top board to the arms from the lower part respectively. - 特許庁

状に加工されたメモリセルの上層配線の延在方向と直交する方向への縒れや倒れを抑制することができる不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a nonvolatile storage device, capable of preventing a memory cell processed into a columnar shape from being twisted and collapsed in the direction perpendicular to the extending direction of an upper layer wiring. - 特許庁

分電盤が取り付けられる壁面内に横があって配線孔の開口高さ寸法を所定寸法より小さくしなければならない場合でも1種類のセパレータで対応できる分電盤の気密構造を提供する。例文帳に追加

To provide an airtight structure of a distribution board wherein such a situation that there is a cross beam in the wall surface to which a distributed board is attached and thereby the opening height dimension of a wiring hole must be smaller than a predetermined dimension can be coped with one type of separator. - 特許庁

上下の建屋間にまたがり配線を引き回す際、建屋壁5を支持する胴縁6と、この胴縁6を支持する建屋7に接続される建屋梁8との隙間に、ケーブルシャフト4を通す。例文帳に追加

In laying a striding wiring between upper and lower buildings, a cable shaft 4 is passed through the space between a shell edge 6 supporting a building wall 5 and a building beam 8 jointed to a building column 7 which supports the shell edge 6. - 特許庁

この場合、上層再配線16の下面に一体的に形成された裁頭円錐形状の突起電極17は、絶縁膜15に食い込まされて状電極12の上面中央部に接続されている。例文帳に追加

In this case, a conic projection electrode 17 whose top is cut and which is collectively formed on a lower surface of the upper layer re-wiring 16 is made to encroach on the insulating film 15 and connected to the upper surface center of a pillar-shaped electrode 12. - 特許庁

コンデンサ等の状部品をプリント配線基板に穴をあけ、コンデンサの端子側に対応する穴の幅を広く、端子と反対側の穴の幅を狭くする。例文帳に追加

A columnar component, e.g. a capacitor, is mounted by boring a hole in a printed wiring board wherein the width of the hole corresponding to the terminal side of the capacitor is widened and the width on the side opposite to the terminal is narrowed. - 特許庁

LED1においては、円筒形の金属支持4の上端に円板状の金属ベース基板3が固定され、金属ベース基板3の下面にプリント配線がなされて、複数の発光素子2がマウントされている。例文帳に追加

The LED 1 comprises a disc-like metal base board 3 fixed to an upper end of a cylindrical metal supporting post 4, printed wirings formed on a lower surface of the board 3, and a plurality of the light emitting elements 2 mounted on the lower surface of the board. - 特許庁

W−CSPと呼ばれる半導体構成体3は、シリコン基板5、接続パッド6、絶縁膜7を含み、さらに、保護膜9、配線12、状電極13、封止膜14を含んで構成されている。例文帳に追加

The semiconductor structure 3, referred to as W-CSP, comprises a silicon substrate 5, a connection pad 6, and an insulating film 7 and further provided with a protective film 9, wiring 12, a columnar electrode 13, and a sealing film 14. - 特許庁

ケーブルやコード類を体裁良く収納出来るとともに、配線作業時にケーブルやコード類を取り出しやすいテーブルの脚を提供すること。例文帳に追加

To provide a leg of a table in which cables or cords can be stored neatly and the cables or cords can be taken out easily for wiring. - 特許庁

ヘッドの長尺化、高密度化に伴ってフレキシブル配線基板と圧電素子との接合位置ズレや接合強度不足による接合信頼性の低下が生じる。例文帳に追加

To solve the problem that the deterioration of bonding reliability occurs due to the displacement of a bonding position and the lack of the bonding strength of a flexible wiring substrate and piezoelectric element columns accompanied by the elongation and high density of a head. - 特許庁

例文

次に、埋込材34の開口部内における接着層22上に、シリコン基板24上に再配線31、状電極32および封止膜33を設けてなる半導体構成体23を接着する。例文帳に追加

Next, a semiconductor constituting body 23, provided on the silicon substrate 24 with a rewiring 31, a columnar electrode 32 and a sealing film 33, is bonded onto the bonding layer 22 in the opening of the embedding member 34. - 特許庁

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