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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 酸強度分布に関連した英語例文

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酸強度分布の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 23



例文

原料の粒度分布などに拘りなく、高い強度を有する炭固化体を安定して製造する。例文帳に追加

To stably manufacture a carbonated solid having a high strength regardless of the particle size distribution or the like of a raw material. - 特許庁

これにより、Locos化層102のソース領域108に近い側での電界強度分布が緩和される。例文帳に追加

Consequently, an electric field intensity distribution of the Locos oxide layer 102 on a side nearby the source region 108 is relaxed. - 特許庁

金属水化物や金属化物を極めて均質かつ微細な分散状態で担体に担持させることにより、塩基量が多くかつ酸強度分布の狭い固体触媒を製造する。例文帳に追加

To manufacture a solid acid catalyst containing a large acid-base amount and having a narrow acid strength distribution by depositing a metal hydroxide and a metal oxide on a carrier in an extremely uniform and minutely dispersed state. - 特許庁

熱蛍光の発光強度分布が加熱による発光強度のピークと重複しない可視領域に存在し、かつ銅含有の三ホウリチウムを材料とした場合と比して熱蛍光の発光強度が高い熱蛍光板状体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thermoluminescent plate in which the light emission intensity distribution of thermoluminescent light is present in a visible light region not overlapping a peak of the light emission intensity due to heating, and which has a higher light emission intensity of thermoluminescence than the case where lithium triborate containing copper is used as a material; and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

例文

過剰キャリアの濃度分布の測定前に、半導体ウェーハの表面から自然化膜を含む化膜を除去するので、濃度分布の測定視野内における無欠陥領域上と欠陥領域上での発光強度の差が増大する。例文帳に追加

Since an oxide film including a natural oxide film is removed from a surface of a semiconductor wafer before measuring concentration distribution of excess carriers, a difference of light emission on a non-defective region and on a defective region in a measuring visual field of the concentration distribution is increased. - 特許庁


例文

密度や強度や細孔分布について、容易に制御を行うことができ、比表面積及び細孔容積が大きなスルホン化多孔性カーボン及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a sulfonated porous carbon which can be easily controlled in respect of acid density, acid strength, and a pore distribution and has a large specific surface area and a large pore volume, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

母体としての七ホウリチウムと、母体中に存在する発光中心としての銅とを含み、熱蛍光の温度に対する発光強度分布が、45〜130℃の範囲内において唯一かつ単峰型である。例文帳に追加

The thermoluminescent phosphor includes lithium heptaborate as a parent body, and copper as a luminescence center present in the parent body, wherein the light emission intensity distribution in temperature of thermoluminescence is only one and unimodal in the range of 45 to 130°C. - 特許庁

粒径が小さく、且つ粒径分布が狭く、発光強度が良好な蛍光体の製造方法を提供すると共にプラズマディスプレイパネルに好適に用いることができる金属化物系無機蛍光体を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a fluorescent substance having small particle diameters, a narrow particle size distribution and excellent emission intensity and to obtain a metal oxide-based inorganic fluorescent substance preferably useful in a plasma display panel. - 特許庁

単色の入射X線で化チタン試料表面の被測定領域全体を照らし、各部位からの回折X線を二次元位置敏感型検出器で区別して検出して強度分布画像を形成する。例文帳に追加

The whole of the region to be measured of the surface of the titanium oxide sample is irradiated with monochromatic incident X-rays and the diffracted X rays from the respective regions of the region to be measured of the surface of the titanium oxide sample are discriminated and detected by a two-dimensional sensitive detector to form an intensity distribution image. - 特許庁

例文

下部第1DBR層12は、電流注入領域17Bとの対向領域のうち一の領域に化部30を有しており、化部30の不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層15に発生し、さらに、基本横モードの光場強度分布化部30の方向に引き寄せられる。例文帳に追加

The lower first DBR layer 12 has an oxidized portion 30 in one region out of opposite regions to a current injection region 17B, and anisotropic stress corresponding to an non-uniform distribution of the oxidized portion 30 is generated in an active layer 15, and further an optical field intensity distribution of a basic lateral mode gravitates in a direction of the oxidized portion 30. - 特許庁

例文

分布の均一性の程度は、該複合化物触媒において、該複合化物触媒粒子の断面を組成分析した時の成分XとSiの信号強度比の分散値D_xが、0<D_x<0.5の範囲にあるようにする。例文帳に追加

A degree of the distribution uniformity of the component X in the composite oxide catalyst is set so that the dispersion value D_x of a signal intensity ratio of the component X to Si when the cross section of the particles of the composite oxide catalyst is compositionally analyzed is within a range of 0<D_x<0.5. - 特許庁

非単結晶半導体膜のレーザ光入射面上に絶縁膜として少なくとも化シリコン膜と窒化シリコン膜とを所定の膜厚に順次積層し、所定の光強度分布に位相変調した均一化レーザ光を絶縁膜の側から非単結晶半導体膜に照射する。例文帳に追加

As an insulating film, at least a silicon oxide film and a silicon nitride film are laminated, in the order to a laser beam incidence plane of a non-single-crystalline semiconductor film up to a prescribed thickness, and a uniform laser beam that is phase-modulated to a specific light intensity distribution is irradiated to the non-single-crystalline semiconductor film from the insulating film side. - 特許庁

燃料電池に関し、燃料電池に於ける筐体の強度を低下させることなく、素の供給、二化炭素及び水の排出を支障なく実施できるようにして、発電特性に分布を生じないように、また、触媒や電解質が劣化しないようにする。例文帳に追加

To prevent the distribution of power generation characteristics and deterioration of catalyst or electrolyte of a fuel cell by seeing to it that supply of oxygen as well as exhaust of carbon dioxide and water is smoothly carried out without degrading strength of a case of the cell. - 特許庁

そして、撮像手段16により測定対象部分の発光強度の減衰過程を、光の照射パルス周期よりも短い間隔で撮影することで、測定対象部分全体の素分圧分布等を、当該部分に塗布された素消光性塗料の発光強度の減衰率に基づき把握することが可能となる。例文帳に追加

By photographing an attenuation process of emission intensity of the measurement object part at intervals shorter than the emission pulse cycles of the light by using a photographing means 16, the oxygen partial pressure distribution or the like of the whole measurement object part is obtained on the basis the attenuation rate of the emission intensity of the oxygen quenching coating applied to the part. - 特許庁

アルミニウム化物を含む無機担体にコバルトが担持された水素化処理用触媒であって水素化処理に用いられる前の触媒についてXAFS分析を行い、Co K吸収端のEXAFSスペクトルから動径分布曲線を得、該動径分布曲線においてCo−O結合に帰属されるピークの強度I_0を求める。例文帳に追加

A hydrotreating catalyst which consists of cobalt supported by an inorganic support containing an aluminum oxide and is to be used in hydrotreating is subjected to an XAFS analysis to obtain a radial distribution curve from an EXAFS spectrum of the CoK absorption edge, and an intensity I_0 of the peak assigned to the Co-O bond in the radial distribution curve. - 特許庁

化成処理を施した金属板の片面もしくは両面に、1層以上のアミノプラスト樹脂を硬化剤として用いた樹脂塗膜層をトップ塗膜層として有する金属板において、トップ塗膜層について高周波放電式グロー放電発行分光分析で塗膜の深さ方向の元素濃度分布を測定し、トップ塗膜層の空気に接している表面をゼロ点とし、ここから深さ方向の距離をTとし、更に、Nc=[窒素のスペクトル強度]/{[窒素のスペクトル強度]+[素のスペクトル強度]+[炭素のスペクトル強度]}と定義したときに、Ncの値が次の(A)0μm≦T≦0.5μmのいずれかの深さにおけるNcの値が0.45以上である。例文帳に追加

In a metal sheet wherein at least a resin coating film layer using an aminoplast resin as a curing agent is provided on one side or both sides of a metal sheet subjected to chemical conversion treatment, the element concentration distribution in the depth direction of the coating film is measured with respect to a top coating film layer by high frequency discharge type glow discharge emission spectrochemical analysis. - 特許庁

熱蛍光体は、母体としての七ホウリチウムと、母体中に存在する発光中心としての銅とを含んでおり、及び熱蛍光の波長に対する発光強度分布が、唯一かつ単峰型であり、かつ600nmよりも短波長の可視領域内に存在する。例文帳に追加

The thermoluminescent phosphor includes lithium heptaborate as a parent body, and copper as a luminescence center present in the parent body, wherein the light emission intensity distribution in wavelength of thermoluminescence is only one and unimodal, and is present in the visible light region of shorter wavelengths than 600 nm. - 特許庁

配合設計が容易であり、所定の粒度分布強度が得られると共に、加里成分の含有量を少なくしても、く溶性加里(C−K_2O)、可溶性けい(S−SiO_2)等の生成量を容易にコントロールすることができるけい加里肥料、及び製造効率が良好となるけい加里肥料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a potassium silicate fertilizer in which a compounding design is easy; the prescribed particle distribution and strength are obtained; and the generation amount of potassium (C-K_2O)soluble in citric acid solution, soluble silicic acid (S-SiO_2) or the like can easily be controlled, and also to provide a production method for the fertilizer exerting good production efficiency. - 特許庁

粒子の向きによる光散乱強度分布の均一性が高く、優れた紫外線吸収効果を有する星型化亜鉛粒子、及び該星型化亜鉛粒子をDouble−Jet反応装置等の特別な装置を用いることなく、簡便なプロセスで効率よく製造することができる星型化亜鉛粒子の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide star-shaped zinc oxide particles having highly uniform light-scattering intensity distribution in all directions of the particles and an excellent ultraviolet ray-shielding effect, and to provide a method for efficiently producing star-shaped zinc oxide particles in a simple process without any specific apparatus such as a Double-Jet reaction apparatus. - 特許庁

インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成した特性にバラツキが少ない増幅回路と表示素子の駆動回路を用いて、マトリクス状に配置したフォトダイオードが捉える光の強度分布を再現よく電気信号に変換して取り出し、マトリクス状に配置した表示素子をムラなく駆動する。例文帳に追加

An amplifier circuit and a drive circuit of display elements, which are constituted of the thin-film transistors employing the oxide semiconductor containing indium, gallium, and zinc and have small characteristic variations, are used to convert light intensity distribution received by the photodiodes disposed in a matrix into electrical signals with high reproducibility for extraction, thus the display elements disposed in a matrix being driven in a uniform manner. - 特許庁

ガラス41上に絶縁性下地層42aと化亜鉛層42bが順次積層された透明電極層に対し、Nd−YVO4(ネオジウム・ワイ・ブイ・オー・フォアー)レーザーから出力される第二高調波(波長532nm)であり、ビーム断面の出力強度分布が均一化されかつビーム先端部が平らであるレーザービームで分離溝43を形成する。例文帳に追加

An isolation groove 43 is formed in a transparent electrode layer in which an insulating ground layer 42a and a zinc oxide layer 42b are sequentially laminated on a glass 41 by a laser beam which is a second harmonic (with a wavelength of 532 nm) outputted from a Nd-YVO4 (neodymium-YVO4) laser, and whose cross sectional output intensity distribution is equalized and whose fore-end is flat. - 特許庁

陽極化工程において半導体基板10の上記他表面側に対向配置される陰極25が、半導体基板10の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源30と半導体基板10の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。例文帳に追加

In the anodizing process, the cathode 25 is arranged opposite to the other surface side of the semiconductor substrate 10 and a mask for patterning is designed so as to form a light intensity distribution in accordance with a desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and is arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp and the other surface of the semiconductor substrate 10. - 特許庁

例文

陽極化工程において半導体基板10の上記他表面側に対向配置される陰極25が、半導体基板10の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源30と半導体基板10の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。例文帳に追加

The cathode 25 arranged opposite on the other surface side of the semiconductor substrate 10 in the anodizing step is so pattern-designed as to constitute a mask arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp designed to form a light intensity distribution corresponding to the desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and the other surface of the semiconductor substrate 10. - 特許庁

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