「電荷領域」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

このノイズ電荷吸収領域はセルアレイ部と周辺回路部との間に形成される。例文帳に追加

The region is formed between the cell array part and a peripheral circuit part. - 特許庁

転送電極は、信号電荷収集領域の辺ＦＤ１ａ，ＦＤ１ｂ，ＦＤ２ａ，ＦＤ２ｂに沿って伸びる部分を有する。例文帳に追加

A transfer electrode includes a part extending along the sides FD1a, FD1b, FD2a, FD2b of the signal electric charge region. - 特許庁

移送ゲートは、光電変換領域から画素出力回路への電荷移送を制御する。例文帳に追加

The transfer gates control a charge transfer from the photoelectric conversion regions to the pixel output circuit. - 特許庁

電荷蓄積層１４は、半導体基板１０のチャネル領域上方に形成されている。例文帳に追加

The charge storage layer 14 is formed above a channel region of a semiconductor substrate 10. - 特許庁

そして、ドレイン２，電荷集中領域１２，及びソース１４を含んでトランジスタが構成される。例文帳に追加

A transistor is formed by including the drain 2, the charge concentration region 12 and the source 14. - 特許庁

ｎ型低濃度半導体層３４ａは、ターンオフ時に空間電荷領域の広がりを抑制する。例文帳に追加

The n-type low-density semiconductor layer 34a suppresses spreading of a space charge region in a turn-off state. - 特許庁

電荷蓄積領域に蓄積した電子の保持特性の優れた半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device which is superior in retention characteristics of electrons accumulated in charge storage regions. - 特許庁

セルアレイ部の周りに基板内のノイズ電荷を吸収する領域を形成する。例文帳に追加

A region for absorbing noise charges in a substrate is formed around a cell array part. - 特許庁

第１導電型の電荷蓄積領域１２は、半導体基板１１中に埋め込まれている。例文帳に追加

A first conductivity type charge accumulation region 12 is buried in a semiconductor substrate 11. - 特許庁

半導体基板は、裏面からの光が照射される側に画素分離された電荷蓄積領域を備える。例文帳に追加

The semiconductor substrate has a pixel-isolated charge accumulation region on a side irradiated with light from a rear surface. - 特許庁

セル電荷記録層パターンが前記セル活性領域を横切るように配置される。例文帳に追加

It is arranged such that a cell charge recording layer pattern crosses the cell active region. - 特許庁

ＯＢ画素領域の少なくとも一部において画素は電荷保持部２０２を有する。例文帳に追加

A pixel has a charge holding unit 202 in at least part of the OB pixel area. - 特許庁

特定の領域において有機半導体の電荷タイプを変換する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of converting a charge type of an organic semiconductor in a specified region. - 特許庁

複数に分散した領域に電荷を蓄えることで、高い信頼性を実現させる。例文帳に追加

High reliability is realized by storing a charge in regions divided into a plurality. - 特許庁

複数のユニット１４は、撮像領域からの電荷に基づく信号を生成するものである。例文帳に追加

The plurality of units 14 each generate a signal based on the charges from the imaging region 12. - 特許庁

空間電荷制限電流領域を有する物質の移動度および緩和時間の測定方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING MOBILITY AND RELAXATION TIME OF MATERIAL HAVING SPACE CHARGE LIMITED CURRENT AREA - 特許庁

また、保持電荷蓄積容量部にも抵抗率の低い領域を用いることができる。例文帳に追加

Also, the region of the resistivity can be used in a holding charge accumulation capacitor section as well. - 特許庁

光電変換部は、不純物拡散領域を有し、受光量に応じた信号電荷を生成する。例文帳に追加

The photoelectric conversion part has an impurity diffusion region and generates signal charges depending on the quantity of received light. - 特許庁

接合型電界効果トランジスタは、この信号電荷を受けるためのゲート領域を有している。例文帳に追加

The junction type field effect transistor comprises a gate area for receiving this signal electric charge. - 特許庁

前記アライメントキー領域上にアラインメント電荷記録層パターンが配置される。例文帳に追加

An alignment charge recording layer pattern is arranged on the alignment key region. - 特許庁

離間した領域１１によって、電荷担体の再結合が減少し不活性層の形成が防止される。例文帳に追加

Thanks to the region 11, re-coupling of a charge carrier reduces, preventing formation of an inactive layer. - 特許庁

また、出力領域２０には、電荷電圧変換部及び出力回路が設けられている。例文帳に追加

Also the output region 20 is provided with a charge-voltage converting section and an output circuit. - 特許庁

電荷蓄積層７は基板１の第１領域の両側上に設けられる。例文帳に追加

The potential accumulating layers 7 are formed on both sides of the first area of the substrate 1. - 特許庁

これにより、画素内における光電変換部の電荷蓄積領域（面積）を増大できる。例文帳に追加

Thus, the charge accumulation region (area) of the photoelectric conversion part in a pixel can be enlarged. - 特許庁

撮像領域間で光電荷の蓄積時間のずれを少なくして良好な画像を形成する。例文帳に追加

To form an excellent image with reducing deviation of storing time of photoelectric charge among imaging areas. - 特許庁

従って、電荷蓄積用不純物拡散領域と第２転送電極との位置ずれは生じない。例文帳に追加

Consequently, any position displacement between the impurity diffusion region for charge storage and the second transfer electrode is prevented from happening. - 特許庁

半導体層３の内部にフォトダイオードを構成する電荷蓄積領域４が形成され、この電荷蓄積領域４の内部又は下に、電荷蓄積領域４を透過した光を反射させて電荷蓄積領域４の中央部に向かわせる反射膜１６が設けられている固体撮像素子を構成する。例文帳に追加

The solid-state image pickup element includes a structure in which a charge accumulating region 4 configuring a photodiode is formed in a semiconductor layer 3, and a reflection film 16 for reflecting light transmitting through the charge accumulating region 4 and allowing the light to propagate toward the center of the charge accumulating region 4 is formed in or below the charge accumulating region 4. - 特許庁

基板上に電荷保存領域、制御ゲートおよび選択ゲートを形成する。例文帳に追加

A charge save area, a control gate and a select gate are formed on a substrate. - 特許庁

受光部１１は、光照射を受けてホールを発生し蓄積する電荷発生領域１７を備える。例文帳に追加

The light receiver 11 has a charge generation region 17 which generates and accumulates a hole on receiving light irradiation. - 特許庁

光電変換部は、半導体基板４３の表面側の第１導電型半導体領域６１と、半導体基板４３の内部側の第２導電型電荷蓄積領域６３と、両領域６１及び６３との間に挟まれた真性半導体領域６２、又は第２導電型電荷蓄積領域６３より低不純物濃度のｐ型半導体領域とを有する。例文帳に追加

The photoelectric conversion part includes: a semiconductor region 61 of a first conductivity type, provided on a surface of a semiconductor substrate 43; a charge storage region 63 of a second conductivity type, provided inside the semiconductor substrate 43; and an intrinsic semiconductor region 62 held between the semiconductor region 61 and the charge storage region 63, or a p-type semiconductor region doped more lightly than the charge storage region 63 of a second conductivity type. - 特許庁

基板と、基板上に島状に形成された半導体層と、前記半導体層中に形成されたソース領域、ドレイン領域、チャネル領域、およびボディ領域とを備え、前記ボディ領域に連続して形成されたボディコンタクト領域と、前記半導体層上に形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に形成されたゲート電極とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a substrate; a semiconductor layer formed on the substrate in an island shape; a source region, a drain region, a channel region, and a body region formed in the semiconductor layer; a body contact region continuously formed in the body region; a charge storage layer formed on the semiconductor layer; and a gate electrode formed on the charge storage layer. - 特許庁

逆電圧バイアスがｐ＋領域１２およびｎ＋領域１３の両端間に印加された場合に、過剰な電荷がドリフト小領域１４”の１つの内に他のドリフト小領域１４’に対して形成されるように、この過剰な電荷はｐ＋領域１２から距離とともにほぼ直線的に変化するように、ドリフト小領域１４’、１４”は配置される。例文帳に追加

The small drift areas 14' and 14" are so arranged that when a reverse bias is applied between both ends of the p+ area 12 and n+ area 13, excessive electric charges change linearly with the distance from the p+ area 12 to generate excessive electric charges in one small drift area 14" to the other drift area 14'. - 特許庁

ＣＣＤ装置（２００）は、そのＣＣＤレジスタ（２０３）内に電荷増倍と電荷領域ダイナミック・レンジ圧縮を組み込む。例文帳に追加

The CCD device (200) incorporates charge multiplier in its CCD registers (203) together with charge domain dynamic range compressor. - 特許庁

信号電荷蓄積部７は、浮遊拡散領域２２と基板２０との間の接合容量Ｃ_ＦＤによって信号電荷を蓄積する。例文帳に追加

The signal charge storage part 7 stores the signal charge by a coupling capacitor CFD between the stray diffusion area 22 and the substrate 20. - 特許庁

無駄な信号電荷の読み出しを行なわず、有効な撮像領域に対する信号電荷だけを用いて効率的な撮像動作を行なう。例文帳に追加

To provide a solid-state image pickup element which performs efficient image pick-up operation by only using the signal charges for effective image pickup areas without reading out useless signal charges. - 特許庁

出力部２１は、エネルギー線感応領域１１内で発生した電荷を蓄積し、蓄積した電荷を電圧に変換して出力する。例文帳に追加

The output part 21 accumulates the electric charge generated in the region 11 to output the voltage by converting the accumulated electric charge. - 特許庁

確実に区画される微小な電荷蓄積領域を有する電荷蓄積型の高密度記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a charge storage type high density recording medium having reliably divided minute charge storage areas. - 特許庁

また、他方のリファレンスセルの電荷蓄積領域に、最も電流が多いメモリセル特性と等価な状態となるように電荷が蓄積される。例文帳に追加

In addition, charge is accumulated in a charge accumulation area of the other reference cell so as to be equivalent to a memory cell characteristic with the maximum current. - 特許庁

電荷注入阻止層が所望の膜厚に到達したら、印加電力を上昇させて電荷注入阻止層の変化領域を形成する。例文帳に追加

When the electric charge injection inhibitive layer attains a desired film thickness, the changing regions of the electric charge injection inhibitive layer are formed by increasing the impressed electric power. - 特許庁

電荷転送部における隣接領域からの２次元変調による転送特性の劣化を除去し、取扱電荷量の増大等を図る。例文帳に追加

To realize increase of the quantity of handling charge by eliminating deterioration of a transfer characteristic caused by a two-dimensional modulation of an adjacent region in a charge transfer. - 特許庁

半導体活性領域からの電荷キャリアの脱出を阻止して、電荷キャリアのより有効な閉じ込めを示すＨＥＭＴを提供する。例文帳に追加

To provide a high electron mobility transistor (HFET) which exhibits more effective containment of charge carriers by preventing charge carrier migration out of a semiconductor active region. - 特許庁

電荷発生領域の分散形成は、電荷発生層塗工液をピエゾ式のインクジェット法により噴射することで行なう。例文帳に追加

The dispersed formation of the charge generating regions is carried out by jetting a coating liquid for the charge generating layer by a piezo system ink jet process. - 特許庁

光電変換素子からの電荷転送時に、ウェル領域に負電圧の基板バイアス電圧を印加して信号電荷の読み出しを円滑にする。例文帳に追加

A negative substrate bias voltage is applied at a well region in transferring the charge from the photoelectric converter to read out smoothly the signal charge. - 特許庁

ガード・バンドは、電荷が移動する経路を分断することによってＥＳＤを低減させ、重要なパターン領域を電荷の移動から分離する。例文帳に追加

The guard bands decrease the ESDs by dividing the routes where charges move, thereby separating the important pattern regions from the movement of the charges. - 特許庁

上記絶縁層は、シリコン基板１とソース領域１０との境界およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界を跨ぐように、シリコン基板１とソース領域１０に接すると共にシリコン基板１とドレイン領域１１に接する固定電荷を含む領域８を有する。例文帳に追加

The insulation layer has a region 8 containing fixed charge in contact with the silicon substrate 1 and the source region 10 and also in contact with the silicon substrate 1 and the drain region 11 across the border between the substrate 1 and the region 10 and the border between the substrate 1 and the region 11. - 特許庁