「電荷領域」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

電荷蓄積領域250はチャネル領域273の一部とチャネル領域の両側に配置された拡散領域212,213の一部とに跨って存する。例文帳に追加

The charge storage region 250 is disposed straddling a part of a channel region 273 and a part of diffusion regions 212 and 213 arranged at both sides of the channel region. - 特許庁

演算部６において、受光電荷蓄積領域２に蓄積された受光電荷から得た出力から、非受光電荷蓄積領域５に蓄積され、受光領域または非受光領域から排出されるまでに要する転送動作の回数が当該受光電荷と同じである非受光電荷から得られた出力を差し引いて、不要電荷の影響を相殺する。例文帳に追加

Thus, the influence of any unnecessary charge can be offset. - 特許庁

ひとつの画素の動作は、フォトダイオード領域１７での信号電荷蓄積→フォトダイオード領域１７に蓄積された信号電荷を電荷保持領域２１に転送→電荷保持領域２１における信号電荷の保持→電荷保持領域２１からフローティングディフュージョン領域１８への信号電荷転送、を基本としている。例文帳に追加

An operation of one pixel is fundamentally a signal charge accumulation in a photodiode area 17, a transferring the signal charge accumulated in the photodiode 17 to the charge holding area 21, a holding the signal charge in the charge holding area 21, and a transferring the signal charge from the charge holding area 21 to the floating diffusion area 18. - 特許庁

ひとつの画素の動作は、フォトダイオード領域１７での信号電荷蓄積→フォトダイオード領域１７に蓄積された信号電荷を電荷保持領域２１に転送→電荷保持領域２１における信号電荷の保持→電荷保持領域２１からフローティングディフュージョン領域１８への信号電荷転送、を基本としている。例文帳に追加

The operation of one pixel is based upon signal charge accumulation in a photodiode 17, the transfer of signal charges accumulated in the photodiode area 17 to the electric charge holding area 21, the holding of the signal charges in the electric charge holding region 21, and signal charge transfer from the electric charging holding region 21 to the floating diffusion region 18 in this order. - 特許庁

この電荷混入防止領域は、正味の平均不純物濃度が半導体領域よりも高いので、信号電荷に対する障壁となり、隣接画素から流入してきた電荷が電荷蓄積領域に混入することを抑制する。例文帳に追加

Having a net average impurity concentration higher than that in the semiconductor region, the charge mixing prevention region serves as a barrier against signal charge, inhibiting charges that flows in from adjacent pixels from mixing into the charge storage region. - 特許庁

電荷発生領域は、その縁が第２の領域Ｒ２の縁に沿って伸びている。例文帳に追加

The periphery of the electric charge generation region extends along the periphery of the second region R2. - 特許庁

全画素領域内の正規の領域に、所定量の壁電荷が安定して形成される。例文帳に追加

Thus, a predetermined quantity of wall charges are stably formed in the normal area in the whole pixel area. - 特許庁

光電変換領域からフローティング領域に電荷を効率よく転送する。例文帳に追加

To transfer charges efficiently from a photoelectric conversion region to a floating region. - 特許庁

半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、光感応領域にて発生した電荷を蓄積する。例文帳に追加

The semiconductor regions FD1 and FD2 accumulate the electric charge generated in the light sensitive region. - 特許庁

そして、その第１領域（１１）とその第２領域（１５）は、ピンニング状態でその信号電荷を保持する。例文帳に追加

The first region (11) and the second region (15) hold their signal charge in a pinning state. - 特許庁

Ｐ型拡散領域３８で発生した電荷がＮ型領域６０に吸い込まれる。例文帳に追加

The charge generated in the P-type diffusion region 38 is absorbed in the N-type region 60. - 特許庁

半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、光感応領域にて発生した電荷を蓄積する。例文帳に追加

The semiconductor regions FD1 and FD2 store electric charge generated by the light sensitive region. - 特許庁

各画素は、第２導電型の電荷蓄積領域（光電変換部）と、電荷蓄積領域から電荷が転送される第２導電型の電荷検出領域を含むと共に転送された電荷量に応じた画素信号を出力する増幅部と、第１導電型の素子間分離領域とを有する。例文帳に追加

Each pixel includes a second conductive electric charge storage region (photoelectric conversion section); an amplifier including a second conduction type electric charge detection region to which electric charges are transferred from the electric charge storage region, and providing an output of a pixel signal in response to the transferred electric charge amount; and a first conduction type inter-element separation region. - 特許庁

電荷蓄積領域から電荷を出力する際の電荷転送特性の改善と電荷蓄積時の暗電流発生の抑制を両立する。例文帳に追加

To strike a balance between the improvement of charge transfer characteristics when output of a charge from a charge storage area and the control of the occurrence of dark current during charge storage. - 特許庁

メモリ機能体はそれぞれ、電荷蓄積領域250を有する電荷保持膜242を含む。例文帳に追加

Each memory functional body includes a charge holding film 242 having a charge storage region 250. - 特許庁

電荷領域内に対数ダイナミック・レンジ圧縮を実現する電荷増倍器例文帳に追加

CHARGE MULTIPLIER WITH LOGARITHMIC DYNAMIC RANGE COMPRESSION IMPLEMENTED IN CHARGE DOMAIN - 特許庁

チャネル領域（３３、３４、３５）は、電荷蓄積層（２４）の下の第１領域（３３）と、第１領域（３３）と第１不純物注入領域（３１）との間のセレクト側領域（３４）と、第１領域（３３）と第２不純物注入領域（３２）との間のアシスト側領域（３５）とを含むことが好ましい。例文帳に追加

The channel regions (33, 34, 35) preferably include: a first region (33) under the charge accumulation layer (24); a select side region (34) between the first region (33) and the first impurity implantation region (31); and an assist side region (35) between the first region (33) and the second impurity implantation region (32). - 特許庁

これにより、ソース領域４４側に蓄積する電荷とドレイン領域４６側に蓄積する電荷とを空間的に容易に分離することができる。例文帳に追加

Thus, charges accumulated in the source region 44 and charges accumulated in the drain region 46 are readily separated spatially. - 特許庁

一つの電荷トラップ領域に１．５ビット、すなわち一つのメモリ素子に３ビットのデータ値を記憶する電荷トラップ領域を持つ。例文帳に追加

A charge trap area for storing a 3-bit data value in 1.5 bit of one charge trap area, i.e., one memory element is provided. - 特許庁

半導体領域内には、電荷蓄積領域よりも半導体基板の裏面側に、半導体領域の一部を介して電荷蓄積領域の少なくとも一部に対向する第２導電型の電荷混入防止領域が形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor region, a second conductivity-type charge mixing prevention region opposes at least part of the charge storage region via part of the semiconductor region, and is formed on the back side of the semiconductor substrate rather than in the charge storage region. - 特許庁

転写ローラ１６は、外方領域に転写動作用の電荷を担持する電荷担持領域を有し、内方領域に電荷付与電極３２と除電電極３３とを有し、内方領域は、大気と同等の高抵抗を有する高抵抗領域となっている。例文帳に追加

The transfer roller 16 has, in its outer area, an electric-charge hold area for holding electric charges for a transfer operation and also has, in its inner area, an electric-charge application electrode 32 and a discharging electrode 33, the inner area being a high-resistance area having the same high resistance as atmosphere. - 特許庁

電荷転送領域２７と受光領域１７との間には、転送電極２７を読出し電極として用いた読出し領域２０を設けた。例文帳に追加

A read region 20 using the transfer electrode 27 as a read electrode is provided between the charge transfer and light reception regions 27 and 17. - 特許庁

第１の膜厚の記録領域と、この記録領域の上方に位置するシリコン窒化膜とで電荷蓄積領域を形成する。例文帳に追加

The charge storage areas are formed by the recording areas having the 1st film thickness and the silicon nitride films positioned above these recording areas. - 特許庁

更に、第１の半導体領域と第２の半導体領域の下部に信号電荷に対して障壁となる第３の半導体領域を有する。例文帳に追加

Furthermore, a third semiconductor region which serves as a barrier against signal charges is provided, at the lower parts of the first semiconductor region and the second semiconductor region. - 特許庁

第１領域１０２と第２領域１０３とに電圧が印加されて、第３領域１０４を単一の電荷がトンネルする。例文帳に追加

When voltage is applied to the first region 102 and the second region 103, a single electric charge tunnels the third region 104. - 特許庁

ソース領域及びドレイン領域に隣接したチャンネル領域のエッジ上に電荷貯蔵絶縁層が形成される。例文帳に追加

An insulating layers for storing electric charges are formed on edges of a channel region adjacent to the source region and the drain region. - 特許庁

このフッ素領域５０Ａには、フッ素により負の電荷が存在する。例文帳に追加

Negative charges exist due to fluorine in the fluorine region 50A. - 特許庁

簡易な構成でＯＢ領域への電荷の漏出を防ぐ。例文帳に追加

To prevent leakage of charges to an OB area by a simple configuration. - 特許庁

電荷蓄積領域７に蓄積された信号電荷が転送される、第２導電型の不純物領域からなる検出部８が、電荷蓄積領域７に対応して、電荷蓄積領域７と間隔をおいて半導体層１に設けられている。例文帳に追加

A detection part 8 consisting of a second conductivity type impurity area to which signal charges accumulated in a charge accumulation area are transferred is provided, corresponding to the charge storage area 7, in the semiconductor layer 1 while spaced apart from the charge storage area 7. - 特許庁

第１の電荷蓄積層（２−１、２−２）は、第１領域（２−１）と第２領域（２−２）とを有し、第２の電荷蓄積層（２−３、２−４）は、第３領域（２−３）と第４領域（２−４）とを有するものとする。例文帳に追加

First change storage layers (2-1, 2-2) have a first region (2-1) and a second region (2-2), and second change storage layers (2-3, 2-4) have a third region (2-3) and a fourth region (2-4). - 特許庁

一方、情報電荷が第２領域６２に隣接するチャネル領域５０を通過する場合には、第２領域６２のポテンシャル障壁がドレイン領域５４への電荷の漏れ出しを防止し、転送効率が確保される。例文帳に追加

On the other hand, when the information electric charges pass through channel regions 50 adjacent to the second region 62, a potential barrier of the second region 62 prevents the electric charges from being leaked to the drain regions 54 to ensure the transfer efficiency. - 特許庁

転送電極は、第２の領域Ｒ２内における電荷発生領域と信号電荷収集領域との間に位置すると共に、第２の領域Ｒ２の縁に沿って伸びる部分を有している。例文帳に追加

A transfer electrode is placed between the electric charge generation region and the signal electric charge region in the second region R2 and has a part extending along the periphery of the second region R2. - 特許庁

帯電装置１１０が帯電領域１００１に電荷を与えながら、電荷検出装置１２０が帯電領域１００１から測定領域１００２に流入する電荷量を経時的に測定する。例文帳に追加

The charge detector 120 measures the charge amount flowing in the measuring region 1002 from the charging region 1001 with the passage of time while the charging device 110 gives charge to the charging region 1001. - 特許庁

二重目的電極４０が電荷収集領域２２表面から、電荷収集領域２２と電荷検出領域２６との間の転送チャネル３４までを覆うように設ける。例文帳に追加

A double-purposed electrode 40 is provided, so as to cover from a charge-collecting region 22 surface to a transfer channel 34 between the charge-collecting region 22 and a charge sensing region 26. - 特許庁

この構造では、過剰電荷排出領域は、半導体基板の内部に位置するので、電荷蓄積領域や、信号電荷の転送時に反転層が形成される領域から離れている。例文帳に追加

In the structure, the excessive charge exhaust region is located inside the semiconductor substrate, and so it is separate from the charge storage region and a region where an inversion layer is formed during transfer of signal charge. - 特許庁

前記チャンネル領域は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域より突出しており、前記電荷保存層は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と離隔されている。例文帳に追加

The channel region protrudes over the source region and the drain region, and the electric charge storage layer is separated from the source region and the drain region. - 特許庁

チャネル領域５０とドレイン領域５４との間に設けられる分離領域５６のうち電荷転送方向の一部分に幅の狭い第１領域６０を設け、他の部分は相対的に幅の広い第２領域６２とする。例文帳に追加

A first narrow region 60 is provided at an isolation region 56 in a charge transfer direction between one of channel regions 50 and one of the drain regions 54, and other part is made a relatively wide second region 62. - 特許庁

ＣＣＤ１４を複数の領域、例えば奇数ライン領域と偶数ライン領域とに分割し、各領域からの蓄積電荷読み出しタイミングを変化させることで各領域から読み出される画像信号の露光量を変化させる。例文帳に追加

The CCD 14 is divided into a plurality of regions: for example, an odd-number line region and an even-number line region. - 特許庁

水平電荷転送素子を構成する水平電荷転送チャネルに沿ってドレイン領域を形成し、水平電荷転送チャネルと前記ドレイン領域との間に電荷に対する障壁となる障壁領域を介在させ、水平電荷転送チャネルと、障壁領域と、ドレイン領域とによって二電極素子を構成する。例文帳に追加

A drain region is formed along a horizontal charge transmission channel for constituting the horizontal charge transmission element, a barrier region that serves as a barrier to charge is included between the horizontal charge transmission channel and the drain region, and a two-electrode element is composed of the horizontal charge transmission channel, and barrier and drain regions. - 特許庁

従って、光子受容体のような電荷保持面上の電荷は、例えば、トナーと静電的に反応するように定められている正電荷の領域と、例えば、トナーと静電的に反応するように定められている負電荷領域も含んでいる。例文帳に追加

Consequently, charges on the charge holding plane, e.g. a photon acceptor, includes a positive charge area determined to react on toner electrostatically and a negative charge area determined to react on toner electrostatically. - 特許庁

転送ゲート電極２１は、電荷蓄積領域１２上に形成され、電荷蓄積領域１２から電荷転送先拡散層２２へ電荷を転送する。例文帳に追加

A transfer gate electrode 21 is formed on the charge accumulation region 12 to transfer charges from the charge accumulation region 12 to the charge transfer destination diffusion layer 22. - 特許庁

電荷蓄積部（３）は、絶縁膜（２１）を介して電荷蓄積ゲート電極（７）の下の基板に設けられた電荷蓄積領域を備えているものとする。例文帳に追加

The charge storage part (3) includes a charge storage region that is provided on a substrate under a charge storage gate electrode (7) via an insulator film (21). - 特許庁

撮像素子において電荷が蓄積されている蓄積期間中に、ＯＢ画素領域においてＰＤ２０１から電荷保持部に電荷を転送する。例文帳に追加

In an accumulation period in which an electric charge is accumulated in an image sensor, an electric charge is transferred from a PD 201 to the charge holding unit in the OB pixel area. - 特許庁

本発明では、第１導電型の電荷蓄積領域よりも半導体基板の裏面側に、第２導電型の半導体領域の一部を介して電荷蓄積領域の少なくとも一部に対向する第１導電型の過剰電荷排出領域が形成されている。例文帳に追加

A first conductivity type excessive charge exhaust region opposing at least part of a charge storage region is formed at the back side of a semiconductor substrate rather than in the first conductivity type charge storage region via part of a second conductivity type semiconductor region. - 特許庁

受光部２の周囲の素子分離領域、電荷転送トランジスタ素子３の読み出し領域の素子分離領域および電荷電圧変換部としてのフローティング領域４の周囲の素子分離領域に応じて、受光部２とは逆極性の不純物層の不純物濃度を変えている。例文帳に追加

Impurity concentration of an impurity layer having polarity the reverse of that of a light receiving part 2 is changed depending on an element isolation region around the light receiving part 2, an element isolation region of a read out region of a charge transfer transistor 3 and an element isolation region around a floating region 4 functioning as a charge voltage conversion part. - 特許庁