「電荷領域」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

その結果、Ｎ^−型フォトダイオード不純物領域１０からＮ^＋型フローティングディフュージョン不純物領域９に転送される電荷が電位障壁や電位の窪みにおいてトラップされ難くなる。例文帳に追加

In result, the charges transferred from the N^- photodiode impurity zone 10 to the N^+ floating difusion impurity zone 9 are hardly trapped in the recess of the potential barrier. - 特許庁

メモリゲート電極ＭＧおよび絶縁膜２１の下に位置する半導体領域１０ｂは、選択ゲート電極ＳＧおよび絶縁膜１７の下に位置する半導体領域１０ａよりも、不純物の電荷密度が低い。例文帳に追加

The charge density of impurities in a semiconductor region 10b located under the memory gate electrode MG and the insulating film 21 is lower than the charge density of impurities in a semiconductor region 10a located under the selection gate electrode SG and the insulating film 17. - 特許庁

半導体不揮発性メモリ１０１は、制御電極３０と、第１主電極領域２１及び第２主電極領域２２とを有するトランジスタ、抵抗変化部２３，２６、及び電荷蓄積部を備えている。例文帳に追加

The semiconductor non-volatile memory 101 comprises a transistor, having a control electrode 30, a first main electrode region 21, and a second main electrode region 22; resistance change sections 23, 26; and a charge accumulation section. - 特許庁

このため、フォトダイオード１Ａのピンニング層以外の非空乏化表面領域において熱放出により過剰に排出された電荷が、そのドレイン領域からのスキミング動作により穴埋めされる。例文帳に追加

Thus, the electric charges excessively discharged by thermal emission in a non-depletion surface region other than a pinning layer of a photodiode 1A are supplemented by skimming operations from the drain region. - 特許庁

オーバーフローバリア領域ＯＦＢの周囲に、センサ部１１に蓄積された信号電荷量に依存する電位障壁の変動を抑制するための電位変動抑制半導体領域を形成する。例文帳に追加

A potential fluctuation inhibition semiconductor area for inhibiting a fluctuation in a potential barrier that depends upon a signal charge amount stored in a sensor part 11 is formed around an overflow barrier area OFB. - 特許庁

埋め込み領域４９に光電変換により蓄積された電荷は、転送ゲート電極５１の直下を通過してソース近傍ｐ型領域４７に転送される。例文帳に追加

The charge accumulated in an embedded region 49 by the photoelectric conversion is transferred passing through beneath a transferring gate electrode 51 to the region 47. - 特許庁

次に、フォトセンサ部１２０が形成される領域の下層に１Ｅ１２程度の濃度でＮ型イオンを注入し、電荷収集領域１２２を形成する。例文帳に追加

Finally, N type ions are injected into the lower layer of the region for forming a photosensor part 120 at a concentration of about 1E12 thus forming a charge collecting region 122. - 特許庁

可動電荷担体がバリアに遭遇することなくベース領域からコレクタ領域を通過でき、したがって高動作効率を達成できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To enable a heterojunction bipolar transistor to attain high operating efficiency by enabling movable charge carriers to pass through the collector region of the transistor from the base region of the transistor, without encountering any barrier. - 特許庁

拡散層領域２２０にはスキャンイン端子Ｓｉｎが接続され、拡散層領域２２５には電荷電圧変換アンプ４０１を介してスキャンアウト端子Ｓｏｕｔが接続される。例文帳に追加

A scan-in terminal Sin is connected to a diffusion layer region 220, and a scan-out terminal Sout is connected to the diffusion layer region 225 via a charge-voltage conversion amplifier 401. - 特許庁

これにより、配線層２０での散乱、回折などで漏れた光が電荷蓄積領域であるソース近傍領域１７に入射することを、リング状ゲート電極１５で防止することができる。例文帳に追加

Thus, the ring shaped gate electrode 15 can prevent the entry of light that leaks from a wiring layer 20 due to scattering, diffraction or the like, into a source adjacent region 17 as an electric charge storage region. - 特許庁

その後、ｐ型エピタキシャル層１０に、光電変換により発生する電荷を蓄積するｎ型領域を含む半導体領域やトランジスタを形成し、さらに、ｐ型エピタキシャル層１０上に配線層３６を形成する。例文帳に追加

Thereafter, a semiconductor region or transistor containing an n-type region which stores electric charges generated by photoelectric conversion is formed in the p-type epitaxial layer 10 and, in addition, a wiring layer 36 is formed on the layer 10. - 特許庁

フォトダイオード１４の周辺領域は、チャネルストップ２８を除いて垂直電荷転送チャネル２０として使用され、無効領域は発生しない。例文帳に追加

Peripheral region of the photodiode 14 is used as the vertical charge transfer channel 20 except a channel stop 28 and no ineffective region is generated. - 特許庁

通常露光と短時間露光の組み合わせによることなく、光電変換素子による電荷蓄積量のニー特性領域以上の領域を有効利用することでダイナミックレンジの拡大を図る。例文帳に追加

To expand the dynamic range of a photoelectric conversion element by effectively utilizing a range over a knee characteristic range of the charge accumulation quantity in the element, without using a combination of a usual exposure with a short time exposure. - 特許庁

水素化処理におけるチャネル領域やソース・ドレイン領域の欠陥の水素終端において、ゲート絶縁膜中の水素濃度向上により固定電荷増加に伴う閾値電圧の変動が発生する。例文帳に追加

To solve the problem that a threshold voltage varies with increase in fixed charges due to the rise in the hydrogen concentration in a gate insulation film at hydrogen terminals of defects in a channel region or source-drain region in a hydrogenising process. - 特許庁

光電変換領域の空乏層を厚くした場合でも、異なる光電変換領域間での信号電荷の分離を確実に実現することが可能な裏面照射型撮像素子を提供する。例文帳に追加

To provide a back irradiation image sensor which can achieve separation of signal charge among different photoelectric conversion regions even when the depletion layer is made thick in the photoelectric conversion region. - 特許庁

埋込ダイオード構造を形成するためのフォトダイオード表面の逆導電型領域（ピニング領域）と転送ゲートとのエッジ位置の不整合により、転送電荷に対するバリアが生じてしまうこと。例文帳に追加

To avoid causing a barrier to be produced against transferred charges because of mismatched edge positions of the transfer gates with opposite conduction type regions (pining regions) on a photodiode surface for forming an embedded diode structure. - 特許庁

ＨＯＧ部は、半導体からなる信号電荷の転送チャネル領域３と、転送チャネル領域３内に電位差を設ける手段とを有している。例文帳に追加

The HOG part is provided with the transfer channel area 3 of signal charge constituted of semiconductor and a means giving a potential difference in the transfer channel area 3. - 特許庁

半導体基板の表面側には、裏面側の光電変換領域１０１と対応するように、光電変換領域１０１に蓄積された信号電荷を読み出して転送するＶＣＣＤ１０２が設けられている。例文帳に追加

On the top face side of the semiconductor substrate, a VCCD 102 which reads out and transfers the signal charges stored in the photoelectric conversion region 101 is provided corresponding to the photoelectric conversion region 101 on the rear face side. - 特許庁

読出し部は前記第１半導体領域に収集された電荷が半導体基板表面側に読み出されるように、深さ方向に延在して配された第１導電型の第２半導体領域を含む。例文帳に追加

A reading part includes a first conductivity type second semiconductor region arranged extending in the depth direction so that the charge collected in the first semiconductor region is read to a semiconductor substrate front face side. - 特許庁

半導体層（１２）のドーピングとは反対にドープされる電荷キャリアを捕集するための半導体領域（２４）が、上記半導体層（１２）内に形成され、電磁場集中領域のトポロジーを補完するトポロジーを有する。例文帳に追加

Thus a semiconductor zones (24) for collecting any charge carriers doped opposite to doping of the semiconductor layer (12) are formed within the semiconductor layer (12) to have topology complementing the topology of the electromagnetic field concentration zones. - 特許庁

フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を各半導体領域に適切に振り分けることが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。例文帳に追加

To provide a distance sensor and a distance image sensor capable of appropriately distributing an electric charge generated in a region immediately below a photo gate electrode to each semiconductor region. - 特許庁

デバイス活性領域と異なる半導体基板内部の領域に、酸素起因欠陥（ＢＭＤ）よりなるゲッタリング層を有する半導体基板の表面に、正の電荷を有する膜である酸化膜を付加する。例文帳に追加

An oxide film as a film having positive charge is added to the surface of a semiconductor substrate having a gettering layer composed of oxygen-induced defects (BMD: Bulk Micro Defects) in the region in a semiconductor substrate different from a device active region. - 特許庁

低屈折率部（２）は、光電変換部（ＰＤ）と電荷保持部（１０７）との間の基板領域に埋め込まれ、周囲の基板領域より屈折率が低い。例文帳に追加

The low refractivity portion (2) is embedded in a substrate area between the photoelectric conversion portion (PD) and the charge holding portion (107), and has lower refractivity than the surrounding substrate area. - 特許庁

フォトダイオード４０は、ｎウェル３３に形成され、入射光を電荷に変換して蓄積する光電変換領域である埋め込みのｐ^-型領域３９を備える。例文帳に追加

A photodiode 40 includes a p^--type region 39 formed at an n-well 33 and serving as a photoelectric conversion region which converts incident light into electric charge and stores it. - 特許庁

本発明は、受光センサー部内のＰ型領域のホウ素がＮ型領域中へ拡散することを抑制して飽和電荷量の低下を抑えることを可能にする。例文帳に追加

To prevent boron of P-type region in a light-receiving sensor from diffusing into N-type region, thereby preventing decrease in saturated charge amount. - 特許庁

ドレイン領域等の不純物拡散領域からフローティングゲートに電荷が注入されてしまうことを防止でき、Ｓ／Ｎを向上できる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state image sensor, capable of preventing charge from being injected from an impurity diffusion region such as a drain region to a floating gate and can improve S/N, and to provide an image capturing apparatus. - 特許庁

撮像領域内において必要な領域の信号電荷のみを速やかに切り出して検出すことができる固体撮像装置及びその駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state image pickup device, capable of immediately segmenting a detecting only the signal charge of a required region and in an image-pickup region, and drive method thereof. - 特許庁

上記各サブ領域の中では、エネルギバンドギャップは一定であるかまたは線形に変化し、上記各サブ領域の間では、コレクタ中の可動電荷担体の走行するエネルギバンドエッジは連続している。例文帳に追加

In each subarea 23-26, an energy band gap is fixed or linearly changes and, among the subregions 23-26, an energy band edge for running movable charge carriers contained in the collector continues. - 特許庁

パターン３をマスクにしたイオン注入によって、Ｐ型領域５の表面層になる深さにＮ型不純物６を導入し、基板１の表面側に垂直レジスタの電荷転送領域７を形成する。例文帳に追加

N-type impurities 6 are introduced into a depth of the surface layer of the P-type region 5 by ion implantation, using the pattern 3 as a mask to form an electric charge transfer region 7 of a vertical register on the surface side of the substrate 1. - 特許庁

一方、第１蓄積領域の不純物濃度を従来と同じにすることで、光電変換部で発生した電荷を第１蓄積領域に完全転送できる。例文帳に追加

On the other hand, by making the impurity concentration the same as conventional ones in the first accumulation region, the electric charge generated on the photoelectric converter can be completely transferred to the first accumulation region. - 特許庁

導波光Ｓは、少なくともセンシング領域３８を横切るように光導波路３２を導波し、センシング領域３８には、プラスの電荷が導入されている。例文帳に追加

A guided light S is guided to the light waveguide 32 so as to traverse at least the sensing region 38, and a positive charge is introduced into the sensing region 38. - 特許庁

１つの不揮発性メモリは、１つのゲート、第２の１つの導電型ドレイン領域、１つの電荷蓄積層、及び第２の導電型の第１の１つの希薄ドープ領域を含む。例文帳に追加

A nonvolatile memory comprises a gate, a second conductivity type drain region, a charge storage layer, and a second conductivity type first lightly doped region. - 特許庁

フォトセンサの受光領域１９に蓄積した信号電荷は、読み出しゲート領域１８を介して単結晶Ｓｉ基板１１の深さ方向に読み出される。例文帳に追加

Signal electric charges accumulated in the light receiving area 19 of the photosensor are read in the depth direction of a single crystal Si substrate 11 through a reading gate 18. - 特許庁

各第１の転送部５は、対応する光感応領域１３の平面形状を成す他方の短辺側に配置され、対応する光感応領域１３から取得した電荷を第１の方向に転送する。例文帳に追加

Each first transfer part 5 is arranged on the other short side forming the plane figure of the corresponding photosensitive region 13 and transfers charges obtained from the corresponding photosensitive region 13 in the first direction. - 特許庁

信号電荷が飽和レベル以上に溜まろうとするときに、オーバーフローバリア領域ＯＦＢ付近の電位が半導体領域EPCR_1，EPCR_2による電位の影響を受けて、障壁電位が変動しようとすることを抑制する。例文帳に追加

When signal charge is going to be accumulated more than a saturation level, potential around the overflow barrier area OFB is inhibited from being going to fluctuate by being affected by potential by the semiconductor areas EPCR_1 and EPCR_2. - 特許庁

さらに、フォトダイオードの信号電荷蓄積領域として第１導電型の半導体層１８を形成し、この周囲を第２導電型のウェル８、１０、１１で取り囲み、基板１の他の領域から分離する。例文帳に追加

Further, a semiconductor layer 18 of the 1st conductivity type is formed as a signal charge storage area of a photodiode and surrounded with wells 8, 10, and 11 of the 2nd conductivity type to separate the substrate 1 from other areas. - 特許庁

また不純物拡散領域１９７Ａは、基板深くに形成されている電荷排出ドレイン２０５を水平方向に分離する機能を有し、画素部の不純物拡散領域１９７Ａと比べて幅を狭く形成する。例文帳に追加

An impurity diffusion region 197A has a function of horizontally separating the electric charge discharge drain 205, which is formed in the deep part of a substrate and is formed to have a smaller width, as compared with the impurity diffusion region 197A of a pixel part. - 特許庁

空間電荷ゾーン１０の拡大は、垂直方向では第２の伝導型の領域３へ行い、横方向では領域３だけでなくエピタクシー層２へもｐｎ接合１１で行う。例文帳に追加

A space charge zone 10 is expanded vertically to the region 3 of the second conductivity type, and laterally to an epitaxial layer 2 in a p/n junction 11 as well as to the region 3. - 特許庁

電荷読出しチャネル領域２２ｐとチャネルストッパー領域２４ｐとを、半導体基板１０１の深部に形成されたｐウェル１１１ｐと同じ導電型であって、表面からｐウェル１１１ｐに達するように形成する。例文帳に追加

A charge-reading channel region 22p and a channel stopper region 24p are formed of the same conductivity type as a p-well 111p formed in the depth of a semiconductor substrate 101, so as to reach the p-well 111p from a surface. - 特許庁

光感応領域１１０，１２０それぞれは、フォトダイオードが形成されている領域であり、入射光の強度に応じた量の電荷を発生する。例文帳に追加

Each of the light-sensitive regions 110, 120 is a region where a photodiode is formed, and generates the charge of the quantity corresponding to the intensity of incident light. - 特許庁

上記各サブ領域間の電子親和力とエネルギバンドギャップの相違により生じた擬似電場を補償するように、上記各サブ領域間の界面に２次元または擬似２次元の電荷層２８，２９，３０が形成されている。例文帳に追加

Two-dimensional or pseudo two-dimensional charge layers 28, 29, and 30 are formed on the boundaries among the subsareas 23-26, so as to compensate the pseudo electric field produced by the differences among the electronic affinities and energy band gaps of the subareas 23-26. - 特許庁

この素子の製造方法によると、セル領域が定義された半導体基板に活性領域を限定する素子分離膜を形成し、素子分離膜が形成された半導体基板の全面に電荷貯蔵絶縁膜を形成する。例文帳に追加

According to a manufacturing method of the element, the element isolation film which defines the active region on the semiconductor substrate defined the sell region is formed, the charge storing insulation film is formed on the whole surface of the semiconductor substrate in which the element isolation film is formed. - 特許庁

また、前記交流電圧課電時における測定残留電荷量と、上記の方法から求められた劣化水トリー発生領域とに基づいて、この水トリー発生領域の劣化程度を評価することを特徴とする。例文帳に追加

Besides, the degree of deterioration of the region of generation of this water tree is evaluated, on the basis of the quantity of residual charge measured when the AC voltage is applied, and the region of generation of the deteriorated water tree found by the method. - 特許庁

２層目ゲートΦ１、Φ３、Φ５は、第１ダミー領域Ａと第２ダミー領域Ｂとに異なるタイミングでクロック信号が印加され、同じ行の信号電荷が異なるタイミングで読み出される。例文帳に追加

A clock signal is applied to gates Φ1, Φ3, and Φ5 of the second layer at a timing different by the first dummy area A and the second dummy area B, and signal electric charge of one row is read out at different timings. - 特許庁

固体撮像装置において、画素分離領域上に設けられる電極に正電荷が印加されると、画素分離領域の抵抗増加や、読み出し電圧の変動、ホットエレクトロンの発生による画質劣化に繋がる。例文帳に追加

To solve the problem that image quality is deteriorated by an increase in the resistance of a pixel separation region, variations in a read voltage, and the generation of hot electrons when a positive charge is applied to an electrode provided on the pixel separation region in a solid-state image pickup device. - 特許庁