「電荷領域」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体基板２３の表面側には、垂直電荷転送領域２が形成され、受光面となる半導体基板２３の裏面側の垂直電荷転送領域２の直下には、光電変換領域１が形成されている。例文帳に追加

A vertical electric charge transfer region 2 is formed on a surface side of a semiconductor substrate 23, and a photoelectric conversion region 1 is formed directly under the vertical electric charge transfer region 2 on the back surface side of the semiconductor substrate 23 becoming the light-receiving surface. - 特許庁

受光部５は、基板に形成された信号電荷蓄積領域と、前記信号電荷蓄積領域の表層部に形成された正孔蓄積領域１３とを有する。例文帳に追加

Each of the light-emitting sections 5 has a signal charge accumulating region formed on the substrate, and a hole accumulating region 13 formed on an upper layer surface of the signal accumulating region. - 特許庁

入射光に応じた信号電荷を得るための有効撮像領域１０と、暗電流基準信号を得るためのオプティカルブラック領域２０とを備えた固体撮像素子１において、オプティカルブラック領域２０を、第１領域と第２領域とからなる２種類の領域によって構成する。例文帳に追加

In a solid-state image pickup element 1 provided with an effective image pickup area 10 for obtaining signal charge corresponding to incident light and an optical black area 20 for obtaining a dark current reference signal, the optical black area 20 consists of two types of areas: a first area and a second area. - 特許庁

以下の領域として働く領域を有することにより特徴付けられる、動電学的分析のための同定タグ（本明細書中では、「ｅＴａｇ^ＴＭレポーター」という）：（１）切断可能な連結領域；（２）質量改変領域；（３）電荷改変領域；および（４）検出可能な領域。例文帳に追加

The composition has a region which works as a connection region, where an identifying Tag (called an eTag^TM reporter) in use for electrokinetic analysis can be cut off, a mass alternation region, a charge alternation region and a detectable region. - 特許庁

トランスファ領域１８ａは、電荷発生領域１７とウエル領域２１との間に設けられ、この領域に発生する電位障壁は、検出部１２への印加電圧に応じて除去可能である。例文帳に追加

A transfer region 18a is provided between the charge generation region 17 and the well region 21, and a potential barrier generated in the region can be removed in response to a voltage applied to the detector 12. - 特許庁

受光センサ部２５の第１の第１導電型領域２６下の低濃度の第１導電型領域４０に電荷収集領域を広げるための第２の第１導電型領域４１を形成して成る。例文帳に追加

In the solid-state image pickup element, a second first- conductivity area 41 is formed in a low-concentration first-conductivity area 40 provided under the first first-conductivity area 26 of a photosensor section 25 for expanding an electric charge collecting area. - 特許庁

非読み出し領域が複数の読み出し領域と隣接する場合における、非読み出し領域から読み出し領域への電荷の漏れ込みの影響の差を小さくすることを目的とする。例文帳に追加

To lessen a difference of an impact caused by electric charge leakage from a non-read-out region to a read-out region in the case when the non-read-out region is adjacent to the plural read-out region. - 特許庁

本発明では、電荷検出領域と素子間分離領域とを離し、両者間に素子間分離領域よりも不純物濃度が低い領域を挟む。例文帳に追加

In the solid-state imaging device disclosed herein, the electric charge detection region and the inter-element separation region are arranged apart from each other, and a region with an impurity concentration lower than that of the inter-element separation region is inserted between the both. - 特許庁

ｎ型半導体基板１１上のｐウェル１２には、電荷転送路１３、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１４、ｎ型埋め込み領域１６及びリセットドレイン領域１５が形成されている。例文帳に追加

On a p-well 12 on an n-type semiconductor substrate 11, a charge transmission path 13, floating diffusion region 14 composed of an n-type impurity region, n-type embedded region 16 and resetting drain region 15 are formed. - 特許庁

そして、ゲート絶縁膜（９）は、第１領域（１１）と、第１領域（１１）と第２電荷転送部（６）との間に設けられ、第１領域（１１）の膜厚よりも厚い膜厚で形成された第２領域（１２）とを含むものが好ましい。例文帳に追加

The gate insulating film (9) preferably includes a first region (11), and a second region (12) provided between the first region (11) and the second charge transfer unit (6) and formed in a thickness larger than that of the first region (11). - 特許庁

領域Ｐでは、ゲート電極７、Ｎ型領域５ｄおよび電荷蓄積層５ｅを含むＭＯＳトランジスタと、Ｎ型領域１２およびＰ型領域１３を含むフォトダイオードが形成される。例文帳に追加

In the region P, an MOS transistor containing a gate electrode 7, an n-type region 5d and a charge storage layer 5e, and a photodiode containing an n-type region 13 and a p-type region region 12 are formed. - 特許庁

信号強度に応じて信号電荷を発生する電荷発生部と、電荷発生部から転送されてきた電荷を受け取り、保持するＦＤ領域１８と、信号電荷によるＦＤ領域１８の電位変化をインピーダンス変換するバッファ回路によって、信号変換装置を形成する。例文帳に追加

The signal converting device is formed of a charge generating unit for generating signal charges in accordance with signal intensity, an FD region 18 for receiving and holding the charges transferred from the charge generating unit, and a buffer circuit for converting a voltage change of the FD region 18 by signal charges into an impedance. - 特許庁

読み出しパルスを印加して光電変換領域内の蓄積電荷を読み出す直前に基板に掃き出しパルスを印加することにより、光電変換領域の蓄積電荷の一部を基板に掃き出し、電荷転送レジスタに最大転送電荷量以上の電荷が入らないようにする。例文帳に追加

A part of the stored electric charges in a photoelectric conversion region is swept out to the substrate by applying a sweep-out pulse to the substrate just before reading the storage charges in the photoelectric conversion region through the application of a read pulse so as to prevent electric charges equal to or over the maximum transfer charge quantity from entering the charge transfer register. - 特許庁

水平電荷転送時に余剰電荷排出領域に信号電荷が漏れ出ることを防止し、水平電荷転送領域の位置によらず一定の飽和電荷量を維持でき、シェーディングなどの画像のムラの発生を防止できる固体撮像装置及び撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid imaging apparatus and an imaging apparatus, capable of preventing the occurrence of nonuniformity of an image such as shading, by maintaining a constant saturated electric charge quantity regardless of a position of a horizontal electric charge transfer area, by preventing leaking-out of signal electric charge to an excess electric charge discharge area when transferring horizontal electric charge. - 特許庁

従って、空乏層の伸び方が緩やかな電圧範囲で電荷検出領域への電荷転送を行えば、その範囲では電荷検出領域の容量の電圧依存性が小さいので、上記課題を達成できる。例文帳に追加

Consequently, transferring electric charges to the electric charge detection region within a range of the reverse bias voltages wherein the growth of the depletion layer is slow can solve the task above, because the voltage dependence of the electric charge detection region on its capacitance is small within the range. - 特許庁

電荷捕捉層２２ｂのうちゲート導電層１４の一方の端部近傍に電荷蓄積領域を有し、他方の端部近傍には電荷蓄積領域を有さない。例文帳に追加

A charge storage region is provided in the vicinity of one end part of the gate conductive layer 14 in a charge capturing layer 22b and not provided in the vicinity of the other end part thereof. - 特許庁

電荷発生層における電荷発生領域の占有面積率は９０％以下の所定値とし、電荷発生領域のドットピッチは、画像形成装置の解像度に等しくする。例文帳に追加

The space factor of the charge generating regions in the charge generating layer is set to a predetermined value of ≤90% and the dot pitch of the charge generating regions is made equal to the resolution of the image forming apparatus. - 特許庁

撮像領域と、撮像領域から得られた信号電荷を転送する水平電荷転送部と、水平電荷転送部に駆動パルスを供給する複数の配線とを備える。例文帳に追加

The device comprises an imaging region, a horizontal charge transferring part to transfer signal charge obtained from the imaging region, and a plurality of interconnect lines supplying the drive pulse to the horizontal charge transferring part. - 特許庁

電荷発生領域は、その縁が第２の領域Ｒ２の２辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂに沿って伸びる２辺を含む。例文帳に追加

The periphery of the electric charge generation region includes two sides extending along the two sides R2a, R2b of the second region R2. - 特許庁

電荷トラップ膜は水素濃度が低い上部領域と、水素濃度が高い下部領域を有する窒化シリコン膜でなる。例文帳に追加

The charge trapping film is formed of a silicon nitride film including an upper region low in hydrogen concentration and a lower region high in hydrogen concentration. - 特許庁

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。例文帳に追加

The first and second semiconductor regions FD1 and FD2 accumulate charge flowing into a region directly below the respective gate electrodes TX1 and TX2. - 特許庁

撮像部１０２は、複数の撮像領域に分割された撮像面と、各撮像領域の電荷信号を読み出す読み出し回路を具備する。例文帳に追加

An imaging section 102 is provided with an imaging plane divided into a plurality of imaging areas, and a readout circuit for reading out charge signals of each imaging area. - 特許庁

電極ＴＸ１，ＴＸ２は、光感応領域にて発生した電荷を半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２に転送する。例文帳に追加

The electrodes TX1 and TX2 transfer the electric charge generated in the light sensitive region to the semiconductor regions FD1 and FD2. - 特許庁

この容量結合電極は、光電変換領域からフローティング領域に信号電荷を移送するためのゲート電極と電気的に導通する。例文帳に追加

The capacity coupling electrode is made conductive electrically to a gate electrode for transferring signal charges from a photoelectric conversion region to a floating region. - 特許庁

そして、複数の電荷転送用トランジスタ１１〜１５には、ゲート電極７とドレイン領域４との間にオフセット領域５が形成されている。例文帳に追加

An offset region 5 is formed between the gate electrode 7 and the drain region 4 in each of a plurality of the charge-transfer transistors 11-15. - 特許庁

過大光がＣＣＤに入射し、ＯＢ期間に有効画素領域からＯＢ領域に余剰電荷が漏れ込んだ場合はリセット処理を行なう。例文帳に追加

When excessive light impinges on the CCD to cause leakage of excessive charges from an effective pixel region to an OB region during an OB period, reset processing is performed. - 特許庁

第２位置Ｘ２に第２過剰電荷排出領域３_2を設けても、その延長線上には第１位置Ｘ２における感応領域が位置する。例文帳に追加

Even if a second surplus electric charge discharge region 32 is provided at a second position X2, the dead region at the first region X2 is positioned on the extension line. - 特許庁

露光が終了したら、二重目的電極４０に高電圧を印加して、電荷を収集領域２２から検出領域２６に転送する。例文帳に追加

After the exposure is finished, a high voltage is applied to the double-purposed electrode 40 to transfer the charges from the collecting region 22 to the sensing region 26. - 特許庁

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。例文帳に追加

First and second semiconductor regions FD1, FD2 accumulate charge flowing into a region directly below the respective gate electrodes TX1, TX2. - 特許庁

電荷面６０２，６０４の間の粒子運動領域内に、予め決められた規則に従って領域境界６１０を設定する。例文帳に追加

An area boundary 610 is set in a particle motion area between charge surfaces 602 and 604 according to a predetermined rule. - 特許庁

基板１の上方には細長部１０における電荷集中領域１２とは異なる他の領域に接続するソース１４が形成されている。例文帳に追加

A source 14 connected to another region of the elongated part 10 different from the charge concentration region 12 is formed above the substrate 1. - 特許庁

電荷収集域（２９）は、第二の拡散形式の作用領域（３２）と、非作用領域（３３）とを含んでいる。例文帳に追加

The charge-collecting area (29) includes an active region (32) of a second diffusion type and an inactive region (33). - 特許庁

基板１０には、転送チャネル領域１４および受光部５となる信号電荷蓄積領域１２が形成されている。例文帳に追加

A transmission channel area 14 and a signal charge accumulating area 12 as a light receiver 5 are formed on a substrate 10. - 特許庁

電荷発生領域は、矩形形状を呈し且つ第１の方向Ｄ１に伸びる第１の領域Ｒ１内に配置される。例文帳に追加

An electric charge generation region is arranged in a first region R1 which has a rectangular shape and extends in a first direction D1. - 特許庁

電荷発生領域は、矩形形状を呈し且つ第１の方向Ｄ１に伸びる第１の領域Ｒ１内に配置されている。例文帳に追加

An electric charge generation region is arranged in a first region R1 which has a rectangular shape and extends in a first direction D1. - 特許庁

活性領域及び素子分離膜を含むセル領域の全面は電荷貯蔵絶縁膜74Cで覆われる。例文帳に追加

Whole surface of the cell region comprising the active region and the element isolation film is enveloped by the charge storing insulation film 74C. - 特許庁

第１導電型の半導体層１と、半導体層１に設けられた、第２導電型の不純物領域からなる電荷蓄積領域７とを備える。例文帳に追加

The solid-state imaging device comprises a first conductivity type semiconductor layer 1, and a charge storage area 7 consisting of a second conductivity type impurity area. - 特許庁

ソース領域とドレイン領域に異なる電圧を付与して行う電荷注入方法においてホットキャリアの発生効率を高める。例文帳に追加

To enhance generation efficiency of hot carriers, in a charge injection method which is carried out by providing different voltages to a source region and a drain region. - 特許庁

ｎ型導電領域１６の導電領域に発生・蓄積された電荷は、転送ゲートが複数でも完全転送することができる。例文帳に追加

Electric charges generated / stored in a conduction region of the n-type conductive region 16 can be completely transferred even when a plurality of the transfer gates are arranged to the PD 18. - 特許庁

チャネル領域７に蓄積した電荷はＰ^+拡散領域１４を介してコンタクト１０から引き抜かれる。例文帳に追加

An electric charge built up in the channel region 7 is drawn out from a contact 10 through the p^+ diffusion area 14. - 特許庁

この構造により、Ｎ型拡散領域１７からチャネルへの電荷の転送経路を、表面シールド領域１８が狭めることが無くなる。例文帳に追加

With this structure, a transfer route of the charge from the n-type diffusion region 17 to the channel is not narrowed by a surface shield region 18. - 特許庁

長くなった時間領域信号は、周波数または重量対電荷比の領域信号の分解能と感度を高める結果を奏する。例文帳に追加

As for the time region signal that becomes longer, resolution and sensitivity of frequency or the region signal of a mass/charge ratio are enhanced. - 特許庁

第２の領域の素子分離層２３Ｂの上面は、第１の領域の素子分離層２３Ａの上面より高く、第２の領域の電荷蓄積層３２Ｂは、上部の角の曲率半径が、第３の領域の電荷蓄積層４３よりも大きい。例文帳に追加

An upper surface of an element isolation layer 23B in the second region is higher than that of an element isolation layer 23A in the first region, and the curvature radius of an upper corner of a charge storage layer 32B in the second region is larger than that of a charge storage layer 43 in the third region. - 特許庁

そして、チャネル形成領域１０２に、ドレイン領域１０３から電荷蓄積部１０６に電荷を注入するための第１制御電極１０８のしきい値電圧が互いに異なる、複数の電荷移動領域１０２Ａ〜１０２Ｃが形成される。例文帳に追加

In the channel forming region 102, a plurality of charge moving regions 102A-102C are formed of which threshold voltages of the first control electrodes 108 each for injecting charge from the drain region 103 to the charge accumulation section 106 are different from each other. - 特許庁

垂直電荷転送チャネル２ｖは垂直方向に電荷を転送しているので、ブルーミング現象を抑制するため第１位置Ｘ１に第１過剰電荷排出領域３_1、すなわち不感領域を設けたとしても、その延長線上には第２位置Ｘ２における感応領域が位置する。例文帳に追加

Since a vertical charge transfer channel 2v transfers an electric charge in a vertical direction, a sensitive region at a second position X2 is positioned on the extension line of a dead region even if a first surplus electric charge discharge region 31, namely the dead region, is provided at a first position X1 for inhibiting the blooming phenomenon. - 特許庁