「電荷領域」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

また、表示制御部３０は、撮像素子の全領域の画素から信号電荷を６０ｆｐｓで取得し、取得した信号電荷に基づいてサブディスプレイ２０ｂに非拡大画像を表示させることもできる。例文帳に追加

Also, the display control unit 30 acquires signal electric charges from pixels in the entire region of the imager at 60 fps and can display a non-enlarged image at the sub-display 20b based on the acquired signal charges. - 特許庁

これらのメモリセルトランジスタＭＴは、それぞれ、活性領域Ｓａの上面上または上方にトンネル絶縁膜３を介して電荷蓄積機能を有する電荷トラップ膜４を備えている。例文帳に追加

These memory cell transistors MT respectively include a charge trap film 4 on the top face of or above the active region Sa via a tunnel insulation film 3, with the charge trap film 4 having a charge accumulating function. - 特許庁

現像ローラから像担持体における画像形成領域への電荷の放電を抑制し、現像ローラから像担持体への電荷の放電に起因する画像不良などを抑制することができる画像形成装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus which can restrain electric charges from being discharged to an image formation area of an image carrier from a developing roller, and can restrain image failure resulting from discharge of electric charges from the developing roller to the image carrier. - 特許庁

撮像領域に電荷保持部を有する光電変換装置において、電荷保持部のための素子分離部は、ＰＮ接合を用いた第１の素子分離部と絶縁体を用いた第２の素子分離部とを有する。例文帳に追加

A photoelectric conversion device has an electric charge retaining section in an imaging region, and an element isolation section for the electric charge retaining section includes a first element isolation section that uses a P-N connection and a second element isolation section by using an insulating body. - 特許庁

ゲート絶縁膜とチャネル領域の界面準位からの電荷の放出に基づくリーク電流に起因する所謂白キズの発生を防止し、かつ過剰な光発生電荷に起因するスミアの発生を防止する。例文帳に追加

To prevent the generation of so-called white scratches due to a leak age current based on the discharge of electric charges from the boundary level of a gate insulation film and a channel area and to prevent the generation of smears due to excessive light generation electric charges. - 特許庁

Ｐ型画素分離領域３０６の上方には、駆動時に正電荷が印加される接続電極３０８と、駆動時に正電荷が印加されない接続電極３０９がゲート絶縁膜３０７を介して形成される。例文帳に追加

At the upper portion of the p-type pixel separation region 306, a connection electrode 308 to which a positive charge is applied at driving and a connection electrode 309 to which no positive charges are applied at driving are formed via a gate insulation film 307. - 特許庁

拡散層領域２２１、２２３および２２５には電荷電圧変換アンプ４１１乃至４１３が接続され、蓄積されていた電荷は電圧に変換されて出力端子ＶＯＵＴ１乃至ＶＯＵＴ３にアナログ信号として出力される。例文帳に追加

Connected to the diffusion layer regions 221, 223 and 225 are charge-voltage conversion amplifiers 411 to 413 by which the accumulated electric charge is converted into voltage to be outputted to output terminals VOUT1 to VOUT3 as analog signals. - 特許庁

２つのリファレンスセルのうちの一方のリファレンスセルの電荷蓄積領域に、最も電流が少ないメモリセル特性と等価な状態となるように電荷が蓄積される。例文帳に追加

Charge is accumulated in a charge accumulation area of one reference cell between two reference cells so as to be equivalent to a memory cell characteristic with the minimum current. - 特許庁

複数の転送制御素子Ｔｒのそれぞれは、基板表面に絶縁膜を介して設けられた転送ゲート２２と、基板内であって転送ゲートの下に光発生電荷を保持する電荷保持領域２４を有する。例文帳に追加

Each of the plurality of the transfer controlling elements Tr includes a transfer gate 22 provided in the front surface of the substrate through an insulating film, and a charge retention region 24 in the substrate and holding the optical generation charge under the transfer gate. - 特許庁

フォトダイオード不純物領域で発生した電荷の転送が行なわれ易くすることにより、ノイズによる画質の低下が抑制された電荷転送トランジスタが用いられた固体撮像素子を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide semiconductor device that has a solid imaging element using a charge transfer transistor which suppresses the image quality deterioration due to noise by making the transfer easy for the charges generated in the inmpurity zone of a photodiode. - 特許庁

第１及び第２の位置Ｘ１，Ｘ２における電荷量を加算すると、一方の不感領域に対応する幅方向位置において発生すべき電荷は、他方で補完することができる。例文帳に追加

When the amount of electric charges at the first and second positions X1 and X2 is added, an electric charge to be generated at a position in a width direction corresponding to one dead region can be complemented by the other. - 特許庁

低温側の耐定着オフセット領域が広く、且つ、耐破砕性に優れた静電荷像現像用トナー、該静電荷像現像用トナーの製造方法、それを用いた画像形成方法及び画像形成装置の提供。例文帳に追加

To provide an electrostatic charge image developing toner having a wide anti-offset region in fixation on the lower temperature side and excellent in crushing resistance, and to provide a method of manufacturing the electrostatic charge image developing toner, an image forming method and an image forming apparatus using the same. - 特許庁

基板側電荷輸送層５と光導電層４との界面近傍において、酸素または塩素の元素の濃度が基板側電荷輸送層５中の上記元素の平均濃度の２倍以上となる領域を有しないようにする。例文帳に追加

The radiological image detector does not have a region, in which a concentration of elements of oxygen or chlorine is more than twice as large as the average concentration of the elements in the substrate-side charge transport layer 5, near the interface of the substrate-side charge transport layer 5 and a photoconductive layer 4. - 特許庁

絶縁膜１５０を含む基板１００は、熱処理されて電荷保存領域内に複数の分離された電荷保存ナノクリスタル１３０＿ＮＣが形成される。例文帳に追加

The substrate 100 including the dielectric film 150 is thermally treated to form a plurality of discrete charge storing nano crystals 130_NC in the charge storing region. - 特許庁

Ｐ型ウェル２０２内において、ウェルコンタクト２６の近傍に、第１の不純物濃度よりも高い第３の不純物濃度を有する、暗電荷を捕獲するＰ型の暗電荷捕獲領域２１１を形成した。例文帳に追加

In the P type well 202, a P type dark charge capturing region 211 capturing dark charge and having a third impurity concentration higher than the first impurity concentration is formed near the well contact 26. - 特許庁

電荷検出回路（１１）は、複数のモニタセンサ（５−１、５−２、５−３）の各々に一対一に対応し、出力端が短絡された複数の分割領域電荷検出回路（１１）を備える。例文帳に追加

The charge detection circuit (11) includes a plurality of divided region charge detection circuits (11) that correspond one to one to the plurality of monitor sensors (5-1, 5-2, 5-3) and have a short-circuited output terminal. - 特許庁

部分記録モードや拡大表示モードにおいては、撮像素子の所定領域のみの画素列の電荷を読み出し、あるいは撮像素子の全体から所定の間隔で画素列の電荷を読み出す。例文帳に追加

In the partial recording mode and enlargement display mode, electric charges of pixel arrays only in a specific area of the image pickup element are read out or electric charges of the pixel arrays are read out of the image pickup element at specific intervals. - 特許庁

電荷貯蔵絶縁層の間のチャンネル領域上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜及び電荷貯蔵絶縁層上にゲート電極が形成される。例文帳に追加

A gate insulating film is formed on the channel region between the electric charge insulating layers, and a gate electrode is formed on the gate insulating film and the insulating layer for storing the charges. - 特許庁

複数の転送制御素子Ｔｒのそれぞれは、基板表面に絶縁膜を介して設けられた転送ゲート２２と、基板内であって転送ゲートの下に光発生電荷を保持する電荷保持領域２４を有する。例文帳に追加

Each of a plurality of transfer control elements Tr comprises a transfer gate 22 provided to the surface of substrate through an insulating film, and a charge holding region 24 which is present in the substrate and holds the optical generation charge under the transfer gate. - 特許庁

撮像領域に電荷保持部を有する光電変換装置において、電荷保持部のための素子分離部は、ＰＮ接合を用いた第１の素子分離部と絶縁体を用いた第２の素子分離部とを有する。例文帳に追加

In the photoelectric conversion device having the electric charge retaining unit in an imaging region, the element isolation unit for the electric charge retaining unit includes a first element isolation unit employing PN connection and a second element isolation unit employing an insulating body. - 特許庁

これによって、チャートＬに示すように、感光体表面の電荷残留領域が除電されるため、あらためて除電手段を設けることなしに残留電荷を確実に除電することができる。例文帳に追加

Thus, as shown in a chart L, since the electric charge residual region on the surface of the photoreceptor is discharged, the residual charge is surely discharged without providing an additional discharging means. - 特許庁

部分記録モードや拡大表示モードにおいては、撮像素子の所定領域のみの画素列の電荷を読み出し、あるいは撮像素子の全体から所定の間隔で画素列の電荷を読み出す。例文帳に追加

In the partial recording mode or magnification display mode, charges of pixel array only in a predetermined region of the image sensors are read, or the charges of pixel array are read from the image sensors as a whole at a predetermined interval. - 特許庁

動画像出力モード時に、画面中央領域Ｂからの電荷は直接水平ＣＤ１１に転送される一方、水平ＯＢ部１２からの電荷はレジスタ部１６を介して水平ＣＣＤ１１に転送される。例文帳に追加

In a moving picture output mode, electric charges from a screen mid-area B are directly transferred to a horizontal CCD 11 while electric charges from a horizontal OB part 12 are transferred to the horizontal CCD 11 via a register section 16. - 特許庁

全画素同時の電子シャッタ動作を行うことができる固体撮像装置において、半導体領域の深い所で発生した電荷が電荷格納部に入るのを低減してノイズを低減する。例文帳に追加

To reduce noise by reducing the entrance of a charge generated in a deep place in a semiconductor region into a charge storage, in a solid-state imaging device capable of carrying out an electronic shutter operation for every picture element at once. - 特許庁

ＭＯＮＯＳ型メモリトランジスタにおいて、注入効率を上げ、また電荷蓄積手段の分布領域の一部に電荷を局所的に注入して複数ビットを記憶する。例文帳に追加

To improve the injection efficiency and locally inject charges in a part of distributed regions of charge storing means to store a plurality of bits in an MONOS type memory transistor. - 特許庁

バリア領域３５は、各電荷蓄積部３３の周囲を個別に囲むとともに各電荷蓄積部３３をＰ型シリコン基板３１に対して接触させる開口部を有するように、Ｎ型半導体層３２中に形成される。例文帳に追加

The barrier region 35 is formed in the N-type semiconductor layer 32 so as to surround a periphery of each charge accumulation part 33 and have an opening which makes the respective charge accumulation parts 33 in contact with the P-type silicon substrate 31. - 特許庁

広ダイナミックレンジのフローティングディフュージョン領域（電荷電圧変換部）の実現を可能にした電荷転送装置の駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a driving method for a charge transfer apparatus, capable of achieving a floating diffusion region (charge voltage conversion part) of a wide dynamic range. - 特許庁

チャネル領域１２上部の電荷蓄積層をエッチングで除去し、電荷蓄積層１８ａ、１８ｂを形成した後、酸化膜を堆積し、その後ゲート電極を作製する。例文帳に追加

A charge storage layer at the upper part of a channel region 12 is removed by etching, charge storage layers 18a and 18b are formed, then an oxide film is deposited, and a gate electrode is formed thereafter. - 特許庁

スタック層は、チャネル領域上に配置した絶縁層、絶縁層上に配置した電荷蓄積層、電荷蓄積層上の多層トンネリング誘電体構造、および多層トンネリング誘電体構造上に配置したゲートを有する。例文帳に追加

The stack layer includes an insulating layer disposed on the channel region, a charge storage layer disposed on the insulating layer, a multi-layer tunneling dielectric structure on the charge storage layer, and a gate disposed on the multi-layer tunneling dielectric structure. - 特許庁

電荷転送電極となる導電性材料膜上に第１絶縁膜を形成し、電荷転送部５およびフォトダイオード部４となる各領域を同時に開口した第１マスク層を形成する。例文帳に追加

A first insulating film is formed on a conductive material film to be a charge transfer electrode, and a first mask layer in which regions to be a charge transfer part 5 and a photodiode part 4 are simultaneously opened, is formed. - 特許庁

転送制御素子ＴＴは、第１及び第２の転送制御素子Ｔｒ１，Ｔｒ２と、第１及び第２の転送制御素子間に設けられた電荷を保持する電荷保持領域Ｃ１とを有する。例文帳に追加

The transfer control element TT comprises first and second transfer control elements Tr1 and Tr2, and electric charge holding region C1 which is provided between the first and second transfer control elements to hold electric charges. - 特許庁

電力消費を低減し且つ低暗電流を維持しながら一様な暗領域を生成する、過剰電荷の消去動作を有する電荷結合素子を提供する。例文帳に追加

To provide a charge coupled device (CCD) for reducing power consumption while retaining minimum dark current, having a substantially uniform dark field and flushing of excess current. - 特許庁

情報電荷の蓄積を開始すべきタイミングの直前に、基板クロックφbを一旦立ち上げ、チャネル領域にわずかに残された情報電荷をすべて基板側へ排出させる。例文帳に追加

A substrate clock ϕb is once started just before the timing in which the storage of the information charge should be started, and all of the information charge caused to remain slightly in the channel area is discharged to the substrate side. - 特許庁

本発明では、このHigh-Lowが問題となるノードのペアとなる領域に電荷が発生した場合、従来エラーに関係ないと見なしていた電荷によるエラー抑制効果をソフトエラーシミュレーションに組込むようにした。例文帳に追加

An error suppressing effect by electric charge which has been considered to be not related to the error is incorporated in soft error simulation when the electric charge is generated in the region being a pair of nodes causing High-Low as a problem. - 特許庁

上記基板表面に上記電荷供給部５から所定距離だけ離間して形成された浮遊拡散領域２２を有する信号電荷蓄積部７を備える。例文帳に追加

The signal charge storage part 7 having the stray diffusion area 22, which is formed on the surface of the substrate, by detaching it from the charge supply part 5 by a prescribed distance, is disposed. - 特許庁

各光電変換部３は、光入射に応じて電荷を発生し且つ平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状を成す光感応領域１５と、光感応領域１５に対して光感応領域１５の平面形状を成す長辺に平行な所定の方向に沿って高くされた電位勾配を形成する電位勾配形成領域１７と、を有している。例文帳に追加

Each photoelectric conversion section 3 has a substantially rectangular photosensitive region 15 having a planar shape defined by two long sides and two short sides and generating charges according to the entering of light, and a region 17 for forming a potential gradient which is raised for the photosensitive region 15 in a predetermined direction parallel with the long sides defining the planar shape of the photosensitive region 15. - 特許庁

半導体の表面部分にチャネル形成領域を挟んで形成されたソース領域およびドレイン領域と、当該チャネル形成領域上に設けられ内部に電荷蓄積手段を含むゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜上のゲート電極とを備えたメモリトランジスタＭ１１〜Ｍ２２がワード方向とビット方向に複数配置されている。例文帳に追加

This semiconductor storage device is characterized by that memory transistors M11 to M22, each having a source region and a drain region formed at a surface part of a semiconductor across a channel forming region, a gate insulating film which is provided on the channel-forming region and includes a charge storage means, and a gate electrode on the gate insulating film are arranged in the word direction and the bit direction. - 特許庁

不揮発性メモリセルは、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、チャネル領域の両側に配置され、チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなる。例文帳に追加

The nonvolatile memory cell comprises a gate electrode formed on a semiconductor layer through a gate insulation film, a channel region arranged under the gate electrode, a diffusion region arranged at both sides of the channel region and having a channel region and a reverse conduction type, and a memory function object having a function holding electric charges formed at the both sides of the gate electrode. - 特許庁

光電変換を行う撮像領域と、被写体の明るさに応じて、前記撮像領域における電荷蓄積時間を変化させるとともに、前記撮像領域から信号を読み出す範囲を変更して読み出す駆動回路と、前記撮像領域から読み出される信号に基いて焦点調整を行う焦点調整回路とを有することを特徴とする撮像装置を提供する。例文帳に追加

This image pickup device has an image pickup area for performing electro-optical conversion, a drive circuit for changing charge storage time in the image pickup area, changing and reading a range to read signals out of the image pickup area, and a focusing control circuit for performing focusing control on the basis of signals read from of the image pickup area. - 特許庁

さらに、第１の第１導電型不純物拡散領域から第２の第１導電型不純物拡散領域へ電荷を転送する転送経路と、半導体基板上に第１の第１導電型不純物拡散領域を包含するように形成された第２導電型不純物拡散領域を有する。例文帳に追加

Further, the device has a transfer path for transferring a charge from the first impurity diffusion region of the first conductivity type to the second impurity of the first conductivity type and an impurity diffusion region of a second conductivity type formed on a semiconductor substrate so as to contain the first impurity diffusion region of the first conductivity type. - 特許庁

メモリ素子１は、半導体層１０２上にゲート絶縁膜１０３を介して形成されたゲート電極１０４と、ゲート電極１０４下に配置されたチャネル領域と、チャネル領域の両側で、チャネル領域と逆導電型の拡散領域１０７ａｂと、ゲート電極１０４の両側で、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体１０９とを備える。例文帳に追加

The memory element 1 is provided with a gate electrode 104 formed through a gate insulating film 103 on a semiconductor layer 102, a channel area arranged below the gate electrode 104, the diffusion areas 107ab of conductive types reverse to that of the channel area on both sides of the channel area, and a memory function body 109 having the function of holding charges on both sides of the gate electrode 104. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置のＭＯＮＯＳ型メモリセルは、半導体基板の活性領域上に形成されるトンネル絶縁膜と、活性領域上及び素子分離絶縁膜上に連続的に形成される電荷を蓄積する機能を有する電荷蓄積膜と、電荷蓄積膜上に形成されたブロック絶縁膜と、ブロック絶縁膜上に形成されるコントロールゲート電極とを備える。例文帳に追加

The MONOS type memory cell of the nonvolatile semiconductor memory device includes a tunnel insulating film formed on the active region of a semiconductor substrate, a charge storage film formed continuously on the active region and an element isolation insulating film and having a function of storing electric charges, a block insulating film formed on the charge storage film, and a control gate electrode formed on the block insulating film. - 特許庁

ＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードと、メモリ部と、浮遊拡散領域と、ＴＲＸバリアの電位およびメモリ部の電位を制御して、フォトダイオードからメモリ部に電荷を転送する第１転送ゲートと、メモリ部から浮遊拡散領域に電荷を転送する第２転送ゲートを備える複数の単位電荷を有する。例文帳に追加

A CMOS image sensor has a plurality of unit charges including a photodiode, a memory part, a floating diffusion region, a first transfer gate for controlling the potential of an TRX barrier and the potential of the memory part and transferring charges from the photodiode to the memory part, and a second transfer gate for transferring the charges from the memory part to the floating diffusion region. - 特許庁

活性領域上には第１のゲート絶縁膜１８を介して活性領域に容量結合する電荷蓄積層２０が形成され、電荷蓄積層２０上には第２のゲート絶縁膜２２を介して電荷蓄積層２０に容量結合する制御ゲート２４が形成され、制御ゲート２４に対してドレイン拡散層の反対側にはソース拡散層８が形成される。例文帳に追加

A charge accumulation layer 20 for capacity coupling to the active region is formed on the active region through a first gate insulating film 18, a control gate 24 for capacity coupling to the charge accumulation layer 20 is formed on the charge accumulation layer 20 through a second gate insulating film 22, and a source diffusion layer 8 is formed on the opposite side of the drain diffusion layer to the control gate 24. - 特許庁

撮像素子の領域毎に電荷の蓄積を開始させるための第１の走査、または、領域毎に蓄積された電荷を読み出すための第２の走査のいずれかと、撮像素子の受光面を遮光するメカニカルシャッタの遮光羽根の走行との間に蓄積された電荷の量を用いて、遮光羽根の走行特性を演算する。例文帳に追加

Running characteristics of a light-shielding blade are calculated, using the amount of electric charges accumulated between either first scanning for starting accumulating electric charges for each region of the imaging device or second scanning for reading electric charges, accumulated in each region and running of the light-shielding blade of the mechanical shutter for shielding light on a photodetection plane of the imaging device. - 特許庁