「ＥＯＴ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Specifies what character(s) should follow a GIN report or status report.The possibilities are ``none,'' which sends no terminating characters, ``CRonly,''which sends CR, and ``CREOT,'' which sends both CR and EOT. 例文帳に追加

選択肢は、終端文字列が無いことを示す ``none''、CR を送る ``CRonly''、CR と EOT の両方を送る ``CR&EOT'' である。 - XFree86

The resultant TiN/TiO_2/HfSiO/SiO_2/Si structure satisfies the conditions: EOT<1.0 nm, low leakage current, and hysteresis<20 mV.例文帳に追加

形成されたTiN/TiO_2/HfSiO/SiO_2/Si構造は、EOT<1.0nm, 低リーク電流, ヒステリシス<20mVを満たしている。 - 特許庁

To make it possible to take out from a tape prior to a new EOT information, data which is possibly not overwritten with new data and the new EOT information and remains as it is in the tape, even when the data in the tape has been overwritten with the new data and the new EOT information.例文帳に追加

テープ内のデータに対して新たなデータと新たなＥＯＴ情報とが上書きされた場合でも、その新たなＥＯＴ情報より先に残っているかも知れないデータを、取り出せるようにすること。 - 特許庁

As a result, a change in equivalent oxide thickness (EOT) of the whole gate dielectric is controlled.例文帳に追加

この結果、ゲート誘電体全体の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）の変動が抑制される。 - 特許庁

To enable the measurement of an equivalent oxide thickness (EOT) even in the case where a well region is not formed.例文帳に追加

ウェル領域が形成されない場合であっても、実効ゲート絶縁膜厚（ＥＯＴ）を測定する。 - 特許庁

To provide a metal-insulator-metal capacitor having a low equivalent-oxide thickness (EOT) and low leakage current.例文帳に追加

低い等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および低い漏洩電流を有する金属−絶縁体−金属キャパシタを提供する。 - 特許庁

To form a dielectric film of small EOT and excellent leakage current characteristics by using an HfO_2 film on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上にＨｆＯ_2膜を使って、ＥＯＴが小さくリーク電流特性の優れた誘電体膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device equipped with a capacitor having a desired equivalent oxide thickness (EOT) and leakage current characteristics.例文帳に追加

所望の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）及びリーク電流特性を有するキャパシタを備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device capable of maintaining EOT (effective oxide thickness) thinner and at the same time having a more effective work function.例文帳に追加

ＥＯＴを小さく保ちつつ、より高い実効仕事関数を有する半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To deposit an insulating film which is applicable as a high-dielectric-constant gate insulating film and can compatibly have a low EOT and a low interface state.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、低ＥＯＴと低界面準位が両立できる絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide an MIM capacitor for a DRAM, thin in an equivalent oxide film thickness (EOT) and small in a leakage current.例文帳に追加

等価酸化膜厚（ＥＯＴ）が薄く、漏洩電流の小さいＤＲＡＭ用のＭＩＭキャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide a method of preventing deterioration in reliability, lowering channel mobility, and an increase in equivalent oxide thickness (EOT), in a MOSFET using a high-k gate insulating film.例文帳に追加

High-kゲート絶縁膜を用いたＭＯＳＦＥＴにおいて、信頼性劣化、チャネル移動度低下及びＥＯＴの増加を抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can prevent adverse effects on electrical characteristics, and also provide a thinner EOT.例文帳に追加

電気特性への悪影響を防止しつつＥＯＴを薄くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, superior boundary characteristic with EOT of 1.3 nm or less and greatly reduced leak current can be realized.例文帳に追加

これによって、ＥＯＴが１．３ｎｍ以下で、リーク電流の大幅な低減（約３桁）と良好な界面特性が得られる。 - 特許庁

In addition, when a silicon nitride film exists as a diffusion preventing film in the interface between the high-K film and a silicon substrate, and a nitrogen-containing diffusion preventing film exists in the interface between the high-K film and an electrode, an ideal stable EOT and a low leakage current characteristic can be realized by adjusting the EOT to ≥0.7 nm.例文帳に追加

また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。 - 特許庁

When a silicon nitride film as the diffusion preventing film exists on the interface of the High-K film and silicon substrate and the diffusion preventing film containing nitrogen exists on the interface of the High-K film and electrode, an ideally stable EOT and small leakage current characteristics can be achieved, by using EOT of 0.7 nm or larger.例文帳に追加

また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。 - 特許庁

To enable a thin equivalent oxide thickness (EOT) and flat surface gate insulation film, in a semiconductor having a high permittivity insulating film (High-K).例文帳に追加

高誘電率絶縁膜（Ｈｉｇｈ−Ｋ）を有する半導体装置において、薄い換算酸化膜厚（ＥＯＴ）と平滑な表面のゲート絶縁膜を可能にする事を目的とする。 - 特許庁

By increasing the Sr content at an interface between the Sr_xTi_yO_3 dielectric layer and the TiN bottom electrode, the interfacial equivalent-oxide thickness (EOT) can be further reduced.例文帳に追加

Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device wherein the film increase of EOT is suppressed even if the microfabrication is carried out and which includes a high permittivity film having good quality, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

微細化されても、ＥＯＴの増膜が抑制され、且つ、良好な品質を有する高誘電率膜を備えた信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing such a semiconductor device that is provided with a gate insulation film using an SiON base insulation film with small EOT and superior boundary characteristic.例文帳に追加

ＥＯＴが小さく且つ良好な界面特性を持つＳｉＯＮベース絶縁膜を用いたゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with the gate insulating layer with low EOT and less leakage current which suppresses the thermal reaction between a semiconductor layer and a gate insulating layer, and thermal reaction between a gate electrode and a gate insulating layer.例文帳に追加

半導体層とゲート絶縁膜との熱的反応、並びに、ゲート電極とゲート絶縁膜との熱的反応を抑制し、リーク電流が少なく、かつ、ＥＯＴが低いゲート絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then, one or a plurality of values of the EOT value and/or CET, Cox, or Vfb can be output in a mode in which a human being can detect.例文帳に追加

その後、前記ＥＯＴ値および／又はＣＥＴ，Ｃｏｘ又はＶｆｂの単数又は複数の値を、人間が検出可能な形態で出力することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that strikes a balance between control of a work function and thinned EOT, the device using a metal electrode/High-k film structure as a gate structure.例文帳に追加

ゲート構造としてメタル電極／Ｈｉｇｈ−ｋ膜構造を用いた半導体装置において、仕事関数の制御とＥＯＴの薄膜化とを両立させる。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device wherein a gate insulating film for which EOT is small and the increase of interface level density is suppressed is provided and a leakage current is suppressed even when miniaturized, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＥＯＴが小さく、界面準位密度の増加が抑制されたゲート絶縁膜を備え、微細化されてもリーク電流が抑制され、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Notably, in an MIMcap according to the present invention, a k-value of the dielectric layer is 50 to 100, and an EOT of the MIM capacitor is 0.35 to 0.55 nm.例文帳に追加

特に、本発明に係るＭＩＭｃａｐにおいて、誘電体層のｋ値は５０〜１００であり、ＭＩＭキャパシタのＥＯＴは０．３５ｎｍ〜０．５５ｎｍである。 - 特許庁

In addition, the BOT or EOT marks are generated with deposition of the fluorescent dye or optical dye on the ferromagnetic layer 12 or non-magnetic layer of the magnetic tape.例文帳に追加

さらに、磁気テープの強磁性層または非強磁性層上に蛍光性染料または光学性染料を置いてＢＯＴおよびＥＯＴ標識を作り出すための方法を提供する。 - 特許庁

To enhance reliability by suppressing impairment of EOT (film thickness expressed in terms of silicon oxide) while employing a high dielectric constant material as a composition material of a gate insulating film and by suppressing crystallization of the high dielectric constant material.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の構成材料として高誘電率材料を用いつつ、ＥＯＴ（酸化シリコン換算膜厚）の劣化を抑制すると共に高誘電率材料の結晶化を抑制して信頼性を向上させる。 - 特許庁

To restrain increase of EOT(Equivalent Oxide Thickness) involved in treatment process for improving film quality of a tantalum pentoxide film and prevent generation of plasma damage.例文帳に追加

５酸化タンタル膜の製造方法に関し、５酸化タンタル膜の膜質向上のための処理工程に伴う酸化膜容量換算膜厚ＥＯＴの増加を抑制するとともに、プラズマダメージの発生を防止する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of thinning the EOT of a gate insulating film without effecting heat treatment at high temperatures for a long period of time, which is not preferable for a process.例文帳に追加

プロセス上好ましくない高温長時間の熱処理をすることなく、ゲート絶縁膜のＥＯＴを薄くすることができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

Consequently, an EOT decision part 236 and a selector 237 are provided in RCU 23 of a remote node 2 and then a transfer end mark can be added to transfer data themselves.例文帳に追加

以上から、リモートノード２のＲＣＵ２３内にＥＯＴ判定部２３６とセレクタ２３７とを備えることで、転送データそのものに転送終了マークを付けることができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device having a tunnel insulating film, capable of reducing leakage current in a low electric field even if thinning EOT and also capable of increasing the leakage current of holes in a high electric field.例文帳に追加

ＥＯＴを薄くしても低電界におけるリーク電流を抑制することができるとともに高電界におけるホールのリーク電流を高くすることができるトンネル絶縁膜を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device provided with a gate insulating film where a film thickness is uniform, EOT is lower than that in a conventional gate insulating film and a nitride or an oxide such as ON integrated film are contained.例文帳に追加

膜厚が均一であり、ＥＯＴが従来よりも低く、尚且つ、ＯＮ積層膜等の窒化物および酸化物を含有するゲート絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This emulation system can provide the motion of a unit train with the 'complete electrification' ECP not having the pneumatic overlay or emulation performance by using the standard non-ECP equipped locomotive on the basis of the close integration with the EOT system.例文帳に追加

本エミュレーションシステムは、ＥＯＴシステムと密接な一体化に基づき、標準的な非ＥＣＰ装備の機関車を使用して、空気圧オーバーレイまたはエミュレーション性能を有しない「完全電化」ＥＣＰを装備したユニット列車の動作が可能になる。 - 特許庁

To provide a metal nitride film that achieves an intended effective work function (for example, a high effective work function) and has an EOT exhibiting a change or reducing a change, a semiconductor device using the metal nitride film; and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

所望の実効仕事関数（例えば、高い実効仕事関数）を実現し、かつ、ＥＯＴが変化しない、またはＥＯＴの変化を低減した金属窒化膜、金属窒化膜を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To add a metal capable of forming an electric dipole for reducing a threshold voltage at the interface of an oxide film formed on the surface of a semiconductor substrate and a high electric constant insulating film, while suppressing increase in EOT and decrease in carrier mobility.例文帳に追加

ＥＯＴの増大及びキャリア移動度の低下を抑制しつつ、半導体基板表面に形成されている酸化膜と高誘電率絶縁膜との界面に、しきい値電圧を低減する電気双極子を形成可能な金属を添加する。 - 特許庁

This is a method of generating marks for the beginning of tape(BOT) and ending of tape(EOT) on the tape by changing one or more discrete areas 16 of the recording area or non-recording area of the magnetic tape for ensuring optical detection thereof.例文帳に追加

磁気テープの記録区域または非記録区域の１以上の離散区域を、光学的に検出可能となるように変更することで、テープの初め（ＢＯＴ）およびテープの終わり（ＥＯＴ）標識を磁気テープ上に作り出すための方法を提供する。 - 特許庁

The equivalent oxidation film thickness EOT of the semiconductor wafer or the sample can be determined as the function of the most precise value of CET determined based on the fact that at least one of (1) the last two values of Cox and (2) the last two values of Vfb converges within a prescribed convergence determination reference.例文帳に追加

（１）Ｃｏｘの最後の二つの値、又は（２）Ｖｆｂの最後の二つの値、の少なくとも一方が所定の収束判断基準内に収束することに基づいて決定されたＣＥＴの最も正確な値の関数として、半導体ウエハ又はサンプルの等価酸化膜厚ＥＯＴを決定することができる。 - 特許庁

To provide an electrically controlled pneumatic(ECP) end of train(EOT) pneumatic emulation system capable of allowing the complete train motion of a stand alone ECP unit train even in a locomotive free from ECP.例文帳に追加

ＥＣＰ非装備の機関車を有するものであっても、スタンドアロンＥＣＰユニット列車の完全列車動作が可能になる電気制御された空気式（ＥＣＰ）列車終端（ＥＯＴ）空気圧エミュレーションシステムを提供することである。 - 特許庁

Further, the MO_xN_y metal compound is an extremely efficient oxygen diffusion barrier at 1,000°C, and achieves, in a p-type metal oxide semiconductor (pMOS) device, an extremely aggressive equivalent oxide film thickness (EOT) and an inversion layer thickness of 14 Å or less.例文帳に追加

さらに、本発明のＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物は、１０００℃において非常に効率的な酸素拡散障壁であり、ｐ金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）デバイスにおいて、非常に攻撃的な等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および１４Å未満の反転層厚を可能にする。 - 特許庁

Moreover, in this method, the BOT and EOT marks are generated by eliminating one or more discrete areas 16 of the ferromagnetic layer or nonmagnetic layer of the magnetic tape so that the optical beam is reflected or transmitted in different manner at the non- marked area and the marked area of the tape.例文帳に追加

さらに、テープの印のない部分と印とが異なった態様で光を反射または透過するよう、磁気テープの強磁性層または非強磁性層の１以上の離散区域を除去して、ＢＯＴおよびＥＯＴ標識を作り出すための方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a nonvolatile semiconductor memory device having a tunnel insulation film capable of reducing leakage current in a low electric field even if film thickness (EOT) converted to an oxide film is thinned and also increasing the leakage current in a high electric field.例文帳に追加

ＥＯＴを薄くしても低電界におけるリーク電流を抑制することができるとともに高電界におけるリーク電流を高くすることができるトンネル絶縁膜を有する不揮発性半導体記憶装置を得ることを可能にする。 - 特許庁

A computation node of this decentralized memory type parallel computer has a request reception part 131 (231), a data reception part 132 (232), a confliction arbitration part 133 (233), an address conversion part 134 (234), a request/data sending-out part 135 (235), an EOT decision part 136 (236), and a selector 137 (237).例文帳に追加

本発明の実施形態である分散メモリ型並列計算機における計算ノードは、リクエスト受付部１３１（２３１）と、データ受付部１３２（２３２）と、競合調停部１３３（２３３）と、アドレス変換部１３４（２３４）と、リクエスト／データ送出部１３５（２３５）と、ＥＯＴ判定部１３６（２３６）と、セレクタ１３７（２３７）と、を有して構成される。 - 特許庁