「A&P Group」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for making a p-type semiconductor out of a group III nitride compound semiconductor and an element having the p-type region.例文帳に追加

III 族窒化物系化合物半導体のｐ型化とｐ型領域を有する素子の形成 - 特許庁

To lower a resistance of a p-type semiconductor layer group in a semiconductor device with a p-type semiconductor layer group and an n-type semiconductor layer group laminated on a predetermined wafer so that the p-type semiconductor layer group is satisfactorily activated for a practical use.例文帳に追加

所定の基板上において、ｐ型半導体層群及びｎ型半導体層群が積層されてなる半導体素子において、前記ｐ型半導体層群が十分に活性化処理されて実用に足るべく低抵抗化する。 - 特許庁

To prevent missing of P when growth on a group III-V compound semiconductor layer containing P is carried out again.例文帳に追加

Ｐを含むIII‐Ｖ族化合物半導体層上に再成長を行う際のＰ抜けを防止する。 - 特許庁

The nearest point R of the point P (Lab value) is searched from a Lab value group obtained by the interpolation arithmetic operation.例文帳に追加

補間演算により求まるLab値群から点Pの最近点R（Lab値）を探索する。 - 特許庁

G is a rational point group of an elliptic curve, P is an element of G, p is the order of P, Q=xP with respect the element x of a set {1 to p} of secret keys, and (G, p, P, Q) is a public key.例文帳に追加

楕円曲線の有理点群をＧ,ＰをＧの元、Ｇの位数をＰとし、秘密鍵ｘ∈｛１,…,ｐ｝に対してＱ＝ｘＰとし、（Ｇ,ｐ,Ｐ,Ｑ）を公開鍵とする。 - 特許庁

When a lens group, including the air negative lens L_n, is denoted as a lens group G_n and the nearest moving group on the enlargement side of the air negative lens L_n is denoted as a lens group G_p, (1): -2.0<Fn/Fw<-0.5,例文帳に追加

ただし、Fw、Fn、Fpは各々、ワイド端でのズームレンズ全体、ワイド端での空気負レンズＬ_ｎ、レンズ群Ｇ_ｐ、の焦点距離。 - 特許庁

A frame group of the compression coded image signals includes a single key frame K, a frame P-GOB and a frame P succeeding to the key frame K.例文帳に追加

圧縮符号化画像信号の１フレーム群の中には、単一のキーフレームＫ、並びにこれに後続するフレームP-GOBおよびフレームＰが含まれる。 - 特許庁

To form a p-type group III nitride semiconductor on a desired region.例文帳に追加

所望の領域にｐ型のIII 族窒化物半導体を形成すること。 - 特許庁

The second cladding region 23 includes a first p-type group III nitride semiconductor layer 27 and a second p-type group III nitride semiconductor layer 29.例文帳に追加

第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。 - 特許庁

An RAID group 17 (S) making a pair with the RAID group 17(P) is set simultaneously when the storage contents of the disk 16 (#4) are copied, and a sub-volume 18(S) is prepared (S2, S3).例文帳に追加

コピーと同時にＲＡＩＤグループ17(P)とペアとなるＲＡＩＤグループ17(S)が設定され、副ボリューム18(S)が用意される(S2,S3)。 - 特許庁

The raw material precursor is expressed by the formula: Ta(I5-m-n-p)(Brm-p)(Cln-p)(Rp) [(m) is an integer of 0-5; (n) is an integer of 0-4; (p) is an integer of 0-4; R is selected from a group consisting of hydrogen and a lower alkyl).例文帳に追加

原料前駆体は以下の式（Ｉ）で表される： Ｔａ（Ｉ_5-m-n-p）（Ｂｒ_m-p）（Ｃｌ_n-p）（Ｒ_p） （Ｉ） （ｍは０から５までの整数、ｎは０から４までの整数、ｐは０から４までの整数、Ｒは水素と低級アルキルとからなる群より選択される。） - 特許庁

In a second embodiment, the P-transition layer is an arbitrary Group III-V semiconductor.例文帳に追加

第２実施形態では、Ｐ型遷移層は、任意のIII-Ｖ族半導体である。 - 特許庁

The distribution of impurity concentrations is provided in a p-type group-III nitride semiconductor layer 8.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８に不純物濃度の分布を設ける。 - 特許庁

getsid(p) returns the session ID of the process with process ID p . (The session ID of a process is the process group ID of the session leader. 例文帳に追加

getsid(p)はプロセス IDp を持つプロセスのセッション ID を返す(プロセスのセッション ID は セッションリーダーのプロセスグループ ID である)。 - JM

The p-type semiconductor layer 13 is composed of a p-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and the n-type semiconductor layer 14 is composed of an n-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, a group VIb element and a dopant of a group II element.例文帳に追加

ｐ形半導体層１３はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むｐ形化合物半導体からなり、ｎ形半導体層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とドーパントであるII族元素とを含むｎ形化合物半導体からなる。 - 特許庁

When encryption and signature verification are performed, a public key ID and the element P_ID of the group G_1 are made to correspond to each other by calculating P_ID=P_1+uP_2 using u (u is an element of Z_q^*) and two elements P_1, P_2 of the group G_1 included in the public parameter.例文帳に追加

暗号化及び署名検証時に、公開鍵IDと群G_1の元P_IDとは、u∈Z_q^*及び公開パラメータに含まれる群G_1の2つの元P_1、P_2を用いてP_ID= P_1+uP_2を計算することにより、対応させる。 - 特許庁

A group of rational points of an elliptic curve is considered as G, P is considered as an origin of G, an order of G is considered as P, a private key_x is considered as Q=xP to elements of a set {1, ..., p} and (G, p, P, Q) is considered as a public key.例文帳に追加

楕円曲線の有理点群をＧ,ＰをＧの元、Ｇの位数をＰとし、秘密鍵ｘ∈｛１,…,ｐ｝に対してＱ＝ｘＰとし、（Ｇ,ｐ,Ｐ,Ｑ）を公開鍵とする。 - 特許庁

The objective system includes: a front lens group G1 having a positive refractive power; a prism P, which is a visual field direction converting element; and a rear lens group G2 having a positive refractive power, wherein the front lens group G1, the prism P and the rear lens group G2 are disposed in this order from an object side.例文帳に追加

対物系は、物体側から順に配置された、正の屈折力（パワー）を有する前群レンズ群Ｇ１と、視野方向変換素子であるプリズムＰと、正の屈折力（パワー）を有する後群レンズ群Ｇ２とを具備する。 - 特許庁

In the case of according to a Diffie-Hellman type key exchange system, the exchange keys α and Z of the computers 1-A, 1-C become gamod p and gzmod p, and the group secret keys calculated by the computers 1-A, 1-C become Zamod p, αzmod p, and become the same value as gazmod p.例文帳に追加

Diffie-Hellman型鍵交換方式に従った場合、計算機1-A,1-Cの交換鍵α,Ｚは、ｇａmod ｐ，ｇｚmod ｐとなり、計算機1-A,1-Cが計算するグループ秘密鍵は、Zａmod ｐ、αzmod ｐとなり、同一値ｇａｚmod ｐとなる。 - 特許庁

(where in the formulae Ra and Rb each independently represents a hydrocarbon group or an alkoxyhydrocarbon group provided that the carbon number in Ra is 2 or more, Rc represents a hydrocarbon group, X is a reactive group or a hydrocarbon group containing a reactive group, m is 1 to 3, n and p are each 0 to 3, and m+n+p=4).例文帳に追加

（但し、式中Ｒ^aの炭素数は２個以上であり、Ｒ^a，Ｒ^bは各々異なってまたは同じで炭化水素基またはアルコキシ炭化水素基、Ｒ^cは炭化水素基、Ｘは反応性基または反応性基を有する炭化水素基、ｍは１〜３、ｎ，ｐは０〜３、ｍ＋ｎ＋ｐ＝４である。） - 特許庁

The n-type semiconductor layer group comprising a second group III nitride including at least Ga is formed on the p-type semiconductor layer group after the activated processing of the p-type semiconductor layer group.例文帳に追加

次いで、前記ｐ型半導体層群を活性化処理した後、前記ｐ型半導体層群上において、少なくともＧａを含む第２のＩＩＩ族窒化物からなるｎ型半導体層群を形成する。 - 特許庁

At least one of the organic compound layers contains an N,N'-bis(p- hydroxymethylphenyl) benzidine derivative expressed by general formula (1), wherein, R1 indicates a hydrogen atom, a methyl group, or a methoxy group, R2 indicates a 1-4C alkyl group, the methoxy group, or an ethoxy group, and R3 indicates the hydrogen atom or the methyl group.例文帳に追加

一般式（Ｉ）中、Ｒ_1は、水素原子、メチル基又はメトキシ基を表し、Ｒ_2は、炭素数１〜４のアルキル基、メトキシ基又はエトキシ基を表し、Ｒ_3は、水素原子又はメチル基を表す。 - 特許庁

This method for producing p,p'-biphenol comprises debutylating a 4,4'-biphenol compound having at least one tert-butyl group in the presence of a debutylating catalyst; wherein at least one compound selected from thiosulfates, sulfites and metal borohydrides is made to act on the crude p,p'- biphenol resulted from the debutylation reaction, or made to coexist in the process of the debutylation reaction.例文帳に追加

脱ブチル触媒の存在下に、少なくとも１個以上のtert-ブチル基を有する4,4'-ビフェノール類を脱ブチル化せしめて、p,p'-ビフェノールを製造するに際して、チオ硫酸類、亜硫酸類、水素化ホウ素金属類から選ばれる少なくとも１種の化合物を、脱ブチル化反応により得られた粗p,p'-ビフェノールに作用させる又は脱ブチル化反応時に共存させることを特徴とするp,p'-ビフェノールの製造法。 - 特許庁

When a pitch of the pixel to which the expansion projection is performed on the screen is assumed to be P_P, Fresnel lens pitch P_F and lenticular lens pitch P_L are set as values to simultaneously satisfy one inequality of a first group of conditional expressions, and one inequality of a second group of conditional expressions.例文帳に追加

スクリーン上に拡大投写された画素のピッチをＰ_Pとしたとき、フレネルレンズピッチＰ_F、及びレンチキュラーレンズピッチＰ_Lを、第一の条件式の群のうちの一つの不等式と、第二の条件式の群のうちの一つの不等式とを同時に満足する値に設定する。 - 特許庁

When a pitch of the pixel to which the expansion projection is performed on the screen is assumed to be P_P, Fresnel lens pitch P_F and lenticular lens pitch P_L are set as values to simultaneously satisfy one inequality of a first group of conditional expressions and one inequality of a second group of conditional expressions.例文帳に追加

スクリーン上に拡大投写された画素のピッチをＰ_Pとしたとき、フレネルレンズピッチＰ_F、及びレンチキュラーレンズピッチＰ_Lを、第一の条件式の群のうちの一つの不等式と、第二の条件式の群のうちの一つの不等式とを同時に満足する値に設定する。 - 特許庁

The elliptical scalar multiple of P is performed by a value c (mutually prime with q) obtained by dividing the order s of a rational point group E(GF(p)) by the order q of a partial group requested by a system of the rational point group E(GF(p)) on the elliptic curve and cP is outputted as a random Q on the partial group.例文帳に追加

楕円曲線上の有理点群Ｅ（ＧＦ（ｐ））のシステムが要求する部分群の位数ｑでＥ（ＧＦ（ｐ））の位数ｓを割った値ｃ（ｑと互いに素）でＰを楕円スカラー倍し、ｃＰを部分群上のランダムな元Ｑとして出力する。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser of a rib type or a PBH type of InGaAsP/InP group, a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers is formed so as to function as a current constriction layer by adjusting a forbidden band width.例文帳に追加

InGaAsP/InP系のリブ型またはPBH型の半導体レーザにおいて、p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を、禁制帯幅の調整により電流狭窄層として機能するように形成する。 - 特許庁

This rubbing apparatus is provided with a rotary brush group 3 for rubbing the surface of an object P to be treated while conveying the object P and a pad 4 which is arranged oppositely to the group 3 and brought into elastic surface contact with the object P.例文帳に追加

被処理物Ｐを搬送しながらその表面を擦るように作用する回転ブラシ群３と、該回転ブラシ群３に対向して配設されて前記被処理物Ｐに弾性的に面接触するパッド４と、を備えている。 - 特許庁

To provide a p-type oxide semiconductor of group II to V useful as a light emitting element or a light receiving element material or a photocatalyst and to provide a method for manufacturing the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

発光素子や受光素子材料、あるいは光触媒として有用なIIないしV族の p型酸化物半導体と、そのような p型酸化物半導体の得られる製造方法とを提供する。 - 特許庁

Z-[(AO)_n-H]_p (1), wherein, Z is a residue formed by removing an active hydrogen atom from an active hydrogen atom-containing compound (a) having a valence of p, A is a 1-8C alkylene group, and n is an integer of 1-400, and p is an integer of 1-100.例文帳に追加

Ｚ−［（ＡＯ）_n−Ｈ］_p （１）式中、Ｚはｐ価の活性水素含有化合物から活性水素を除いた残基；Ａは炭素数１〜８のアルキレン基；ｎは１〜４００の整数；ｐは１〜１００の整数である。 - 特許庁

After a group III nitride crystal 1 containing at least both a p-type impurity and hydrogen is grown, a surface layer 2 is removed entirely or partially from the group III nitride crystal 1 to produce a p-type group III nitride semiconductor 3.例文帳に追加

ｐ型不純物と水素の両方を少なくとも含むIII族窒化物結晶１を成長させた後、III族窒化物結晶１の表面層２の全部または一部を除去してｐ型III族窒化物半導体３を作製する。 - 特許庁

The position of a working point group P on the surface 2 can be selectively ground by coinciding the group P that is the top group of a portion being a projection on the surface 2, with the point M of the tool 15, to a object surface shape.例文帳に追加

そして、目的の面形状に対して、被研磨面２上で凸となる部分の頂点群である加工点群Ｐと、研磨工具１５の最大研磨点Ｍとを一致させて、被研磨面２上の加工点群Ｐの位置を選択的に研磨する。 - 特許庁

In the formula (II), W is selected from a group consisting of hydrogen atom, B(P)(Q) group and CN group, wherein P and Q are independently OH or a group which is hydrolyzable to boronic acid or a group forming a 5- to 8-membered ring together with a boron atom added thereto which is hydrolyzable to boronic acid.例文帳に追加

（ここで、Ｗは、水素原子，Ｂ（Ｐ）（Ｑ）基、およびＣＮ基からなる群より選択され、ＰおよびＱは、独立してＯＨまたはボロン酸へと加水分解可能な基であるか、もしくは、それらに付加するホウ素原子とともに、ボロン酸へと加水分解可能な５〜８員環を形成するような基である） - 特許庁

Where, formula (1) is expressed by R^1-O-(AO)^p-X and in the formula, R^1 expresses a (metha)acryloyl group; O expresses oxygen atom; AO expresses a 2-4C oxyalkylene group; (p) expresses 1-200 and X expresses hydrogen atom or a 1-18C alkyl group.例文帳に追加

Ｒ^1−Ｏ−（ＡＯ）ｐ−Ｘ （１）式中、Ｒ^1は（メタ）アクリロイル基、Ｏは酸素原子、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基、ｐは１〜２００の数、Ｘは水素原子又は炭素数１〜１８のアルキル基を表す。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device including a p-type group III nitride semiconductor layer 8, comprises: etching or dicing a laminate structure including the p-type group III nitride semiconductor layer 8 from a front surface or a back surface thereof to a depth not reaching the p-type group III nitride semiconductor layer 8; and dividing the laminate structure into individual semiconductor devices by cleaving the remaining thickness.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８を含む積層構造の表面または裏面からｐ型のIII族窒化物半導体層８に達しない深さまでエッチングまたはダイシングし、残った厚みをへき開して個々の半導体装置に分割する。 - 特許庁

The polyethylene oxide derivative has, at one terminal, an acetal group which can undergo functional group conversion to an aldehyde group and, at the other terminal, a p-nitrophenyl carbonate group which can selectively react with a primary amino group.例文帳に追加

一方の末端にアルデヒド基に官能基変換可能なアセタール基と他末端に一級アミノ基と選択的に反応可能なｐ−ニトロフェニルカルボネート基を有するポリエチレンオキシド誘導体。 - 特許庁

To provide a forming method of p-type group III nitride semiconductor regions and group III nitride semiconductor elements which is performed by activating p-type dopants present in group III nitride semiconductor regions.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域中のｐ型ドーパントを活性化するｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、および半導体素子を提供する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 105 is composed of a hexagonal II-VI group compound semiconductor, for example, p-type ZnO.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０５は、六方晶のII−VI族化合物半導体、例えばｐ型ＺｎＯにより構成されている。 - 特許庁

In the formula (CP), R^1 and R^2 are each an electron withdrawing group having a specified Hammett's substituent constant σ_p.例文帳に追加

一般式（ＣＰ）中、Ｒ^1及びＲ^2は特定のハメットの置換基定数σ_p値を有する電子吸引性基を表す。 - 特許庁

The group-III nitride light-emitting device includes an n-type layer, a p-type layer, and an active region which can emit light between the p-type layer and the n-type layer.例文帳に追加

ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。 - 特許庁

Thus, in the p-type guide layer 14, the effective mass of the electron thereof becomes larger than that in the case where the p-type guide layer does not contain B as a group-III element.例文帳に追加

これにより、ｐ型ガイド層１４において、ＩＩＩ族元素としてＢを含まない場合と比べて電子の有効質量が大きくなる。 - 特許庁

In formula (2), R^3 to R^5 are each a 1-12C organic group; x is an integer of 1-3; and p, q, and r are each an integer of 0-3, provided that 1≤p+q+r≤3.例文帳に追加

（２）中、Ｒ^３〜Ｒ^５は炭素数１〜１２の有機基、ｘは１〜３の整数、ｐ、ｑ及びｒは０〜３の整数、１≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦３。 - 特許庁

In the temperature-reducing process after growing a p-type GaAs cap layer 508, the substrate is exposed to AsH3 atmosphere to prevent introduction of group-V defect into the active layer.例文帳に追加

p型GaAsキャップ層５０８成膜後の降温過程において、基板をAsH_3雰囲気に曝し、活性層にＶ族欠陥が導入されることを防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-type group III nitride semiconductor excellent in stability and reproducibility.例文帳に追加

安定性、再現性に優れたｐ型のIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 特許庁

Pixels P are allowed to be adjacent by unit of a few pixels (P11-P13), so as to constitute a small group.例文帳に追加

画素Ｐは数画素単位（Ｐ１１〜Ｐ１３）で近接させることにより、小グループを構成する。 - 特許庁