「AL-P」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The light transmitting layer 3 has an Al alloy ratio higher than that of the p-type AlGaAs active layer 4.例文帳に追加

透過層３は，Ａｌ混晶比が，p型ＡｌＧａＡｓ活性層４よりも高い組成を有している。 - 特許庁

The structure of the semiconductor switch comprises Al electrode/p-type single crystal silicon carbide layer, gradient composition layer/n-type single crystal silicon substrate/Al electrode (Al/p-SiC/GCL/n-Si/Al) while the gradient composition layer is a buffer layer between p-SiC and n-Si.例文帳に追加

前記半導体スイッチの構造は、Ａｌ電極／ｐ型単結晶炭化シリコン層／勾配組成物層／ｎ型単結晶シリコン基板／Ａｌ電極（Ａｌ/ｐ−ＳｉＣ／ＧＣＬ／ｎ−Ｓｉ／Ａｌ）を含み、前記勾配組成物層はｐ−ＳｉＣとｎ−Ｓｉの間の緩衝層である。 - 特許庁

Furthermore, the p-type dopant concentration of a p-type Al_ZGa_1-ZN layer 21 is prescribed, independently of the p-type dopant concentration N_P19 of a p-type AL_YGA_1-YN layer 19.例文帳に追加

また、ｐ型Ａｌ_ＺＧａ_１−ＺＮ層２１のｐ型ドーパント濃度がｐ型Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ層１９のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１９はと独立して規定される。 - 特許庁

The magnetic material comprises an Fe alloy magnetic material (containing Fe as a primary component and Si, Al (or Cr), etc. added thereto), such as an Fe-Si-Al-based or Fe-Si-Cr-based material, and phosphorous of 0.2 to 0.5 wt.% added to the Fe alloy magnetic material.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係る磁性材は、Fe-Si-Al系、またはFe-Si-Cr系等の、（Feを主成分として、Si、Al（またはCr）等を添加した）Ｆｅ系合金磁性材に、P（リン）が０．２〜０．５w％添加されて構成される。 - 特許庁

An n-type Al_xGa_yIn_1-x-yN layer 11, a light-emitting layer 12 and a p-type Al_xGa_yIn_1-x-y N layer 13 are formed to a dielectric substrate 10, such as sapphire.例文帳に追加

サファイア等の誘電体基板１０に、ｎ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１１、発光層１２、ｐ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１３を形成する。 - 特許庁

One or ≥ two kinds selected from Mn, P, Al, Sn, Sb, Ni, Cu, Mo, W, La, V, Nb, Ti, Y, Zr, B and Co may be incorporated therein.例文帳に追加

Mn、Ｐ、Al、Sn、Sb、Ni、Cu、Mo、Ｗ、La、Ｖ、Nb、Ti、Ｙ、Zr、Ｂ及びCoから選ばれる１種又は２種以上を含有させてもよい。 - 特許庁

SiC semiconductor of p-type contains Al and Ti in SiC crystal as impurites, and Ti concentration is equal to or less than Al concentration, based on an atom ratio.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶中に不純物としてＡｌとＴｉを含み、原子比でＴｉ濃度≦Ａｌ濃度であるｐ型ＳｉＣ半導体。 - 特許庁

This alloy casting has a composition containing 3.5 to 4.3% Cu, 5.0 to 7.5% Si, 0.10 to 0.25% Mg, ≤0.2% Fe and ≤0.0003% P, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

Cu：3.5〜4.3％,Si:5.0〜7.5％,Mg:0.10〜0.25％,Fe≦0.2％、Ｐ≦0.0003％を含有し、残部がAl及び不可避不純物とからなる事を特徴とする。 - 特許庁

Al contained in the P-AlInAs layer is oxidized into an Al oxide layer 29 which is formed on each side of a ridge stripe of P-AlInAs layer to serve as a current constriction structure, and the N-AlInAs layer 22 is turned into an Al oxide layer 30 where Al contained in all the layer 22 is all oxidized.例文帳に追加

リッジストライプを構成するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の両側部は、ＡｌＩｎＡｓ層中のＡｌが酸化されたＡｌ酸化層２９となって電流狭窄構造を構成し、ｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２は、全層にわたりＡｌが酸化されたＡｌ酸化層３０になっている。 - 特許庁

Accordingly, the concentration profile PF1_MG of the p-type dopant becomes steep in the p-type Al_XGa_1-XN layer 15 close to the interface between the p-type Al_XGa_1-XN layer 15 and the active layer 17.例文帳に追加

故に、ｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５と活性層１７との界面近傍のｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５でｐ型ドーパントの濃度プロファイルＰＦ１_Ｍｇが急峻になる。 - 特許庁

On both sides of the p-AlInAs layer, an Al-oxide layer 28, which is formed by selectively oxidizing Al in the p-AlInAs layer, extends in a width of 3.5 μm from the edges of the p-AlInAs layer up to the sides of the ridge.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の両側には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層中のＡｌを選択的に酸化してなるＡｌ酸化層２８が、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の縁からリッジ側面まで３．５μｍの幅で延在している。 - 特許庁

For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element.例文帳に追加

Ｎ型ＺｎＯとしてはＡｌをドープしたものを用いてＰＮ接合を形成し発光素子を得る。 - 特許庁

The p-type Al(Ga)InAs electron barrier layer 22 is present on the whole surface between the ridge 28 and the first p-type InP clad layer 20.例文帳に追加

リッジ２８と第１のｐ型ＩｎＰクラッド層２０との間の全面にｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２が存在する。 - 特許庁

A region (high Al composition region 123) where the value of p is set to 1 (p=1) (AlN) is formed between the substrate connection region and active layer connection region.例文帳に追加

これらの領域間には、ｐ＝１（ＡｌＮ）となっている領域（高Ａｌ組成領域１２３）が設けられている。 - 特許庁

An Al composition x in the n-type clad layer 13, an Al composition y in the p-type clad layer 19, and an Al composition z in the n-type reflection retarding layer 12 satisfy a relationship of x<z and y<z.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１３におけるＡｌ組成ｘ、ｐ型クラッド層１９におけるＡｌ組成ｙ及びｎ型反射抑制層１２におけるＡｌ組成ｚは、ｘ＜ｚで且つｙ＜ｚの関係を満たす。 - 特許庁

A ridge stripe 150 is constituted by: a p-type GaAs top cap layer 111 of a ridge stripe shape; a p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110; a p-type GaAs bottom cap layer 109; and a p-type Al_xGa_1-xAs second cladding layer 108.例文帳に追加

リッジストライプ形状のｐ型ＧａＡｓ上キャップ層１１１、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓキャップエッチングストップ層１１０、ｐ型ＧａＡｓ下キャップ層１０９及びｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２クラッド層１０８でリッジストライプ１５０を構成する。 - 特許庁

This is an Al alloy sheet for press forming such that, among the surfaces of the Al alloy sheet, assuming an average coefficient of dynamic friction in a plate sliding test of the surface in contact with a punch in press forming is μP and that in contact with a die is μD, the ratio of μP to μD, (μP/μD), is set to exceed 1.例文帳に追加

プレス成形用Al合金板であって、Al合金板表面の内、プレス成形においてパンチに当接する表面の平板摺動試験による平均動摩擦係数をμ_P およびプレス成形においてダイスに当接する表面の平板摺動試験による平均動摩擦係数をμ_D とした時、μ_P とμ_D との比（μ_P ／μ_D ）が１を超えるようにする。 - 特許庁

The conductor has a structure that contains at least phosphoric acid hydrogen aluminum and silica, has a P/Al mole ratio (P/AL) to 2-5, and has a content of Si to 2-45 mole%.例文帳に追加

本発明のプロトン導電体は、リン酸水素アルミニウムとシリカを少なくとも含有し、ＰとＡｌのモル比（Ｐ／Ａｌ）が２〜５であり、Ｓｉの含有量が２〜４５モル％である構成とする。 - 特許庁

The n-type absorption reducing layer 4 has a larger Al composition ratio than the n-type clad layer 5, and the p-type absorption reducing layer 12 has a larger Al composition ratio than the p-type second clad layer 11.例文帳に追加

ｎ型吸収低減層４はｎ型クラッド層５よりもＡｌ組成比が大きく、ｐ型吸収低減層１２はｐ型第２クラッド層１１よりもＡｌ組成比が大きい。 - 特許庁

After that, heat treatment is performed at temperature exceeding a fusion point of Al, the Al-Ti alloy 11 reacts with the P-type SiC layer 10 to be alloyed, and an ohmic contact of an electrode and the P-type SiC layer 10 is obtained.例文帳に追加

その後、Ａｌの融点を超える温度の熱処理を行い、Ａｌ−Ｔｉ合金１１をＰ型ＳｉＣ層１０と反応させて合金化し、電極とＰ型ＳｉＣ層１０とのオーミックコンタクトを得る。 - 特許庁

The composition thereof comprises, by mass, 0.08 to 0.20% C, 0.2 to 1.0% Si, 0.5 to 2.5% Mn, ≤0.04% P, ≤0.005% S, ≤0.05% Al, 0.07 to 0.20% Ti and 0.20 to 0.80% V, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

成分組成は、mass%で、C：0.08%以上0.20%以下、Si：0.2%以上1.0%以下、Mn：0.5%以上2.5%以下、P：0.04%以下、S：0.005%以下、Al：0.05%以下、Ti：0.07%以上0.20%以下、V：0.20%以上0.80%以下を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

In the PDP apparatus 1, a discharge space in a panel part 10 is filled with discharge gas containing Xe in total pressure P_AL (kPa), and a Xe partial pressure ratio R_XE to the total pressure P_AL (kPa) is ≥20%.例文帳に追加

ＰＤＰ装置１では、パネル部１０における放電空間にＸｅを含む放電ガスが全圧Ｐ_ＡＬ（ｋＰａ）で充填されており、全圧に対するＸｅ分圧比Ｒ_ＸＥが２０（％）以上である。 - 特許庁

To prevent the occurrence of iridescence by dispersing a specified amount of P, Al or B in a coating comprising a mixed oxide not containing P, Al and B.例文帳に追加

移動している基体の上に、真珠光現象の発生を防止すべく被覆−基体間の屈折率の差が最少限に抑えられた金属酸化物の被覆を形成する化学的蒸着法を提供する。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

As for the metal with Cu as a major component, metal containing Ni, P, Sn, Al, Si or the like to such a degree that the plating bath is not contaminated can be used for increasing their hardness compared with a Cu simple substance.例文帳に追加

本発明のCuを主成分とする金属としては、硬度をCu単体よりも高めるために、めっき浴を汚染しない程度のNi、P、Sn、Al、Si等を含有したものでもよい。 - 特許庁

This Pb-free solder alloy may contain at least one of Al, Sn and P, wherein, 0.02 mass% or more in the case of Al, 0.3 mass% or more in Sn, and 0.001 mass% or more in P.例文帳に追加

このＰｂフリーはんだ合金は、Ａｌ、ＳｎおよびＰのうちの１種以上が、Ａｌの場合は０.０２質量％以上、Ｓｎの場合は０.３質量％以上、Ｐの場合は０.００１質量％以上含まれていてもよい。 - 特許庁

As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加

軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁

A semiconductor substrate is prepared wherein a 2nd Al film 54 and a P-SiN film 55 are formed, in this order on its uppermost part, and an opening 55a is formed on the upper part of the 2nd Al film 54 in the P-SiN film 55.例文帳に追加

最上部に、２ｎｄＡｌ膜５４と、Ｐ−ＳｉＮ膜５５とが順に形成され、Ｐ−ＳｉＮ膜５５のうち、２ｎｄＡｌ膜５４の上方部分に開口部５５ａが形成されている半導体基板を用意する。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 12, an n-Al_xGa_1-xN layer 13, an n-Al_yGa_1-y layer 14, an In_z-Ga_1-zN layer 15, a p-Al_yGa_1-yN layer 16, and a p-GaN layer 17 are layered on a sapphire substrate 11 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層１３、ｎ−Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１４、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ層１５、ｐ−Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１６およびｐ−ＧａＮ層１７をこの順に積層する。 - 特許庁

In the semiconductor laser element of AlGaInP constitution, the Al composition ratio x of a p-type etching stop layer 5 is specified so as to be a<x, b<x and c<x with respect to respective Al composition ratios a, b, c of an n-type clad layer 2, a first p-type clad layer 4 and a second p-type clad layer 6.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子において、ｐ型エッチングストップ層５のＡｌ組成比ｘを、ｎ型クラッド層２，第１のｐ型クラッド層４，及び第２のｐ型クラッド層６それぞれのＡｌ組成比ａ，ｂ，ｃに対して、ａ＜ｘ，ｂ＜ｘ，及びｃ＜ｘとする。 - 特許庁

A ridge 28 is formed by selectively etching the p-type InGaAsP contact layer 26 and the second p-type InP clad layer 24 by using the p-type Al(Ga)InAs electron barrier layer 22 as an etching stopper layer.例文帳に追加

そして、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２をエッチングストッパ層として、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２６及び第２のｐ型ＩｎＰクラッド層２４が選択エッチングされてリッジ２８が形成されている。 - 特許庁

The underlayer 3 consists of a p-type poly-Si, the (p) layer 4 consists of p-type a-Si:H, the (i) layer 5 consists of i-type a-Si:H, the (n) layer 6 consists of n-type a-Si:H, and the electrode 7 consists of Al.例文帳に追加

下地層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、ｐ層４は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｉ層５は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層６は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、電極７は、Ａｌからなる。 - 特許庁

The second p-type layer contacts the light-emitting part, between the first p-type layer and the light-emitting part, contains Al, and contains the p-type impurity at a second concentration lower than the first concentration.例文帳に追加

第２ｐ形層は第１ｐ形層と発光部との間において発光部に接し、Ａｌを含み第１濃度よりも低い第２濃度でｐ形不純物を含む。 - 特許庁

The Al composition ratio of the p-type AlGaAs intermediate layer 7 is made smaller than that of the p-type AlGaAs upper clad layer 5b, and made larger than that of the p-type GaAs contact layer 8.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＡｓ中間層７のＡｌ組成比は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層５ｂのＡｌ組成比よりも小さく、かつ、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８のＡｌ組成比よりも大きくなっている。 - 特許庁

For the Al oxide layer and p-InP protective layer, a part of them is so removed in a channel as to form an electric opening part 35 at the center in the width direction of ridge, and the Al oxide layer is obtained by selectively oxidizing the Al of the Al1nAs layer.例文帳に追加

Ａｌ酸化層及びｐ−ＩｎＰ保護層は、チャンネル状の電気的開口部３５を形成するように、リッジの幅方向中央で、チャンネル状に除去されており、Ａｌ酸化層はＡｌＩｎＡｓ層のＡｌが選択的に酸化されてなるＡｌ酸化層である。 - 特許庁

A composition ratio of Al atoms of the semiconductor forming the impurity diffusion controlling region 13 is larger than that of Al atoms of the p^+-type semiconductor region 14.例文帳に追加

不純物拡散抑制領域１３を構成する半導体のＡｌ原子の組成比は、ｐ^＋型の半導体領域１４のＡｌ原子の組成比よりも大きい - 特許庁

Proposed is the copper powder for an electrically conductive paste which contains aluminum (Al) and phosphorus (P), and is characterized in that the concentration of Al is more than 10.0 atm% and 65.0 atm% or less.例文帳に追加

Ａｌ（アルミニウム）及びＰ（リン）を含有する導電性ペースト用銅粉であって、Ａｌ濃度が１０．０ａｔｍ％より多く、且つ６５．０ａｔｍ％以下であることを特徴とする導電性ペースト用銅粉を提案する。 - 特許庁

The austenitic stainless steel has a composition comprising 0.04 to 0.15% C, 1.5 to 3.0% Si, ≤2.0%例文帳に追加

C:0.04〜0.15%、Si:1.5〜3.0%、Mn:2.0%以下、P:0.04%以下、S:0.03%以下、Cr:15〜30%、Ni:8〜15%、Al:0.05〜0.20%、B:0.001〜0.010%、N:0.15〜0.30%、Ca及び/又はREM:0.01〜0.10%、残部Fe及び不純物からなり、(1)式により規定されるNi(bal)が-1.0〜+2.0であり、Al及びNが(2)式を満足するオーステナイト系ステンレス鋼である。 - 特許庁

Further, the semiconductor device includes a back electrode 7 having a laminate structure including AlSi electrodes 7a which are formed apart from one another in stripes on the P-type collector layer 4 and are made of Al alloy of Al and Si.例文帳に追加

そして、Ｐ型コレクタ層４上にストライプ状に互いに離間して形成された、ＡｌとＳｉとのＡｌ合金からなるＡｌＳｉ電極７ａを含む積層構造の裏面電極７を備える。 - 特許庁

An electrode which connects the power supply line 13 composed of an Al wire and a p-type AlGaAs layer 18 to each other has an Ni layer 26 formed on an AuSb/AnZn two-layered structure 20a as a contact preventing layer with Al.例文帳に追加

Ａｌ配線よりなる電源ライン１３とｐ型ＡｌＧａＡｓ層１８とを接続させる電極は、ＡｕＳｂ／ＡｕＺｎの２層構造２０ａの上に、Ａｌとの接触防止層としてＮｉ層２６が形成されている。 - 特許庁

The surface of a silicon steel sheet containing 0.2 to 4.0% Cu is coated with an insulating film mainly made up of one or more kinds of inorganic compounds selected from among a P compound, an Al compound and an Si compound.例文帳に追加

Cuを 0.2％以上、 4.0％以下含有する電磁鋼板の表面に、Ｐ化合物、Al化合物およびSi化合物のうちから選んだ１種または２種以上の無機化合物を主体とする絶縁被膜を被覆する。 - 特許庁

By the exchange reaction, the rate of the methyl group to be combined with Al is reduced, so that a probability is reduced in the take-in of the carbon of the methyl group combined with Al, so that the p-type carrier density of an AlGaAs layer is reduced.例文帳に追加

この交換反応により、Ａｌに結合するメチル基の割合が減少し、Ａｌに結合しているメチル基のカーボンが取り込まれる確率が低減し、ＡｌＧａＡｓ層のｐ型キャリア濃度が減少する。 - 特許庁

Further, a low Al composition AlGaAs layer 51, a current constriction layer 31, and a low Al composition AlGaAs layer 52 are formed sequentially between the active layer 21 and the p type DBR layer 22 from the DBR layer 22 toward the active layer 21.例文帳に追加

また、活性層２１と、ｐ型ＤＢＲ層２２との間に、ＤＢＲ層２２側から活性層２１側に向けて、低Ａｌ組成ＡｌＧａＡｓ層５１、電流狭窄層３１、及び低Ａｌ組成ＡｌＧａＡｓ層５２を順に形成する。 - 特許庁

This semiconductor leaser is provided with an n-type Al_xGa_xAs clad layer 2 below an active layer 4, and a p-type (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP clad layer 6 for controlling barrier height above the active layer 4.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、活性層４の下方にＡｌ_x1Ｇａ_1-x1Ａｓからなるｎ型クラッド層２を、活性層４の上方に（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｐからなる障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６をそれぞれ備えている。 - 特許庁