「Back gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The partial depletion type nMOS has a back gate region (14) to which a voltage is applicable independent of a gate terminal under the UTB.例文帳に追加

部分空乏型のｎＭＯＳは、ＵＴＢの下に、ゲート端子とは独立に電圧が印加可能にされたバックゲート領域（１４）を有する。 - 特許庁

Contact plugs 58c and 58e are respectively brought into contact with the metal silicide layer 16 of the back gate electrodes 21 and the gate electrodes 22.例文帳に追加

そして、コンタクトプラグ５８ｃ及び５８ｅを、それぞれバックゲート電極２１及びゲート電極２２の金属シリサイド層１６に接触させる。 - 特許庁

Next, after gate electrode materials 111 to 113 are embedded in the gate trench 114b and etched back, the silicon nitride film 102 is removed.例文帳に追加

次に、ゲートトレンチ１１４ｂ内にゲート電極材料１１１〜１１３を埋め込み、これをエッチバックした後、シリコン窒化膜１０２を除去する。 - 特許庁

To provide a mold assembly for injection molding, wherein a gate is arranged at an arbitrary position of the back side of a molded article without damaging the appearance of the molded article due to a gate cut trace or a gate trace and after-working of the gate is not needed.例文帳に追加

成形品の外観をゲート切断傷跡およびゲート跡により損なうことなく、成形品裏側の任意の位置にゲート配置可能で、かつゲートの後加工が不要な射出成形金型装置を提供する。 - 特許庁

It also includes a back gate control circuit for controlling the level of the potential applied to the back gate electrode in accordance with the amount of the output power output from the DC-DC converter.例文帳に追加

そして、ＤＣＤＣコンバータから出力される出力電力の大きさに従って、バックゲート電極に与える電位の高さを制御するための、バックゲート制御回路を備える。 - 特許庁

An MOS transistor is arranged in the peripheral function block 4, is connected to one of the power supply [VDD] and the power supply [GND] by a back gate, is connected to the other power supply by a gate thereof, and generates parasitic capacitance between the gate and the back gate in the non-operation mode.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタは、周辺機能ブロック４に設けられ、そのバックゲートに電源［ＶＤＤ］と電源［ＧＮＤ］との一方の電源が接続されていて、非動作モードにおいて、そのゲートに他方の電源が接続され、そのゲートとバックゲート間に寄生容量を発生する。 - 特許庁

The protection circuit comprises a PMOS transistor P1, with the drain connected to an external terminal and the gate, the source, and the back gate connected to a power source line 4, and a PMOS transistor P2 with the gate, the source, and the back gate connected to an external terminal 1 and the drain connected to a ground line 5.例文帳に追加

本発明の保護回路は、ドレインが外部端子に接続され、ゲートとソースとバックゲートが電源線４に接続されたＰＭＯＳトランジスタＰ１と、ゲートとソースとバックゲートが外部端子１に接続され、ドレインが接地線５に接続されたＰＭＯＳトランジスタＰ２とを備えている。 - 特許庁

The separating section 37 further electrically isolates the back gate of the p-type MOS transistor 11 and the back gate of the n-type MOS transistor 21 from each other to such a degree that the current is prevented from flowing at least between the two back gates.例文帳に追加

分離部３７は、さらに、ｐ型ＭＯＳトランジスタ１１のバックゲートおよびｎ型ＭＯＳトランジスタ２１のバックゲートを、少なくとも双方のバックゲート間に電流が流れるのを阻害する程度に互いに電気的に分離している。 - 特許庁

In the PMOS transistor P5, a source is connected to the signal line 5, a drain is connected to the gate of the NMOS transistor N1 and a gate and a back gate are connected to the high potential power line 4.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＰ５は、そのソースが信号線５に接続され、ドレインがＮＭＯＳトランジスタＮ１のゲートに接続され、ゲートとバックゲートが高電位電源線４に接続されている。 - 特許庁

The drive transistor TDR includes a gate D having a potential VG set in accordance with a data signal D[j] and a back gate B for controlling a channel formed in accordance with the potential VG of the gate G.例文帳に追加

駆動トランジスタＴDRは、データ信号Ｄ[j]に応じて電位ＶGが設定されるゲートＧと、当該ゲートＧの電位ＶGに応じて形成されるチャネルを制御するバックゲートＢとを含む。 - 特許庁

A first MOSFET and a second MOSFET, of which the voltage resistance between a gate and a source is smaller than voltage resistance between the gate and a back gate are connected in series between a first terminal and a second terminal.例文帳に追加

第１端子と第２端子の間にゲート，ソース間耐圧がゲート，バックゲート間耐圧よりも小さい第１ＭＯＳＦＥＴ及び第２ＭＯＳＦＥＴを直列形態に接続する。 - 特許庁

To provide a gate rotor capable of improving yield strength to back pressure while holding compression performance.例文帳に追加

圧縮性能を保持しつつ、逆圧に対する耐力を向上できるゲートロータを提供する。 - 特許庁

Then, etch back is performed and the interlayer insulation film 7 is allowed to remain only on the surface of the gate electrode 5.例文帳に追加

ついで、エッチバックを行い、ゲート電極５の表面にのみ層間絶縁膜７を残す。 - 特許庁

The back gate BG1 of the first NMOS transistor NMOS1 is in an electrically floating state.例文帳に追加

第１ＮＭＯＳトランジスタＮＭＯＳ１のバックゲートＢＧ１は電気的なフローティング状態である。 - 特許庁

The back pressure space (65) communicates with a space at front side of the gate (51) via the pressure introduction passage (52).例文帳に追加

背圧空間（65）は、圧力導入路（52）を介してゲート（51）の前面側の空間と連通する。 - 特許庁

The back gate region BG forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is a second conductivity type one.例文帳に追加

バックゲート領域ＢＧはエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

Then, the etch back of a part of deposition insulating layer 23 is carried out, so as to secure the space of a gate electrode 22.例文帳に追加

その後，堆積絶縁層２３の一部をエッチバックし，ゲート電極２２のスペースを確保する。 - 特許庁

The level of the back gate bias voltage and the impedance adjustment quantity are determined according to the digital value.例文帳に追加

バックゲートバイアス電圧のレベル及びインピーダンス調整量は、前記デジタル値によって決定される。 - 特許庁

A fourth n-channel MOSFET (Mn4) has a source terminal and a back gate terminal connected to each other.例文帳に追加

第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）は、ソース端子とバーグゲート端子間が接続されている。 - 特許庁

In a bidirectional switch using MOSFET, the source terminal and back gate terminals of MOSFET are connected to each other through a transfer gate TG.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴを用いた双方向スイッチにおいて、ＭＯＳＦＥＴのソース端子とバックゲート端子間を、トランスファゲートＴＧを介して接続する。 - 特許庁

The thin film transistor 10n of the semiconductor device 1 has a back gate electrode 2n, a first gate insulating layer 3, a semiconductor layer 4n, a second gate insulating film 5, and a front gate electrode 6n above a ground insulating layer 16.例文帳に追加

半導体装置１において、薄膜トランジスタ１０ｎは、下地絶縁層１６の上層にバックゲート電極２ｎ、第１ゲート絶縁層３、半導体層４ｎ、第２ゲート絶縁層５、およびフロントゲート電極６ｎを備えている。 - 特許庁

To obtain a high frequency semiconductor switch that prevents a current leakage occurring between a drain and back gate and between a source and the back gate in a transistor, thereby preventing increase in transmission loss of the high frequency signal.例文帳に追加

トランジスタのドレインとバックゲート間およびソースとバックゲート間に生じる電流の漏洩を抑圧し、高周波信号の透過損失の増大を抑制できる高周波半導体スイッチを得る。 - 特許庁

BACK GATE VOLTAGE GENERATION CIRCUIT, FOUR-TERMINAL BACK GATE SWITCHING FET, CHARGING/DISCHARGING PROTECTION CIRCUIT USING THE FET, BATTERY PACK ASSEMBLED WITH THE CHARGING/DISCHARGING PROTECTION CIRCUIT, AND ELECTRONIC APPARATUS USING THE BATTERY PACK例文帳に追加

バックゲート電圧生成回路、４端子バックゲート切り替えＦＥＴ、該ＦＥＴを用いた充放電保護回路、該充放電保護回路を組み込んだバッテリーパックおよび該バッテリーパックを用いた電子機器 - 特許庁

A back plane 26 forms a gate region underneath the read transistor 20 with the potential of the back plane affected by polarization of the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

バックプレーン２６は読取りトランジスタ２０の下にゲート領域を形成し、バックプレーンの電位は強誘電性キャパシタの分極の影響を受ける。 - 特許庁

After the material is filled in the cavity 310 from the main gate 407, the material is filled from the valve gate 447 with respect to the cavity 310 in the direction opposite to the filling direction of the material from the main gate 407, to push back a nontransparent portion generated during the material filling from the main gate 407 to the main gate side.例文帳に追加

主ゲートからキャビティに材料を注入した後、バルブゲートからキャビティに対し主ゲートからの材料の注入向きと反対向きに材料を注入することによって、主ゲートからの材料注入時に生じた非透明化部分を主ゲート側に押し戻す。 - 特許庁

In an n-channel transistor N1, a source and a back gate are earthed, a gate is connected to the input terminal IN, and drain is connected to the output terminal OUT.例文帳に追加

また、ＮチャネルトランジスタＮ１はソースおよびバックゲートを接地し、ゲートを入力端子ＩＮに接続し、ドレインを出力端子ＯＵＴに接続する。 - 特許庁

The gate line drive circuit includes multiple stage shift registers to drive the gate lines, and dummy stages SRD1, SRD2 formed on their front and back stages.例文帳に追加

ゲート線駆動回路は、ゲート線を駆動する多段のシフトレジスタと、その前段および後段にそれぞれ設けられたダミー段ＳＲＤ１，ＳＲＤ２とを備える。 - 特許庁

By back-filling the source and drain regions with an insulating material, leakage currents between the gate and source and the gate and drain are greatly reduced.例文帳に追加

ソース及びドレイン領域を絶縁材料で埋め戻すことによってゲート及びソース間並びにゲート及びドレイン間のリーク電流が飛躍的に低減される。 - 特許庁

To provide an inexpensive semiconductor memory device provided with an FET having a back gate that can be controlled independently from a front gate as a memory cell.例文帳に追加

フロントゲートとは独立に制御可能なバックゲートを有するＦＥＴをメモリセルとして備え、かつコストの低廉な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a p-channel transistor P1, a source and a back gate are connected to power supply, a gate is connected to an input terminal IN, and drain is connected to an output terminal OUT.例文帳に追加

ＰチャネルトランジスタＰ１はソースおよびバックゲートを電源に接続し、ゲートを入力端子ＩＮに接続し、ドレインを出力端子ＯＵＴに接続する。 - 特許庁

Although the disabled-accessible elevator is located near the north ticket gate, the disabled-accessible bathroom is located at the back of the south ticket gate, so the layout invites confusion. 例文帳に追加

北改札口に車イス対応のエレベーターが設置してあるのに車イス対応のトイレは南改札口の奥に有るというチグハグなレイアウトで有る。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The complete depletion type nMOS and pMOS have the back gate regions (14, 22) to which the voltage is applicable independent of the gate terminal under the UTB.例文帳に追加

完全空乏型のｎＭＯＳとｐＭＯＳは、ＵＴＢの下に、ゲート端子とは独立に電圧が印加可能にされたバックゲート領域（１４，２２）を有する。 - 特許庁

The frame body is composed of a gate-shaped frame and a supporting frame for supporting the gate-shaped from its backside, and the reflection wall body is mounted in the frame body at a back side with respect to the gate-shaped frame.例文帳に追加

また、枠体は、門型枠と、この門型枠を後ろ側から支持する支持枠とからなり、反射壁体が前記の門型枠よりも後ろ側の枠体内に設けられている構成とすることもできる。 - 特許庁

To prevent a back flow through a drain pipe by sliding an auxiliary gate and closing a discharge opening for the drain pipe, when a foreign matter is bitten into a flap gate installed in discharge opening for the auxiliary gate.例文帳に追加

補助ゲートの排出口に設けられたフラップゲートに異物を咬込んだ場合に、補助ゲートをスライドさせて排水管の吐出口を閉じて排水管を通じて逆流するのを防ぐことにある。 - 特許庁

The n^+ source region SR is formed on a principal surface 12 in the p-type back gate region BG.例文帳に追加

ｎ^+ソース領域ＳＲは、ｐ型バックゲート領域ＢＧ内の主表面１２に形成されている。 - 特許庁

Next, the functional test is performed for applying the potential higher than the GND potential to the back gate and for reading out the data.例文帳に追加

次に、バックゲートにＧＮＤ電位より高い電位を印加しデータを読出す機能テストを行なう。 - 特許庁

A plurality of back gate diffusion layers 7bs are arranged with a space inside the source 7s.例文帳に追加

複数のバックゲート拡散層７ｂｓはソース７ｓ内に複数の互いに間隔をもって配列されている。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor (MFSFET) in which leakage current to a back gate electrode is suppressed.例文帳に追加

バックゲート電極へのリーク電流を抑えた薄膜トランジスタ（ＭＦＳＦＥＴ）を提供することにある。 - 特許庁

To prevent the back flow of gas packed in a molding material on the side of a gate part.例文帳に追加

成形材料内に充填されたガスがゲート部側に逆流することを回避することができること。 - 特許庁

Then the silicon oxide film is etched back to form a sidewall 16 on the sidewall of the auxiliary gate electrode 4G.例文帳に追加

次いで、酸化シリコン膜をエッチバックし、補助ゲート電極４Ｇの側壁にサイドウォール１６を形成する。 - 特許庁

Shigemori pulled back with his chaotic troops, added 500 new soldiers, and returned to the inside of the gate. 例文帳に追加

重盛は混乱した兵を収拾して一旦退き、新手の500騎を得て再び門内に押し出した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A P type diffusion layer 5 used as a back gate region is formed on the epitaxial layer 2.例文帳に追加

エピタキシャル層２には、バックゲート領域として用いられるＰ型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

A back gate of the first MOSFWT is connected to a node between the first resistor and the second resistor.例文帳に追加

第１のＭＯＳＦＥＴのバックゲートと、第１の抵抗と第２の抵抗の接続点が接続される。 - 特許庁

The output edge of the chopper amplifier 110 is connected to a back gate of the MOS transistor 108 for switching.例文帳に追加

チョッパアンプ１１０の出力端がスイッチング用ＭＯＳトランジスタ１０８のバックゲートに接続されている。 - 特許庁

Thus, an internal pressure of the back pressure space (65) becomes nearly equal to a coolant pressure acting on the front of the gate (51).例文帳に追加

このため、背圧空間（65）の内圧は、ゲート（51）の前面に作用する冷媒圧力と概ね等しくなる。 - 特許庁