「Back gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Cathode electrodes 202, an insulation layer 401 and gate electrodes 201 are formed on a back substrate 101 by screen printing.例文帳に追加

背面基板１０１上にスクリーン印刷でカソード電極２０２、絶縁層４０１、ゲート電極２０１を形成する。 - 特許庁

To form a back gate electrode under a field effect transistor arranged on an insulator without using an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いることなく、絶縁体上に配置された電界効果型トランジスタ下にバックゲート電極を形成する。 - 特許庁

Thus, it is possible to arbitrarily control one-dimensional channel width and electron concentration by a voltage applied to the back gate and the split Schottky electrode.例文帳に追加

バックゲートとスプリットショットキー電極に加える電圧により一次元チャネル幅も電子濃度も任意に制御できる。 - 特許庁

It is possible to verify the charge existed in the gate insulating film and the like even if the number of samples sent back from a user is one.例文帳に追加

ユーザから返品されたサンプルが１個であっても、ゲート絶縁膜などに存在する電荷の検証が可能となる。 - 特許庁

A bent type gate electrode 6a equipped by the back panel 2 has an electrode width larger than that of the conventional bent type gate electrode 6, and an interval of each two gate electrodes 6a is made narrow even to a grade of a predetermined insulation-guaranteed distance.例文帳に追加

背面パネル２が備える折り曲げ型ゲート電極６ａは、従来の折り曲げ型ゲート電極６よりも広い幅を有しており、それぞれのゲート電極６ａの間隔は所定の絶縁保証距離程度にまで狭くしている。 - 特許庁

To provide a gate built-in pump facility capable of surely preventing a back flow without disturbing the up-and-down operation of a door body consti tuting a gate and capable of sufficiently utilizing the feature of a gate built-in type.例文帳に追加

ゲートを構成する扉体の昇降動作を妨げることなく、かつ、逆流を確実に防止することが可能で、ゲート内蔵式であることの特徴を十分に生かすことが可能なゲート内蔵式ポンプ設備を提供する。 - 特許庁

Concretely speaking, the back gate region 12 is rectangular in a plan view, and is adjacent to the gate electrode 20 at a set of two opposing sides in the four peripheral sides, thus suppressing the generation of the parasitic bipolar transistor operation by the breakdown current.例文帳に追加

具体的には、バックゲート領域１２は、平面視で矩形をしており、その周囲の４辺のうち１組の対向する２辺においてゲート電極２０に隣接している。 - 特許庁

To provide a Pachinko game machine that prevents a game ball having passed through a gate part from colliding with a preceding game ball, moving back into the gate part and being read again.例文帳に追加

ゲート部を通過した遊技球が、先にゲート部を通過した遊技球と衝突することにより、ゲート部内に逆流して２度読みされてしまう虞を低減可能なパチンコ遊技機の提供。 - 特許庁

Also, in the case of reaching the specified condition, the game balls passing through the passing gate are sent to the back side of the game panel from the winning ball discharge port provided right below the gate as well.例文帳に追加

また特定条件に至った場合には、通過ゲート直下に設けた入賞球排出口からも該ゲートを通過した遊技球を遊技盤の裏側に送るようにした。 - 特許庁

A bumper central part 13 positioned along an outer face of the tail gate 2 when the tail gate 2 is closed is separated from bumper side parts 11, 12 on the right and left and is attached to a lower end of the back door D.例文帳に追加

テールゲート２の閉鎖時にその外面に沿って位置するバンパ中央部１３を、左右のバンパ側部１１，１２から分離してこれをバックドアＤの下端に取り付ける。 - 特許庁

When potential is applied to a gate electrode in the forward direction of the MOSFET, that is, in the flow direction of the current, the same potential is applied to a body to reduce a threshold by a back gate effect.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴに順方向、つまり電流が流れる方向にゲート電極に電位が加わったとき、ボディにも同じ電位が加わり、バックゲート効果により、スレッショルドが低下する。 - 特許庁

Consequently, a gate rib 16 can be formed on the flat electrode 15, and a distance between a gate electrode 13 and a metal back film 106 forming a positive electrode can be lengthened.例文帳に追加

このため、平面電極１５上にゲートリブ１６を形成することが可能となり、ゲート電極１３と陽極となるメタルバック膜１０６との距離を長くすることができる。 - 特許庁

A first transistor M1 is an N-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) in which a first terminal 12 of a conduction channel, a gate 14 and a back gate 16 are connected to a terminal P1 to be protected.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１は、伝導チャンネルの第１端子１２、ゲート１４およびバックゲート１６が、保護対象となる端子Ｐ１に接続されたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。 - 特許庁

The battery pack controls the charging current and the discharging current while controlling both of the gate voltage of the MOSFET and each voltage of the back gate contacts 21, 41 with the control circuits 14, 34.例文帳に追加

この組電池は、制御回路１４、３４でもって、ＭＯＳＦＥＴのゲート電圧とバックゲートコンタクト２１、４１の電圧の両方を制御して、充電電流と放電電流を制御する。 - 特許庁

In addition, a second MOS transistor is provided between the back gate of the MOS transistor and the ground (GND) so that in-phase clock signals are inputted to the gate of the second MOS transistor and the capacitor thereof.例文帳に追加

さらに、ＭＯＳトランジスタのバックゲートとＧＮＤの間に第二のＭＯＳトランジスタを設け、第二のＭＯＳトランジスタのゲートと容量に同相のクロック信号を入力する構成とした。 - 特許庁

Both ends of a current limiting resistor (R1) are connected to the back gate and drain, respectively, of the p-channel-type MOS transistor (M3), and both ends of a current limiting resistor (R2) are connected to the back gate and drain, respectively, of the p-channel-type MOS transistor (M4).例文帳に追加

Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ（Ｍ３）のバックゲートとドレインに電流制限抵抗（Ｒ_１）の両端がそれぞれ接続され、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ（Ｍ４）のバックゲートとドレインに電流制限抵抗（Ｒ_２）の両端がそれぞれ接続されている。 - 特許庁

The FINFET has: a channel layer 3 arranged in an arch shape on a silicon substrate 1 and made of monocrystalline silicon; a front gate electrode EG1 formed on a part of an outside of the channel layer 3 through a front gate insulating film IG1; and a back gate electrode EG2 formed so as to be buried inside the channel layer through a back gate insulating film IG2.例文帳に追加

ＦＩＮＦＥＴは、シリコン基板１上にアーチ形状に配置された単結晶シリコンからなるチャネル層３と、チャネル層３の外側の一部において、フロントゲート絶縁膜ＩＧ１を介して形成されたフロントゲート電極ＥＧ１と、バックゲート絶縁膜ＩＧ２を介して、チャネル層の内側を埋め込むようにして形成されたバックゲート電極ＥＧ２とを有する。 - 特許庁

TFT 40P, 40N constituting flop-flop F1-Fn+1 of a shift register 24a or the like are back-gate structured, and a back bias change-over circuit 25 makes the back-gate voltages VBP, VBN differ in value from each other at the time of the operational state and the stand-by state of the TFT 40P, 40N, respectively.例文帳に追加

シフトレジスタ２４ａのフリップフロップＦ１〜Ｆｎ＋１等を構成するＴＦＴ４０Ｐ，４０Ｎをバックゲート構造とし、バックバイアス切換え回路２５は、バックゲート電極４３Ｐ，４３Ｎに、前記ＴＦＴ４０Ｐ，４０Ｎの動作状態と待機状態とで、バックゲート電圧ＶＢＰ，ＶＢＮをそれぞれ異なる値とする。 - 特許庁

Further, a gate track 25 is formed on at least either one of flat plane 20a, 20b of the front and back of the seal 20.例文帳に追加

更にシール２０の表裏の平坦面２０ａ、２０ｂのうち、少なくともいずれか一方にゲート跡２５が形成される。 - 特許庁

The flow regulating plate 10 extends toward the vehicle rear direction from the cab back surface 8 above the upper end 16 of the tail gate 15.例文帳に追加

整流板１０は、テールゲート１５の上端１６よりも上方でキャブ背面８から車両後方に向かって延びる。 - 特許庁

Therefore, gas with high quality is formed by electric field induction due to an electric field from the back gate in the non-doped hetero-structure.例文帳に追加

従って、ノンドープヘテロ構造中にバックゲートからの電界により電界誘起で高品質の電子ガス１１を形成する。 - 特許庁

At the whole peripheral edge circumference of the vehicle body opening portion 11 at which a back door and the rear gate 5 open and close, a main weather strip 13 is attached.例文帳に追加

バックドア及びリアゲート５が開閉する車体開口部１１の周縁全周には、メインウエザストリップ１３を取り付ける。 - 特許庁

The threshold characteristic of an initial characteristic can be controlled by providing a back gate or by using two thin film transistors.例文帳に追加

初期特性におけるしきい値特性の制御にはバックゲートを備えることや２個の薄膜トランジスタを用いることで解決する。 - 特許庁

At this time, a gate to inject resin for molding the upper half case 40 is positioned near the back face side of the screw boss 2.例文帳に追加

この際、上ハーフケース４０を成型するための樹脂を注入するゲートをビスボス２の背面側近傍に位置させる。 - 特許庁

A potential control circuit 36 supplies a characteristic control potential V[j] to the back gate B of the drive current TDR of each unit circuit U.例文帳に追加

電位制御回路３６は、各単位回路Ｕの駆動トランジスタＴDRのバックゲートＢに特性制御電位Ｖ[j]を供給する。 - 特許庁

To provide a tail gate of a hatch back type vehicle to be formed of an aluminum alloy without increasing a manufacturing cost.例文帳に追加

製造コストの高騰を招かずにアルミニウム合金で形成することのできるハッチバック型車両のテールゲートを提供する。 - 特許庁

This is because the back gate 26 is suitable for use in a circuit/system active period and in a circuit/system idle period.例文帳に追加

というのは、それが回路／システム・アクティブ期間において、そして回路／システム・アイドル期間においての使用に適しているからである。 - 特許庁

A grooved contact hole 15bs is formed over on a plurality of back gate diffusion layers 7bs and on the source 7s.例文帳に追加

複数のバックゲート拡散層７ｂｓ上及びソース７ｓ上にまたがって溝状のコンタクトホール１５ｂｓが形成されている。 - 特許庁

The edges of the back-gate regions at the drain regions sides are located closer to the drain regions sides than to the edges of the source regions at the drain regions sides.例文帳に追加

バックゲート領域のドレイン領域側の端が、ソース領域のドレイン領域側の端よりも、ドレイン領域側に位置する。 - 特許庁

A sufficient breakdown voltage is thereby ensured even when an operation for grounding the back-gate region and a drain electrode is performed.例文帳に追加

これにより、バックゲート領域とドレイン電極を接地する動作を行った場合でも十分な耐圧を確保することができる。 - 特許庁

To provide an insulated-gate bipolar transistor in which a leakage current due to a reverse direction voltage is not easily generated in the insulated-gate bipolar transistor for which a collector electrode film formed on the back surface of the forming surface of a gate electrode film is Schottky-joined to a semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート電極膜の形成面の裏面に形成したコレクタ電極膜を半導体基板にショットキー接合させた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、逆方向電圧によるリーク電流を発生しにくいものを提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor layer, first conductive-type source regions, second conductive-type back-gate regions, first conductive-type drain regions, a gate insulating film, gate electrodes, a source electrode, and a drain electrode.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、半導体層と、第１導電形のソース領域と、第２導電形のバックゲート領域と、第１導電形のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを備えている。 - 特許庁

The ON/OFF control voltages to a depletion type transistor arranged between the gate of an output transistor with a source follower configuration and an output terminal to which a load is connected are supplied to both a control terminal (gate) and a substrate terminal (back gate) of the depletion transistor.例文帳に追加

ソースフォロワ構成の出力トランジスタのゲートと負荷が接続される出力端子との間に設けられたデプレーション型トランジスタに対するオン、オフ制御電圧を、当該トランジスタの制御端子（ゲート）と基板端子（バックゲート）との両方に供給する。 - 特許庁

A gate electrode layer 6 faces, across a gate insulating layer 5, a p-type back gate region 1 which is sandwiched between an n-type source region 2 and an n-type epitaxial region 44, and a sidewall insulating layer 7 is so formed as to cover its sidewall.例文帳に追加

ｎ型ソース領域２とｎ型エピタキシャル領域４４とに挟まれるｐ型バックゲート領域１にゲート絶縁層５を介在してゲート電極層６が対向しており、その側壁を覆うように側壁絶縁層７が形成されている。 - 特許庁

By a back gate voltage developing circuit 20, the 1st voltage VEXT and the 2nd voltage VINT are compared to develop a 3rd voltage VCLP lower than the voltage which is lower one in the 1st and 2nd voltages, then this 3rd voltage is supplied at least to the back gate of the 2nd transistor.例文帳に追加

バックゲート電圧生成回路２０は、第１の電圧VEXTと前記第２の電圧VINTを比較し、これら第１、第２の電圧のうちの低い電圧より低い第３の電圧VCLPを生成し、この第３の電圧を少なくとも第２のトランジスタのバックゲートに供給する。 - 特許庁

By passing the molten metal M through the back pressure chamber 6 and the back pressure releasing chamber 7 at the position immediately before the gate part 4, the linear motion energy by the inertia of the molten metal M itself is lost, and the molten metal M is uniformly injected from the gate part 4 to the product shape part 3.例文帳に追加

ゲート部５の直前位置にて溶湯Ｍを背圧室６や背圧開放室７を通過させることにより、溶湯Ｍ自体の慣性による直進エネルギーを消失させて、ゲート部４から製品形状部３に対して均等に溶湯Ｍを噴出させる。 - 特許庁

In a transistor TP2 connected between an output terminal PO and a high-potential power supply AVD3, the potential of a back gate for the transistor TP2 controls the potential of the output terminal PO in the off-case of a high-potential power supply AVD3 by a control unit 43 at the potential of the back gate.例文帳に追加

出力端子ＰＯと高電位電源ＡＶＤ３との間に接続されたトランジスタＴＰ２は、そのバックゲートの電位が制御部４３により、高電位電源ＡＶＤ３のオフ時にバックゲートの電位を出力端子ＰＯの電位に制御する。 - 特許庁

The output of the gate driving means 51G is fed back to the controller of which control selecting signal indicates operation, and the input of the gate selecting means 501 is fed back to the controller of which control selecting signal indicates standby to confirm the soundness of the each controller.例文帳に追加

制御選択信号が運転である制御装置にはゲート駆動手段５１Ｇの出力をフィードバックし、制御選択信号が待機である制御装置にはゲート選択手段５０１の入力をフィードバックして各々の制御装置の健全性を確認する。 - 特許庁

The TFT element has a top gate structure in which a gate electrode layer 17 is arranged on a channel region, a TFT channel is protected by the gate electrode, and the TFT element is never turned ON by a back gate effect even if a potential varies corresponding to the output of the sensor discrete electrode so that the TFT element can be set stable in characteristics.例文帳に追加

ＴＦＴ素子のゲート電極層１７をチャネル領域の上に配置するトップゲート構造として、ＴＦＴチャネル部をゲート電極で保護し、センサ個別電極の出力に応じた電位変動があっても、ＴＦＴ素子がバックゲート効果によりＯＮすることなく、安定したＴＦＴ特性を得る。 - 特許庁

Impurity concentrations in distal portions (front and back distal portions) 14a of the trench gate electrode 14 covering a wide range of the insulating film 12a adjacent to corners 10a of the trench 10 in a gate intermediately connecting portion 18 and in a partial gate pad 20 are lower than that of an intermediate portion 14c of the trench gate electrode14 or the like.例文帳に追加

トレンチ１０のコーナー部１０ａに隣接する絶縁膜１２ａを広い範囲で覆うトレンチゲート電極１４の端部（前端部、後端部）１４ａ、ゲート中継部１８、一部のゲートパッド２０の不純物濃度は、トレンチゲート電極１４の中間部１４ｃ等の不純物濃度に比べて低い。 - 特許庁

An enhancement type NMOS transistor MN1 has a back gate connected to a low potential power terminal 2, a drain and a gate connected to a high potential power terminal 1, and a source connected to a signal input terminal 3.例文帳に追加

エンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のバックゲートを低電位電源端子２に接続し、ドレインとゲートを高電位電源端子１に接続し、ソースを信号入力端子３に接続する。 - 特許庁

The correcting amounts of the end of the gate pattern 22 and the opposite end of the gate pattern 23 which are drawn back can be greatly set to such an extent that no retreat occurs in a finished form.例文帳に追加

引っ込んでいる方の、ゲートパターン２２の端部およびゲートパターン２３の対向端部について、仕上がり形状において後退が生じない程度に、補正量を大きく設定することができる。 - 特許庁

A spacer 14 is then formed on the sidewall of the first gate 12 by etching back a silicon oxide film deposited to cover the first gate 12, and the surface of the substrate 1 is exposed.例文帳に追加

次いで、第１ゲート１２を覆うように堆積した酸化シリコン膜をエッチバックすることによって第１ゲート１２の側壁にスペーサ１４を形成すると共に、基板１の表面を露出する。 - 特許庁

In a pixel structure having the driving transistor 22 with sandwich gate structure, an organic EL element is formed so that at least a part of a back gate electrode 226 and an anode electrode 205 face each other.例文帳に追加

サンドイッチゲート構造を採る駆動トランジスタ２２を有する画素構造において、有機ＥＬ素子をバックゲート電極２２６の少なくとも一部とアノード電極２０５が対向するように形成する。 - 特許庁

To provide a bootstrap circuit capable of preventing an excessive voltage from being applied between a gate electrode and a source/drain electrode of a field-effect transistor or between a back gate and a source/drain electrode.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート電極とソース／ドレイン電極との間あるいはバックゲートとソース／ドレイン電極との間に過度な電圧が印加されることを防止できるブートストラップ回路を提供する。 - 特許庁