「Back gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

After making a viewing, the head was sometimes disposed, affixed to a prison gate or sent in a bucket back to the enemy. 例文帳に追加

首は、実検ののち、捨てることも、獄門にかけることも、首桶にいれて敵方に送ることもある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The back gate 26 functions as a dynamic threshold voltage control system in the SOI MOSFET device.例文帳に追加

バック・ゲート２６は、ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴデバイスにおける動的しきい値電圧制御システムとして機能する。 - 特許庁

Yeah, i'm looking for a manager because i'm getting the money back that I bet on the horse that got stuck in the gate.例文帳に追加

マネージャを探してる。 金を払い戻して欲しい。 ゲートの問題で走らなかった馬に金を賭けた - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

It’s the oldest temple in Tokyo, and dates back to the 7th century. Its gate is the famous Kaminari-mon.例文帳に追加

東京で最古のお寺で、起源は7世紀にさかのぼります。その寺の門が、有名な雷門です。 - Weblio英語基本例文集

As he opened the back gate an old negro woman came down the steps from the kitchen and demanded to know what he wanted. 例文帳に追加

男が勝手口を開けると、黒人の老家政婦が台所からやってきて、何か用かいと尋ねた。 - Melville Davisson Post『罪体』

The semiconductor device comprises a plurality of TFTs each having a back gate electrode, a semiconductor active layer provided in contact with the back gate electrode through a first gate insulating film, and a gate electrode provided in contact with the semiconductor active layer through a second gate insulating film, and a circuit for controlling the threshold of the plurality of TFTs wherein the back gate electrode is applied with an arbitrary voltage by the threshold control circuit.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、バックゲート電極と、前記バックゲート電極に、第１のゲート絶縁膜を介して接して設けられた半導体活性層と、前記半導体活性層に、第２のゲート絶縁膜を介して接して設けられたゲート電極と、を有する複数のＴＦＴと、前記複数のＴＦＴのしきい値を制御するしきい値制御回路と、を有し、前記バックゲート電極には、前記しきい値制御回路によって任意の電圧が印加されることを特徴とする。 - 特許庁

A gate electrode 143 which functions as a front gate and an N-type shallow well region 123 which functions as a back gate are formed on upper and lower surfaces of a channel region 161 via a gate oxide film 141 and a silicon oxide film 142 respectively.例文帳に追加

チャネル領域１６１の上下には、夫々ゲート酸化膜１４１及びシリコン酸化膜１４２を介して、フロントゲートの役割を果たすゲート電極１４３及びバックゲートの役割を果たすＮ型の浅いウェル領域１２３が形成されている。 - 特許庁

The back gate terminal of an oscillation transistor 115 is connected to the source terminal via a high-impedance element 119 and the back gate terminal of an oscillation transistor 116 is connected to the source terminal via a high-impedance element 120.例文帳に追加

発振トランジスタ１１５のバックゲート端子を、高インピーダンス素子１１９を介してソース端子に接続し、発振トランジスタ１１６のバックゲート端子を、高インピーダンス素子１２０を介してソース端子に接続する。 - 特許庁

Also, a parasitic resistance is reduced in the back gate region, and the operation breakdown voltage is improved in the MOS transistor.例文帳に追加

その一方で、バックゲート領域での寄生抵抗が低減し、ＭＯＳトランジスタの動作耐圧が向上する。 - 特許庁

The switching elements 13, 33 of the protection circuits 12, 32 are the MOSFET having each back gate contact 21, 41.例文帳に追加

保護回路１２、３２のスイッチング素子１３、３３は、バックゲートコンタクト２１、４１を有するＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

A parasitic capacitance C_ga is formed in the facing region between the back gate electrode 226 and the anode electrode 205.例文帳に追加

すると、バックゲート電極２２６とアノード電極２０５との対向部位間に寄生容量Ｃ_gaが形成される。 - 特許庁

(2) An injection gate 32 is formed on a surface having a simpler slot shape out of the front and back surfaces of the separator.例文帳に追加

（２）射出ゲート３２がセパレータの表裏面のうち溝形状が簡素な方の面に形成されている。 - 特許庁

An auxiliary transistor M2 which is an impedance element is provided between a back gate of the muting transistor M1 and the ground terminal.例文帳に追加

インピーダンス素子である補助トランジスタＭ２は、ミュートトランジスタＭ１のバックゲートと接地端子の間に設けられる。 - 特許庁

The source region SR is formed on the main surface 12 in the back gate region, and is a first conductivity type one.例文帳に追加

ソース領域ＳＲはバックゲート領域ＢＧ内の主表面１２に形成され、第１導電型である。 - 特許庁

A MOS gate structure is formed on the front surface of an FZ wafer 10, and then the back surface of the FZ wafer 10 is ground.例文帳に追加

ＦＺウェハのおもて面に、ＭＯＳゲート構造を形成した後に、ＦＺウェハ１０の裏面を研削する。 - 特許庁

In order to operate a bit line in GND-VCC, a back gate voltage of 4 V is applied to a cell well in programming.例文帳に追加

ビットラインをＧＮＤ〜ＶＣＣで動作させるために、プログラム時にセルウェルに４Ｖのバックゲート電圧を印加する。 - 特許庁

A drain of a first transistor M1 is connected to an input terminal 102, and its back gate is connected to its source.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１のドレインは入力端子１０２と接続され、そのバックゲートはそのソースに接続される。 - 特許庁

On January 20th, Noriyori led a large force heading to Seta and Yoshitsune led forces to the back gate and attacked their enemy in Uji. 例文帳に追加

1月20日、範頼は大手軍を率いて瀬田に向かい、義経は搦手軍を率いて宇治を強襲した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The fierce fighting resumed, and Tametomo, whose force was very small, briefly pulled his soldiers back inside the gate, but Yoshitomo's forces only continued to press their attack. 例文帳に追加

再び乱戦になり、無勢の為朝はいったん門内に兵を引くが、義朝勢は追撃にかかる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

He determined the number of footsteps from the gate of his house to a road, and he kept going back and forth between his house and the road until he could reach the road with the right number of footsteps. 例文帳に追加

家の門から道までの歩数を決めていて、これが合わないと何度でも繰り返した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The expiration date is printed on the back of the 'Ee Kippu' when passing it through the automatic ticket gate or the card reader on the train. 例文帳に追加

通用日は自動改札機または車内のカードリーダーを通すことによって、裏面に印刷され決定する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The pin gate E21 of the molds E1 and E2 is positioned on the back surface side of the terminal plate 40 coming into contact with the substrate 20.例文帳に追加

金型Ｅ１，Ｅ２のピンゲートＥ２１を基板２０に当接した端子板４０の背面側に位置する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a multiple-value memory cell including a readout transistor having a back gate electrode and a writing transistor.例文帳に追加

バックゲート電極を有する読み出し用トランジスタと、書き込み用トランジスタと、を有する多値型メモリセルを用いる。 - 特許庁

Naotaka Ii, the second lord of the Hikone domain in the Edo period, passed the gate at Gotoku-ji Temple on the way back from a falconry. 例文帳に追加

江戸時代に彦根藩第二代藩主・井伊直孝が鷹狩りの帰りに豪徳寺の前を通りかかった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the first protective transistor 4A, a source S is connected to the wiring 3, a drain D1 is grounded, and a gate G1 and a back gate B1 are electrically and commonly connected.例文帳に追加

第１の保護トランジスタ４Ａにおいて、ソースＳは配線３に接続され、ドレインＤ１は接地され、ゲートＧ１とバックゲートＢ１とは電気的に共通接続されている。 - 特許庁

In the PMOS transistor P2, a source is connected to the signal line 20, a drain is connected to the second ground line 24, and a gate and a back gate are connected to the second power source line 23.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＰ２は、ソースが信号線２０に接続され、ドレインが第２接地線２４に接続され、ゲートとバックゲートが第２電源線２３に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device etc., capable of having excellent characteristics by suitably controlling a back gate voltage of a functional circuit using a double-gate transistor, and a method of controlling the same.例文帳に追加

ダブルゲートトランジスタを用いた機能回路のバックゲート電圧を適切に制御して良好な特性を実現可能な半導体装置等及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor memory device 1, a back gate electrode 21 is arranged in the cell array section CA and the gate electrode 22 of a field effect transistor 25 in the peripheral circuit section SC.例文帳に追加

半導体記憶装置１において、セルアレイ部ＣＡにはバックゲート電極２１を設け、周辺回路部ＳＣには電界効果トランジスタ２５のゲート電極２２を設ける。 - 特許庁

When the floating gate 7a holds electrons, a negative voltage is applied to a back gate of the memory cell portion (a), the N well layer 23, and the source N+ layer 4.例文帳に追加

フローティングゲート７ａに電子が保持されている場合は、非読み出し時に、メモリセル部ａのバックゲート、Ｎウェル層２３、及びソースＮ＋層４に負電圧を印加する。 - 特許庁

A transistor functioning as a switching element for controlling the output power includes a back gate electrode for controlling the threshold voltage in addition to a normal gate electrode.例文帳に追加

出力電力を制御するためのスイッチング素子として機能するトランジスタが、通常のゲート電極に加えて、閾値電圧を制御するためのバックゲート電極を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an ESD protective element that has a high breakdown voltage between drain and back gate and achieves ESD protection of a gate for DMOSFET.例文帳に追加

ドレイン、バックゲート間耐圧が高く、ＤＭＯＳＦＥＴ用ゲートのＥＳＤ保護を両立することが可能なＥＳＤ保護素子を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor element includes an epitaxial layer EP, a back gate region BG, a source region SR, a drain region DR, a gate electrode GE, an impurity region IM1.例文帳に追加

半導体素子は、エピタキシャル層ＥＰとバックゲート領域ＢＧとソース領域ＳＲとドレイン領域ＤＲとゲート電極ＧＥと不純物領域ＩＭ１とを含む。 - 特許庁

To simplify the fixing works of the fixing of a cap covering the top section of a hollow cylindrical body and the fixing of gate-post side hook and eye and a back board inserted into a gate post.例文帳に追加

中空筒状体の頂部を被蓋するキャップの固定と、門柱側ひじつぼと門柱内に挿入された裏板との固定との固定作業を簡略化する。 - 特許庁

That is, deterioration of the margin to the back-gate voltage is restrained by prescribing average film thickness so that shift of back-gate voltage dependency is in a small range to relative film thickness variation, or by prescribing film thickness variation also in average film thickness wherein shift of back gate voltage dependency is large to relative film thickness variation.例文帳に追加

つまり、相対膜厚変化に対してバックゲート電圧依存性のシフトが小さい範囲となるように、平均膜厚を規定するか、あるいは相対膜厚変化に対してバックゲート電圧依存性のシフトが大きい平均膜厚においても、膜厚変動を規定することによってバックゲート電圧に対するマージンの劣化を抑制する。 - 特許庁

Each unit cell 10 includes a back gate region 12 formed on a semiconductor substrate, and a source region 14 that is formed on the semiconductor substrate and is provided adjacent to the periphery of the back gate region 12 in a plan view.例文帳に追加

各単位セル１０は、半導体基板に形成されたバックゲート領域１２と、半導体基板に形成され、平面視でバックゲート領域１２の周囲に隣接して設けられたソース領域１４とを含んで構成されている。 - 特許庁

The magnet structure includes a back yoke 1, which is formed in an annular shape and on the circumferential surface of which a gate hole 11 penetrating the yoke is formed, and the bond magnet 2 of the predetermined thickness molded by injection on the inside circumferential surface of the back yoke 1 via the gate hole 11.例文帳に追加

リング状に成形されてその周面にゲート孔１１を貫通形成したバックヨーク１と、バックヨーク１の内周面上にゲート孔１１を経て射出成形された所定厚のボンド磁石２とを備える。 - 特許庁

A straightening part 5 of substantially serrated crosssection with a back pressure chamber 6 and a back pressure opening chamber 7 alternately arranged adjacent thereto is formed at the position immediately close to the gate part 4 out of a runner part 2.例文帳に追加

湯道部２のうちゲート部４の直近位置に、背圧室６と背圧開放室７とを交互に隣接配置した断面略鋸歯状の整流部５を形成する。 - 特許庁

An active layer PS of a TFT 50 is folded back and crosses a gate line GL at two parts to form double gates and a folded back direction is reverse to conventional one.例文帳に追加

ＴＦＴ５０の能動層ＰＳは折り返されてゲート線ＧＬと２箇所で交差し、ダブルゲートを形成しているが、その折り返しの向きが従来例と逆になっている。 - 特許庁

A substrate potential applied to the back gate of the second PMOS transistor Mp10 is lower than the substrate potential applied to back gates of the first PMOS transistors Mp5 to Mp7.例文帳に追加

第２ＰＭＯＳトランジスタＭｐ１０のバックゲートに印加される基板電位は、第１ＰＭＯＳトランジスタＭｐ５〜Ｍｐ７のバックゲートに印加される基板電位より低い。 - 特許庁

The resonant circuit comprises an insulating gate type semiconductor element comprising a collector terminal, an emitter terminal, and a gate terminal; a diode which is connected to the insulating gate semiconductor element back-to-back; an inductance connected in series to the insulating gate semiconductor element; a resonant capacitor which serially resonates with the inductance; and a means for changing a capacitor capacitance on the voltage applied parallel to the insulating gate semiconductor.例文帳に追加

本発明の共振回路は、コレクタ端子とエミッタ端子とゲート端子を有する絶縁ゲート型半導体素子と、絶縁ゲート半導体素子と逆並列に接続されるダイオードと、絶縁ゲート半導体素子と直列に接続されるインダクタンスと、インダクタンスと直列共振させる共振コンデンサと、絶縁ゲート半導体と並列に印加電圧によってコンデンサ容量が変化する手段を設けた。 - 特許庁

In the back gate region, a concentration profile is formed gently in a region for forming an N type diffusion region 25.例文帳に追加

そして、バックゲート領域では、Ｎ型の拡散層２５が形成される領域の濃度プロファイルを緩やかに形成する。 - 特許庁

To put in a train ticket again even without coming back from a ticket gate pass when the ticket is returned by a read error or the like.例文帳に追加

読取エラー等で乗車券が返却されたとき、改札通路から戻らなくとも再投入できるようにする。 - 特許庁

In the back gate electrode 21, a connection member 39 of a U-shaped pillar 41 is installed in the p-type silicon layer 17.例文帳に追加

また、バックゲート電極２１において、ｐ型シリコン層１７内にＵ字ピラー４１の接続部材３９を設ける。 - 特許庁

Potentials of back gate terminals BN1 and BN2 of the NMOS transistors N1 and N2 are set to a ground potential GND.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタＮ１及びＮ２のバックゲート端子ＢＮ１及びＢＮ２の電位は接地電位ＧＮＤに設定される。 - 特許庁

In other words, these back gate potentials equivalent to input voltage of the potentials of movable electrodes 1a and 1b are made to approximate.例文帳に追加

つまり、これらのバックベーと電位が入力電圧に相当する可動電極１ａ、１ｂの電位を近似させる。 - 特許庁