「Back gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The insulated gate bipolar transistor chip includes: a semiconductor substrate; an emitter electrode formed on the front surface of the semiconductor substrate; a collector electrode formed on the back surface of the semiconductor substrate; and a gate pad formed on the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と、該半導体基板の表面に形成されたエミッタ電極と、該半導体基板の裏面に形成されたコレクタ電極と、該半導体基板の表面に形成されたゲートパッドとを備える。 - 特許庁

A plate 10 retractably disposed at the gate to prevent a finger or the like from being caught keeps the state that it is in contact with a belt 2a during a period that the gate 9 is in a standby position and movement from the standby position to a discharge position where the workpiece W is descended and back to the standby position again.例文帳に追加

待機位置からワークＷが低下する排出位置に至り、再度待機位置に戻るまで、ゲートに設けられた出没自在の巻き込み防止板１０はベルト２ａに接した状態を維持する。 - 特許庁

Meanwhile, "Haga Kikigaki," which described the situation of the back gate, explained that Juheiji SUGINO and Jirozaemon MINOMURA broke the gate, and it was Kanpei YOKOKAWA who broke into the property first and Saburobei CHIBA defeated the guards with his small-sized bow. 例文帳に追加

一方裏門の様子を示した『波賀聞書』では、杉野十平次と三村次郎左衛門が門を破り、一番に突入したのは横川勘平、番人を倒したのは千馬三郎兵衛の半弓であったとしている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The gate line 12 and gate insulating films 14 and 16 are formed on a glass substrate 10, a resist film 30 is applied, and scattered light having collimation half angle of 0° to 10° is used when the etching stopper 20 is subjected to back exposure.例文帳に追加

ガラス基板１０の上にゲート線１２、ゲート絶縁膜１４，１６を形成した後、レジスト膜３０を塗布し、エッチングストッパ２０を裏面露光する際に、０゜〜１０゜のコリメーション半角を有する散乱光を用いる。 - 特許庁

With the structure explained above, the MOS transistor having a threshold voltage and a yielding voltage which are higher than the rated power supply voltage can be formed without provision of an exclusive impurity diffusing layer, by adequately setting the impurity concentration of the impurity diffusing layer forming the back gate and by providing an adequate interval between the impurity diffusing layer forming the back gate and the wiring layer forming the gate.例文帳に追加

この構成により、専用の不純物拡散層を設けることなく、バックゲートを構成する不純物拡散層の不純物濃度、及び、バックゲートを構成する不純物拡散層とゲートを構成する配線層との間隔を適当に設定することより、定格電源電圧より高いしきい値電圧及び降伏電圧をもつMOSトランジスタを形成する。 - 特許庁

To provide a protective circuit which is capable of protecting the gate oxide film of a MOSFET against damage and having a snap-back voltage suitable for ensuring reliability.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜の破壊を回避し、かつ、信頼性保証上適切なスナップバック電圧の値を有する保護回路を提供する。 - 特許庁

A gate-shaped operation handle 6 in which leg levers are symmetrically installed at both sides of the operation lever 6a is erected at the rear end of a loading platform 1 supported by front and back wheels 2, 3.例文帳に追加

前後の車輪２，３で支持させた荷台１の後端部に、操作杆６ａの両側に脚杆を相対設した、門構え状の操作ハンドル６を立設する。 - 特許庁

To stop the function as a telephone at use of an application and make it function as an exclusive terminal for each application such as a gate function, a music play back function, etc.例文帳に追加

アプリケーション使用時には電話機としての機能を停止させ、ゲーム機能や音楽再生機能等の各アプリケーションの専用端末として機能させること。 - 特許庁

The detecting current Idet is amplified in the auxiliary circuit 30, and a feedback current Ifd is fed back to a gate terminal of the output transistor 12.例文帳に追加

検出電流Ｉｄｅｔは補助回路３０により増幅され、帰還電流Ｉｆｂが出力トランジスタ１２のゲート端子へと帰還される。 - 特許庁

The center gate 300 has an approximately rectangular opening 301 and the back side of the opening 301 is disposed with a performance display device 115.例文帳に追加

センター役物３００は略長方形の開口部３０１を有しており、この開口部３０１の後側には演出表示装置１１５が配置されている。 - 特許庁

A current flowing through the compensation current generation transistor Q1 is turned back at a current mirror circuit 11, and is injected into a gate of the transistor Q10 to be compensated.例文帳に追加

補償電流生成用トランジスタＱ１に流れる電流は、カレントミラー回路１１で折り返されて、補償対象トランジスタ１０のゲートへ注入される。 - 特許庁

To provide an LSI which operates at a high speed over a wide temperature range and has low power consumption by discriminatingly using a MOS having a back gate according to operation characteristics of a circuit.例文帳に追加

バックゲートを有するＭＯＳを、回路の動作特性に応じて使い分け、幅広い温度範囲にて高速かつ低電力なＬＳＩを実現する。 - 特許庁

A drain and a back gate of the second MOS transistor are connected to each other, and a source thereof is connected to a source of the bidirectional conduction type field effect transistor.例文帳に追加

２つめのＭＯＳトランジスタのドレインとバックゲートを接続し、ソースを双方向導通型電界効果トランジスタのソースに接続する構成とした。 - 特許庁

To sufficiently narrow the interval of a cell pitch while securing an insulation breakdown voltage between a gate and a source in a semiconductor device of an interlayer insulating film etch-back structure.例文帳に追加

層間絶縁膜エッチバック構造の半導体装置において、ゲート−ソース間の絶縁耐圧を確保しつつ、セルピッチの間隔を十分に狭めること。 - 特許庁

Further, a back gate electrode 8 of a second conductivity type is formed inside the base column 3 in a columnar shape penetrating it from an upper part to a lower part thereof.例文帳に追加

また、第２導電型からなるバックゲート電極８が、基柱３の内側に上部から下部まで貫通する柱状に形成されてなることとする。 - 特許庁

To obtain an amplifier circuit which can accurately and freely set a clamping voltage and can suppress unevenness of the voltage due to a threshold unevenness and a back gate bias change.例文帳に追加

クランプ電圧を精度良く自由に設定でき、閾値バラツキ及びバックゲートバイアス変動によるクランプ電圧のバラツキを抑えることが可能な増幅回路を得る。 - 特許庁

At the separation time, the injection pressure at the hot runner nozzle 2 side is reduced to reversely make the back-flow of the formed material in the gate 7 into the hot runner nozzle 2 side.例文帳に追加

この分離の際、ゲート７内の成形材料をホットランナノズル２側に逆流させるべく、ホットランナノズル２側の射出圧力を減圧する。 - 特許庁

Furthermore, the parasitic capacity of the structure is further reduced, by enabling substantial oxidization to occur at a back gate, which is made possible by coating a silicon contained channel 18.例文帳に追加

また、本発明では、シリコン含有チャネル層１８を被覆しバック・ゲートが大いに酸化されうるようにして、構造体の寄生容量をさらに低減している。 - 特許庁

To provide a delay circuit for adjusting a power-source voltage dependence on display time by providing a difference in electric potential between a source and a substrate (back gate).例文帳に追加

ソースと基板（バックゲート）間に電位差を設けることにより、ディレイ時間の電源電圧依存性を調整することができるディレイ回路を提供する。 - 特許庁

The amplified signal is fed back via a clamp circuit 1 to a gate of an N-channel transistor(TR) M1 connected in parallel with the resistor R1.例文帳に追加

増幅された信号は、クランプ回路１を経てフィードバックされ、抵抗器Ｒ１と並列接続されたＮチャネル型トランジスタＭ１のゲートへ接続される。 - 特許庁

To reduce a capacity created by PN junction between the back gate and the drain of an output MOS transistor in a relay-off state.例文帳に追加

本発明は、リレーオフ状態における出力用のＭＯＳトランジスタのバックゲートとドレインとの間のＰＮ接合による容量を低減することを特徴とする。 - 特許庁

The anode of a diode D1 is connected to the signal line S1 while the cathode of the same is connected to the back gate of the transistor Tr1 and the cathode of another diode D2.例文帳に追加

ダイオードＤ１のアノードは信号線Ｓ１に接続され、カソードはトランジスタＴｒ１のバックゲート及びダイオードＤ２のカソードに接続される。 - 特許庁

Thereby, the work function of the metal layer for realizing the gate, desirably, can be further increased, and the back tunneling of the electrons can be prevented at erasure.例文帳に追加

これにより、ゲートを望ましく実現する金属層の仕事関数をさらに増大させることができ、イレーズ時に電子のバックトンネリングを抑制できる。 - 特許庁

A back-gate bias deeper than a source potential is applied to each of field-effect transistors P1-P6 configuring the current-mirror circuit and the first to fourth current sources.例文帳に追加

カレントミラー回路および第１〜第４の電流源を構成するそれぞれの電界効果トランジスタＰ１〜Ｐ６にソース電位より深いバックゲートバイアスを与える。 - 特許庁

The auxiliary table 90 has a main plate 100 for placing the cargo in the deploying state, and a back plate 101 functioning as the tail gate in the deploying state.例文帳に追加

補助台９０は、展開状態において荷が載るメインプレート１００と、展開状態においてテールゲートとして機能するバックプレート１０１とを有する。 - 特許庁

The n-type drain region DR is formed on the principal surface 12 opposite the n^+ source region SR with the p-type back gate region GB interposed.例文帳に追加

ｎ型ドレイン領域ＤＲは、ｐ型バックゲート領域ＢＧを挟んでｎ^+ソース領域ＳＲと対向するように主表面１２に形成されている。 - 特許庁

The n type well wiring 129 connected to the n type well layer 122 being a back gate is connected to a voltage supply node 112 through an inductor 103.例文帳に追加

バックゲートとなるｎ型ウェル層１２２に接続されるｎ型ウェル配線１２９は、インダクタ１０３を介して電圧供給ノード１１２に接続されている。 - 特許庁

To provide a plan by which the number of manufacturing processes of an MTCMOS structure constituted of a completely depleted transistor having a back gate electrode can be reduced sufficiently.例文帳に追加

バックゲート電極を有する完全空乏化トランジスタで構成されるMTCMOS構造の製造工程の増加に対し、十分な工程数削減策を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, for example, the MOS transistor, a p-type diffusion layer 5 as a back gate region is formed on an n-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置、例えば、ＭＯＳトランジスタでは、Ｎ型のエピタキシャル層３には、バックゲート領域としてのＰ型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

A plurality of island-like back gate diffusion layers 7bs of a first conductivity type are formed in contact with the semiconductor substrate 1 inside the source 7s.例文帳に追加

ソース７ｓ内に、半導体基板１に接して形成された島状の第１導電型のバックゲート拡散層７ｂｓが複数形成されている。 - 特許庁

After drying the organic solvent, a back-gate transistor is manufactured by using a part of the contacting region as a channel portion, or a wiring is manufactured by using it as a conductor.例文帳に追加

有機溶媒を乾燥後、この接触領域の一部を、チャネル部として用いてバックゲート型トランジスタを、あるいは導体として配線を製造する。 - 特許庁

When a bias voltage is applied between the gate electrode 24 and the back electrode 23, light is emitted by recombination of carriers attendant on application of a bias voltage.例文帳に追加

そして、ゲート電極２４及び裏面電極２３間にバイアス電圧を印加すると、バイアス電圧の印加に伴うキャリアの再結合による発光が生じる。 - 特許庁

A back wall of the card hopper part 5 has a game member 11 with a bottom inclined surface 11a, and a card end progress clearance 12 formed under the gate member.例文帳に追加

カードホッパー部５の後方壁には下傾面１１ａ付きのゲート部材１１と、その下側に形成されるカード端部進入用隙間１２とを設ける。 - 特許庁

A feedback selection selector 4h feeds back output data of a transfer gate 4f connected to the output of the final selector 4e to the top selector 4a.例文帳に追加

フィードバック選択セレクタ４ｈは最終段のセレクタ４ｅの出力に接続の転送ゲート４ｆの出力データを最前段のセレクタ４ａにフィードバックする。 - 特許庁

In the resistor R4 provided at a back gate side of the Nch MOS transistor MT2, the other end is connected to the common RF terminal PRFCOM side.例文帳に追加

Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ２のバックゲート側に設けられる抵抗Ｒ４は、他端が共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ側に接続される。 - 特許庁

In the resistor R2 provided at a back gate side of the Nch MOS transistor MT1, the other end is connected to the common RF terminal PRFCOM side.例文帳に追加

Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＭＴ１のバックゲート側に設けられる抵抗Ｒ２は、他端が共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ側に接続される。 - 特許庁

The value of the VBLH is kept monitored at all times and is fed back by voltage dividing circuits R1 and R2 and a comparator circuit OP1 to the gate of a transistor MP1.例文帳に追加

ＶＢＬＨの値は、常に、モニタされており、分圧回路Ｒ１，Ｒ２及び比較回路ＯＰ１によりトランジスタＭＰ１のゲートにフィードバックされる。 - 特許庁

A gate of the FET 33 is connected to the power source VD2, and a drain of the FET 33 is connected to back gates of the FETs 31, 32, 33 and 41.例文帳に追加

ＦＥＴ３３のゲートは、電源ＶＤ２に接続してあり、ＦＥＴ３３のドレインは、ＦＥＴ３１、３２、３３、４１のバックゲートに接続してある。 - 特許庁

A tail gate 7 of a storing box 4 is constituted of a back side plate 22 and first and second surface side plates 24, 25 so as to have an air lead-out space 29 inside.例文帳に追加

収容箱４のテールゲート７を裏側プレート２２と第１，２表側プレート２４，２５とで内部にエアー導出空間２９を有するように構成する。 - 特許庁

To provide a full depleted SOI semiconductor device provided with a back gate electrode, where a semiconductor layer (SOI layer) just under a gate electrode is small in thickness, and other semiconductor layers other than the SOI layer are large in thickness and low in resistance.例文帳に追加

ゲート電極直下の半導体層（ＳＯＩ層）の厚さが薄く、それ以外の半導体層の部分の厚さが厚く、抵抗が低く、しかも、裏面ゲート電極を有する完全空乏型のＳＯＩ型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which level difference can be prevented between the surface of a semiconductor substrate and the upper face of a gate electrode during etch-back of a conductive film as a gate electrode.例文帳に追加

本発明の課題は、ゲート電極となる導電膜のエッチバックの際に生じる、半導体基板表面とゲート電極上面との間の段差の発生を防止できる半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

The driver circuit of the present invention comprises: a back gate for controlling a threshold voltage; and a transistor for outputting a voltage inputted from a drain as an output signal from a source in accordance with a voltage applied to a gate.例文帳に追加

本発明のドライバ回路は、しきい値電圧を制御するバックゲートが設けられており、ゲートに印加された電圧に対応して、ドレインから入力される電圧をソースから出力信号として出力するトランジスタが設けられている。 - 特許庁

A back panel 2 has spacers 21 which consist of one or more ribs 21a, and a flat plate type gate electrode 20 for extracting electrons from CNT cathodes 5 is installed above the CNT cathodes 5 by fixing the gate electrode on the spacers 21.例文帳に追加

背面パネル２は、１つ以上のリブ２１ａから成るスペーサ２１を有し、ＣＮＴ陰極５から電子を引き出すための平板型ゲート電極２０は、スペーサ２１上に固定されることで、ＣＮＴ陰極５の上方に設置される。 - 特許庁

Thereby, by using only one resistor connected to a MOSFET of the peaking current source 2 wherein connection between a back gate and a gate is not performed in series, temperature dependence of the output reference voltage is balanced out.例文帳に追加

これにより、ピーキング電流源２のバックゲート・ゲート間接続がされていないＭＯＳＦＥＴに直列に接続した１つの抵抗のみを用いることによって、出力参照電圧の温度依存性を相殺させることができる。 - 特許庁

In this reference circuit having a current mirror circuit 1 and a MOS peaking current source 2, a back gate of a MOSFET M1 on an output side of the MOS peaking current source 2 is connected to a gate side of the MOSFET M1.例文帳に追加

カレントミラー回路１と、ＭＯＳピーキング電流源２とを備えたリファレンス回路において、ＭＯＳピーキング電流源２の出力側のＭＯＳＦＥＴ Ｍ１のバックゲートを当該ＭＯＳＦＥＴ Ｍ１のゲート側に接続した。 - 特許庁