「Back gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The present invention includes a plurality of MOS transistors of which sources are connected to different potentials and drains are connected to a common load, and a selection means which is connected to a back gate of at least one of the plurality of MOS transistors for connecting the back gate to selected one of the source of the relevant MOS transistor and a predetermined potential.例文帳に追加

ソースが異なる電位に接続され、ドレインが共通の負荷に接続された前記複数のＭＯＳトランジスタと、前記複数のＭＯＳトランジスタの内の少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのバックゲートに接続され、前記バックゲートを、当該ＭＯＳトランジスタのソースと所定の電位との内の選択された１つに接続する選択手段とを含む。 - 特許庁

Drain and source potentials of a transistor M4 are inputted, respectively, to the noninverted input terminal (+) and the inverted input terminal (-) of a comparator 32 constituting a back gate switching control circuit 31 and then compared and detected, and a detection signal is inputted to one input end of an NAND circuit 33 constituting the back gate switching control circuit 31.例文帳に追加

トランジスタＭ４のドレインおよびソース電位は、バックゲート切換制御回路３１を構成する比較器３２の非反転入力端（＋）および反転入力端（−）にそれぞれ入力され比較検出され、その検出信号がバックゲート切換制御回路３１を構成するＮＡＮＤ回路３３の一方の入力端に入力される。 - 特許庁

The back-light lighting circuit 10 makes the back-light 13 lighted by oscillating transistors Q1, Q2 of an inverter circuit to generate high frequency voltage by an electric power source voltage supplied from an electric power source circuit 60 and by a gate drive bias circuit 14.例文帳に追加

バックライト点灯回路１０は、電源回路６０から供給された電源電圧、及びゲートドライブバイアス回路１４によりインバータ回路のトランジスタＱ１，Ｑ２を発振させて高周波電圧を生成し、バックライト１３を点灯させる。 - 特許庁

To provide a system for guaranteeing that the back-flow of gas from a waste gas system of a wafer treatment chamber or the back-flow of gas from a process chamber to the wafer treatment chamber takes place at opening a valve gate regardless of pressure fluctuation in the process chamber.例文帳に追加

プロセス室内の圧力変動にもかかわらずバルブゲートの開放時にウェハ取扱室の廃ガス系からのガスの逆流並びにプロセス室からウェハ取扱室へのガスの逆流が生じないことが保証されるシステムの提供 - 特許庁

An a gate insulating film of a display region is removed with back-face exposure 100 using a mask 10, the gate insulating film 7 of the display region can be widely removed while only parts just above common electrodes 4 remain and light transmittance at an opening is enhanced.例文帳に追加

マスク１０を用い、背面露光１００により表示部のゲート絶縁膜を除去するので、共通電極４の直上の部分のみを残して、表示部のゲート絶縁膜７を幅広く除去することができ、開口部の光透過率が高くなる。 - 特許庁

The first transistor M1 is an N-channel MOSFET in which the first terminal 22 of its conducting channel is connected to the cathode 14 of the first diode D1, while the second terminal 28, the gate 24, and the back gate 26 of its conducting channel are connected to a fixed-voltage terminal P2.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１は、その伝導チャンネルの第１端子２２が第１ダイオードＤ１のカソード１４と接続され、その伝導チャンネルの第２端子２８、ゲート２４およびバックゲート２６が、固定電圧端子Ｐ２に接続されたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

To provide a through-hole closing structure of a gate, a fence or the like, which enables closing processing to be performed so that the appearance of opening ends or an opening end on both or either of the front and back sides of a through-hole, passing through the gate or the fence, cannot be deteriorated.例文帳に追加

門扉又はフェンスに貫通した貫通孔のうち表裏両側又はいずれかの開口端の外観が損なわれないように塞ぎ処理することができる門扉又はフェンス等の貫通孔塞ぎ構造を提供することをその課題とする。 - 特許庁

A charge and discharge control circuit has a switching circuit that controls a gate of a bidirectional conduction type field effect transistor by an output of a control circuit that controls charge and discharge of a secondary battery, and that has a first terminal connected to a back gate of the bidirectional conduction type field effect transistor.例文帳に追加

二次電池の充放電を制御する制御回路の出力によって双方向導通型電界効果トランジスタのゲートを制御し、第一の端子を双方向導通型電界効果トランジスタのバックゲートに接続するスイッチ回路を備える構成とした。 - 特許庁

A semiconductor device is manufactured, in such a way that after a trench groove is formed into silicon 3 and the internal surface of the groove is covered with a gate oxide film 1, the groove is filled up with a vapor- phase deposited polysilicon 2, and the polysilicon 2 is back-etched until the gate oxide film 1 formed on the flat section of the silicon 3 is exposed (a).例文帳に追加

シリコン３にトレンチ溝を形成し、このトレンチ溝にゲート酸化膜１を被覆し、その後、ポリシリコン２を気相堆積させて、トレンチ溝を埋め、シリコン３の平坦部に形成されたゲート酸化膜１が露出するまで、ポリシリコン２をバックエッチする（ａ）。 - 特許庁

The source and the back gate of a Pch MOS transistor P1 configuring the first inverter 2 and those of a Pch MOS transistor P2 configuring the second inverter 3 are connected to an N well.例文帳に追加

第１のインバータ２を構成するＰｃｈ ＭＯＳトランジスタＰ１と第２のインバータ３を構成するＰｃｈ ＭＯＳトランジスタＰ１のソース及びバックゲートはＮウエルに接続されている。 - 特許庁

An upper part O1 of a rear part opening O of a vehicle is opened and closed by a springing-up back door D, and a lower part O2 of the rear part opening O is opened by a tail gate 2 turning downward.例文帳に追加

車両の後部開口Ｏの上部Ｏ１を跳ね上げ式のバックドアＤで開閉するとともに、後部開口Ｏの下部Ｏ２を下方へ回動するテールゲート２で開放する。 - 特許庁

A control circuit 250 is connected to the controllable back gate bias of each of the first sub-differential transistors 212, 214, 216, so that the offset error in the output of the differential amplifier can be reduced.例文帳に追加

制御回路(250)を、第１のサブ差動トランジスタ(212,214,216)の各々の調整可能なバック・ゲート・バイアスに接続して、差動増幅器の出力のオフセット・エラーを小さくすることができる。 - 特許庁

A source region 5 and a drain region 6 are formed on a p-type semiconductor substrate surface becoming a back gate region, and a channel region 4 is formed on the p-type semiconductor substrate surface between them.例文帳に追加

バックゲート領域となるｐ型半導体基板表面にソース領域５、ドレイン領域６を設け、これらの間のｐ型半導体基板表面にチャネル領域４を設ける。 - 特許庁

The source and drain of the pMOS capacitor PC11 are supplied with the power-source voltage VDD, while a back gate (substrate) is supplied with a constant positive voltage VBB, which is higher than the VDD which does not depend on the VDD.例文帳に追加

ｐＭＯＳキャパシタＰＣ１１のソースとドレインには電源電圧ＶDDが供給され、バックゲート（基板）にはＶDDに依存しない、ＶDDより高い一定の正電圧ＶBBが供給される。 - 特許庁

Meanwhile, at the stop of operation, an NMOS transistor TR2 is turned on, so that the back gate voltage VDDRRX of the PMOS transistor TR1 has same potential as that of the boosted voltage VDDR.例文帳に追加

一方、動作停止時には、ＮＭＯＳトランジスタＴＲ２がオンし、ＰＭＯＳトランジスタＴＲ１のバックゲートの電圧ＶＤＤＲＸを、昇圧電圧ＶＤＤＲと同電位にする。 - 特許庁

The n-type diffusion area 12 and the p-type diffusion area 17 correspond to body contact areas for setting the back gate potential levels of the PMOS transistor and the NMOS transistor.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域１２及びＰ型拡散領域１７はＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタのバックゲート電位設定用に設けられたボディコンタクト領域に相当する。 - 特許庁

A silicon oxide film is deposition-formed on the whole face, and an insulating member 37 is formed by etching-back, to remain continuously over on one part of an upper face from a sidewall of the gate electrode.例文帳に追加

全面にシリコン酸化膜を堆積形成し、エッチバックしてゲート電極の側壁から上面の一部上に渡って連続的に残存させた絶縁部材３７を形成する。 - 特許庁

A 1st threshold voltage correcting circuit 7 detects the threshold voltage of the drive transistor Tr2, adds it to the signal potential, and feeds the resulting voltage back to a gate G to cancel variation in threshold voltage.例文帳に追加

第１閾値電圧補正回路７は、ドライブトランジスタＴｒ２の閾値電圧を検知し、これを該信号電位に加えてゲートＧにフィードバックし、以って閾値電圧の変動をキャンセルする。 - 特許庁

To provide an input protection circuit, which is capable of reducing a MOSFET in snap-back trigger voltage and protecting the gate oxide film of an inner device against damages caused by an overvoltage input.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのスナップバックのトリガー電圧を低下させ、過電圧の入力に対して内部素子のゲート酸化膜の破壊を防止できるようにした入力保護回路を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, P type diffusion regions 7 and 17 used as back gate regions are formed while shifting a peak of an impurity concentration.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、バックゲート領域として用いるＰ型の拡散層７、１７を形成する際に、それぞれの不純物濃度のピークをずらして形成する。 - 特許庁

A back gate of at least one of the third and fourth MOS transistors is coupled to the output to provide a lower V_T at the beginning of a transition without creating excessive undershoot or overshoot.例文帳に追加

第３及び第４のＭＯＳトランジスタの少なくとも１つのバックゲートが、出力に結合され、過度のアンダーシュート又はオーバーシュートを創ることなく遷移の初期においてＶ_Tを低下させる。 - 特許庁

Next, a drain electrode 7 and a gate wiring 1 are made to be contacted (Figure 1 (b)-3) by irradiating a laser irradiation part for contact with a laser beam whose wavelength is 1064 nm from the back side of the substrate.例文帳に追加

波長が１０６４ｎｍであるレーザ光をＴＦＴアレイ基板の裏面側から照射することにより、ドレイン電極７とゲート配線１をコンタクトさせる（図１(b)-3 ）。 - 特許庁

To solve the problems wherein parasitic bipolar transistor operation results since a breakdown current passes under a source region for surrounding a back gate region in a conventional semiconductor device.例文帳に追加

従来の半導体装置においては、ブレイクダウン電流が、バックゲート領域を包囲しているソース領域の下を通ることになるため、寄生バイポーラトランジスタ動作が引き起こされてしまう。 - 特許庁

A back gate is formed in or by the doped layer, and a recessed channel array transistor is formed in the first region, and source and drain regions are formed in or by the doped layer.例文帳に追加

ドープ層内またはこの近傍にバックゲートを形成し、第１の領域にリセスチャネルアレイトランジスタを形成し、ドープ層内またはその近傍にソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

In addition, a desired threshold can be maintained by measuring the impurity concentration in the channel region by using a dummy element and adjusting the back gate voltage based on the measured value of the impurity concentration.例文帳に追加

さらに、ダミー素子を用いてチャネル領域の不純物濃度を測定し、その測定値に基づいてバックゲート電圧を調節することにより所望のしきい値を維持することができる。 - 特許庁

The interface section includes a first MOSFET on an SOI substrate having a floating back gate, and converts a terminal switch signal of input serial data into parallel data.例文帳に追加

前記インタフェース部は、フローティング状態のバックゲートを有しＳＯＩ基板上に設けられた第１のＭＯＳＦＥＴを含み、入力したシリアルデータの端子切替信号をパラレルデータに変換する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which a back gate electrode can be formed under a field effect transistor arranged on an insulator while enhancing controllability of threshold.例文帳に追加

しきい値制御性を向上させつつ、絶縁体上に配置された電界効果型トランジスタ下にバックゲート電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The drain region DR is formed on the main surface 12 so as to face to the source region SR with the back gate region BG and the epitaxial layer EP sandwiched therebetween, and is the first conductivity type one.例文帳に追加

ドレイン領域ＤＲはバックゲート領域ＢＧおよびエピタキシャル層ＥＰを挟んでソース領域ＳＲと対向するように主表面１２に形成され、第１導電型である。 - 特許庁

The characteristics of the back gate effect of the semiconductor element are judged on the basis of a voltage shift amount 34 obtained from the first C-V curve 30 and second C-V curve 32 of the wafer 20.例文帳に追加

ウエハ２０の第１Ｃ−Ｖ曲線３０と第２Ｃ−Ｖ曲線３２とから求められる電圧シフト量３４に基づいて半導体素子のバックゲート効果の特性を判定する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate and an active matrix type liquid crystal display device for simultaneously suppressing a back gate effect and the fluctuation of the characteristics of a thin film transistor due to an optical leakage current.例文帳に追加

バックゲート効果及び光リーク電流による薄膜トランジスタの特性の変動を同時に抑制する、薄膜トランジスタアレイ基板及びアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a thin film transistor, suppressing a back gate effect by the charge-up of an oriented film and a spacer at the upper part of the TFT, and to prevent the voltage-holding defect of a pixel electrode part.例文帳に追加

ＴＦＴ上部のスペーサや配向膜のチャージアップによるバックゲート効果を抑制し、画素電極部の電圧保持不良を防止する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

With this configuration, a high-performance transistor of accurate matching can be used for a high bias voltage application, with no fear of breakage at the junction of body substrate (in short, 'back gate-substrate').例文帳に追加

この構成により、高バイアス電圧の用途で、高性能で正確にマッチングするトランジスタを使用することが出来、ボディ−基板(即ち、「バックゲート−基板」)の接合が降伏する恐れは無い。 - 特許庁

To control an avalanche phenomenon in turnoff, improve the trade-off characteristic of saturation voltage-turnoff loss and RBSOA (Rutherford back scattering operation analysis), and control oscillation in turnoff in an IGBT (insulated gate bipolar transistor).例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、ターンオフ時のアバランシェ現象を抑制し、飽和電圧−ターンオフ損失のトレードオフ特性およびＲＢＳＯＡを改善し、さらにはターンオフ時の発振を抑制すること。 - 特許庁

To enable dissolving problems such as 'increase of loss by back gate effect', 'increase of a cost', 'fear of latch-up and charge leak', and the like which are caused in the case of making power source voltage lower, with simple circuit constitution.例文帳に追加

簡単な回路構成によって、低電圧化に際して発生する「バックゲート効果による損失増大」,「コストの増大」および「ラッチアップやチャージ漏れの危険性」等の問題を解決する。 - 特許庁

A scanning line, a gate insulating layer, and a semiconductor layer are etched collectively, and a transparent resin is buried in the exposed side by exposing the back to light, thus reducing the island forming process of the semiconductor layer.例文帳に追加

走査線とゲート絶縁層及び半導体層を一括食刻し、露出した側面には裏面露光により透明樹脂を埋め込むことで半導体層の島化工程を削減する。 - 特許庁

When Sanetsune ISAGO relaxed shooting, the Uesugi forces went out of the West gate of the Fukushima-jo Castle to fire back, but were slashed by the Isago's troops and then ran way into the castle again. 例文帳に追加

砂金実常が銃撃の手を緩めると、上杉勢は福島城の西門から出て反撃してきたが、砂金の部隊に斬り立てられ、再び福島城の中へ逃げ入った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

By giving a back-gate voltage for a MOS transistor constituting the charge-pump circuit by a diode, reduction in boosted voltage caused by an increase in the threshold voltage of the MOS transistor is suppressed.例文帳に追加

チャージポンプ回路を構成するＭＯＳトランジスタのバックゲート電圧をダイオードで与えることで、ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の上昇による昇圧電圧の低下を抑えた。 - 特許庁

A gate electrode 40g is formed on the back of the conductive substrate 10 and a source electrode 40s and a drain electrode 40d are formed on the surface of the organic semiconductor layer 30 so as to leave channel length.例文帳に追加

導電性基板１０裏面にはゲート電極４０ｇを形成し、有機半導体表面には、チャネル長を空けてソース電極４０ｓとドレイン電極４０ｄが形成される。 - 特許庁

A plurality of back gate conductive layers 24 are formed so that the insulated isolation of the conductive layers may be mutually carried out by a trench insulating film 23 to a conductive layer 22 in which the connection portion JP_mn is embedded.例文帳に追加

バックゲート導電層２４は、連結部ＪＰ_ｍｎが埋め込まれた導電層２２に、トレンチ絶縁膜２３により互いに絶縁分離されるように複数形成される。 - 特許庁

This maintenance system for the sewerage facilities is equipped with: a means 11 for securing held-back and collected water 5 for removing the sediment by holding back water flows in the sewer pipes 31 and 32 of the sewerage facilities; and a means 12 for discharging the water 5 secured by opening a sluice gate 11.例文帳に追加

下水道施設の下水管３１、３２内の水流を堰とめて堆積物質を排除する遮集水５を確保する手段１１と、堰とめ１１を開放して確保した遮集水５を流す手段１２とを具備する下水道施設の保守システム。 - 特許庁

Since the semiconductor layer 4 is hidden inside the gate wiring 2a when it is viewed from the back face of the array substrate, backlight does not fall on the semiconductor layer 4, and the increase of carriers due to the light from the back surface of the array substrate is more suppressed compared with a conventional liquid crystal display device.例文帳に追加

半導体層４はアレイ基板の裏面から見てゲート配線２ａの内側に隠れるため、半導体層４にバックライト光が入射せず、従来の液晶表示装置と比較して、アレイ基板側の裏面からの光によるキャリアの増大が抑制される。 - 特許庁

When an output waveform is dropped during the address electrical discharge, an NMOS 21 of a buffer circuit 20 is turned on to suppress a low voltage (VDL) from a low voltage power supply terminal VDL due to a back gate effect, and a signal at a potential lower than the VDL is inputted to a gate of an IGBT 13.例文帳に追加

アドレス放電時の出力波形の立ち下がり時には、バッファ回路２０のＮＭＯＳ２１がオンすることで、低電圧電源端子ＶＤＬからの低電圧（ＶＤＬ）はバックゲート効果により抑制され、ＩＧＢＴ１３のゲートには、ＶＤＬよりも低い電位の信号が入力される。 - 特許庁

When heating the back of the wafer 26 to activate an impurity, the laser irradiation 44 at a lowered heating temperature is carried out for an unit of FET structure 40 whose gate threshold voltage is low, and the laser irradiation 54 at an elevated temperature is carried out for an unit of FET structure 50 whose gate threshold voltage is high.例文帳に追加

ウェーハ２６の裏面を加熱して不純物活性化を行う際に、ゲート閾値電圧が低い単位ＦＥＴ構造４０では加熱温度を下げたレーザ照射４４を実行し、ゲート閾値電圧が高い単位ＦＥＴ構造５０では加熱温度を上げたレーザ照射５４を実行する。 - 特許庁

A second transistor M2 is the N-channel MOSFET in which a first terminal 22 of a conduction channel, a gate 24 and a back gate 26 are connected to a stationary voltage terminal P2, and a second terminal 28 of the conduction channel is connected to a second terminal 18 of the conduction channel of the first transistor M1.例文帳に追加

第２トランジスタＭ２は、伝導チャンネルの第１端子２２、ゲート２４およびバックゲート２６が、固定電圧端子Ｐ２に接続され、伝導チャンネルの第２端子２８が、第１トランジスタＭ１の伝導チャンネルの第２端子１８に接続されたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

In this case, a threshold voltage between a gate and a source of the transistor Tr1, which is held in a binding capacity C, is fed back to the gate of the transistor Tr1 to correct the variance of the threshold voltage of the transistor Tr1, and the write scan pulse wherein the variance of pulse transient is corrected is generated.例文帳に追加

ここで、結合容量Ｃに保持されたトランジスタＴｒ１のゲート・ソース間の閾値電圧をトランジスタＴｒ１のゲートにフィードバックして、トランジスタＴｒ１の閾値電圧のばらつきを補正して、パルストランジェントのばらつきが補正されたライト走査パルスを発生する。 - 特許庁