「Back gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The opening jig type body assembly unit varies each position of hand clamp reference pins 5 of the gate type front window frontage positioning opening jig 3 and the gate type rear door frontage lower back positioning opening jig 4 such that each position of the hand clamp reference pins is changed.例文帳に追加

自動車の車種毎に門型のフロントウィンド間口位置決めオープニング治具３と門型のバックドア間口ロアバック位置決めオープニング治具４のハンドクランプ基準ピン５の位置を変更するオープニング治具式ボディ組立装置。 - 特許庁

By loading negative feedback with N-channel transistor differential couples M6 and M7 and differential amplifiers which are active loads M1 and M2 of the P-channel transistors, a gate/back-gate voltage of a P-channel transistor M10 becomes equal with VD1-VD2.例文帳に追加

Ｎチャネルトランジスタ差動対Ｍ６及びＭ７と、Ｐチャネルトランジスタの能動負荷Ｍ１及びＭ２なる差動アンプで、負帰還をかけることにより、ＰチャネルトランジスタＭ１０のゲート・バックゲート間電圧がＶＤ１−ＶＤ２と等しくなる。 - 特許庁

When the voltage between the power supply terminal 1 and GND terminal 2 is equal to or lower than the upper-limit voltage Vmax, the first gate control portion 4 is placed in an electrically nonconductive state, so a current is prevented from flowing back from the gate of the NMOS transistor 7 to the first wiring 11 through the first gate control portion 4, thereby preventing the gate voltage of the NMOS transistor 7 from dropping.例文帳に追加

一方、電源端子１とＧＮＤ端子２との間の電圧が上限電圧Ｖｍａｘ以下のときに第１のゲート制御部４を非通電状態にするので、ＮＭＯＳトランジスタ７のゲートから第１のゲート制御部４を経由して第１の配線１１へ電流が逆流することを防止でき、ＮＭＯＳトランジスタ７のゲート電圧の降下を防止できる。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic thin film transistor comprises a step for preparing a substrate, a step for forming a gate electrode on the substrate, a step for forming a gate insulating film all over the surface of the substrate including the gate electrode, a step for forming an organic active layer on the gate insulating film by back exposure, and a step for forming source and drain electrodes on the active layer.例文帳に追加

有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含む基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に背面露光によって有機アクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上にソース及びドレイン電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

A spike-like voltage produced in both ends of the coil at that time with a changeover timing is fed back to a gate through a parasitic capacity between the gate and a drain, but the operation of the parasitic capacitance is negated since the spike-like voltages of opposite polarity are supplied respectively to the gate of each transistor through capacitors 4, 6, 8, 10.例文帳に追加

このとき電流の切り換えのタイミングでコイル両端に生成するスパイク状電圧は、ゲート・ドレイン間の寄生容量を通じてゲートに帰還するが、逆極性のスパイク状電圧がコンデンサー４、６、８、１０を通じて各トランジスターのゲートにそれぞれ供給されるため寄生容量の作用が打ち消される。 - 特許庁

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes.例文帳に追加

基板１上にゲート電極６、ゲート電極カバー窒化膜５、窒化膜サイドウォール８を形成し、基板表面領域内にｎ^-型半導体領域７、ｎ^+型半導体領域拡散層９を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁

Respective rectangular parallelepiped expansion units 115 are arranged in the right-and-left direction between the air flow control gate 114 and a back plate 117 forming a rear surface 100F of the casing so as to be extended in a back-and-forth direction.例文帳に追加

直方体の各拡張ユニット１１５は、その気流調整門１１４と、筐体の背面１００Ｆを形成する背面板１１７との間に、前後方向に延伸するように、左右方向に並べられて設置される。 - 特許庁

To provide a structure for preventing a surface layer-forming material from leaking to a back surface side of a base material when a gate is arranged on the PL surface of a mold and injection molding is conducted to the surface of the base material whose margin is arranged in the position opposite to the gate.例文帳に追加

金型ＰＬ面にゲートを配置して、縁部がゲートと対向する位置に配設された基材の表面を射出成形する際に該基材の裏面側に表面層形成用材料が洩れることを防止する構造を提供すること。 - 特許庁

Thereby, in stead of increasing a signal voltage V_sig which is to be written into a top gate G1, a voltage which is to be applied to a back gate G2 is properly adjusted and, thereby, a current I_d flowing through the organic EL element 11 can be increased.例文帳に追加

これにより、トップゲートＧ１に書き込む信号電圧Ｖ_sigの大きさを大きくする代わりに、バックゲートＧ２に印加する電圧を適切に調整することにより、有機ＥＬ素子１１に流れる電流Ｉ_dを大きくすることができる。 - 特許庁

To provide an automatic opening and shutting sliding door gate capable of providing a driving motor to a back rail and smoothly making opening, shutting and traveling without impairing the apparent outside appearance by aiming the sliding door gate at a setting mode, by installing the motor at the rear frame.例文帳に追加

引き戸門扉の設置態様に着目し、駆動用モータを後框に設けることにより、モータを収納したにもかかわらず、見かけ上の外観が損なわれず、開閉走行もスムーズに行なうことができる自動開閉引き戸門扉。 - 特許庁

Thus, it is prevented that a high voltage is applied between the gate and the back-gate of the transistors Pt 11 to Pt 15 at the application of the external voltage signal EB to the input and output buffer independently of application / non application of the high level power supply VDE.例文帳に追加

これにより、高電位電源ＶＤＥの供給時／非供給時に関わらず、外部からの電圧信号ＥＢの入力時には各トランジスタＰｔ１１〜Ｐｔ１５のゲート−バックゲート間に高電圧が印加されることが防止される - 特許庁

By using a first winding between an input end and a drain and a second winding of reverse phase to the first winding to be connected to a gate through a resistor and a capacitor, an induced voltage of the second winding is positively fed back to the gate, thus enabling self exciting oscillation.例文帳に追加

入力端とドレイン間に第１の巻線、第１の巻線と逆相で抵抗とコンデンサを介してゲートに接続される第２の巻線を用いることによって、第２の巻線の誘起電圧をゲートに正帰還させて自励発振を可能にする。 - 特許庁

Here, the modulation signal 11 and gate signal 15a synchronize with each other, so the gate circuit 3a can extract a part which partially corresponds to logic '1' or '0' along the time base from the monitor signal 14 and feed it back to the modulation operation.例文帳に追加

ここで、変調信号１１とゲート信号１５ａとが同期しているため、ゲート回路３ａにおいてモニタ信号１４から時間軸に沿って部分的に論理”１”又は”０”に対応する部分を取り出し、変調動作にフィードバックすることができる。 - 特許庁

When currents of P-channel transistors M4 and M5 are set equal, gate/back-gate voltages of P-channel transistors M11-M20 become equal to that of the P-channel transistor M10, and Vout becomes a reference voltage of which the temperature coefficient is approximately zero.例文帳に追加

ＰチャネルトランジスタＭ４とＭ５の電流を等しく設定すると、ＰチャネルトランジスタＭ１１〜Ｍ２０のそれぞれのゲート・バックゲート間の電圧はＰチャネルトランジスタＭ１０と等しくなり、Ｖｏｕｔは温度係数がほぼゼロの基準電圧となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which improves an integration degree by reducing an influence of a back bias effect, in which a ratio of capacities of a floating gate to a control gate is further increased without increasing an occupying area and an unevenness of characteristics due to a manufacturing process is suppressed.例文帳に追加

バックバイアス効果による影響を低減させることにより集積度を向上させ、占有面積を増加させずに浮遊ゲートと制御ゲートとの容量の比をより増大させ、製造プロセス起因の特性ばらつきのない半導体記憶装置。 - 特許庁

The 5th switch section SW5 connects/disconnects the back gate to/from the high potential power supply Vdd, in response to the potential of an external signal applied to the input output terminal P0.例文帳に追加

第５スイッチ部ＳＷ５は、出力端子Ｐ０に印加される外部信号の電位に応答して該バックゲートと高電位側電源Ｖddとの間を接離する。 - 特許庁

The injection-molding die assembly is equipped with a cavity-side part 3 comprising a valve stem 9 inserted through a nozzle 4 forming a gate and a piston 11 which drives the valve stem 9 installed inside a cylinder 10 back/forth.例文帳に追加

固定型３は、ゲートを形成するノズル４内に挿通されたバルブステム９と、シリンダ１０内に備えられバルブステム９を進退駆動するピストン１１とを備える。 - 特許庁

An output of the ripple extraction ratio improving circuit is connected to a back gate of a MOS transistor of a current mirror part of an error amplifier circuit or a MOS transistor of an input stage.例文帳に追加

誤差増幅回路のカレント・ミラー部のＭＯＳトランジスタ、もしくは入力段のＭＯＳトランジスタのバックゲートに、リップル除去率改善回路の出力を接続する。 - 特許庁

The back gate voltage of the output transistor of a V/R is controlled so that the threshold voltage of the output transistor can be changed, and that the ON resistance of the output transistor can be decreased.例文帳に追加

Ｖ／Ｒの出力トランジスタのバックゲート電圧を制御することで、出力トランジスタのしきい値電圧を変化させて出力トランジスタのON抵抗を下げる。 - 特許庁

An operation point of the amplifier 70 can be varied by changing the threshold voltage relating to a bias of a back gate 74 applied to transistors 72, 73 selected in the amplifier.例文帳に追加

アンプ70の動作ポイントは、アンプ内の選択されたトランジスタ72,73に印加されるバックゲート74のバイアスに関連する閾値電圧を変更することによって変えることができる。 - 特許庁

Then, the power source voltage VCC is applied to the fourth transistor N4 and the fifth transistor N5 is grounded and the output signal of the transistors N4, N5 is fed back to the gate of the transistor P1.例文帳に追加

そして、第４のＮチャネルトランジスタには電源電圧が印加され、第５のＮチャネルトランジスタは接地されおり、出力信号はＰチャネルトランジスタのゲートにフィードバックされる。 - 特許庁

Gates of transistors M7 and M8 are controlled by the output from the NAND circuit 33 and the back gate of the transistor M4 is connected with the source (step-up capacitor C1 side).例文帳に追加

このＮＡＮＤ回路３３からの出力によりトランジスタＭ７，Ｍ８のゲートが制御され、トランジスタＭ４はバックゲートがソース（昇圧コンデンサＣ１側）に接続される。 - 特許庁

A testing apparatus connects the output of an operational amplifier 18 to the gate of a testing object transistor 14, and allows the source of the testing object transistor 14 to negatively feed back to a negative input end of the operation amplifier 18.例文帳に追加

オペアンプ１８の出力を試験対象トランジスタ１４のゲートに接続し、試験対象トランジスタ１４のソースは、オペアンプ１８の負入力端に負帰還する。 - 特許庁

By changing a voltage of a back gate of the driving transistor Tr_1 into a prescribed voltage, the driving transistor Tr_1 is turned off and the light emission of the organic EL element 11 is stopped.例文帳に追加

駆動トランジスタＴｒ_1のバックゲートの電圧を所定の電圧に変更することにより、駆動トランジスタＴｒ_1がオフし、それに伴って、有機ＥＬ素子１１が消光する。 - 特許庁

An operation point of the parasitic diode D2 is offset and the current is prevented from flowing by reducing the voltage Va using the capacitor C1 and supplying it to a back gate.例文帳に追加

すなわち、電圧ＶａをコンデンサＣ１によって小さくしてバックゲートに供給することにより、寄生ダイオードＤ２の動作点をずらして電流を流れにくくする。 - 特許庁

To provide a gate valve coping with the case of receiving back pressure such that one side chamber of a valve casing is vacuum, and the other side chamber is at atmospheric pressure or under pressurization.例文帳に追加

弁箱の一方の側のチャンバが真空で、他方の側のチャンバが大気圧または加圧状態となるような逆圧を受ける場合に対応できるようにする。 - 特許庁

Then, a side wall material layer 334 formed on the entire upper surface of the semiconductor substrate 310 is etched back to form a side wall part 322 at the end of the gate electrode 321.例文帳に追加

次に、半導体基板３１０の上面全体に形成した側壁材料層３３４をエッチバックしてゲート電極３２１の端部に側壁部３２２を形成する。 - 特許庁

The pixel circuit 12 further includes a transistor Tr1 feeding back the voltage corresponding to the level of the luminance of external light to gate voltage of the driving transistor Tdr.例文帳に追加

画素回路１２は、さらに、外光の輝度の大きさに応じた電圧を駆動トランジスタＴｄｒのゲート電圧にフィードバックするトランジスタＴｒ１を有している。 - 特許庁

In another theory, he was attacked at the Ikedaya and ran back to the Lord of Choshu's Kyoto mansion to raise the alarm but, unable to open the gate, he killed himself with his sword. 例文帳に追加

また別の説として、池田屋で襲撃を受け、事態を長州藩邸に知らせに走ったが門は開けられる事無く、門前で自刃したという話もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The impurity region IM1 is arranged beneath the back gate region BG with the epitaxial layer EP sandwiched, forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is the second conductivity type one.例文帳に追加

不純物領域ＩＭ１はエピタキシャル層ＥＰを挟んでバックゲート領域ＢＧの下に位置し、かつエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

The etching stopper film 20 exposed out of the silicide block layer 30 is removed, and the etch back of the insulating film 10 for the side wall is effected to form side walls on both sides of the gate electrode.例文帳に追加

シリサイドブロック層３０から露出したエッチングストッパ膜２０を除去し、サイドウォール用絶縁膜１０をエッチバックして、ゲート電極の両側にサイドウォールを形成する。 - 特許庁

A parasitic capacitance is added to the first input terminal of the differential amplifier so as to enable the CMOS transmission gate to decrease fluctuations caused by kick-back noises in the reference voltage.例文帳に追加

ＣＭＯＳ伝送ゲートは、差動増幅器の第１入力に寄生キャパシタンスを追加することによって、キックバックノイズによる基準電圧の変動を減少させる。 - 特許庁

A gate drive circuit 72 of the controller IC 7 is controlled based on feeding back results so that a constant current flows through the LED string by stably actuating an inner circuit.例文帳に追加

コントローラＩＣ７のゲート駆動回路７２は、フィードバック結果に基づいて、安定的に内部回路を動作させＬＥＤストリングに一定の電流が流れるように制御する。 - 特許庁

When the viewing was over, the person who held the head raised voices after he placed the head, which was turned to face the enemy, on a tray outside the chumon gate or on a lid of a bucket for served head and he stepped back the distance of about five bows. 例文帳に追加

実検がすめば、首を中門の外の台または首桶の蓋の上に置き、首を敵方に向け、弓杖5つほど退いて立ち並んで、ときの声をあげる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The resist discharged on a data line and a gate line is cured by exposure through the back face of the glass substrate to form a bank for formation of an electrode film (ITO) for a pixel electrode.例文帳に追加

データ配線、ゲート配線に吐出されたレジストをガラス基板の裏面からの露光で硬化させ、画素電極用の電極膜（ＩＴＯ）形成のためのバンクとする。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device in which an SOI structure having a back gate electrode, and an ordinary SOI structure are formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

バックゲート電極を有するＳＯＩ構造と、通常のＳＯＩ構造とを同一の半導体基板に形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device and its driving method, the semiconductor device has a plurality of logic circuits each comprising such a transistor with a back gate.例文帳に追加

そして、半導体装置にこのようなバックゲート付きトランジスタにより構成される複数のロジック回路を設けた半導体装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

The reference voltage e1 to control high-order back gate voltage VBGP and the reference voltage e2 to control power voltage Vcc are variably controlled dynamically independent of each other.例文帳に追加

高位バックゲート電圧ＶＢＧＰを制御する基準電圧ｅ１と、電源電圧Ｖｃｃを制御する基準電圧ｅ２とが互いに独立して動的に可変制御される。 - 特許庁

Therefore, the margin to the back gate voltage of an off-leak current is ensured by prescribing the film thickness in a channel widthwise direction and its distribution (existence ratio of each film thickness).例文帳に追加

このため、チャネル幅方向の膜厚、及びその分布（各膜厚の存在比）を規定することによってオフリーク電流のバックゲート電圧に対するマージンを確保する。 - 特許庁

A first transistor M1 is arranged between one end of a synchronous rectification transistor SW2 and the back gate so that the cathode of a body diode faces an output terminal 204 side.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１は、同期整流トランジスタＳＷ２の一端と、そのバックゲートとの間に、ボディダイオードのカソードが出力端子２０４側となる向きで設けられる。 - 特許庁

A pulse voltage d appearing at the drain electrode of Q2 is compared with the voltage of the reference pulse signal b in an operational amplifier OP2 and is fed back to a gate electrode of Q1.例文帳に追加

Ｑ２のドレイン電極に発生するパルス電圧ｄと基準パルス信号ｂの電圧をオペアンプＯＰ２で比較し、Ｑ１のゲート電極にフィードバックする。 - 特許庁

By coupling the drain output of the field effect transistor by the directional coupler 5 and feeding it back through the microstrip line 7 to a gate terminal, oscillation is generated.例文帳に追加

電界効果トランジスタのドレイン出力を方向性結合器５により結合させて、マイクロストリップ線路７を介してゲート端子へ帰還させることにより発振を生じさせる。 - 特許庁

The drain region 5 of the LDMOS is used as the cathode region 11 of the diode, and the back gate region of the LDMOS is used as the anode region 14 of the diode.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳのドレイン領域５はダイオードのカソード領域１１として用いられ、ＬＤＭＯＳのバックゲート領域はダイオードのアノード領域１４として用いられる。 - 特許庁

A second transistor M2 is arranged between the other end of the synchronous rectification transistor SW2 and the back gate so that the cathode of the body diode faces a switching terminal 108 side.例文帳に追加

第２トランジスタＭ２は、同期整流トランジスタＳＷ２の他端と、そのバックゲートとの間に、ボディダイオードのカソードがスイッチング端子１０８側となる向きで設けられる。 - 特許庁

A first insulation film is formed for forming a side wall on a gate electrode of a semiconductor element formed on a semiconductor substrate, and a side wall is formed by etch back.例文帳に追加

半導体基板上に形成された半導体素子のゲート電極上に、サイドウォールを形成用の第１の絶縁膜を形成して、エッチバックによりサイドウォールを形成する。 - 特許庁