「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

In the aluminum nitride powder, the intensity ratio I(002)/I(100) of diffraction peak of (002) plane to that of (100) plane in X-ray diffraction using a Cu-Kα ray is 0.2-0.5.例文帳に追加

Cu−Kα線を用いたX線回折において（００２）面と（１００）面からの回折ピークの強度比Ｉ（００２）／Ｉ（１００）が０．２〜０．５であることを特徴とする窒化アルミニウム粉末。 - 特許庁

The water-repellent catalyst is manufactured by deposing Pd and one or more metals selected from the group consisting of Cu, Sn and In on one or more carriers selected from the group consisting of activated carbon, Al_2O_3, SiO_2, TiO_2 and ZnO_2.例文帳に追加

Pd並びに、Cu、Sn及びInより成る群から選ばれる一つ以上の金属が、活性炭、Al_2O_3、SiO_2、TiO_2及びZnO_2より成る群から選ばれる一つ以上の担体に担持された、撥水性を有する触媒。 - 特許庁

The composite wire rod is subjected to heat treatment in a heating furnace to diffuse zinc in the zinc layer into the Cu-Zn layer and thus form the Cu-Zn alloy layer 5.例文帳に追加

この複合線材に対して加熱炉により熱処理を施し、亜鉛層中の亜鉛を前記Ｃｕ−Ｚｎ層中に拡散させることにより、Ｃｕ−Ｚｎ合金層５を形成する。 - 特許庁

To prevent nonconformity of variations in cutting amount of a Cu wiring in the plane of a wafer, when the surface of wafer is scrub-cleaned after the Cu wiring is formed by a CMP(chemical-mechanical polishing) method.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学的機械研磨）法によってＣｕ配線を形成した後、ウエハの表面をスクラブ洗浄する際に、Ｃｕ配線の削れ量がウエハ面内でばらつく不具合を防止する。 - 特許庁

Thereby, the Cu-diffused ZAS alloy is obtained, in which Cu diffuses to a distance of 0.5 mm or deeper inside from the surface of the ZAS alloy, and the Cu concentration decreases toward the inside of the ZAS alloy from the surface.例文帳に追加

これにより、ＺＡＳ合金の表面からの深さが０．５ｍｍ以上の内部にまでＣｕが拡散し、かつＣｕの濃度がＺＡＳ合金の表面から内部に指向して減少したＣｕ拡散ＺＡＳ合金が得られる。 - 特許庁

Cu alloy wiring for semiconductor device comprises Cu alloy containing Ge in 0.2 to 1.0 at%, and a spattering gate comprising Cu alloy used to manufacture the wiring.例文帳に追加

半導体装置に使用される配線であって、Ｇｅを０．２〜１．０ａｔ％含有するＣｕ合金からなる半導体装置用Ｃｕ系合金配線と、当該配線の製造に用いるＣｕ系合金からなるスパッタリングターゲットを開示する。 - 特許庁

To realize a method for fabricating a semiconductor device having large grains in which Cu can be buried in an interconnection trench.例文帳に追加

配線溝にＣｕを埋め込むことができ、かつグレインが大きな半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To attain reduction in wiring resistance rising and increase in reliability of Cu wiring even for fine wiring.例文帳に追加

微細配線であっても、Ｃｕ配線の配線抵抗上昇の低減と信頼性向上とを両立する。 - 特許庁

The manufacturing method for the substrate for the power module has a first plating process, in which an NiP plating layer 6 is formed by carrying out an NiP electroless plating on the metallic substrates 2 and 3, and a Cu attaching process in which Cu atoms are attached on the NiP plating layer to form a Cu atom layer 7.例文帳に追加

金属基板２、３上にＮｉＰ無電解メッキを施してＮｉＰメッキ層６を形成する第１のメッキ工程と、前記ＮｉＰメッキ層上にＣｕ原子を付着させてＣｕ原子層７を形成するＣｕ付着工程とを有する。 - 特許庁

The Y-Ba-Cu-O based high-temperature superconductor film formed on a dielectric substrate 10 is characterized in that the composition ratio of Cu to Ba nearby on the top surface of the film is larger than the composition ratio of Cu to Ba in the film.例文帳に追加

誘電体基板１０上に形成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の高温超伝導体膜であって、膜の上面近傍におけるＢａに対するＣｕの組成比が、膜の内部におけるＢａに対するＣｕの組成比より大きくなっている。 - 特許庁

A Cu-plated film 3 is patterned on an lumina substrate 1 with a base layer in between, and a first Ni-plated film 4 is stacked on the Cu-plated film 3.例文帳に追加

アルミナ基板１上に下地層２を介してＣｕメッキ膜３がパターン形成されており、Ｃｕメッキ膜３上に第１のＮｉメッキ膜４が積層されている。 - 特許庁

There is provided a method of forming a metal Cu layer on a Cu_2O film surface in which an object to be processed formed with the Cu_2O film is brought into contact with an aqueous solution containing a reducing agent.例文帳に追加

Cu_2O膜を形成した被処理物を、還元剤を含有する水溶液に接触させることを特徴とするCu_2O膜表面に金属Cu層を形成する方法。 - 特許庁

The aluminum alloy wire may further contain one or more kinds of additional element selected from among Mg, Si, Cu, Zn, Ni, Mn, Ag, Cr, and Zr in a total amount of 0.005 to 1.0 mass%.例文帳に追加

更に、質量％で、Mg、Si、Cu、Zn、Ni、Mn、Ag、Cr、及びZrから選択される1種以上の添加元素を合計で0.005質量％以上1.0質量％以下含有してもよい。 - 特許庁

The cupper-based alloy having dezincfication resistive property, is composed of, by weight, 57-69% Cu, 0.3-3% Sn and 0.02-1.5% Si, wherein Si/Sn is in the range of 0.05-1, and the balance Zn with inevitable impurities.例文帳に追加

重量%で、Cu:57〜69%、Sn:0.3〜3%、Si:0.02〜1.5%を含み、Si/Snの値が0.05〜1の範囲であり、残部がZnと不可避的不純物からなることを特徴とする耐脱亜鉛性銅基合金。 - 特許庁

To the Fe-Cu alloy changing from the melting state to solidification through solid-liquid co-existing state, a strong magnetic field is applied while adding stirring in the solid-liquid co-existing state.例文帳に追加

溶融状態から、固液共存状態を経て、凝固に至るFe−Cu合金に対し、その固液共存状態において、撹拌を付加しつつ、強磁場を印加する。 - 特許庁

The above metal substrate 2 is preferably made of a metal belonging to the Ib-group in the periodic-law table or its alloy, and further preferably, is made of Cu or a Cu alloy.例文帳に追加

上記金属基板２は、望ましくは周期律表のＩｂ族に属する金属またはその合金から成り、更に望ましくはＣｕまたはＣｕ合金から成る。 - 特許庁

Further, ≤3 mass %, in total, of one or ≥2 elements among Cr, Ni, Mo, Cu, Ti, and Nb are incorporated into the above composition.例文帳に追加

またそれに加えてCr、Ni、Mo、Cu、Ti、Nbのうちの１種または２種以上を質量百分率の合計で３％以下含有することを特徴とする自動車構造用鋼製部材。 - 特許庁

The second conductor film 15 is composed of a single Cu layer or composed of an Ni layer at a side in contact with the dielectric layer 11 and a Cu layer formed on the Ni layer.例文帳に追加

第２の導体膜１５は、単一のＣｕ層からなり、又は、誘電体層１１に接する側のＮｉ層とこのＮｉ層上に形成されたＣｕ層とからなる。 - 特許庁

The lamination film 14 is formed by laminating a TiW layer 9, Cu layer 10, a ferromagnetic layer 15 of Ni, Cu layer 11, and a TiW layer 12 in this order.例文帳に追加

積層膜１４は、ＴｉＷ層９、Ｃｕ層１０、Ｎｉからなる強磁性体層１５、Ｃｕ層１１及びＴｉＷ層１２をこの順に積層して形成する。 - 特許庁

This wiring is used in a semiconductor device having a double capping film which is made of silicon nitride and silicon carbide and is positioned on a Cu material that is CMP to form Cu damascene wiring.例文帳に追加

Ｃｕダマシン配線としてＣＭＰされたＣｕ上にシリコンナイトライド／シリコンカーバイドの二重膜がキャッピング膜として形成された半導体素子の配線である。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a lamination barrier film 30 is interposed between a Cu interconnection 23 principally comprising Cu and a W plug 32 composed of W.例文帳に追加

この半導体装置１において、Ｃｕを主成分とするＣｕ配線２３とＷからなるＷプラグ３２との間には、積層バリア膜３０が介在されている。 - 特許庁

The Fe-Ni sheet is applicable to a known Fe-Ni alloy which has a composition consisting of 40-90 wt.% Ni and the balance Fe, or in which a third element such as Mo, Cr or Cu is substituted for a part of Fe.例文帳に追加

なお、本発明はNi:40〜90wt%、残部Feでなるか、またはFeの一部を、Mo、CrまたはCu等の第三元素で置換した公知のFe-Ni系合金に適用することができる。 - 特許庁

In the Sn-Cu-Ag film of the second layer, it is desirable that the content of Ag to Sn-Cu is ≥3 mass% and <30 mass%.例文帳に追加

第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜において、Ｓｎ−Ｃｕに対するＡｇの含有量が、３質量％以上、３０質量％未満であることが望ましい。 - 特許庁

To provide a method of regenerating a silicon wafer, in which Cu not only on a surface but also penetrating into an inside of the silicon wafer is removed and there is no Cu contamination with respect to the inside of the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウエハの表面のみならず内部に侵入したＣｕを取除き、シリコンウエハ内部についてもＣｕ汚染がない、シリコンウエハの再生方法を提供する。 - 特許庁

A silane passivation process, carried out in-situ together with the formation of a subsequent dielectric film, converts the exposed Cu surfaces of the Cu interconnect structure, to copper silicide.例文帳に追加

その後の誘電体フィルムの形成とともに原位置に実行されるシラン・パッシベーション・プロセスは、Ｃｕ相互接続構造の露出したＣｕ表面をケイ化銅に転化する。 - 特許庁

This transgenic rat in which a DNA comprising an extraneous mutant Cu/Zn SOD gene integrated therein is transduced is capable of developing typical ALS symptoms such as muscle weakness symptoms accompanied by amyotrophy.例文帳に追加

外来の変異Cu/Zn SOD 遺伝子を組み込んだDNA を導入したトランスジェニックラットは、筋萎縮を伴う筋力低下症状などの典型的なALS 症状を発症する。 - 特許庁

Subsequently, the Cu film 13 on the insulation film 11 is polished using a chemical mechanical polishing method thus forming wiring formed of the Cu film 13 in the wiring forming part 12.例文帳に追加

その後、化学的機械研磨法を用いて、絶縁膜１１上のＣｕ膜１３を研磨することにより、Ｃｕ膜１３による配線を配線形成部１２内に形成する。 - 特許庁

The bearing material has a composition containing 3 to 15% Al, 1 to 8% Mn, 0.05 to 5% Si, 0.5 to 5% Ni, and 1 to 10% Fe, and the balance Cu with inevitable impurities, and in which Fe-Mn-Si hard substance is dispersed.例文帳に追加

3 〜15 ％Al, 1〜 8％ Mn, 0.05 〜 5％ Si, 0.5〜 5％ Ni, 1〜10％ Feを含有し、残部不可避的不純物及びCuからなり、Fe-Mn-Si系硬質物が分散した銅系軸受材料。 - 特許庁

To form a structure having an air gap in a space area of Cu wiring at a high yield.例文帳に追加

Ｃｕ配線のスペース領域に空隙（エアギャップ）を有する構造を歩留まりよく形成する。 - 特許庁

Cu-Ni-Fe ALLOY EXCELLENT IN HOT WORKABILITY DUE TO ADDITION OF THIRD ELEMENT, AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

第三元素添加による熱間加工性の優れたＣｕＮｉＦｅ合金およびその製造方法 - 特許庁

The coating layer, in particular, desirably comprises a lamination of copper-cobalt-iron-nickel (Cu-Co-Fe-Ni).例文帳に追加

特に、前記コーテイング層は銅-コバルト-鉄-ニッケル(Ｃｕ-Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ)からなることが望ましい。 - 特許庁

For reducing the concentration of Cu in the outermost surface layer, flowing water washing or acid washing is effective.例文帳に追加

極表層のＣｕ濃度を低減するには流水洗浄または酸洗浄が効果的である。 - 特許庁

Thermocompression bonding is used in bonding the Cu plating film and the metal substrate or the metal film.例文帳に追加

Ｃｕメッキ膜と金属基板又は金属膜とを接合する際に熱圧着法を用いる。 - 特許庁

The internal signal transmissions in each circuit block are performed through such wirings as Al and Cu.例文帳に追加

それぞれの回路ブロックの内部の信号の伝送はＡｌやＣｕなどの配線を通じて行う。 - 特許庁

Authentication in a challenge response system is performed between a main control unit and a CU communication control unit.例文帳に追加

メイン制御部とＣＵ通信制御部との間でチャレンジレスポンス方式の認証を行なう。 - 特許庁

FE-AL-C-(NI, CU, MO) SINTERED ALLOY VALVE SEAT SUPERIOR IN STRENGTH AND ABRASION RESISTANCE例文帳に追加

強度および耐摩耗性に優れたＦｅ−Ａｌ−Ｃ−（Ｎｉ，Ｃｕ，Ｍｏ）焼結合金製バルブシート - 特許庁

HIGH STRENGTH Al-Cu-Mg BASED ALLOY THIN SHEET GOOD IN FORMABILITY AND ITS PRODUCING METHOD例文帳に追加

成形性良好な高強度Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系合金薄板およびその製造方法 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si-Co based copper alloy in which the spring deflection limit is improved.例文帳に追加

ばね限界値を向上させたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金を提供する。 - 特許庁

The barrier metal film 10 and a wiring layer 11 formed of Cu (copper) are embedded in the T-shaped opening.例文帳に追加

Ｔ字型開口部には、バリアメタル膜１０とＣｕ（銅）からなる配線層１１が埋設される。 - 特許庁

Cu-Ni-Si-Zn-BASED COPPER ALLOY SUPERIOR IN STRESS CORROSION CRACKING RESISTANCE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

耐応力腐食割れ性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｚｎ系銅合金および製造法 - 特許庁

Examples are given in the Zr-Ti-Cu-Ni-Be alloy bulk glass forming system with added niobium.例文帳に追加

Ｚｒ-Ｔｉ-Ｃｕ-Ｎi-Ｂｅ合金バルクガラス形成系にニオブを添加した例が提示されている。 - 特許庁

In the state, the base metal is heated to diffuse Cu into the ZAS alloy.例文帳に追加

この状態で、母材を加熱することによってＣｕをＺＡＳ合金中に拡散させる。 - 特許庁

The semiconductor device includes an insulating film 21 provided on a semiconductor substrate 10 and having a trench 22, a Cu seed layer 26 provided along an inside surface of the trench 22, a Cu silicide layer 28 provided along a surface of the Cu seed layer 26, and a Cu wiring layer 30 provided on a surface of the Cu silicide layer 28 so as to be embedded in the trench 22.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１０上に設けられた、溝部２２を有する絶縁膜２１と、溝部２２の内面に沿って設けられたＣｕシード層２６と、Ｃｕシード層２６の表面に沿って設けられたＣｕシリサイド層２８と、溝部２２に埋め込まれるように、Ｃｕシリサイド層２８の表面上に設けられたＣｕ配線層３０と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

This copper based plain bearing material obtained by sintering and laminating a copper alloy to a steel back plate has a composition cintaiing >2 to 4% Ag and 1 to 10% Sn, and the balance substantially Cu, and at least on the surface side of the sintered layer, Ag and Sn lie in a state of being perfectly or substantially entered into solid solution in the Cu matrix.例文帳に追加

銅合金を鋼裏金に焼結・成層してなる銅系すべり軸受材料において、Ag:２％を超え４％以下、Sn：１〜１０％を含有し、残部が実質的にCuからなり，焼結層の少なくとも表面側でAg及びSnがCuマトリックス中に完全もしくは実質的に固溶した状態である銅系すべり軸受材料。 - 特許庁

A hypochlorite salt is continuously added to a metal cyanidecontaining solution in which cyanides of Ni, Cu, Zn and Au and/or Ag are dissolved, under alkaline conditions within the temperature range from 60°C to a temperature below the boiling point of the solution to precipitate Ag as a chloride and Ni, Cu and Zn as oxides or hydroxides and to dissolve Au as chloroaurate in the solution.例文帳に追加

Ni,Cu,Zn,Au及び/又はAgのシアン化合物を溶解したシアン系金属含有液にアルカリ性かつ６０℃から沸点未満の温度範囲の条件で次亜塩素酸塩を連続添加し、Agは塩化物として析出させ、Ni,Cu及びZnは酸化物もしくは水酸化物として析出させ、かつAuは塩化金酸塩として溶液中に溶解させる。 - 特許庁