「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the soldering method, P of 0.001-0.1 percent by mass is added independently or together with Ge of 0.001-0.1 percent by mass to Sn-Cu of 0.1-3 percent by mass base lead-free solder alloy.例文帳に追加

Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁

The highly conductive amorphous alloy may comprise an Ni-Nb-Zr amorphous alloy or a Ti-Ni-Cu amorphous alloy wherein hydrogen atoms invade and are solid-dissolved in gaps between the individual metal clusters.例文帳に追加

水素原子が各金属クラスター間に侵入固溶した、Ni-Nb-Zr系非晶質合金またはTi-Ni-Cu系非晶質合金から成っていてもよい。 - 特許庁

To provide a method for forming patterns in an organic film including favorable copper (Cu) without leaving copper (Cu) residue or unremoved parts of a sidewall protective film.例文帳に追加

銅（Ｃｕ）残渣や側壁保護膜の除去残りを発生することなく、好適な銅（Ｃｕ）を含む有機膜のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copper alloy which has both of high strength and high electric conductivity comparatively by effectively precipitating an element solid-dissolved in a Cu mother phase.例文帳に追加

Cu母相中に固溶する元素を効果的に析出させることで、高強度と高導電率の両立を図った銅合金を提供する。 - 特許庁

A Ti-Cr-(Mo-Nb-Fe) based hydrogen storage alloy is coated with Cu and Ni in order by electroless plating, mechanical alloying or the like, and heat treatment is performed at 400 to 1,000°C to form an Ni-added layer containing a Ti-Ni intermetallic compound such as TiNi and a Cu- containing layer at the inside thereof on the surface of the alloy.例文帳に追加

Ti−Cr− (Mo−Nb−Fe) 系の水素吸蔵合金に、無電解めっきまたはメカニカルアロイング等によりCuおよびNiを順に被覆し、 400〜1000℃で熱処理して、合金表面に、TiNi等のTi−Ni金属間化合物を含むNi付加層と、その内側のCuを含む層を形成する。 - 特許庁

A surface plated layer made of an Ni layer, a Cu-Sn alloy layer and an Sn layer is formed in that order on the surface of a parent material made of Cu or a Cu alloy, with the Cu-Sn alloy layer made of a η layer (Cu_6Sn_5) of a thickness of 0.5 to 100 μm.例文帳に追加

Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ−Ｓｎ合金層及びＳｎ層からなる表面めっき層がこの順に形成され、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層はη層（Ｃｕ_６Ｓｎ_５）からなり、その厚さが０．５〜１００μｍである。 - 特許庁

Further, as substrate plating, Cu-Sn alloy plating or Cu-Sn-Zn alloy plating is applied, and moreover, in the formation of patterns with a satin surface tone, Cu satin surface plating is applied to improve the corrosion resistance thereof, and the thickness of the Pd-Cu alloy plating is reduced.例文帳に追加

また、下地メッキとしてＣｕ−Ｓｎ合金メッキ又はＣｕ−Ｓｎ−Ｚｎ合金メッキを施すと共に、梨地調の模様を形成する際にはＣｕ梨地メッキを施して耐蝕性を向上させ、Ｐｄ−Ｃｕ合金メッキの厚みの削減を可能としている。 - 特許庁

The specific surface area of Cu is increased by it that Cu and Mn are present in a state of fine particles, which is achieved by virtue of the low temperature calcination, and the surface area in contact with a gas can be maintained due to it that the Cu particle diameters are hardly caused to change by the low temperature calcination.例文帳に追加

また、低温焼成でＣｕとＭｎとが微粒子状態で存在することでＣｕの比表面積を増大すると共に、Ｃｕ粒子径はほとんど変化しないためガス接触面積を維持することができる。 - 特許庁

The Cu-material is melted in the pod and is infiltrated in pore parts of the calcination material which is formed from the W-material and the Cr-material, and a CuW alloy which contains Cr in Cu is formed.例文帳に追加

Ｃｕ材が、さや中で溶融し、Ｗ材とＣｒ材から形成される仮焼体中の気孔部に溶浸して、Ｃｕ中にＣｒを含んだＣｕＷ合金となる。 - 特許庁

The CU (Card Unit) stores the number of game balls usable in the P machines for games.例文帳に追加

ＣＵ（カードユニット）は、Ｐ台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

Cu-PLATED STEEL SHEET FOR SPRING SUPERIOR IN CONDUCTIVITY AND SPRING MATERIAL FOR ELECTRICAL CONTACT例文帳に追加

導電性に優れたばね用Ｃｕめっき鋼板および電気接点ばね材料 - 特許庁

In the precipitation strengthening type high strength steel, after aging treatment, Cu clusters having a BCC (body-centered cubic) structure with a particle diameter of ≤5 nm are precipitated in ≥5% by a volume ratio to the volume of the whole Cu.例文帳に追加

時効処理後に、粒径が５ｎｍ以下のＢＣＣ構造になるＣｕクラスターを、全Ｃｕの体積に対して、体積率で５％以上析出させる。 - 特許庁

Since the organic material has higher fluidity as compared with Cu, the level difference in the organic coating film 30 becomes smaller as compared with the (initial) level difference in the Cu layer 20.例文帳に追加

有機材料はＣｕに比較して流動性が高いので、有機塗布膜３０における段差は、Ｃｕ層２０における（初期）段差に比較して小さくなる。 - 特許庁

After that, a Cu seed layer is formed in the via hole 8 by a non-electrolytic plating method.例文帳に追加

その後、無電解めっき法によりＣｕシード層をビアホール８内に形成する。 - 特許庁

Not only the main control unit authenticates the CU communication control unit in the challenge response system, but also the CU communication control unit authenticates the main control unit in the challenge response system.例文帳に追加

メイン制御部がＣＵ通信制御部をチャレンジレスポンス方式で認証するばかりでなく、ＣＵ通信制御部がメイン制御部をチャレンジレスポンス方式で認証する。 - 特許庁

Oxidation of Cu in Cu wiring 14 can be prevented by reducing species, and Si in the SiN tin film can be heat-oxidized by such a heat treatment.例文帳に追加

このような熱処理によれば、還元種によってＣｕ配線１４中のＣｕの酸化を防止でき、かつ酸化種によってＳｉＮ薄膜１５中のＳｉを熱酸化できる。 - 特許庁

The induction absorptive material is formed of at least one oxide of metals selected from the group consisting of Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir, and Bi and a transparent substrate.例文帳に追加

Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb,Ta, W, Re, Os, Ir,およびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物と透明基板とから形成される誘導吸収材料。 - 特許庁

To obtain a method for depositing a Cu film by electroplating in which the planarity of surface does not depend on the pattern of a semiconductor substrate after a Cu plating film is buried in a wiring trench.例文帳に追加

電解メッキによるＣｕ成膜方法において、Ｃｕメッキ膜を配線溝に埋め込んだ後の表面の平坦度が、半導体基板のパターンに依存しないようにする。 - 特許庁

A seed Cu film is formed in a recess to be filled by sputtering, or the like.例文帳に追加

埋め込み対象となる凹部に、スパッタ法等によりシードＣｕ膜を形成する。 - 特許庁

Then, Sn concentration of a Cu matrix inevitably becomes high, since Sn in the Nb tube diffuses the superconductive layer in Nb_3Sn, and diffuses even toward the Cu matrix.例文帳に追加

すると、Ｎｂ管の中のＳｎはＮｂ_３Ｓｎの超電導層を拡散し、Ｃｕマトリックスの方へも拡散してくるため、必然的にはＣｕマトリックスのＳｎ濃度が高くなる。 - 特許庁

The metal is selected from specific metals such as Cu, Ag, Au, In, and Pd.例文帳に追加

金属はＣｕ，Ａｇ，Ａｕ、Ｉｎ，Ｐｄなどの特定の金属から選択される。 - 特許庁

Next, a Cu electrode layer 2 is formed in the opening 55a through plating method.例文帳に追加

次に、その開口部５５ａにめっき法によりＣｕ電極層２を形成する。 - 特許庁

RECOVERING METHOD OF Cu, Co, AND Ni FROM LEACHATE OF In CONTAINING DRAINAGE SLUDGE例文帳に追加

Ｉｎ含有排水泥の浸出液からのＣｕ、Ｃｏ及びＮｉの回収方法 - 特許庁

The Cu-Al alloy 21 has the surface in which Al concentration is controlled to 0.6 to 5%.例文帳に追加

そして、Ｃｕ−Ａｌ合金２１表面のＡｌ濃度を、０．６〜５％とする。 - 特許庁

In addition, it may contain a metal selected from a group of Cu, Ag, and Ni.例文帳に追加

更に、Ｃｕ、Ａｇ及びＮｉの群から選ばれる金属を含むことができる。 - 特許庁

Such Sn-Cu-Bi-In-P-base leadless solder has not only a melting temperature relatively lower than the existing Sn-Ag-base and Sn-Cu-Ag-base leadless solder but lessens the production of dross in soldering and therefore the thermal damage on the electronic parts is lessened and the soldering work can be smoothly carried out in soldering semiconductors and electronic products.例文帳に追加

このようなSn−Cu−Bi−In−P系無鉛半田は既存のSn−Ag系やSn−Cu−Ag系無鉛半田に比べて比較的に低い溶融温度を有しているばかりでなく半田付けの際、ドロス（dross）発生が少ないので半導体や電子製品を半田付けするとき電子部品に熱損傷を少なくし、半田付け作業を円滑に行うことが出来る。 - 特許庁

To provide a wafer storage device which is capable of preventing a Cu wiring from being corroded by an oxidizing agent contained in abrasives when wafers are stored after they are subjected to Cu-CMP (Chemical Mechanical Polish).例文帳に追加

Ｃｕ−ＣＭＰ後のウェハを保管する際に、研磨剤に含まれる酸化剤がＣｕ配線を腐食するのを防止できる保管装置を提供する。 - 特許庁

In the Sn-Cu-Ag film of the second layer, it is desirable that the content of Cu to Sn is ≥3 mass% and <20 mass%.例文帳に追加

第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜において、Ｓｎに対するＣｕの含有量が、３質量％以上、２０質量％未満であることが望ましい。 - 特許庁

In the soldering method, P of 0.001 to 0.1 percent by mass is added independently or together with Ge of 0.001 to 0.1 percent by mass to Sn-Cu of 0.1 to 3 percent by mass base lead-free solder alloy.例文帳に追加

Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁

To ensure to bury Cu in a recessed part such as a fine trench or a hole without causing voids and form Cu wiring having low resistance.例文帳に追加

微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にＣｕを埋め込むことができ、かつ低抵抗のＣｕ配線を形成すること。 - 特許庁

To provide a method of forming a Cu film in which a smooth CVD-Cu film of high quality can be formed with high adhesion to a substrate.例文帳に追加

平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

The Cu film is grown isotropically, so that the upper corner 2g of the Cu electrode layer can be made round in shape.例文帳に追加

この場合、Ｃｕ膜を等方的に成長させるので、Ｃｕ電極層の形状を上面コーナ部２ｇが丸みを有する形状とすることができる。 - 特許庁

The conversion circuit 4 comprises a 3-phase bridge circuit of first - sixth main switches S_1-S_6 and first - sixth capacitors Cu-Cz connected in parallel to the first - sixth switches S_1-S_6.例文帳に追加

変換回路4を第1〜第6の主スイッチS1〜S6の3相ブリッジ回路と、第1〜第6のスイッチS1〜S6に並列接続した第1〜第6のコンデンサCu〜Czとで構成する。 - 特許庁

In particular, 80 to 99 wt.% cream-type lead-free solder of Sn-3%Ag-0.5% Cu, and 1 to 20 wt.% copper powder are mixed, so as to be the cream solder.例文帳に追加

特に、Sn−３％Ag−0.5％Cuのクリーム状の鉛フリー半田８０〜９９wt％と、銅粉末１〜２０wt％とを混合したクリーム半田とする。 - 特許庁

In a method of manufacturing the swash plate, a mixture of a bronze powder and a Cu-plated solid lubricant are temporarily sintered, and the temporarily sintered mass is pulverized.例文帳に追加

また本発明のスワッシュプレートの製造方法は、青銅粉末とCuメッキされた固体潤滑剤を仮焼結し、仮焼結した塊を粉砕する。 - 特許庁

To improve the junction reliability of a junction part between a Ni or Cu electrode and a junction material using Cu particles as a main agent of junction in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のＮｉ又はＣｕ電極と、Ｃｕ粒子を接合の主剤とする接合材との接合部の接合信頼性を向上すること。 - 特許庁

Further, the aluminum alloy wire may further contain 0.005-1.0 mass% in total of one or more additive elements selected from Mg, Si, Cu, Zn, Ni, Mn, Ag, Cr and Zr.例文帳に追加

更に、質量％で、Mg、Si、Cu、Zn、Ni、Mn、Ag、Cr、及びZrから選択される1種以上の添加元素を合計で0.005質量％以上1.0質量％以下含有してもよい。 - 特許庁

The Cu alloy consists of 0.05 to 0.3 wt.%, in total, of P and at least one or more elements among Fe, Ni and Co and the balance Cu with inevitable components.例文帳に追加

また、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうち少なくとも１種類以上とＰを合計で０．０５〜０．３ｗｔ％含有し、残部がＣｕと不可避成分からなる。 - 特許庁

In this case, the Cu electrode layer 2 is formed so that the upper surface 2a of the Cu electrode layer 2 is located higher at position than for the P-SiN film 55.例文帳に追加

このとき、Ｃｕ電極層２の上面２ａの位置がＰ−ＳｉＮ膜５５の上面よりも高い位置となるように、Ｃｕ電極層２を形成する。 - 特許庁

An alloy comprising Zn, Cu and at least one of Bi, Sn and Cd is heat-treated in an oxidizing atmosphere to produce zinc oxide whiskers.例文帳に追加

また、Ｚnと、Cuと、Ｂi、Sn及びＣｄのいずれか１種とを含む合金を、酸化性雰囲気中で加熱処理して酸化亜鉛のウイスカーを製造する。 - 特許庁

In the copper foil with the resin for laser beam boring, a surface layer of an alloy mainly containing Zn and Cu is formed on the surface on the laser beam irradiation side of the copper foil.例文帳に追加

銅箔のレーザ照射側の表面に、ZnとCuを主体とする合金からなる表面層が形成されているレーザ穴あけ加工用樹脂付き銅箔。 - 特許庁

A substrate 1 composed of an alloy (Cu-Ni alloy) of Ni which is a CNT forming catalyst and Cu which is a non-forming catalyst is set in a reaction tube 2.例文帳に追加

反応管２内にＣＮＴ生成触媒であるＮｉと非生成触媒であるＣｕとの合金（Ｃｕ−Ｎｉ合金）からなる基板１を設置する。 - 特許庁

In addition, the stainless steel pipe can include Nb and/or Ca, and/or Cu, and/or at least one element among Ti, Zr, B and W, and/or Al, as needed.例文帳に追加

なお、Nb、および／または、Ca、および／または、Cu、および／または、Ti、Zr、Ｂ、Ｗのうちの１種以上、および／または、Alを、必要に応じて選択して含有できる。 - 特許庁

The steel sheet may contain at most 0.50% Si, and at least 0.03%, in total, of one or more elements selected from at most 1.5% Cu and at most 1.5% Ni.例文帳に追加

Si ：0.50％以下として、さらに、Cu：1.5％以下およびNi：1.5％以下の群から選ばれる１種または２種を合計で0.03％以上含有させてもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent diffusion of Cu from a Cu interconnection to a low dielectric constant material (Low-k material) and can prevent an increase in resistance of the Cu interconnection.例文帳に追加

Ｃｕ配線から低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）絶縁膜へのＣｕの拡散を防止することができるとともに、Ｃｕ配線の抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁