「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD OF Cu-In-Ga TERNARY SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET例文帳に追加

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

A substrate 1, on which a Mo film is formed, is placed into a film-forming chamber 3, and sputterings of an In-Ga-Se target 21 and a Cu target 23 are carried out at a substrate temperature of approximately 150°C-450°C.例文帳に追加

成膜室３にMo膜が形成された基板１が入れられIn-Ga-Seターゲット21およびCuターゲット23のスパッタを、基板温度約１５０℃〜４５０℃で行う。 - 特許庁

Sn and Cu in the Cu-added solder ball bump 6 drastically react with Ni in the Ni junction layer 3 to form a diffusion suppression alloy layer 7.例文帳に追加

Ｃｕ添加ハンダボールバンプ６中のＳｎおよびＣｕとＮｉ接合層３中のＮｉとが急激に反応し拡散抑制合金層７が形成される。 - 特許庁

To prevent increase in capacitance resulted from high permittivity of a plasma silicon nitride film used for preventing a diffusion of Cu on the interconnection in the lower layer Cu.例文帳に追加

下層Ｃｕの配線上にＣｕの拡散防止のために用いているプラズマシリコン窒化膜の高誘電率に起因する配線容量の増加を防止する。 - 特許庁

Further, it may contain 0.005 to 1.0 mass% of one or more additive elements selected from Mg, Si, Cu, Zn, Ni, Mn, Ag, Cr and Zr, in percent by mass in total.例文帳に追加

更に、質量％で、Mg、Si、Cu、Zn、Ni、Mn、Ag、Cr、及びZrから選択される1種以上の添加元素を合計で0.005質量％以上1.0質量％以下含有してもよい。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING CONCENTRATION OF Pb OR Cu IN COMPOUND CONTAINING Zn例文帳に追加

Ｚｎ含有化合物中のＰｂ又はＣｕの濃度を測定する方法 - 特許庁

To provide a Cu alloy strip to be used for a connector, having small insertion force and free from the increase of the contact resistance even in use at a high temperature.例文帳に追加

挿入力が小さく、かつ、高温で使用しても接触抵抗の増大しないコネクタに使用されるCu合金条を実現する。 - 特許庁

Further, the Al alloy wire can contain addition elements of one or more kinds selected from Cu, Si, Zr and Ag by 0.005-0.2 mass% in total.例文帳に追加

更に、Cu,Si,Zr及びAgから選択される1種以上の添加元素を合計で0.005質量％〜0.2質量％含有することができる。 - 特許庁

To provide a method capable of improving the performance of a Cu/Al_2O_3 catalyst of a reduction precipitation type that is excellent in heat resistance and oxidation resistance.例文帳に追加

耐熱性や耐酸化性に優れた還元析出型のCu/Al_2O_3触媒のさらなる性能向上を可能とする方法を提示する。 - 特許庁

A trace of Co is contained in Sn-based lead-free solder alloy consisting mainly of Sn and Cu to suppress elution of Cu.例文帳に追加

Ｓｎ及びＣｕを主成分とするＳｎ基無鉛はんだ合金に、Ｃｕの溶出を抑制するために微量のＣｏを含有させた。 - 特許庁

To prevent a soldering failure from occurring between a lead frame of Cu or Cu alloy and a semiconductor element so as to improve a semiconductor device in yield.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕ合金リードフレームと半導体素子の半田付け不良を無くし、半導体装置の歩留りを向上させる。 - 特許庁

An Al pipe 20 of the inside diameter of 10 mm is disposed in the vessel 1 so as to cover the periphery of a Cu target 14 disposed on the axis of the vessel 1.例文帳に追加

容器1内には内径10mmのAlパイプ20が、この容器1の軸上に配置されたCuターゲット14周囲を覆うように配置される。 - 特許庁

On a low thermal resistance Cu or CuW heat sink 1, a Ni film layer in the range of 2-6 μm is formed by plating.例文帳に追加

熱抵抗の小さいCuまたはCuWからなるヒートシンク１上にメッキ法によりNi薄膜層を２μm以上６μm以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

The Pt-Cu base alloy is a Pt-Cu alloy having Pt:Cu=3:7 in the ratio of the number of atoms as the composition ratio.例文帳に追加

また、Ｐｔ−Ｃｕ系合金は、組成比としては原子数比でＰｔ：Ｃｕ＝３：７のＰｔ−Ｃｕ合金であることを特徴とする。 - 特許庁

Then, the semiconductor substrate 1 is heat-treated in a vacuum to remove a Cu oxide formed on the surface of the Cu interconnection 7a.例文帳に追加

次に、半導体基板１を真空中で熱処理を行い、Ｃｕ配線７ａの表面に形成されたＣｕ酸化物を除去する。 - 特許庁

In order to utilize irreversible magnetoresistive effects, a Co/Cu/NbTi/Cu magnetic multilayer film is formed and an external magnetic field is applied to this multilayer film.例文帳に追加

非可逆性をもつ磁気抵抗特性を利用するため、Ｃｏ／Ｃｕ／ＮｂＴｉ／Ｃｕ磁性多層膜を作成し、この多層膜に外部磁界を印加する。 - 特許庁

The aluminum layer 11 has an Al-Cu structure wherein at least a small amount of Cu is contained (about 0.5%) in the aluminum.例文帳に追加

ここで、アルミニウム層１１は、例えばアルミニウムに少なくともＣｕを僅か（０．５％程度）に含有させたＡｌ−Ｃｕ構造としている。 - 特許庁

To provide a Cu film forming method capable of forming a Cu film in a hole having a high aspect ratio or a groove at a speed higher than the conventional case.例文帳に追加

高アスペクト比の穴あるいは溝へ従来に比べて高速でＣｕを成膜できるＣｕ成膜方法を提供すること。 - 特許庁

The temperature within the CO2 reactor 22 is kept at about 300-700°C, and Fe being recovered as metal components from an ash fusing furnace 24 and a small quantity of Cu are blown in fused condition into it, and C, an iron oxide, and a small quantity of Cu and residual gas remain.例文帳に追加

ＣＯ_2反応器２２中の温度は300〜700℃程度に保たれており、その中には、灰溶融炉２４からメタル成分として回収されたFeと少量のCuが溶融状態で吹き込まれ、Ｃと酸化鉄と少量のCuが及び残ガスが残る。 - 特許庁

The ferrite material essentially consists of oxides having a spinel structure containing Fe as the main component and at least one of Zn, Ni and Cu, in which the proportion of oxides essentially consisting of at least one of Zn, Ni and Cu is specified to <0.01 vol.%.例文帳に追加

Feを主成分としてZn、NiまたはCuの少なくとも１種以上を含むスピネル構造の酸化物を主体とし、Zn、NiあるいはCuのうち少なくとも１種を主成分とする酸化物の含有量を0.01体積%未満としたフェライト材料とする。 - 特許庁

The surface of an n-type Si wafer 10 is made hydrophobic by hydrofluoric acid and immersed in a Cu ion aqueous solution having a work function greater than that of the semiconductor, and a Schottky barrier is formed from an Si-Cu contact of one atom level, thereby manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ｎ型Siウエーハ１０の表面をフッ化水素酸で疎水性とし、該半導体より大きな仕事関数を有するCuイオン水溶液に浸漬し、１原子レベルのSi—Cuコンタクトで形成されるショットキー障壁を形成して半導体素子を製造する。 - 特許庁

To provide: a Cu-In-Ga-Se based powder which contains Cu, In, Ga and Se and is free from occurrence of cracks during sintering or process; and a sintered body and a sputtering target, each of which uses the Cu-In-Ga-Se based powder.例文帳に追加

焼結時や加工時に割れの発生しないＣｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅを含有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系粉末、およびこれを用いた焼結体およびスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, a Cu plating thickness is made thicker than a skin depth of Cu by utilizing a skin effect, thereby suppressing the high frequency resistance component, and it is possible to die-bond in the Cu-Au-Si eutectic reaction even in the large-sized chip.例文帳に追加

また、表皮効果を利用してＣｕメッキ厚をＣｕの表皮深さよりも厚くすることで高周波抵抗成分を抑え、大きいサイズのチップであってもＣｕ−Ａｕ−Ｓｉ共晶反応でダイボンドできる。 - 特許庁

To provide an electrode structure which can reduce the thickness of a Cu electrode which does not easily generate a crack, a void, and exfoliation in the Cu electrode even if the thickness of the Cu electrode is reduced, and is high in connection strength.例文帳に追加

Ｃｕ電極の厚みを薄くすることができ、しかもＣｕ電極の厚みを薄くしてもＣｕ電極にクラックやボイド、剥がれなどが生じにくく、接合強度の高い電極構造を提供する。 - 特許庁

In the Cu infiltration step, a thin Cu plate is placed on the calcined article and maintained at a temperature of 1,100-1,200°C for 1-2 h in a heating furnace so as to induce liquid-phase sintering of Cu and its infiltration into the calcined article.例文帳に追加

Ｃｕ溶浸工程で、仮焼結体上にＣｕ薄板を配置し、加熱炉において１１００〜１２００℃の温度で１〜２時間保持することで仮焼結体中にＣｕを液相焼結させて溶侵させる。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 having the Cu wiring 10, a sectional structure of the Cu wiring 10 has side parts and a lower part in contact with a barrier metal 20, and an upper part in contact with an insulating film 30, and a the upper part of the Cu wiring 10 which comes into contact with the insulating film 30 is smaller in grain size than a center part of the Cu wiring 10.例文帳に追加

Ｃｕ配線１０を備える半導体装置１において、 Ｃｕ配線１０の断面構造は、側部及び下部をバリアメタル２０に接し、上部を絶縁膜３０に接し、絶縁膜３０に接するＣｕ配線１０の上部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の中央部のグレインサイズより小さ。 - 特許庁

The electronic parts are provided with Cu baking electrode layers 6a, 6b which make Cu a principal component; Cu plating layers 7a, 7b formed on the Cu baking electrode layers 6a, 6b, in which a recrystallization treatment is performed; and upper layer side plating layers 9a, 9b formed on the Cu plating layers 7a, 7b.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とするＣｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂと、Ｃｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂ上に形成された、再結晶化処理が施されたＣｕめっき層７ａ，７ｂと、Ｃｕめっき層７ａ，７ｂ上に形成された上層側めっき層９ａ，９ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁

The Cu etching step is performed using an etching liquid in which Ag is not dissolved.例文帳に追加

Ｃｕエッチング工程は、Ａｇを溶解しないエッチング液を用いて実施する。 - 特許庁

A natural oxide present on a Cu layer is removed in HCl solution.例文帳に追加

ＨＣｌ溶液中で、Ｃｕ層上に存在する自然酸化物を除去する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET OF CU-IN-GA-SE-BASED QUATERNARY ALLOY例文帳に追加

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

In the second layer 10b, a highly heat-conductive material 12 (Cu) is arranged for the structure.例文帳に追加

第２の層１０ｂには、良熱伝導材１２（Ｃｕ）を配置して構成する。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si-based copper alloy superior in hot workability.例文帳に追加

熱間加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金を提供する。 - 特許庁

SLURRY FOR USE IN Cu FILM CMP, POLISHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

Ｃｕ膜ＣＭＰ用スラリー、研磨方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING HIGH STRENGTH Al-Cu-Mg ALLOY EXCELLENT IN WORKABILITY例文帳に追加

加工性に優れる高強度Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系合金の製造方法 - 特許庁

Subsequently, a Cu via 9 is embedded in the via hole 8 by an electrolytic plating method.例文帳に追加

続いて、電解めっき法によりＣｕビア９をビアホール８内に埋め込む。 - 特許庁

In the second layer 10b, a right heat conduction material 12 (Cu) is arranged for the structure.例文帳に追加

第２の層１０ｂには、良熱伝導材１２（Ｃｕ）を配置して構成する。 - 特許庁

These Cu wirings 7 are respectively one formed by laminating a 15-μm thick electrolytic Cu-plated layer 11 on an electroless Cu-plated layer 9 of a thickness in the range of a thickness of 0.3 to 0.9 μm, such as a thickness of 0.7 μm.例文帳に追加

このＣｕ配線７は、厚さ０．３〜０．９μｍの範囲の例えば０．７μｍの無電解Ｃｕメッキ層９の上に、厚さ１５μｍの電解Ｃｕメッキ層１１を積層したものである。 - 特許庁

Then re-formation processing for a barrier metal layer is performed, and a Cu seed layer and a Cu plating layer are formed to form a second Cu wiring portion to be buried in the connection hole 8 and groove 9 for wiring finally.例文帳に追加

その後、バリアメタル層の再成膜処理、Ｃｕシード層及びＣｕめっき層を形成し、最終的に接続孔８及び配線用溝９内に埋め込まれる第２のＣｕ配線部を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which increase of wiring resistance due to reaction of Cu and Al, or fall of reliability of Cu wiring due to rising of Cu can be suppressed, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ＣｕとＡｌが反応することによる配線抵抗の上昇や、Ｃｕの隆起によるＣｕ配線の信頼性の低下を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To maintain stable contact resistance even in high temperature environment, by raising a barrier property against a ground base material which includes Cu or a Cu alloy and by more certainly preventing Cu from diffusing to improve heat resistance.例文帳に追加

Ｃｕ又はＣｕ合金からなる下地基材に対するバリア性を高め、Ｃｕの拡散をより確実に防止して耐熱性を向上させ、高温環境下でも安定した接触抵抗を維持する。 - 特許庁

To provide a surface roughening agent which is excellent in adhesion of the surface of Cu or a Cu alloy and a resin and can prevent an oxidation of the surface of Cu after roughened.例文帳に追加

銅又は銅合金表面と樹脂との密着性に優れた表面粗化剤を提供すること、及び粗化後の銅表面の酸化を防止することができる表面粗化剤を提供すること。 - 特許庁

The displacement Sn plating 23 is formed by displacing Cu of the second electroless Cu plating 22 with Sn, and has denseness in proportion to denseness of the second electroless Cu plating 22.例文帳に追加

置換Ｓｎめっき２３は、第２の無電解Ｃｕめっき２２のＣｕをＳｎで置換することにより形成され、第２の無電解Ｃｕめっき２２の緻密性に比例した緻密性を有して形成される。 - 特許庁

In the nano crystal soft magnetic alloy which contains Cu element and in which crystal particles having an average particle size of 50 nm or less is partially present, a Cu segregation part where Cu element is segregated on a position deeper than 2 nm or more from the surface of the alloy and the maximum value of Cu concentration on the Cu segregation part is 6 atom.% or less.例文帳に追加

Ｃｕ元素を含み平均粒径が５０ｎｍ以下の結晶粒が少なくとも一部に存在するナノ結晶軟磁性合金において、前記合金の表面から２ｎｍよりも深い位置にＣｕ元素が偏析するＣｕ偏析部が存在し、前記Ｃｕ偏析部のＣｕ濃度の最大値が６原子％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To make it possible to prevent an increase in wiring resistance caused by Cu-Al counter diffusion generated when Cu layer and Al-containing layer are connected.例文帳に追加

Ｃｕ層とＡｌ含有層とを接続する際に生じるＣｕ−Ａｌ相互拡散による配線抵抗上昇を防止できるようにする。 - 特許庁

Further, the side parts and the lower part of the Cu wiring 10 which come into contact with the barrier metal are smaller in grain size than the center part of the Cu wiring 10.例文帳に追加

さらに、バリアメタルに接するＣｕ配線１０の側部及び下部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の中央部のグレインサイズより小さい。 - 特許庁