「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The solar battery layer includes an Mo layer, a Cu(In, Ga)Se_2(CIGS) layer, a CdS layer, and a ZnO layer.例文帳に追加

太陽電池層は、Mo層と、Cu(In,Ga)Se_2（CIGS）層と、CdS層と、ZnO層とを含む。 - 特許庁

CU EVALUATING METHOD IN SILICON WAFER例文帳に追加

シリコンウェーハ中のＣｕ評価方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Cu-In LAMINATING FILM例文帳に追加

Ｃｕ—Ｉｎ積層膜の製造方法 - 特許庁

In this Cu/NbTi-based reinforced type Nb_3Sn wire 10, a Cu/NbTi-based reinforcing material layer 11 is formed in its center part in order to enhance strength of the Nb_3Sn wire being a superconductive wire.例文帳に追加

Cu/NbTi系強化型Nb_3Sn線材１０は、超電導線材であるNb_3Sn線材の強度を高めるために、中心部にCu/NbTi系強化材層１１を形成している。 - 特許庁

The sputtering target consists of a metal oxide sintered compact that contains an In element, a Cu element, and a Ga element in an atom ratio of Cu/(Cu+In+Ga)=0.001-0.09 and Ga/(Cu+In+Ga)=0.001-0.90.例文帳に追加

Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING CONCENTRATION OF Cu IN SILICON WAFER例文帳に追加

シリコンウェーハのＣｕ濃度測定方法 - 特許庁

To provide a method for specifying the Cu content of solder in a solder tank when lead-free solder containing Cu is used for a dipping method.例文帳に追加

はんだ槽を用いた浸漬法でワークのはんだ付けを行なうと、はんだ中にワークからCuが溶出してCu成分が異常に増える。 - 特許庁

First layer TaN films 8 and first layer Cu wirings 4 are formed in the grooves 7.例文帳に追加

溝７に第１層TaN膜８および第１層Cu配線４を形成する。 - 特許庁

The gold brazing filler metal for jewelry has a composition composed of, by mass, 75-77% Au, 1-7% In, 1-5% Zn, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

Auを75〜77mass%、Inを1〜7mass%、Znを1〜5mass%、残部 Cuと不可避不純物からなる宝飾用金ろう。 - 特許庁

The metal is selected from Cu, Ag, Au, In, Pd and the like.例文帳に追加

金属がＣｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｐｄ等から選択される。 - 特許庁

To increase the nuclear generating density of crystal growth in the initial stage of the growth of a Cu film in the case Cu (hfac) (atms) is used in the production of a Cu film by a Cu-CVD process.例文帳に追加

Ｃｕ−ＣＶＤプロセスによるＣｕ膜作製でＣｕ（ｈｆａｃ）（ａｔｍｓ）を用いる場合にＣｕ膜成長の初期段階で結晶成長の核発生密度を高める。 - 特許庁

Second layer Cu wirings 12, an interlayer connection Cu wiring 13 and second layer TaN films 14 are formed in the grooves 10 and the hole 11.例文帳に追加

溝１０および孔１１に第２層Cu配線１２、層間接続用Cu配線１３、第２層TaN膜１４を形成し、半導体装置を得る。 - 特許庁

Due to the effect of a part 24 where BCB was nitrided by Ti ion, no peeling of the Cu film 25 takes place during polishing or that of the Cu wiring 26 in a post process.例文帳に追加

TiイオンでBCBが窒化された部分２４の効果により、研磨中のCu膜２５の剥離や、後工程でのCu配線２６の剥離は発生しない。 - 特許庁

To obtain lead-free new Sn-Cu series solder good in heat resistance, joinability, strength and ductility by improving the conventional Sn-Cu series solder.例文帳に追加

従来のSn-Cu 系はんだ合金を改良して耐熱性，接合性，強度，延性の艮好な鉛フリーの新規なSn-Cu 系はんだ合金を得る。 - 特許庁

It is preferable that the amorphous alloy contains Mo and Nb as additional major elements, and further contains Cu in some cases.例文帳に追加

残りの主要元素としてMo、Nb、場合によりCuを含有させるとよい。 - 特許庁

This copper alloy comprises, by mass%, 1.5% or more but less than 3.0% Ag, 0.05 to 0.4% Cr or Zr, and the balance Cu with unavoidable impurities: and has Ag and Cr, or Ag and Cu-Zr intermetallic compounds precipitated in a parent phase of Cu.例文帳に追加

Ag：1.5質量%以上3.0質量%未満、Cr又はZr：0.05〜0.4質量%、残部が銅及び不可避的不純物からなり、AgとCr、又はAgとCu-Zr金属間化合物がCu母相中に析出している。 - 特許庁

Then the Cu in the Cu film 5 is diffused in the Al film 3 and, in addition, a Cu-Al eutectic state is formed in the Al film 3 through heat treatment.例文帳に追加

次に熱処理によってＣｕ膜５中のＣｕをＡｌ膜３中に拡散させ、かつＡｌ膜３中にＣｕとＡｌとの共晶状態を形成する。 - 特許庁

To prevent corrosion of a Cu wire caused in a Damascene Cu wire forming process.例文帳に追加

ダマシンＣｕ配線の形成工程で生じるＣｕ配線の腐蝕を防止する。 - 特許庁

Cu-In BASED METAL POWDER AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

Ｃｕ・Ｉｎ系金属粉体およびその製法 - 特許庁

In the expressions, C, N, Ni, Cu, Mn, Cr, Si, Al, Mo, and Ti each denote the content (mass%) of each element.例文帳に追加

γmax=420C+470N+23Ni+9Cu+7Mn-11.5Cr-11.5Si-52Al+189…式１γpot =700C+800N+10(Mn+Cu)+20Ni-9.3Si-6.2Cr-9.3Mo-74.4Ti-37.2Al+63.2…式２ここで、C、N、Ni、Cu、Mn、Cr、Si、Al、Mo、Tiは、それぞれの元素の含有量(質量%)を示す。 - 特許庁

From the concentration of Cu in the concentrated nitric acid, a Cu adhesion quantity on the test piece surface is detected.例文帳に追加

濃硝酸中のＣｕ濃度から、テストピース表面のＣｕ付着量を検出する。 - 特許庁

In the two-phase copper alloy composed by mass% of 4-10% Fe and the balance Cu with inevitable impurities and composed of Cu basal phase 2 and secondary phases 4, precipitated materials mainly containing Fe are precipitated on the Cu basal phase.例文帳に追加

質量％でFeを4％以上10％以下含有し残部Cu及び不可避的不純物からなり、Cu母相２と第二相４とからなる二相銅合金であって、Feを主体とする析出物がCu母相に析出している。 - 特許庁

In the alloy layer 8, Cu_3Sn is formed in the side of the Cu-metalized part 9, and Cu_6Sn_5 is formed in the side of the solder 7.例文帳に追加

合金層８は、Cuメタライズ９の側には、Cu_3Snが形成され、はんだ７の側には、Cu_6Sn_5が形成されている。 - 特許庁

In a later step involving a temperature rise, the Cu-plated film 12 and Cu seed layer 11 are formed into a single Cu film 13.例文帳に追加

その後の温度上昇を伴う工程によりＣｕメッキ膜１２とＣｕシード層１１は一つのＣｕ膜１３となる。 - 特許庁

In the semiconductor device having a plurality of Cu wirings, a Cu wiring 1 and Cu wiring made of a seed Cu film 11 and a plating Cu film 12 are isolated by a hydrogen silsesquioxane (HSQ) film 3, and the HSQ film 3 is provided with a Cu plug to electrically connect the Cu wiring 1 and the seed and platin Cu films 11 and 12.例文帳に追加

複数のＣｕ配線を有する半導体装置において、Ｃｕ配線１とシードＣｕ膜１１，メッキＣｕ膜１２からなるＣｕ配線とがＨＳＱ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）膜３によって分離され、ＨＳＱ膜３にはＣｕ配線１とシードＣｕ膜１１，メッキＣｕ膜１２とを電気的に接続するＣｕプラグを形成されている。 - 特許庁

A wiring involving a Cu or Cu alloy layer is heat treated in an inert gas atmosphere so that the majority of Cu or Cu alloy crystal grains form twin crystals.例文帳に追加

銅あるいは銅合金層を含む配線において、過半数の銅あるいは銅合金結晶粒が双晶を形成する様に、不活性ガス環境下で熱処理を施す。 - 特許庁

To prevent cracking which is liable to occur in a Cu-clad Al2O2 anumina substrate by a stress, which is developed in the substrate from Cu foils on both surfaces of the substrate, in the case where the thickness of the substrate is made thin for improving a heat dissipation from a packaged semiconductor element.例文帳に追加

実装した半導体素子からの放熱を良くするためにCu張りAl_2Ｏ_3基板の厚さを薄くした場合に、Cu箔からAl_2Ｏ_3板に加わる応力により発生しやすくなる亀裂を防止する。 - 特許庁

The Cu matrix in the alloy consists of an acid-soluble Cu composition which is a Cu composition dissolved in an acid solution, and an acid non-soluble Cu composition which is a Cu composition not dissolved in an acid solution, and the quantity of the acid non-soluble Cu composition is 10-1,000 ppm.例文帳に追加

そして、合金中のＣｕマトリックスを、酸性溶液に溶解するＣｕ成分である酸溶解性Ｃｕ成分と、酸性溶液に溶解しないＣｕ成分である酸非溶解性Ｃｕ成分とから成るものとし、酸非溶解性Ｃｕ成分の量を１０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍとする。 - 特許庁

DISPLAY DEVICE AND Cu ALLOY FILM FOR USE IN SAME例文帳に追加

表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING Cu CONTAMINATION IN SEMICONDUCTOR SILICON WAFER例文帳に追加

半導体シリコンウェーハ中のＣｕ汚染評価方法 - 特許庁

Pd-Cu BASED ALLOY SUPERIOR IN HYDROGEN PERMEABILITY例文帳に追加

水素透過性能に優れたＰｄ−Ｃｕ系合金 - 特許庁

CABTYRE CABLE USING Cu-Sn-In ALLOY例文帳に追加

Ｃｕ−Ｓｎ−Ｉｎ合金を使用したキャブタイヤケーブル - 特許庁

METHOD OF GETTERING Cu IMPURITY IN SILICON CRYSTAL例文帳に追加

シリコン結晶中のＣｕ不純物のゲッタリング方法 - 特許庁

The ferritic stainless steel also preferably includes one or two elements of Cu and V in a range satisfying a particular correlation expression.例文帳に追加

Cu、Vのいずれか1種または2種を特定の相関式を満たす範囲で含むことが好ましい。 - 特許庁

In the Sn-Cu based lead-free soldering alloy containing 0.1-3 mass% Cu, 0.001-0.1 mass% P is added either alone or together with 0.001-0.1 mass% Ge.例文帳に追加

Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁

Cu ions in the chemical 4 are exchanged with Al of the metal plate 5 and Cu is deposited on a surface of the metal plate 5, so that the Cu ions in the chemical are removed.例文帳に追加

薬液４中のＣｕイオンが金属板５のＡｌと交換して、Ｃｕが金属板５表面に析出し、薬液中のＣｕイオンが除去される。 - 特許庁

A stainless steel sheet in which a Cu thickened layer having a Cu to (Si+Mn) mass ratio of ≥0.5 has been formed in place of the Cu-rich phase in an outermost surface layer may be used as the base material.例文帳に追加

Ｃｕリッチ相に代え、Ｃｕ／(Ｓｉ＋Ｍｎ)の質量比が０.５以上のＣｕ濃化層を極表層に形成したステンレス鋼板を基材に使用することもできる。 - 特許庁

To solve a problem that MoS_2 and WS_2 used in a sliding material made of a Cu sintered alloy containing a solid lubricant are partially oxidized while being sintered, and graphite used in it is inferior in wettability with the Cu alloy when being sintered.例文帳に追加

固体潤滑剤が複合されたCu焼結合金からなる摺動材において、MoS_2, WS_2は焼結中に部分的に酸化され、黒鉛はなじみ焼結性が乏しい。 - 特許庁

To improve resistance to electromigration in copper (Cu) wiring.例文帳に追加

Ｃｕ配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。 - 特許庁

DISPLAY DEVICE, AND Cu ALLOY FILM FOR USE IN THE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜 - 特許庁

Cu-Si BASED COPPER ALLOY SHEET MATERIAL EXCELLENT IN MACHINABILITY例文帳に追加

被削性に優れるＣｕ−Ｓｉ系銅合金板材 - 特許庁

The Cu-In based metal powder with excellent oxidation resistance is constituted by coating the surface of Cu particles with In.例文帳に追加

Ｃｕの粒子表面をＩｎで被覆してなる耐酸化性の優れたＣｕ・Ｉｎ系金属粉体である。 - 特許庁

In the catalyst component 3, finally Cu is supported.例文帳に追加

また，触媒成分３は，Ｃｕが最後に担持されている。 - 特許庁

QUATERNARY Pb-FREE SOLDER COMPOSITION OF Sn-Ag-Cu-In例文帳に追加

錫・銀・銅・インジウムの４元系鉛フリー半田組成物 - 特許庁

The method of manufacturing the Cu alloy includes a melting step of melting Cu or a Cu alloy by adding a nitride-forming element, a bubbling step of bubbling the melt obtained in the melting step with a gas containing nitrogen, and a solidifying step of solidifying the melt.例文帳に追加

本発明Cu合金の製造方法は、CuまたはCu合金に窒化物形成元素を添加して溶融する溶融工程と、溶融工程により得られた溶湯中に窒素を含むガスをバブリングするバブリング工程と、この溶湯を凝固する凝固工程とを具える。 - 特許庁