「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

After the Cu wiring 1 is formed so as to be embedded in the surface of the interlayer insulating film 2, the reducing process is applied to the Cu wiring 1 in an atmosphere in which the total pressure of oxygen and water vapor is controlled to be less than 10^-3 Pa.例文帳に追加

層間絶縁膜２の表面にＣｕ配線１を埋込み形成した後、酸素と水蒸気の合計圧力を１０^-3Ｐａ以下に制御した雰囲気中で、Ｃｕ配線１に還元処理を施す。 - 特許庁

To provide a soldering alloy which is inexpensive and superior in soldering performance, by improving wettability of a Sn-Cu based lead-free soldering alloy which is superior in cost but inferior in wettability to Sn-Ag based lead-free soldering alloy.例文帳に追加

Sn−Ag系鉛フリーはんだ合金に比べてコスト面で優位であるが、ぬれ性の悪いSn−Cu系鉛フリーはんだ合金のぬれ性を改善して、安価ではんだ付け性の良好なはんだ合金を提供する。 - 特許庁

The trolley wire has a composition consisting of, by mass, >0.5 to 0.8% Sn, 0.0005 to 0.3%, in total, of at least one element selected from Ag, In, Sr, Ca, Mg and Zr, 0.01 to 0.05% oxygen and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

トロリー線を、Snが0.5質量％超0.8質量％以下、Ag、In、Sr、Ca、MgおよびZrから選択される少なくとも一種が総量で0.0005〜0.3質量％、酸素が0.01〜0.05質量％含有され、残部がCuと不可避不純物で構成する。 - 特許庁

A Cu-based Cu wiring member 12 accompanying the coating of a barrier metal 11 and a diffusion barrier layer formed in an upper part is buried in an interlaminar insulation film 10 (101, 102) in multilayer wiring.例文帳に追加

多層配線における層間の絶縁膜１０（１０１，１０２）中にバリアメタル１１の被覆及び上部の拡散バリア層形成を伴うＣｕを主成分としたＣｕ配線部材１２が埋め込み形成されている。 - 特許庁

The wear resistant trolley wire has a composition comprising, by mass, 0.2 to 0.5% Sn, and at least one kind selected from Ag, In, Sr, Ca and Mg by 0.0005 to 0.3% in total, and the balance Cu with inevitable impurities, and has a tensile strength of ≥430 N/mm^2.例文帳に追加

Snが0.2〜0.5質量％含有され、Ag、In、Sr、Ca、Mgから選択される少なくとも一種が総量で0.0005〜0.3質量％含有されて、残部がCuと不可避不純物で構成され、引張強さが430N/mm^2以上である。 - 特許庁

In the joining layer, an Al-Cu layer consisting substantially of Al and Cu is formed on the structure 10 side, and a mixed layer of the hard metal for cladding by welding with a metal consisting mainly of Cu is formed on the hard built-up layer 53 side.例文帳に追加

また、接合層中には、実質的にＡｌ及びＣｕよりなるＡｌ−Ｃｕ系層が構造体本体１０側に形成される一方、肉盛硬質金属とＣｕ主体の金属との混合層が硬質肉盛層５３側に形成される。 - 特許庁

In the laminated material 1, a Cu plate 2 comprising Cu or Cu alloy is joined with one side surface 4a of the ceramic plate 4, and an Al plate 3 comprising Al or Al alloy is joined with the other side surface 4a of the ceramic plate 4, each by a discharge plasma sintering method.例文帳に追加

積層材１は、セラミック板4の一方の片面4aにＣｕまたはＣｕ合金からなるＣｕ板2が、セラミック板4の他方の片面4aにＡｌまたはＡｌ合金からなるＡｌ板3が、放電プラズマ焼結法によりそれぞれ接合されている。 - 特許庁

To form an adhesion improved layer made of oxide at the interface between a Cu wire and a cap layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device, and to improve reliability of the Cu wire to migration without increasing resistance of the Cu wire.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、Ｃｕ配線とキャップ層との界面に酸化物からなる密着改善層を形成し、Ｃｕ配線の抵抗を上昇させることなく、Ｃｕ配線のマイグレーションに対する信頼性を向上させる。 - 特許庁

In this electrode wire 10 for electrically discharge machining, a coating layer 12 formed by alternately stacking Zn layers 13a, 13b and Cu-Zn alloy layers 14a, 14b on the outer periphery of a core material 11 formed of Cu or Cu alloy.例文帳に追加

本発明に係るワイヤ放電加工用電極線１０は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる心材１１の外周に、Ｚｎ層１３ａ，１３ｂとＣｕ−Ｚｎ合金層１４ａ，１４ｂとを交互に積層してなる被覆層１２を設けたものである。 - 特許庁

The composite electric wire includes the electric wire body W consisting of the center conductor CU, and an outer layer conductive wire AL which is extended along the outer peripheral face of this center conductor CU in Z direction, and arranged so as to surround this center conductor CU.例文帳に追加

複合電線は中心導線ＣＵとＺ方向にこの中心導線ＣＵの外周面に沿って延長すると共にこの中心導体ＣＵを囲むように配置される外層導線ＡＬとからなる電線本体Ｗを含んでいる。 - 特許庁

Thus, even when the Cu seed layer is made into an extremely thin film of ≤60 nm, thinning of the thickness in the plated Cu film obtained in the vicinity of the center of the semiconductor substrate can be prevented.例文帳に追加

これによって、Ｃｕシード層が６０ｎｍ以下の非常に薄膜になった場合においても、半導体基板の中心付近で得られるめっきＣｕ膜厚が薄くなることを防止できる。 - 特許庁

When the oxide colloidal particles are contained, the oxide colloidal particle containing one or more of Ti, Al, Si, Zr, Fe, Zn, Mn, Mo, Ni, Cr, Mg, and Cu are preferably contained in a range of 0.1-20% in terms of the mass concentration.例文帳に追加

酸化物コロイド粒子を含有するにあたっては、Ti、Al、Si、Zr、Fe、Zn、Mn、Mo、Ni、Cr、Mg、Cuの1種もしくは2種以上を含む酸化物コロイド粒子を、質量濃度として0.1％〜20％の範囲で含有することが好ましい。 - 特許庁

The Al-Mg-Cu alloy preferably contains Al as a main component, Mg in an amount of 0.4 to 3.0 wt.%, and Cu in an amount of 1.3 to 5.0 wt.%.例文帳に追加

前記Ａｌ−Ｍｇ−Ｃｕ合金は、Ａｌを主成分とし、０．４ｗｔ％以上３．０ｗｔ％以下のＭｇ、および、１．３ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下のＣｕを含むものであるのが好ましい。 - 特許庁

In this copper foil for a laser drilling process, a surface layer composed of either or both of an alloy essentially consisting of Sn and Cu or metallic Sn is formed on the surface on the side to be irradiated with laser in copper foil.例文帳に追加

銅箔のレーザ照射側の表面に、SnとCuを主体とする合金または金属Snの何れか若しくは両方からなる表面層が形成されているレーザ穴あけ加工用銅箔である。 - 特許庁

To provide a Cu sputtering target which can maintain self-maintenance discharge for a long time in such a manner that the state of plasma is made stable in the case a self ion sputtering process of Cu is applied.例文帳に追加

Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。 - 特許庁

This method for manufacturing the composite material, in which the Invar particles are dispersed in metallic Cu, comprises pressing the particles of Invar, the low thermal expansion material, to particulate metallic Cu, coating the Invar particles with the metallic Cu to form the composite powder 3, and sintering and rolling the composite powder.例文帳に追加

粒子状の金属Ｃｕと、低熱膨張材であるＩｎｖａｒ粒子とを押しつけ、Ｉｎｖａｒ粒子を金属Ｃｕで被覆して複合粉末３を形成し、前記複合粉末を焼結、圧延することで、金属Ｃｕに対し、Ｉｎｖａｒ粒子が分散した複合材料が得られる。 - 特許庁

To provide a Cu alloy film which can reduce the resistance of a wiring film of a flat panel display device or the like in a process temperature region, and which has heat resistance to suppress hillocks and voids caused in a Cu based film, and to provide a sputtering target material for forming the Cu alloy film.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

In the cylinder block for internal combustion engine, the plating film is formed on a cylinder inner surface of the aluminum alloy cylinder block, the plating film is formed of Ni-Cu alloy containing Cu in Ni, and the plating thickness is at least 20 μm, and the Cu component is set to be 10 to 50 wt.%.例文帳に追加

内燃機関用シリンダブロックは、アルミ合金製シリンダブロックのシリンダ内面にメッキ被膜を形成したもので、メッキ被膜をＮｉにＣｕを含めたＮｉ−Ｃｕ合金でメッキ厚さを少なくとも２０μｍにし、かつＣｕ成分を１０〜５０ｗｔ％に設定した。 - 特許庁

To provide a planar electronic display device comprising a wiring with high electric conductivity, an electrode and the like in which an element added to Cu can be preferentially reacted with oxygen contained in a gas atmosphere or a solid, which comes into contact with a Cu member, to form an oxide film which can suppress the oxidation of Cu.例文帳に追加

Ｃｕに添加する添加元素が、Ｃｕ部材と接触するガス雰囲気又は固体に含まれる酸素と優先的に反応してＣｕの酸化を抑止する酸化被膜を形成することができる高導電率の配線、電極等を備える平面電子表示装置を提供する。 - 特許庁

A composition added with a material in which Cu is contained in atomized powders of AgNi alloy is contained as a conductive component.例文帳に追加

ＡｇＮｉ合金のアトマイズ粉末にＣｕを含有する物質を添加したものを導電成分として含有する。 - 特許庁

Therefore, the surface is never oxidized even it is left in open air, and excellent adherence can be obtained in the interface of Cu/Si3N4 even when Si3N4 film formation is followed thereon.例文帳に追加

このため、その後にＳｉ_3 Ｎ_4 膜を成膜しても、Ｃｕ／Ｓｉ_3 Ｎ_4 界面の良好な密着性が得られる。 - 特許庁

In the accumulation region of the metal element, a concentration of the metal element constituting the metal film is higher than that in the Cu wiring pattern.例文帳に追加

金属元素の濃集領域では、金属膜を構成する金属元素の濃度が、銅配線パターン中よりも高い。 - 特許庁

On the third barrier metal film 8, the Cu films 9 and 10 are provided, to fill in the recessed part 5 without opening to atmosphere.例文帳に追加

第３のバリアメタル膜８上に、大気開放せずにＣｕ膜９，１０を設けて凹部５を埋め込む。 - 特許庁

The composition of the brazing filler material 16 is such that it contains 70-80 percent by weight Cu and consists of Sn in the remainder.例文帳に追加

ろう材１６の組成は、７０〜８０重量％のＣｕを含み、その残部はＳｎからなる。 - 特許庁

A TaN film 11 and a Cu film 12 are deposited sequentially on an insulating film 10 in which a trench is formed.例文帳に追加

トレンチを形成した絶縁膜１０上にＴａＮ膜１１、Ｃｕ膜１２を順次堆積する。 - 特許庁

To provide a Cu-based sintered sliding member that can be used in high-load usage environments.例文帳に追加

高負荷な使用環境下で使用可能なＣｕ基焼結摺動部材を提供することを目的とする。 - 特許庁

The chemical composition of the brazing filler metal 6 is 95.0-100 wt% CuO and Cu in total, and 0.0-5.0 wt% Ti.例文帳に追加

ＣｕＯとＣｕとの合計値：９５．０〜１００重量％ Ｔｉ：０．０〜５．０重量％ - 特許庁

The steel may contain any one or more of Cu, Ni, Cr, Mo, Nb, V, Ti, W, B, Ca and REM in only regulated amounts.例文帳に追加

鋼は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｗ，Ｂ，Ｃａ，ＲＥＭのいずれか１種又は２種以上を規定量だけ含有してもよい。 - 特許庁

From a paste of the chalcogen compound powder, a thin film containing Cu, In, Ga and Se and having a low resistance can be obtained.例文帳に追加

カルコゲン化合物粉のペーストによりＣｕ・Ｉｎ・Ｇａ・Ｓｅを含み低抵抗の薄膜を得られる。 - 特許庁

Via-holes 3 and trenches 4 are formed in a first insulation film 2, and a Cu film 5 is formed on the entire face.例文帳に追加

第１絶縁膜２中にビアホール３とトレンチ４を形成し、全面にＣｕ膜５を形成する。 - 特許庁

In the third process, a third metal film 34 composed of Cu is formed on the second metal film 36.例文帳に追加

第３工程では、その第２金属膜３６上に、Ｃｕの第３金属膜３４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a manganese oxide film which can be improved in adhesion with Cu.例文帳に追加

Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な酸化マンガン膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

A power semiconductor device is constituted in a structure that a semiconductor element substrate 2 is placed on a metal base plate 1 formed of a Cu alloy.例文帳に追加

Ｃｕ合金で形成された金属ベース板１上に、半導体素子基板２が載置されている。 - 特許庁

The high frequency semiconductor chip is secured to the frame of the 42 alloy material in which Cu plating is applied on the surface.例文帳に追加

表面にＣｕメッキを施した４２アロイ材のフレームに、高周波半導体チップを固着する。 - 特許庁

TINNED STRIP OF Cu-Zn BASED ALLOY IN WHICH GENERATION OF WHISKER IS SUPPRESSED AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ウィスカー発生を抑制したＣｕ−Ｚｎ系合金のＳｎめっき条及びその製造方法 - 特許庁

To provide a Cu-Fe series alloy in which cracking such as casting cracks and hot rolling cracks is prevented.例文帳に追加

鋳造割れや熱間圧延割れ等の割れの発生を防いだＣｕ−Ｆｅ系合金を提供する。 - 特許庁

The solder comprises Sn, Ag, and Cu, and P with a concentration in which crystallization does not occur after soldering is incorporated therein.例文帳に追加

ＳｎとＡｇとＣｕとを含み、はんだ付後に晶出が起こらない濃度のＰを含有させる。 - 特許庁

In a favorable embodiment, a Sn-plated layer is further formed on top of the Cu-Sn-plated layer.例文帳に追加

好適な態様においては、上記Ｃｕ−Ｓｎメッキ層の上にさらにＳｎメッキ層が形成されてなる。 - 特許庁

This additive increases the nuclei generating density of crystal growth in the initial stage of the formation of a Cu film.例文帳に追加

この添加剤はＣｕ膜形成の初期段階での結晶成長の核発生密度を高める。 - 特許庁

Then, a conductive film 117 made of Cu or the like is embedded in the wiring groove 114 and the hole 115.例文帳に追加

その後、配線溝１１４およびホール１１５内にＣｕなどの導電性膜１１７を埋め込む。 - 特許庁

A protrusion is generated in the Cu plating film 8 on the surface part of the wiring trench 3 where the pattern is dense.例文帳に追加

このとき、パターンの密な配線溝３の表面部分はＣｕメッキ膜８に凸部が生じる。 - 特許庁

To quantitatively evaluate a pollution condition due to Cu in an aluminum product used under a seawater environment.例文帳に追加

海水環境下で使用されるアルミ製品のＣｕによる汚染状況を定量的に評価する。 - 特許庁

BEARING MADE OF Cu BASED SINTERED ALLOY IN MOTOR TYPE FUEL PUMP AND MOTOR TYPE FUEL PUMP USING THE SAME例文帳に追加

モータ式燃料ポンプのＣｕ基焼結合金製軸受及びそれを用いたモータ式燃料ポンプ - 特許庁

In the reflection electrode layer 22 comprising the silver alloy, palladium (Pd) and copper (Cu) are added, and the oxygen (O) is contained.例文帳に追加

銀合金から成る反射電極層２２は、パラジウム（Ｐｄ）と銅（Ｃｕ）を添加し、酸素（Ｏ）を含む。 - 特許庁

To form an MIM capacitor in the same level as wiring of dual damascene Cu wiring by simplifying a process.例文帳に追加

工程を単純化し且つ、デュアルダマシンＣｕ配線の配線と同レベルにＭＩＭキャパシタを形成する。 - 特許庁