「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, the adhesive property between the base film and the Cu wiring film deposited on the base film in the succeeding film forming step is enhanced.例文帳に追加

これによって下地膜とその後の成膜で堆積する上層のＣｕ膜との密着性を高くする。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si alloy for an electronic material in which high strength and high electrical conductivity are made compatible.例文帳に追加

高強度及び高導電性を両立させた電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an Al-Cu alloy wiring which does not generate a defect in the wiring due to a short-circuit.例文帳に追加

短絡による配線欠陥が発生しないＡｌ−Ｃｕ合金配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si-Co-based alloy in which a coarse second-phase particle is inhibited from forming.例文帳に追加

粗大な第二相粒子の生成が抑制されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金を提供する。 - 特許庁

A Cr layer configuring a metallic layer 23 for a plating and a Cu plating layer 24 are connected in the opening section 22.例文帳に追加

開口部２２内では、メッキ用金属層２３を構成するＣｒ層とＣｕメッキ層２４とが接続している。 - 特許庁

In such a case, for example, nickel (Ni), copper (Cu) and tungsten (W) are preferably used as the metallic additive.例文帳に追加

この場合、金属添加物としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）を用いることが好ましい。 - 特許庁

A projecting region of a Cu plated layer 14 covering a projecting part 10 is formed in the opening region 16.例文帳に追加

開口領域１６内には、突出部１０を被覆するＣｕメッキ層１４の突出領域が形成される。 - 特許庁

To provide a Cu-Co-Si based copper alloy rolled plate excellent in press machining performance, bending machining performance and strength.例文帳に追加

プレス加工性、曲げ加工性及び強度に優れたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金圧延板を提供する。 - 特許庁

Then a Ta film 28 is formed in the via groove 27a and wiring groove 27b after the plasma irradiation, and buried with Cu.例文帳に追加

そして、プラズマ照射後のビア溝２７ａと配線溝２７ｂにＴａ膜２８を形成し、Ｃｕで埋め込む。 - 特許庁

To provide interlayer insulation without producing cohesion on Cu formed by a Damascene method in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、ダマシン法により形成したＣｕに凝集を生じさせない層間絶縁に関する。 - 特許庁

An ROM in the cable unit CU stores data for electric calibration adapted to the differential transformer LVDT.例文帳に追加

ケーブルユニット内のＲＯＭは、差動トランスＬＶＤＴに適合した電気的キャリブレーション用のデータを記憶している。 - 特許庁

The surface of a first Cu wiring 109 is exposed in a gas containing silicon to form a silicon transformation layer 110.例文帳に追加

第１Ｃｕ配線１０９の表面をシリコンを含んだガスに曝し、シリコン変質層１１０を形成する。 - 特許庁

To enhance the burying property into a recessed part provided on a substrate in the case of forming a Cu wire on the substrate.例文帳に追加

基体上にＣｕ配線を形成する際に、基体に設けられた凹部に対する埋め込み性を改善する。 - 特許庁

Coil unit fitting recesses 11 are formed in a printed circuit board 10 to match respective coil units CU.例文帳に追加

そして、そのコイルユニットＣＵに合わせて、プリント配線基板１０に各コイルユニット嵌合凹部１１を形成する。 - 特許庁

By using a conductive layer including Cu as a long lead wiring, increase in wiring resistance is suppressed.例文帳に追加

引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。 - 特許庁

The etchant contains a chelating agent, so Ni and Cu in the etchant are removed to prevent metal contamination of wafers.例文帳に追加

エッチング液はキレート剤を含むので、エッチング液中のＮｉ、Ｃｕが除去され、ウェーハの金属汚染を防げる。 - 特許庁

The concentration of Pb ions or the concentration of Cu ions in a separated liquid phase is measured by colorimetric analysis.例文帳に追加

そして、分離された液相中のＰｂイオン濃度又はＣｕイオン濃度を比色分析により測定する。 - 特許庁

Cu-Co-Si-BASED COPPER ALLOY EXCELLENT IN STRENGTH, ELECTRIC CONDUCTIVITY AND BENDING WORKABILITY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

強度、導電率及び曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金及びその製造方法 - 特許庁

Cu-Cr-Zr ALLOY EXCELLENT IN FATIGUE CHARACTERISTIC, ITS PRODUCTION METHOD AND COOLING ROLL FOR CONTINUOUS CASTING例文帳に追加

疲労特性に優れたＣｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金、その製造方法及び連続鋳造用冷却ロール - 特許庁

LEAD FRAME MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR DEVICE CONSTITUTED BY HIGH-STRENGTH Cu ALLOY SUPERIOR IN ROLLING AND BENDING CHARACTERISTICS例文帳に追加

圧延性および曲げ加工性にすぐれた高強度Ｃｕ合金で構成された半導体装置のリードフレーム材 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus capable of reducing Mn residue amount in Cu wiring.例文帳に追加

Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device, a silicon carbonitride film is formed on an insulating film having an Si-H coupling and Cu wiring.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｈ結合を有する絶縁膜およびＣｕ配線上にシリコン炭化窒化膜が被覆形成されている。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si alloy in which spring properties and solder wettability are simultaneously realized on high levels.例文帳に追加

ばね性とはんだ濡れ性とを高いレベルで同時に実現したＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金を提供する。 - 特許庁

An insulating resin layer R which covers a wiring layer 7 consisting of Cu and a metal post 8 is also formed in a first trench.例文帳に追加

Ｃｕより成る配線層７、メタルポスト８を被覆する絶縁樹脂層Ｒを第１の溝にも形成する。 - 特許庁

The Cu alloy film 8 contains 0.3-2.0 atom% of one kind or more metals of Sn, In, and Ga.例文帳に追加

Ｃｕ合金膜８は、０．３〜２．０原子％のＳｎ、Ｉｎ、Ｇａの金属のうち１種以上を含有する。 - 特許庁

Cu-Fe-P SYSTEM COPPER ALLOY STRIP MATERIAL FOR ELECTRONIC APPARATUS EXCELLENT IN SURFACE ROUGHENING PROPERTY AND RESIN ADHESION PROPERTY例文帳に追加

表面粗化性及び樹脂密着性に優れた電子機器用Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金条材 - 特許庁

The allowable range of a change rate in the inclination (change quantity) of a graph on input/output characteristics is expressed by a segment C=[cL, cU].例文帳に追加

入出力特性のグラフの傾き（変化量）の変化率の許容範囲を、区間Ｃ＝［ｃ^L，ｃ^U］にて表す。 - 特許庁

The ratio of the Cu fibers contained in the fabric to the whole fabric is made 5-50 mass%.例文帳に追加

また、織布に含まれるＣｕ繊維の比率が織布全体の５質量％以上５０質量％以下とする。 - 特許庁

The quartz glass has Cu concentration of ≤0.01 ppm at the depth of 5 mm from the exposed surface when exposed to Cu oxide vapor at 1,050°C for four hours under the atmosphere, contains ≤0.2 ppm in total of Li and Na and <0.1 ppm each of Li, Na, K, Mg, Ca and Cu.例文帳に追加

１０５０℃、大気圧下で４時間、酸化銅蒸気に曝露させた時に、曝露表面から５ｍｍの深さにおけるＣｕの濃度が０．０１ｐｐｍ以下であり、ＬｉとＮａの含有量を総量で０．２ｐｐｍ以下、Ｋ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｃｕの含有量を各々０．１ｐｐｍ未満の石英ガラス。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing wiring that suppresses an increase in resistance of a Cu wiring pattern due to diffusion of Mn when a Cu-Mn alloy is combined with a bimetal film to make a self-repair of a defect and improve adhesiveness during formation of a Cu wiring structure by a damascene method.例文帳に追加

ダマシン法によるＣｕ配線構造の形成において、Ｃｕ−Ｍｎ合金をバリアメタル膜に組み合わせて欠陥の自己修復および密着性の向上を図る際に、Ｍｎの拡散によるＣｕ配線パターンの抵抗増加を抑制する配線の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a powdery mixture for producing a W-Cu-Ni alloy containing W-Cu composite powder and nickel powder, the W-Cu composite powder contains individual particles having a tungsten phase whose inside is substantially charged with a copper phase and the copper phase.例文帳に追加

Ｗ−Ｃｕ複合物粉末及びニッケル粉末を含有するＷ−Ｃｕ−Ｎｉ合金を作るための粉末混合物であって、Ｗ−Ｃｕ複合物粉末は、実質的に銅相を内部に封入してなるタングステン相及び該銅相を有する個々の粒子を含有する粉末混合物。 - 特許庁

The Ag thin-film layer 15 contributes to improvement of connection strength between the Cu wiring layer 11 and the Ag connection layer 14 in forming the Cu wiring layer 11 by non-electrolytic plating, and formation of the Cu wiring layer 11 having a sufficient thickness on the ceramic layer 12.例文帳に追加

こうしたＡｇ薄膜層１５は、無電解メッキによるＣｕ配線層１１形成時において、Ｃｕ配線層１１とＡｇ接続層１４との接続強度を高め、またセラミック層１２上に十分な厚みのＣｕ配線層１１を形成することに寄与する。 - 特許庁

To provide a Cu wiring film forming method which can improve, using a simple structure and a simple process, the adhesiveness between a diffusion barrier base film and a Cu wiring film, when Cu wiring is used in a semiconductor device, and can realize low manufacturing cost and improved production efficiency.例文帳に追加

半導体デバイスでＣｕ配線を用いる場合に、拡散バリア用下地膜とＣｕ配線膜との密着性を、簡易な構成と簡略な工程で向上させることができ、製作コストの低下と生産効率の向上を実現できるＣｕ配線膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The metal plated film, wherein a seed layer and a Cu plating layer are successively provided at least on the one side of a resin film base material, is constituted of a laminated plating layer having a multilayered structure formed by combining a plurality of sets of Cu plating layers in a state that each of the Cu plating layers and an In plating layer are set to one set.例文帳に追加

樹脂フィルム基材の少なくとも片面に、シード層、Ｃｕめっき層を順次設けた金属めっきフィルムにおいて、前記Ｃｕめっき層を、Ｃｕめっき層およびＩｎめっき層を一組として、これを複数組組み合わせて形成した多層構造の積層めっき層で構成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an etching agent capable of etching a Cu film by an easy chemical etching method being a dipping method by rest process in the case that a Cu film of low resistance is used as a wiring material, small in the secular change of the etching grade and capable of preventing the occurrence of a pattern thinning phenomenon caused by the dispersion of the side etching amount of the Cu film.例文帳に追加

低抵抗のＣｕ膜を配線材料として用いる場合に、静止による浸漬法という簡易なケミカルエッチング法でＣｕ膜をエッチングでき、しかもエッチングレートの経時変化が少なく、Ｃｕ膜のサイドエッチング量のバラツキに起因するパターン細り現象が生じるのを防止できるエッチング剤の提供。 - 特許庁

To provide a method for substrate treatment which obtains successful connection between lower layer Cu wiring and upper layer Cu wiring in a damascene method by simultaneously carrying out reduction treatment to an oxidized Cu exposure surface and degassing an SOD film by the same process in spite of reducing wiring resistance by using the SOD film.例文帳に追加

本実施形態の基板処理方法によれば、ＳＯＤ膜を用いて配線抵抗の低減化を図るも、酸化したＣｕ露出表面の還元処理及び当該ＳＯＤ膜の脱ガスを同一工程で同時に実行し、ダマシン法における下層Ｃｕ配線と上層Ｃｕ配線との間の良好な接続を実現する。 - 特許庁

In an electronic apparatus 100, when voices uttered by a plurality of users CU are input in a plurality of microphones 121, 122, a speech recognition unit 131 recognizes the voices uttered by the users CU from the input results, and a speech determination unit 132 individually determines requests of the plurality of users CU from the recognized voices.例文帳に追加

電子機器１００では、複数の利用者ＣＵが発声した音声が複数のマイクロフォン１２１，１２２に入力されると、その入力結果から利用者ＣＵが発声した音声を音声認識部１３１が認識し、認識された音声から複数の利用者ＣＵの要求を音声判定部１３２が個々に判定する。 - 特許庁

The wafer W is put in a chamber 1, and Cu(hfac)(TMVS) being a monovalent Cuβ diketone complex and a reducing agent, such as ammonia, a reducing Si compound, and carboxylic acid, reducing the Cu(hfac)(TMVS) are introduced into the chamber 1 in a vapor-phase state to form the Cu film on the wafer W by a CVD method.例文帳に追加

チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内に１価Ｃｕβジケトン錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳと、これを還元するアンモニア、還元性Ｓｉ化合物、カルボン酸などの還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target for obtaining a base film or the like excellent in close contact with a glass substrate and an Si film, having a high diffusion barrier property in Si and Cu, hardly generating blistering of a film and film separation even when exposed to a hydrogen plasma atmosphere, and to provide a method of manufacturing a Cu wiring film of a semiconductor device.例文帳に追加

ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this catalyst containing Mo, V, P, and Cu as essential active ingredients, as a Cu material for preparation of the catalyst, copper acetate is used in the whole or a part of the necessary amount of the Cu material.例文帳に追加

本発明はＭｏ、Ｖ、Ｐ及びＣｕを必須の活性成分とする触媒において、該触媒の調製用Ｃｕ原料として、その必要量の全部又は一部に酢酸銅を使用したものであることを特徴とするメタクロレインの気相接触酸化によるメタクリル酸製造用触媒、被覆触媒及びその製法に関する。 - 特許庁

In the high temp. trapping device 28, unreacted Cu (I) hfacTMVS contained in the exhaust gas from the treating chamber 10 is cracked, and metallic copper is trapped, and, in the low temp. trapping device 30, Cu (II) (hfac) 2 as a reaction by-product is trapped.例文帳に追加

高温トラップ装置２８では処理室１０からの排気ガスに含まれている未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが分解して金属銅がトラップされ、低温トラップ装置３０では反応副生成物のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2がトラップされる。 - 特許庁

The feature of the substrate 10 is that the metal layers 20 and 30 have Cu 26 and 32, Mo 24 and 34, and Cu 22 and 36 laminated in this order from the side of the insulating board.例文帳に追加

本発明のパワーモジュール用基板１０の特徴は、金属層２０、３０が絶縁基板側からCu２６、３２、Mo２４、３４、Cu２２、３６の順で積層された金属層２０、３０で形成されていることである。 - 特許庁

To provide a Cu-containing steel material which inhibits red shortness from occurring in the steel material due to Cu when the steel material is hot-rolled, and has a superior surface quality, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

鋼材を熱間圧延する際のＣｕに起因する鋼材の赤熱脆性の発生を抑制できる表面性状の優れたＣｕ含有鋼材およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a rare-earth sintered magnet with which residual magnetic flux density is more improved than the case adding Al or Cu while displaying the same coercive force as the coercive force in the case of adding Al or Cu.例文帳に追加

ＡｌやＣｕを添加された場合の保磁力と同等の保磁力を発揮しつつ、ＡｌやＣｕを添加された場合よりも残留磁束密度を向上した希土類焼結磁石を提供する。 - 特許庁

In the conductive paste material 4 having a base resin 5 and Cu particles 6 as a filler 8, an object wherein a Sn coating layer 7 is formed on the surface of Cu particle 6 is used as filler 8.例文帳に追加

ベース樹脂５と、フィラー８としてのＣｕ粒子６を有する導電性ペースト材料４において、フィラー８として、Ｃｕ粒子６の表面にＳｎコーティング層７を形成したものを用いる。 - 特許庁