「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a copper-based sliding material in which coarsening of a Bi phase in a Cu alloy layer produced by a continuous sintering process is suppressed, and which has excellent fatigue resistance.例文帳に追加

連続焼結法にて作製されるＣｕ合金層中のＢｉ相の粗大化を抑制し、耐疲労性に優れた銅系摺動材料を提供する。 - 特許庁

In the method for producing metallic microspheres, Cu droplets are subjected to spherical solidification in an atmosphere comprising 10 to 800 vol.ppm oxygen, and the balance inert gas.例文帳に追加

本発明は、Ｃｕ液滴を、酸素：１０〜８００体積ｐｐｍ、残部不活性ガス雰囲気で球状凝固させる金属微小球の製造方法である。 - 特許庁

A void 26 is formed in a wiring groove in which Cu wiring 31 constituting the lower-layer wiring is buried by partially removing the upper part of the wiring 31.例文帳に追加

下層配線層であるＣｕ配線３１の上部の一部を除去し、Ｃｕ配線３１が埋め込まれた配線溝内に空隙２６を形成する。 - 特許庁

The Cu wiring is brought into contact with the second layer insulating film 202 in an upper end portion thereof and covered with the barrier metal film 203 in a lower portion thereof.例文帳に追加

Ｃｕ配線は、第２の層間絶縁膜２０２とその上端部において接し、これよりも下部においてはバリアメタル膜２０３により覆われている。 - 特許庁

To provide an array substrate which has a narrowed frame area and is excellent in reliability of wiring by suppressing the occurrence of voids in a Cu plating layer.例文帳に追加

Ｃｕメッキ層におけるボイドの発生を抑制することにより、額縁領域が狭小化され、且つ配線の信頼性に優れたアレイ基板を提供する。 - 特許庁

In the aluminum foil for a printed circuit, in order to reduce the electric potential of the matrix functioned as anode site, the content of Cu is regulated to be ≤0.01 mass%.例文帳に追加

そこで本発明は、アノードサイトとして機能するマトリックスの電位を下げるために、Ｃｕの含有量を０．０１質量％以下に規制する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor substrate low in contact resistivity and excelling in adhesiveness even when a Cu-based alloy wiring film is directly connected to a semiconductor layer.例文帳に追加

Ｃｕ系合金配線膜を半導体層と直接接続しても接触抵抗率が低く、かつ密着性に優れた薄膜トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a plating method which can deposit Cu in a recess without depending on a kind of a semiconductor device and the surface area of each wiring layer in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の品種や半導体装置内の各配線層の表面積に依存性せず凹部にＣｕを埋め込むことを目的とする。 - 特許庁

By the pinning action of the fine (Cu, Mn) S grains, the growth of γ grains in HAZ in superhigh heat input welding is suppressed, and its HAZ toughness is improved.例文帳に追加

微細な（Ｃｕ，Ｍｎ）Ｓ粒子のピン止め作用により超大入熱溶接ＨＡＺのγ粒成長を抑制し、ＨＡＺ靭性を向上させる。 - 特許庁

To provide a deposition method and a deposition apparatus of a cobalt film having low solubility into a plating liquid and excellent in barrier property against Cu diffusion in a single film.例文帳に追加

めっき液への溶解性が低く、かつ単膜でＣｕ拡散のバリア性にも優れたコバルト膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

One or more metals selected out of Cu, Al, Ag, Au, and Sn are used as the soft metal 10, and the soft metal 10 is low in deformation resistance and excellent in thermal conductivity.例文帳に追加

軟質金属としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎから成る１種類以上の金属であり、変形抵抗が低い上に熱伝導性も優れている。 - 特許庁

To prevent the generation of wiring short-circuit due to a bridge between wirings which consist of copper (Cu), even in a semiconductor circuit device in which fine wiring is made.例文帳に追加

配線が微細化された半導体回路装置でも、銅（Ｃｕ）からなる配線間ブリッジ等による配線ショートの発生を予防することを目的とする。 - 特許庁

To provide a reflow Sn-plated copper alloy material excellent in surface flatness and heat peeling resistance in a Cu-Ni-Sn-P-based copper alloy.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金において、表面平滑性および耐熱剥離性に優れたリフローＳｎめっき銅合金材料を提供する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 3, a diffusion barrier insulation film 4 and a Cu wiring 5 are layered in a plurality of layers on a Si substrate 2 in the multilayer wiring structure.例文帳に追加

Ｓｉ基板２上に、層間絶縁膜３、拡散バリア絶縁膜４、およびＣｕ配線５を複数層に積層して多層配線構造とする。 - 特許庁

To provide a method of regenerating the activity of a Cu-containing spinel catalyst which has a deterioration in activity after use in reforming of oxygen-containing hydrocarbons.例文帳に追加

酸素含有炭化水素の改質に用いた後に低下したＣｕ含有スピネル触媒の活性を再生させるための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tin-copper alloy plating bath low in current density dependency on an Sn/Cu film compositional ratio and excellent in the appearance and density of a plated film.例文帳に追加

Ｓｎ／Ｃｕ皮膜組成比に対する電流密度依存性が低く、メッキ皮膜の外観や緻密性に優れるスズ−銅合金メッキ浴を開発する。 - 特許庁

To provide a method capable of safely manufacturing In-Se alloy powder, sintered In-Se alloy, Ga-Se alloy powder, sintered Ga-Se alloy, In-Ga-Se alloy powder, sintered In-Ga-Se alloy, Cu-In-Ga-Se alloy powder, and sintered Cu-In-Ga-Se alloy.例文帳に追加

安全に製造することが可能なＩｎ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｓｅ合金焼結体、Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法を提供すること - 特許庁

The spheroidal graphite cast iron which contains 2.0 to 4.0 mass% Ni, ≤0.4 mass% Mn, and ≤0.2 mass% Cu, in which the total content of the Mn and Cu is ≤0.5 mass%, is provided.例文帳に追加

Ｎｉを２．０〜４．０質量％、Ｍｎを０．４質量％以下、Ｃｕを０．２質量％以下含み、且つ、ＭｎとＣｕの合計量が０．５質量％以下であることを特徴とする球状黒鉛鋳鉄の提供による。 - 特許庁

(2) In the method for manufacturing the thin Al-Cu joined structure, rolling is performed with the brazed member with Ag used for the insert on the joining surface of the Al member with the Cu member as a starting material.例文帳に追加

（２）Ａｌ部材とＣｕ部材との接合面にＡｇをインサート材として用いたろう付け接合部材を出発素材として、圧延加工を施すことを特徴とする薄型Ａｌ−Ｃｕ接合構造物の製造方法である。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3 is formed on a Cu wiring layer 2 formed on a semiconductor substrate 1 as a lower wiring layer and a groove 5 which becomes a via hole is opened in the insulating film 3 until the Cu wiring layer 2 appears by using a resist 4 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１上に下層配線層として形成されているＣｕ配線層２上に、層間絶縁膜３を形成し、レジスト４をマスクとしてヴィアホールとなる溝５をＣｕ配線層２があらわれるまで開口する。 - 特許庁

The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Ag, Mn, Sn, Zn, Cu, Ga, Ge, Li, Mg, Si, Th, Ti, V and Zr in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Ag,Mn,Sn,Zn,Cu,Ga,Ge,Li,Mg,Si,Th,Ti,V,Zrから選択される少なくとも１種の元素を0.3〜10.0重量％の割合で含有し、 残部が主成分であるAlと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a substrate; interlayer dielectrics 51, 52 formed on the substrate; Cu wiring 1 buried in the interlayer dielectrics 51, 52; and a second barrier insulating film 4 formed on the Cu wiring 1.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された層間絶縁膜５１、５２と、層間絶縁膜５１、５２に埋め込まれたＣｕ配線１と、Ｃｕ配線１上に形成された第二のバリア絶縁膜４と、を有する。 - 特許庁

The rear side (on the side of the metallic layer 15) of this sub mount 10 is directly joined with an upper face of a heat sink 19 made of copper (Cu) with a solder material (2nd conductivity type material) made of In/Sn whose melting temperature T2 is about 117°C.例文帳に追加

このサブマウント１０の裏側（金属層１５側）は、銅(Cu)製のヒートシンク１９の上面と融点温度Ｔ２が約１１７℃のＩｎ／Ｓｎより成る半田材（第２導電性材料）１２により直接接着されている。 - 特許庁

By substituting the Cu atom site in the Cu_6Sn_5 intermetallic compound layer for Ni having an atomic radius smaller than that of Cu, the strain of the Cu_6Sn_5 intermetallic compound layer is relaxed, thus the impact resistance of the solder joint can be improved.例文帳に追加

Ｃｕ_6Ｓｎ_5金属間化合物層中のＣｕ原子サイトを、Ｃｕより原子半径の小さいＮｉで置換することにより、Ｃｕ_6Ｓｎ_5金属間化合物層の歪を緩和し、ハンダ接合部の耐衝撃性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film which can suppress deterioration in the electrical characteristics caused by electrolytic corrosion and atomic diffusion of a Cu electrode, and can achieve patterning with high precision by wet etching.例文帳に追加

Ｃｕ電極の電解腐食や原子拡散による電気的特性の劣化を抑制することができ、ウェットエッチングにより高精度のパターニングが可能なＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材を提供すること。 - 特許庁

By increasing the Zn content according to the Cu content while controlling the upper limit of the Al content, the obtained recycled magnesium alloy effectively suppresses its corrosion originating in Cu which is one of corrosion-causing elements.例文帳に追加

Ａｌ量の上限を抑制しつつＺｎ量をＣｕ量に応じて増加させたことにより、腐食原因元素の一つであるＣｕに起因したマグネシウム合金の腐食が効果的に抑制された再生マグネシウム合金が得られる。 - 特許庁

To provide a film deposition method by which the elution of Co is suppressed and a uniform Cu film having high adhesiveness is formed on a Co seed in the case when a Cu film is deposited by electrolytic plating using Co as a plating seed.例文帳に追加

Ｃｏをメッキシードとして電解メッキによるＣｕ膜を成膜する場合に、Ｃｏの溶出を抑制してＣｏシード上に均質でかつ密着性の高いＣｕ膜を形成することができる成膜方法を提供すること。 - 特許庁

After a Cu interconnection M1 is formed by Damascene process, a semiconductor substrate 1 is heat treated at about 350°C in a pressure reduced atmosphere of silane based gas thus forming a silicide layer (CuSix) 6 selectively on the surface of the Cu interconnection M1.例文帳に追加

ダマシンプロセスでＣｕ配線Ｍ_1 を形成した後、半導体基板１に減圧状態においてシラン系ガス雰囲気中で約３５０℃の熱処理を施し、Ｃｕ配線Ｍ_1 の表面に選択的にシリサイド層（ＣｕＳｉ_x ）６を形成する。 - 特許庁

In an electrode substrate 30 for a CIGS solar cell, an Mo membrane (a lower electrode layer 2) is formed on a Cu coating layer 12 having a mean thickness of 0.1 μm or more of a Cu coating steel plate 20.例文帳に追加

平均厚さ０.１μｍ以上のＣｕ被覆層１２を有するＣｕ被覆鋼板２０の、当該Ｃｕ被覆層１２上にＭｏ皮膜（下部電極層２）を形成したＣＩＧＳ太陽電池用電極基板３０が提供される。 - 特許庁

To provide a polished composition for a copper-based metal, which increases the polishing rate of copper (Cu) or a copper alloy (Cu alloy) and also enables increase in the selection ratio of polishing of the polishing composition to a copper diffusion preventing material such as tantalum.例文帳に追加

銅（Ｃｕ）または銅合金（Ｃｕ合金）の研磨速度を高めるとともに、タンタルのような銅拡散防止材料との研磨選択比を高めることが可能な銅系金属用研磨組成物を提供しようとものである。 - 特許庁

In the Cu-Sn alloy covering layer, an exposing area rate of the material surface is 3 to 75%, the average thickness is 0.1 to 3.0 μm, also, the Cu content is 20 to 70at%, and the average thickness of the Sn covering layer is 0.2 to 5.0 μm.例文帳に追加

前記Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層の材料表面露出面積率が３〜７５％、平均の厚さが０．１〜３．０μｍ、かつＣｕ含有量が２０〜７０ａｔ％、Ｓｎ被覆層の平均の厚さが０．２〜５．０μｍである。 - 特許庁

To provide an electroconductive material for connecting parts, which employs a base metal of Cu or a Cu alloy having plated multilayers formed on the surface, and keeps low contact resistance in a high-temperature atmosphere for a long time.例文帳に追加

Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に表面多層めっき層を形成した材料について、高温雰囲気下で長時間経過後も低接触抵抗を維持することができる接続部品用導電材料を得る。 - 特許庁

After the Al-Cu film 16c is formed, an AlN film 16e and a TiN film 16d are sequentially formed on the Al-Cu film 16c by executing reactive sputtering using Ti as a target in an atmosphere of N_2 +Ar.例文帳に追加

Ａｌ−Ｃｕ膜１６ｃの成膜後、Ｔｉをターゲットに用いたＮ_２＋Ａｒ雰囲気下での反応性スパッタリングを行うことで、Ａｌ−Ｃｕ膜１６ｃの上にＡｌＮ膜１６ｅ、ＴｉＮ膜１６ｄを順に成膜する。 - 特許庁

The martensitic stainless steel with excellent strength stability after cold working has a composition containing Cr and Ni or further containing C, Si, Mn, P, S, Al, N, Mo, Cu, Ti, V, Nb and Ca and also has a structure in which retained austenite is made to <1% by volume fraction.例文帳に追加

CrおよびNi、または更に、Ｃ、Si、Mn、Ｐ、Ｓ、Al、Ｎ、Mo、Cu、Ti、Ｖ、Nb、Caを含有し、かつ組織中の残留オーステナイトが体積分率で１％未満であることを特徴とする冷間加工後の強度安定性に優れたマルテンサイトステンレス鋼。 - 特許庁

When forming a BTA-Cu compound layer made of a BTA-Cu compound on the surface of a wiring layer 7 by dipping the wiring layer 7 in a BTA solution 22, voltage is applied with the wiring layer 7 as an anode.例文帳に追加

配線層７をＢＴＡ溶液２２に浸漬させ、この配線層７表面に、ＢＴＡ−Ｃｕ化合物からなるＢＴＡ−Ｃｕ化合物層を形成するにあたって、この配線層７をアノードとして電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring with which unit cost of production is reduced and device characteristics are improved by reducing steps of forming a barrier film for copper diffusion in forming copper (Cu) wiring with a dual damascene process.例文帳に追加

本発明は、デュアルダマシン(Dual Damascene)工程で銅(Cu)配線形成時、銅の拡散防止膜の製造工程を減らすことにより生産単価を減らし、デバイスの特性を改善させる金属配線形成方法の提供を目的とする - 特許庁

To solve problems of a conventional surface acoustic wave element that has had deteriorated adhesiveness between electrodes and a piezoelectric substrate and has caused a material Cu employed for the electrodes to be susceptible to oxidation when the Cu is employed for the electrodes formed on the piezoelectric substrate in order to improve the power resistance.例文帳に追加

耐電力性を向上させるため、圧電基板上に形成される電極においてＣｕを用いると、電極と圧電基板との密着性が悪く、またＣｕが酸化されやすいという問題に遭遇する。 - 特許庁

Further, the matrix part comprising a matrix phase and the hard particles preferably has a composition comprising one or more kinds of elements selected from Ni, Cr, Mo, Cu, Co, V, Mn, W, C, Si and S by 10.0 to 40.0% in total, and the balance substantially Fe.例文帳に追加

なお、基地相と前記硬質粒子を含む基地部を、Ni、Cr、Mo、Cu、Co、Ｖ、Mn、Ｗ、Ｃ、Si、Ｓのうちから選ばれた１種または２種以上を合計で10.0〜40.0％含有し、残部が実質的にFeからなる組成とすることが好ましい。 - 特許庁

To provide cleaning agent which can remove slurry particles on a surface after CMP in single damascene and dual damascene processes and which is provided with low corrosiveness with respect to the substrate of Al, Al-Cu, Cu and TiN and metal, which easily corrode.例文帳に追加

シングルダマシン及びデュアルダマシンプロセスにおけるＣＭＰ後に、表面のスラリー粒子を除去でき、且つ腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ、ＴｉＮ等の基板や金属に対する低腐食性を備えた洗浄液を提供する。 - 特許庁

The semi-hard magnetic material includes 2.0%≤Cu≤10.0% and 0.1%≤Nb≤5.0% by mass%, the balance being Fe and inevitable impurities, and has a microstructure in which Cu phase and an intermetallic compound of Fe and Nb are dispersed.例文帳に追加

質量％で、２．０≦Ｃｕ≦１０．０％と０．１≦Ｎｂ≦５．０％を含み、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、Ｃｕ相とＦｅとＮｂの金属間化合物とが分散したミクロ組織を有する半硬質磁性材料である。 - 特許庁

When the coil units CU are fitted in respective coil unit fitting recesses 11 and bonded, a plurality of coil units CU can be attached to the printed circuit board 10 easily and the manufacturing efficiency can be enhanced.例文帳に追加

そして、各コイルユニットＣＵをそれぞれのコイルユニット嵌合凹部１１に嵌め込み、接合することにより、複数のコイルユニットＣＵを簡単にプリント配線基板１０に組み付けることができ製造効率の向上を図ることができる。 - 特許庁

In the silicon-containing grain oriented electromagnetic steel sheet whose surface is provided with a ferrite film, the composition of the ferrite film satisfies Fe_2O_3: 40 to 50 mol%, MO (M is one or more selected from Mg, Ca, Mn, Co, Ni, Cu and Zn): 40 to 60 mol%, and Bi_2O_3: ≤10 mol%.例文帳に追加

表面に、フェライト被膜をそなえる含珪素方向性電磁鋼板であって、該フェライト被膜の組成が Fe_2O_3：40〜50 mol％、 ＭＯ（Ｍは、Mg，Ca，Mn，Co，Ni，CuおよびZnのうちから選んだ１種または２種以上 ：40〜60 mol％ Bi_2O_3：10 mol％以下を満足する。 - 特許庁

An SiCOH film (interlayer insulating film) 7 is provided on the Cu wiring 4 through an SiCNH film (dispersion preventive insulating film) 5 and an SiCH film (etching stopper film) 6, and Cu dual damascene wiring 15 is formed in the insulating films 5-7.例文帳に追加

Ｃｕ配線４上に、ＳｉＣＮＨ膜（拡散防止用絶縁膜）５、ＳｉＣＨ膜（エッチングストッパ膜）６を介して、ＳｉＣＯＨ膜（層間絶縁膜）７を設け、これらの絶縁膜５〜７内にＣｕデュアルダマシン配線１５を形成する。 - 特許庁

Further, the conductive layer including Cu is provided in such a manner that it does not overlap with the semiconductor layer in which a channel region of a TFT is formed, and is surrounded by insulating layers including silicon nitride to prevent Cu diffusion, and thus, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

A method for manufacturing a substrate with a Cu pattern is provided, in which the substrate with the Cu pattern is formed by treating a resin substrate with a strong alkaline aqueous solution, applying or printing a conductor ink containing copper element-containing particles to the treated resin substrate, and heating the patterned resin substrate to a temperature of 120°C or more in a gas atmosphere containing formic acid.例文帳に追加

樹脂基板を強アルカリ水溶液で処理した後、銅元素含有粒子を含む導体インクを塗布あるいは印刷により成形した後、ギ酸を含むガス雰囲気中で１２０℃以上に加熱するＣｕパターン付基板の製造方法。 - 特許庁