「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the conductive layer including Cu is provided in such a manner that it does not overlap with the oxide semiconductor layer in which a channel region of a TFT is formed, and is surrounded by insulating layers including silicon nitride to prevent Cu diffusion, and thus, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

The production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell containing Cu, at least one kind of element selected from a group of In, Ga, and Al, and Se includes a step for depositing an In-Cu alloy film by sputtering.例文帳に追加

Ｃｕと；Ｉｎ、Ｇａ、およびＡｌよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ｓｅを含む化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法であって、スパッタリングによってＩｎ−Ｃｕ合金膜を成膜する工程を含むところに特徴がある。 - 特許庁

An SUS or Fe cap-shaped member 1 having a tip shape is pressed, solid or powder Cu 11 is put in the cap-shaped member 1 with an opening part 9 directed upward, and heated to the temperature not lower than the melting point of the Cu 11 in a vacuum furnace.例文帳に追加

小手先の形状を有するＳＵＳ製又はＦｅ製のキャップ状部材１をプレス加工により形成し、このキャップ状部材１を開口部９を上にして内部に固体又は粉末のＣｕ材１１を入れ、真空炉でＣｕ材１１の融点以上まで加熱する。 - 特許庁

The battery case is constituted so that the strength of it is enhanced in such a way that a Cu-containing steel is used as the material for the battery case, nickel plated to form a plated steel plate for the battery case, the plated steel is formed in battery case by drawing or ironing, and then Cu is deposited by heating.例文帳に追加

Ｃｕを含有させた鋼を電池ケース用材料として用い、これにＮｉめっきを施した電池ケース用めっき鋼板を絞り加工や絞りしごき加工で容器に成形した後、加熱してＣｕを析出させることにより、容器の強度を高めた電池用ケースとする。 - 特許庁

The first metal component consists either of an Sn-Cu-base alloy or Sn-Cu-Sb-base alloy or formed by adding ≥1 kind of metals among Ag, In, Bi, Zn, and Ni to either thereof to regulate the melting point in the case of the first metal component alone within a range from 261 to 600°C.例文帳に追加

第１金属成分はＳｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｓｂ系合金のいずれか、もしくはこれらのうちのいずれかにＡｇ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｎｉのうちの一種以上を添加して第１金属成分単独の場合の融点を２６１℃〜６００℃の範囲内にする。 - 特許庁

In the method of manufacturing piezoelectric elements comprising piezoelectric material and electrodes provided on this material, the Cu electrode is used as electrodes and Cu electrode and piezoelectric material are bonded directly under the contact condition by holding these elements in the range of 500 to 700°C.例文帳に追加

圧電材料と該圧電材料に設けた電極とよりなる圧電素子を製造する方法であって，上記電極としてはＣｕ電極を用い，該Ｃｕ電極と上記圧電材料とを接触させた状態で５００〜７００℃の温度範囲に保持することにより両者を直接接合する。 - 特許庁

Cu wirings 46a to 46e buried in wiring grooves 40 cut in a silicon oxide film 39 are formed through a CMP method and subjected to cleaning, and then the surfaces of the silicon oxide film and the Cu wirings 46a and 46e are treated with a reducing plasma (ammonia plasma).例文帳に追加

シリコン酸化膜３９の配線溝４０に埋め込むＣｕ配線４６ａ〜４６ｅをＣＭＰを用いた研磨で形成し、ＣＭＰ後の洗浄工程を経た後に、シリコン酸化膜３９およびＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面を還元性プラズマ（アンモニアプラズマ）で処理する。 - 特許庁

To continue the smooth operation performed so far in a vertical-type scrap melting furnace and a converter, even in the case that the molten steel having ≤0.03 mass% Cu content is demanded during the time when the converter operation is performed by using a large quantity of steel scraps containing Cu as the iron-source for steel-producing.例文帳に追加

製鋼用鉄源にＣｕを含有する鋼スクラップを多量に利用して転炉操業を行っている途上で、０．０３質量％以下のＣｕ含有量の低い溶鋼の溶製要求があっても、縦型スクラップ溶解炉及び転炉のそれまでの円滑な操業を継続可能とする。 - 特許庁

In recovery processing after power interruption on the CU side, when an SQN (sequence number) transmitted from the P machine is greater by 1 than an SQN backup stored in the CU, both of the last number of game balls and the current number of game balls which are transmitted from the P machine are used to correct the number of game balls.例文帳に追加

ＣＵ側で電源断が発生した後のリカバリ処理で、Ｐ台から送信されてきたＳＱＮがＣＵでバックアップ記憶しているＳＱＮよりも１進んでいるときには、Ｐ台から送信されてきた前回玉数と現在玉数との両方を用いて遊技玉数の補正を行なう。 - 特許庁

The inner peripheral surfaces of a wiring groove 12 and a connection hole 13, which are formed in interlayer insulating films 8 and 11 are covered with oxidation preventing films, such as SiN films 14 and 19, and thereafter, a Cu film is buried in the groove 12 and the hole 13 to form a Cu dual-damascene wiring.例文帳に追加

層間絶縁膜８、１１に形成される配線溝１２および接続孔１３の内周面を酸化防止膜、例えばＳｉＮ膜１４、９により覆った後、配線溝１２および接続孔１３にＣｕを埋め込んでＣｕデュアルダマシン配線を形成する。 - 特許庁

A potential difference is given between an Al-Cu film 3 (lower electrode) and an Al-Cu film 7 (upper electrode), and electric charges are impressed to a silicon nitride film (capacitor insulating film) 5 to fill defects in impurity level, a defect level, etc., in the silicon nitride film (capacitor-insulating film) 5 with the electric charges.例文帳に追加

Ａｌ−Ｃｕ膜３（下部電極）とＡｌ−Ｃｕ膜７（上部電極）との間に電位差を与え、シリコン窒化膜（キャパシタ絶縁膜）５に電荷を注入することにより、シリコン窒化膜（キャパシタ絶縁膜）５中の不純物準位や欠陥準位等の欠陥を上記電荷により埋める。 - 特許庁

Disclosed is a method for producing a methanol by performing a reaction using a raw material gas containing hydrogen and at least either of carbon monoxide and carbon dioxide in the presence of a catalyst containing Cu, Mg, Na and Pd and alcohols in addition to an alkali metal formate.例文帳に追加

一酸化炭素、二酸化炭素のいずれか、及び水素を含む原料ガスを反応させてメタノールを製造する方法であって、アルカリ金属ギ酸塩に加えて、Cu、Mg、Na、Pdを含有する触媒、及びアルコール類の存在下に反応を行い、メタノールを得ることを特徴とするメタノールの製造方法。 - 特許庁

To improve heat conductivity and a thermal expansion coefficient in a semiconductor substrate material which is the sintered compact of the wire group of high melting point metals such as W or Mo, and highly heat conductive metal powder such as Cu or Ag, or the one for which a highly heat conductive metal is infiltrated in the sintered compact of the high melting point metal.例文帳に追加

WあるいはMoのような高融点金属のワイヤー群と、CuあるいはAgのような高熱伝導性金属粉末と焼結体、あるいは高融点金属の焼結体中に高熱伝導性金属を溶浸した半導体基板材料における熱伝導率と熱膨張係数の改善。 - 特許庁

To provide a cutting method of Cu-Ga alloy, cutting (machining) even a Cu-Ga alloy lump, for example, comparatively large in a composition ratio of Ga manufactured by melting casting, in a desired shape without crazing, cracking and chipping it.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく切断して所望の形状に切断（加工）することができるＣｕ−Ｇａ合金の切断方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate (20); first insulating films (21, 22) formed on the semiconductor substrate; the Cu wiring (25) embedded in the first insulating films; and a second insulating film (27) formed on the Cu wiring.例文帳に追加

半導体基板（２０）と、前記半導体基板上に形成された第１の絶縁膜（２１，２２）と、前記第１の絶縁膜に埋め込まれたＣｕ配線（２５）と、前記Ｃｕ配線上に形成された第２の絶縁膜（２７）を具備する半導体装置である。 - 特許庁

A lead-out electrode 2 at least in a bonding region is composed of a Cu wiring 2a which is comparatively thick and buried inside a recessed pattern 4 and a comparatively thin, Al film 2b coating the Cu wiring 2a.例文帳に追加

少なくともボンディング領域における引き出し電極２を、絶縁膜３に設けられた凹パターン４の内部に埋め込まれた相対的に厚いＣｕ配線２ａと、このＣｕ配線２ａを覆う相対的に薄いＡｌ膜２ｂとで構成する。 - 特許庁

A substance comprising Cr, either of Cu and Ag and a carbide and forming a structure where Cr with its circumference surrounded by the carbide is dispersed in a matrix formed of a carbide and containing either of Cu and Ag as a main constituent is used for an electric contact.例文帳に追加

電気接点として、Ｃｒと、ＣｕまたはＡｇのいずれか一方と、炭化物からなり、ＣｕまたはＡｇのいずれか一方を主成分としたマトリックス中に、周囲を炭化物で囲まれたＣｒが分散した組織をなすものを用いる。 - 特許庁

The aluminum die-cast product contains Si and Cu, and has such particles of an Al-Cu-based intermetallic compound in boundaries between crystal grains of Si and Al that the maximum diameter is 10 μm or less.例文帳に追加

本発明に係るアルミダイカスト製品は、ＳｉとＣｕを含有するアルミダイカスト製品であって、ＳｉとＡｌの結晶粒界に存在するＡｌ−Ｃｕ系金属間化合物の最大の粒子の直径が１０μｍ以下であることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of surely obtaining a wiring board resistant to warp in a glass-ceramic-made substrate with little diffusion of Cu into the glass-ceramic and having a Cu-metallized layer relatively densely and rigidly adhered.例文帳に追加

ガラス−セラミックからなる基板に反りが生じにくく且つ当該ガラス−セラミック中にＣｕの拡散が少ないと共に、比較的緻密で且つ強固に密着したＣｕメタライズ層を有する配線基板が確実に得られる製造方法を提供する。 - 特許庁

(where [Co], [Ni], [Cu], or [Cr] indicates respectively Co content in the steel (mass%), Ni content (mass%), Cu content (mass%), or Cr content (mass%)).例文帳に追加

［Ｃｏ］＋２．１×［Ｎｉ］＋２．８×［Ｃｕ］−２．４×［Ｃｒ］＞０ … （１） （式中、［Ｃｏ］、［Ｎｉ］、［Ｃｕ］、又は［Ｃｒ］は、それぞれ、鋼中のＣｏ含有量（質量％）、Ｎｉ含有量（質量％）、Ｃｕ含有量（質量％）、又はＣｒ含有量（質量％）を示す） - 特許庁

As a preferable alloy composition, the one comprising, by mass, 0.4 to 4.8% Ni and 0.1 to 1.2% Si, or further comprising 0.01 to 0.3% Mg, and in which the total of the above elements and an element(s) other than Cu is 0 to 3%, and the balance Cu can be exemplified.例文帳に追加

好ましい合金組成としては、質量％で、Ｎi：０.４〜４.８％、Ｓi：０.１〜１.２％であり、あるいは更にＭg：０.０１〜０.３％であり、上記元素とＣuを除く元素の合計が０〜３％、残部Ｃuからなる組成が挙げられる。 - 特許庁

The Al-Fe-Si-based alloy layer satisfies the condition (1) that the mean thickness of the Al-Fe-Si-based alloy layer is ≤15 μm, and preferably satisfies the condition (2) two layers of a phase A with high Cu concentration and a phase B with low Cu concentration coexist in the Al-Fe-Si-based alloy layer.例文帳に追加

（１）Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系合金層の平均厚さが１５μｍ以下であること （２）Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系合金層は、Ｃｕ濃度が高いＡ相とＣｕ濃度が低いＢ相の２相が混在したものであること - 特許庁

Further, in the second form of the composite material for brazing, the surface of the base material 11 is provided with a brazed layer obtained by laminating a Cu or Cu alloy layer 14 and a Ti or Ti alloy layer 13 at least layer by layer.例文帳に追加

また、本発明に係るろう付け用複合材の第２の形態は、基材１１の表面に、Ｃｕ又はＣｕ合金層１４とＴｉ又はＴｉ合金層１３を少なくとも一層づつ積層して設けてなるろう付け層を有するものである。 - 特許庁

In the electric wire conductor for the wire harness constituted of a wire material of a copper alloy, the copper alloy contains by weight ratio 2% or more and 6% or less of Sn, 10 ppm or more and less than 300 ppm of P, and 1 ppm or more and 50 ppm or less of oxygen, with the balance comprising Cu and impurities.例文帳に追加

銅合金の線材から構成されるワイヤーハーネス用電線導体であり、銅合金が、質量割合で、Snを2％以上6％以下、Pを10ppm以上300ppm未満、酸素を1ppm以上50ppm以下含有し、残部がCu及び不純物からなる。 - 特許庁

In this Au-based clad composite material obtained by cladding Au or an Au alloy on the surface of a contact base material having an Ag-Cu-Si alloy layer, an intermetallic compound Cu-Si is dispersedly precipitated into the Au or Au alloy.例文帳に追加

Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｉ合金層を有する接点基材表面に、Ａｕ又はＡｕ合金を張り合わせたＡｕ系クラッド複合材であって、Ａｕ又はＡｕ合金中に金属間化合物Ｃｕ−Ｓｉを分散析出させたものとした。 - 特許庁

The tungsten-coated copper composite powder may be pressed and sintered into W-Cu pseudoalloy articles having a homogeneous distribution of W and Cu phases without experiencing copper bleedout or it may be used in ceramic metallization for the electronics industry.例文帳に追加

タングステン被覆銅複合粉末をプレスしかつ焼結して銅ブリードアウトを経験しないでＷ相及びＣｕ相の均一な分布を有するＷ−Ｃｕプソイドアロイ品にしても或はエレクトロニクス産業用セラミック金属被覆において使用してもよい。 - 特許庁

The formate or methanol is produced by reacting the gaseous raw material consisting of carbon monoxide and hydrogen in the presence of an alcohol and the catalyst containing both of Cu and Mg.例文帳に追加

一酸化炭素と水素からなる原料ガスを反応させてギ酸エステルまたはメタノールを製造するに際し、アルコール類、及び、CuとMgを同時に含有する触媒の存在下に反応を行うことを特徴とするギ酸エステルまたはメタノールの製造方法。 - 特許庁

The high-strength and high-conductivity copper alloy has a composition containing, by mass, 7 to 20% Fe, C and S by ≤0.004% in total, and the balance substantially Cu with inevitable impurities, and is composed of a second phase including ≥70% Fe, and a Cu mother phase.例文帳に追加

質量率でＦｅを７％以上２０％以下含有し、Ｃ及びＳの総量が０．００４％以下、残部Ｃｕ及び不可避的不純物から実質的になり、Ｆｅを７０％以上含む第二相とＣｕ母相からなる。 - 特許庁

The Cu-Si based copper alloy sheet material is a copper alloy sheet material which includes 3.0-5.0 mass% of Si, 0.5-2.5 mass% of Sn, and a remainder consisting of Cu and unescapable impurities, and in which hardness of a mother phase is 110-210 Hv.例文帳に追加

Ｓｉを３．０〜５．０ｍａｓｓ％、Ｓｎを０．５〜２．５ｍａｓｓ％含有し残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる銅合金板材であって、母相の硬さが１１０〜２１０ＨｖであるＣｕ−Ｓｉ系銅合金板材。 - 特許庁

In the dielectric composition, when the compound oxide of Ca, Cu and Ti is expressed by formula (1):Ca_4-3yCu_3yTi_4O_12, it is preferable that (y) in the formula is 0.33≤y≤0.92.例文帳に追加

上記誘電体組成物は、ＣａとＣｕとＴｉの複酸化物を、式(1)： Ｃａ_4-3yＣｕ_3yＴｉ_4Ｏ_12 (1)で表したとき、式中のｙが０．３３≦ｙ≦０．９２であることが好ましい。 - 特許庁

A first groove 7 is formed in a first insulating layer 2, and a first wiring 14 made of a metal material made principally of Cu is buried in the first groove 7.例文帳に追加

第１絶縁層２に第１溝７が形成され、この第１溝７には、Ｃｕを主成分とする金属材料からなる第１配線１４が埋設されている。 - 特許庁

However, in a case of excessive drop in voltage of any of capacitors Cu, Cv and Cw, switching elements Sun, Svn and Swn are forcibly brought into an ON-state.例文帳に追加

ただし、コンデンサＣｕ，Ｃｖ，Ｃｗの中に電圧が過度に低下するものがある場合、強制的にスイッチング素子Ｓｕｎ、Ｓｖｎ，Ｓｗｎをオン状態とする。 - 特許庁

The high temperature conductive oxide film can be formed by a method in which Cu and Fe are sputter-coated, e.g., in an oxygen-containing evacuated atmosphere.例文帳に追加

この高温導電性酸化物皮膜は、例えば酸素含有減圧雰囲気下でＣｕおよびＦｅをスパッタコーティングする方法などにより形成させることができる。 - 特許庁

In this snap-engagement style connector 1 comprising a male member 10 and a female member 20, a Ni-plated layer and a Cu-Sn-plated layer are formed on a copper-based base material in that order.例文帳に追加

雄部材１０と雌部材２０からなるスナップ係合コネクタ１は、銅系母材の上にＮｉメッキ層及びＣｕ−Ｓｎメッキ層がこの順に形成されてなる。 - 特許庁

A second aluminum alloy which comprises the elements contained in the first alloy in amounts described above further comprises one or more selected from among Cu, Fe, Mn, Cr, Zr, Ti, Na an C as selective additional elements.例文帳に追加

また、第２のアルミニウム合金は、さらに選択的添加元素としてＣｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎａ、Ｃａのうちから１種以上を含有する。 - 特許庁

A wiring 3 consists of a metal such as Al and Cu and extends in x- direction, and a plurality of wirings 3 are arranged at predetermined intervals in y-direction, thereby composing a line-and-space structure.例文帳に追加

ｘ方向に延在し、ＡｌやＣｕ等の金属から成る配線３が、ｙ方向に所定間隔で複数並んで、ラインアンドスペース構造４を構成している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a Cu contact plug which is 0.1 μm or less in diameter, superior in barrier properties and adhesiveness.例文帳に追加

径が０．１μｍ以下のＣｕコンタクトプラグを有する半導体装置に関し、バリア性及び密着性に優れたＣｕコンタクトプラグを有する半導体装置を提供することである。 - 特許庁

As the brazing filler metal, a PdNiP based or PtNiP based alloy is used, and the brazing is performed in a state in which the face to be joined has previously been fitted with a thin film of metal such as Au and Cu or of an alloy thereof.例文帳に追加

ロウ材としてPdNiP系あるいはPtNiP系の合金を用い、予め接合面にはＡｕ、Ｃｕ等の金属もしくは合金薄膜を付けてろう接を行う。 - 特許庁

A plurality of minute heat transmissive parts (Cu) excelling in thermal conductivity are provided on the exterior of the surface while heat insulating materials (resin) are layered in portions other than the transmissive parts.例文帳に追加

計測プレートは流路天井面を成し、その面の外部に熱伝導性の良い伝熱部（Ｃｕ）を微小に複数設け、伝熱部以外は断熱材（樹脂）を積層する。 - 特許庁

It is preferable that the powder contains: an In-Se based compound of ≤20 mass%; and/or a Cu-In based compound of ≤20 mass%.例文帳に追加

本発明の粉末は、Ｉｎ−Ｓｅ系化合物を２０質量％以下および／またはＣｕ−Ｉｎ系化合物を２０質量％以下含有することが好ましい。 - 特許庁

To provide a tube for CO_2 heat exchanger, in which precipitation of Cu is decreased by reducing the precipitation of Mn to grain boundary in service environment, and intergranular corrosion is suppressed.例文帳に追加

ＣＯ_２熱交換器のチューブにおいて、使用環境におけるＭｎの粒界への析出を低減することでＣｕの析出を低減し、粒界腐食を抑制する。 - 特許庁

A lower groove 6 is formed in a first insulating layer 2 that consists of materials containing Si and O, and a lower electrode 7 consisting of Cu is embedded in this lower groove 6.例文帳に追加

ＳｉおよびＯを含む材料からなる第１絶縁層２に下溝６が形成され、この下溝６には、Ｃｕからなる下部電極７が埋設されている。 - 特許庁

A network control block CU changes setting of the VLAN in accordance with traffic information collected from the subscriber stations and the repeater stations in a control plane P2 using the layer 3.例文帳に追加

ネットワーク管理ブロックＣＵはレイヤ３を用いた制御プレーンＰ２で加入者局、中継局から収集したトラフィック情報に応じてＶＬＡＮの設定を変更する。 - 特許庁

Wiredrawing in the phase of the composite wire rod, which wiredraws mainly the portion of the Cu-Zn layer with a low zinc concentration, causes no degradation in the wiredrawing workability.例文帳に追加

複合線材の状態の時に伸線を行えば、伸線されるのは主に亜鉛濃度の低いＣｕ−Ｚｎ層の部分であり、伸線加工性は低下しない。 - 特許庁

In the module, an Ni layer 5 is formed on a Cu layer 4 in the electrodes 12 and 13, a surface layer 6 is formed on the layer 5.例文帳に追加

これらの下部電極１２及び上部電極１３は、Ｃｕ層４の上に、Ｎｉ層５が形成され、更にＮｉ層５の上に、表面層６が形成されて、構成されている。 - 特許庁