「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a Cu-Ga alloy sputtering target which enables the formation of a Cu-Ga sputtering film having excellent uniformity in film component composition (film uniformity), enables the reduction of occurrence of arcing during sputtering, has high strength, and rarely undergoes cracking during sputtering.例文帳に追加

膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The heat exchanger tube is characterized in that Cu or Cu alloy longitudinal plate which has metal or alloy film formed on at least one side surface, is rolled towards width direction, thereby formes into pipe configuration, and weld portion is formed by fusion connection at it's butt joint end.例文帳に追加

熱交換器用伝熱管は、少なくとも一面に金属又は合金の皮膜が形成された銅又は銅合金条材をその板幅方向に丸めて管状に成形されたものであり、その突き合わせ端部に溶融接合による溶接部が形成されている。 - 特許庁

The metal film comprises a second protective film 41 made of an Ni-Cu alloy film, a metal wiring film (Al-Nd alloy) 42 having a value of resistance lower than that of Al and forming a wiring pattern, and a first protective film 43 made of a Ni-Cu alloy film, which are laminated in the order.例文帳に追加

金属膜は、ＮｉＣｕ合金膜からなる第２保護膜４１、Ａｌよりも抵抗値が低く配線パターンとなる金属配線膜（Ａｌ−Ｎｄ合金）４２、および、ＮｉＣｕ合金膜からなる第１保護膜４３の順に積層されて構成される。 - 特許庁

In the method for manufacturing the ring from the Mn-Cu alloy material, the Mn-Cu alloy material is processed by cold forging, comprising swaging, forming, and punching so as to get a ring material, and then the ring material is processed by cold rolling to obtain the ring having a required size.例文帳に追加

Ｍｎ−Ｃｕ系合金材料からリングを製造する方法において、Ｍｎ−Ｃｕ系合金材料を据え込み、成形及び打ち抜きの冷間鍛造に供してリング素材とした後、該リング素材を冷間転造に供して所要の大きさのリングとした。 - 特許庁

In this annealing step, gas containing a simple substance of ammonia or an ammonia gas is used, and the Cu film is formed by CVD (chemical vapor deposition) after the annealing step, whereby the adhesiveness between the base film and the upper Cu film deposited by the subsequent film formation can be improved.例文帳に追加

このアニール工程ではアンモニア単体またはアンモニアガスを含むガスを用い、該アニール工程の後、前記Ｃｕ膜をＣＶＤ法により成膜することで、前記下地膜とその後の成膜で堆積する上層のＣｕ膜との密着性を高くすることができる。 - 特許庁

To provide a bearing holding an Sn alloy layer on a base with sufficient separation strength, by restraining the formation of an intermetallic compound composed of Cu-Sn, in the bearing having a sliding surface composed of the Sn alloy layer on the base composed of a Cu alloy.例文帳に追加

Ｃｕ合金からなる基台にＳｎ合金層からなる摺動面を備えた軸受において、Ｃｕ−Ｓｎからなる金属間化合物が形成されるのを抑制してＳｎ合金層が基台に充分な剥離強度を以って保持される軸受を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a wiring board 1 is provided with an electrolytic Cu plating process for dipping a board 51 having a via hole 19 opened on the surface 53 of the board 51 into an electrolytic Cu plating solution 105, allowing a current to flow into the solution 105, and forming a field via 21 in the via hole 19.例文帳に追加

配線基板１の製造方法は、基板表面５３に開口するビア孔１９を有する基板５１を電解Ｃｕメッキ液１０５中に浸漬し、電流を流してビア孔１９内にフィルドビア２１を形成する電解Ｃｕメッキ工程を備える。 - 特許庁

The resistance welded tube excellent in grooving corrosion resistance can be manufactured by using, at the time of manufacturing the resistance welded tube, a hot rolled steel plate containing ≤0.010 wt.% S and ≥0.01 wt.% Cu and applying cooling to the weld heat-affected zone after after resistance welding at ≤100°C/sec cooling rate from 1000°C down to 700°C.例文帳に追加

電縫鋼管を製造するに際し、S量を0.010wt%以下、Cu量を0.01wt%以上含む熱延鋼板を用い、電縫溶接後の溶接熱影響部を1000℃から700℃まで100℃/sec以下の冷却速度で冷却する耐溝状腐食性に優れる電縫鋼管の製造方法。 - 特許庁

Then the copper (Cu) electrode 17 is formed by electroless plating in the opening of the protection film 16 formed as a mold, so that the height of the peripheral portion of the (Cu) electrode 17 is less than that of the protection film 16 formed around it.例文帳に追加

その後、この型枠材として形成された保護膜１６の開口内に、銅（Ｃｕ）電極１７の周縁部の高さがその周囲に配される保護膜１６の高さよりも低くなる態様で、該銅（Ｃｕ）電極１７を無電解めっきにより形成する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element, in which migration hardly occurs even when an electrode polarity applied to an electrode is varied, wherein at least partial electrodes are formed from an alloy containing Ag and Cu or containing at least either Ag or Cu.例文帳に追加

少なくとも一部の電極がＡｇ、Ｃｕ、またはＡｇ及びＣｕのうちの少なくとも一方を含む合金により形成されている圧電素子であって、電極に印加される電極の極性が変化する場合にもマイグレーションが発生しにくい圧電素子を提供する。 - 特許庁

Cu powder or metal powder principally comprising Cu, borosilicate alkaline glass based frit not containing ZnO but containing at least one kind of Al_2O_3, TiO_2 and ZrO_2 at a ratio of 2-10 mol% in total, and an organic vehicle are mixed.例文帳に追加

Ｃｕ粉末又はＣｕを主成分とする金属粉末と、ＺｎＯを含有せず、Ａｌ_2Ｏ_3、ＴｉＯ_2及びＺｒＯ_2のうちの少なくとも１種を合計量で２〜１０mol％の割合で含有するホウ珪酸アルカリガラス系フリットと、有機ビヒクルとを配合する。 - 特許庁

A copper adhesive layer is deposited on a substrate by feeding a raw material gas consisting of an organic compound of copper (for example, copper hexafluoroacetylacetonate-trimethylvinylsilane [Cu(hfac)TMVS]) in a state in which steam is present in a treatment vessel with the substrate being placed therein.例文帳に追加

基板が載置された処理容器内に水蒸気が存在する状態で、銅の有機化合物（例えばＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）からなる原料ガスを供給して基板上に銅の密着層を形成する。 - 特許庁

In this superconductive electric wire, a cross sectional area ratio in the radial direction of a filament, which is formed of a Cu matrix and a superconductive material, to the superconductive wire is varied along in the axial direction of the superconductive wire.例文帳に追加

Ｃｕからなるマトリクスと超電導材からなるフィラメントとの超電導線の径方向の断面積比が、前記超電導線の軸方向に沿って変化する超電導線を提供する。 - 特許庁

The molten iron in the one vessel is kept waiting, and the molten iron obtained by melting the steel scrap containing Cu in the iron source in a scrap melting furnace 2 (named as the scrap molten iron), is tapped off to the other vessel to perform a first mixing of molten iron.例文帳に追加

その一つを待機させ、別の一つには、スクラップ溶解炉２で鉄源に含Ｃｕ鋼スクラップを溶解して得た溶銑（スクラップ溶銑と称す）を出銑して第１の合わせ湯を行う。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device which has a wide bandwidth and is excellent in rectangularity ratio in a high frequency range in which the added mass effect of an Au or Cu electrode becomes conspicuous.例文帳に追加

ＡｕあるいはＣｕ電極の付加質量効果が顕著になる高周波領域において、広い帯域幅を有し、角形比の優れた弾性表面波装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In pores in a porous sintered body of Cu-alloy or Fe-alloy, lubricant mixture comprising lubricating oil dispersed as liquid in wax, or lubricating oil gel that is thermo-reversible is filled.例文帳に追加

Ｃｕ合金系またはＦｅ合金系多孔質焼結体の気孔内に、ワックス中に潤滑油が液的に分散してなる潤滑剤混合物もしくは熱可逆的な潤滑油ゲルを充填する。 - 特許庁

In one embodiment, segragations of at least one of Cu, Ni, Co, and Mo are formed on the surface of the sheet by controlling heat history in mainly hot rolling and annealing steps in the production process for the steel sheet.例文帳に追加

さらに鋼板の製造工程における主として熱延および焼鈍工程での熱履歴を制御することにより、鋼板表面にＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏの濃化部を形成させる。 - 特許庁

In the process for etching a semiconductor substrate 4 having an N type impurity region with etchant dissolving the semiconductor substrate 4, metal ions (Cu ions) having electro-negativity higher than that of the semiconductor substrate 4 are added to the etchant 5.例文帳に追加

Ｎ型不純物領域を有する半導体基板４を、該半導体基板４を溶解するエッチング液でエッチングする方法にかかる。 - 特許庁

In addition to MgNi, at least one modifier element selected from the group consisting of Co, Mn, Al, Fe, Cu, Mo, W, Cr, V, Ti, Zr, Sn, Th, Si, Zn, Li, Cd, Na, Pb, La, Ce, Pr, Nd, Mm, Pd, Pt and Ca is contained.例文帳に追加

ＭｇＮｉの他にＣｏ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｔｈ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ｌｉ，Ｃｄ，Ｎａ，Ｐｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｍｍ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃａからなる群から選択された少なくとも１つの変性剤元素を含む。 - 特許庁

In the lap welding method for galvanized steel plates 1, Cu-base filler metal 4 as a low melting point filler metal is mixed into fused pool 7.例文帳に追加

Ｚｎめっき鋼板１の重ね溶融溶接方法において、低融点溶加材としてのＣｕ系溶加材４を溶融池７中に混入させる。 - 特許庁

To provide the interconnection structure of a semiconductor integrated circuit in which the resistance is lowered while sustaining the barrier performance of Cu diffusion preventive function.例文帳に追加

Ｃｕ拡散防止機能のバリア性を維持しつつ、より低抵抗の半導体集積回路の配線構造及び配線形成方法を提供する。 - 特許庁

The fact that the contents of Mn, Fe and Cu in the contents of aluminum alloy components for die casting remarkably influence on the corrosion resistance of the aluminum alloy has been made clear.例文帳に追加

ダイカスト用アルミニウム合金成分量の中でもＭｎ、Ｆｅ、およびＣｕ量がアルミニウム合金の耐食性に大きく影響していることが判明した。 - 特許庁

The metal material includes a padding layer formed on the surface of a base metal containing Cu of 0.7 to 3.0% in a hot tool steel material.例文帳に追加

熱間工具鋼材料に０．７〜３．０％のＣｕを含有している、金属母材の表面に肉盛り層を形成するための金属材料。 - 特許庁

The target manufactured thereby has a structure in which a CuGa alloy phase and a pure Cu phase each having an irregular shape make inroad into each other.例文帳に追加

これによって作製されたターゲットは、互いに不定形なＣｕＧａ合金相と純Ｃｕ相とが、相互に食い込み合った組織を有している。 - 特許庁

Further, the brazing filler metal preferably contains 0.001 to 0.5mass% P, or 0.01 to 5mass% in total one or more of Sb, Cu, Fe and Ni.例文帳に追加

さらに、Ｐ：０．００１〜０．５質量％を含むか、Ｓｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％含むことも好ましい。 - 特許庁

Thereafter, the substrate W is set in a third deposition unit 15 through the transfer apparatus 10 and a Cu main wiring layer is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、次に、搬送装置１０を介して第３成膜ユニット１５中に基板Ｗをセットし、バリア層上にＣｕからなる配線本体層を形成する。 - 特許庁

The steel preferably further includes one or more of Mo, Cu, and Mg, and has an average particle diameter of ferrite of 6 or more in a particle size number of JIS G 0522.例文帳に追加

Ｍｏ，Ｃｕ，Ｍｇの１種又は２種以上を更に含有すること、フェライト平均粒径がＪＩＳ Ｇ０５２２の粒度番号で６番以上が好ましい。 - 特許庁

Either one of Ag, W, Cu, or Pd is used as a base material for a contact pedestal 10, and either one of CuO, ZnO, SnO, or In_2O_3 is contained in it.例文帳に追加

接点台座１０は、Ａｇ、Ｗ、Ｃｕ、Ｐｄの何れかを基材とし、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３の何れかが含有されている。 - 特許庁

The claim item 2: an aluminum alloy sheet for emboss forming having a composition containing one or more kinds selected from 0.06 to 0.3% Cu, 0.06 to 0.3% Mn and 0.06 to 0.3% Cr in addition to the above each component.例文帳に追加

請求項２：前記各成分のほか、Ｃｕ０．０６〜０．３％、Ｍｎ０．０６〜０．３％、Ｃｒ０．０６〜０．３％のうちの１種以上を含む。 - 特許庁

To provide a multi-layer wiring forming technology which can inhibit electrochemical melting of a lower wiring Cu in a wiring forming process and has high reliability.例文帳に追加

配線形成工程における下層配線Ｃｕの電気化学的な溶解を抑制できる、信頼性の高い多層配線形成技術を提供する。 - 特許庁

By this method, increased strength and excellent platability capable of preventing abnormal precipitation of plating, in the Cu-Fe-P type copper-alloy sheet, can be combined.例文帳に追加

これによって、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板における、高強度化と、メッキの異常析出を防止する優れためっき性とを両立させる。 - 特許庁

Before forming an insulating resin layer R which coats a wiring layer 7 of Cu and a metal post 8 in a first slot, a coating material H is formed over the entire surface of a wafer.例文帳に追加

Ｃｕより成る配線層７、メタルポスト８を被覆する絶縁樹脂層Ｒを第１の溝に形成する前に、ウェハ全面に被覆材Ｈを形成する。 - 特許庁

The Cu powder has an average grain diameter of 1.0 μm-20.0 μm and is included at 5 wt.%-30 wt.% in the metal powder.例文帳に追加

また、上記Ｃｕ粉末は、平均粒径が１．０μｍ〜２０．０μｍであり、かつ上記金属粉末中に５重量％〜３０重量％含有されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target, which consists of a Cu-Ga alloy and is suppressive in occurrence of cracking, cracking or chipping, with excellent productivity.例文帳に追加

生産性よく、ヒビが入ったり、割れたり、欠けたりすることの抑制されたＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the optical modulation element 10, a Kerr rotation angle increases compared to the optical modulation element using the conventional Cu spacer and an optical modulation degree is increased.例文帳に追加

この光変調素子１０は、従来のＣｕスペーサを用いた光変調素子に比べてカー回転角が増加し、光変調度を大きくすることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target suitable for forming a barrier layer of a Cu wiring used in a semiconductor element etc., and the sputtering target.例文帳に追加

半導体素子などに用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In a second dielectric layer 118 comprised of organosiloxane, a metal barrier layer 124 comprised of TaN and a conductive metal feature part 126 comprised of Cu are formed.例文帳に追加

オルガノシロキサンからなる第２誘電体層１１８に、ＴａＮからなる金属バリア層１２４とＣｕからなる導電性金属特徴部１２６を形成する。 - 特許庁

A brazing filler material paste of Ag-Cu-Ti-TiO_2 is printed to both of the sides of an AlN substrate, and a copper plate is arranged on it and heated in vacuum to be jointed.例文帳に追加

ＡｌＮ基板の両面にＡｇ-Ｃｕ-Ｔｉ-ＴｉＯ_２のろう材ペーストを印刷し、その上に銅板を配置し真空中で加熱し接合させる。 - 特許庁

The semiconductor chips 14, 15 are each formed in an elongated shape and mounted with their long sides directed approximately perpendicularly to the drawing direction of a Cu wiring pattern 12.例文帳に追加

前記半導体チップ１４，１５を長手状とし、それらの長辺がＣｕ配線パターン１２の引出し方向と略垂直となるように実装する。 - 特許庁

A M_xV_2O_5 crystal is selectively deposited in V-based glass, where M is either of metallic elements Fe, Sb, Bi, W, Mo, Mn, Ni, Cu, Ag, alkaline metals, and alkaline earth metals, and 0<x<1.例文帳に追加

Ｖ系ガラス中に、Ｍ_xＶ_2Ｏ_5結晶（Ｍ：Ｆｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，アルカリ金属，アルカリ土類金属）のいずれかの金属元素、０＜ｘ＜１）を選択的に析出させる。 - 特許庁

In order to suppress at least migration, each wiring line principally comprises aluminium and contains Si and/or Cu.例文帳に追加

各配線は、少なくともエレクトロマイグレーション抑制のため、ＣｕまたはＣｕ及びＳｉを含有した、アルミニウムを主成分とする各配線で構成される。 - 特許庁

On the LED element 5, arranging of a lens 3 for condensing is performed, and a heat sink 4 made of Cu is formed in the rear surface side of the substrate 2.例文帳に追加

ＬＥＤ素子５の上には集光用のレンズ３が配設されており、基板２の裏面側にはＣｕから成るヒートシンク４が形成されている。 - 特許庁

According to this method, the oozing of Cu can be restrained even when the columns superposed in respective layers are deviated into horizontal direction with respect to the wiring layer.例文帳に追加

これにより、各層で積み重ねられた支柱が配線層に対して水平方向にずれた場合であっても、Ｃｕの染み出しを抑制することができる。 - 特許庁

The raw gases of the three components are (H2S/H2) gas, Ar gas containing vapor made of a Cu raw material 71 and Ar gas containing vapor made of an In raw material 81.例文帳に追加

３成分の原料ガスは、（Ｈ_2 Ｓ／Ｈ_2 ）ガスと、Ｃｕ原料７１の蒸気を含むＡｒガスと、Ｉｎ原料８１の蒸気を含むＡｒガスである。 - 特許庁

In the powder X-ray diffraction by using a Cu-Ka beam as a beam source, the crystal modification shows strong peaks at 11.22, 8.93, 6.23, 3.42 and 3.27 Å.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｋａ線を線源とした粉末Ｘ線回折において、１１．２２、８．９３、６．２３、３．４２、３．２７オングストロングに強いピークを示す結晶変態である。 - 特許庁