「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

Firstly, an H2S/H2 gas, an Ar gas containing the vapor of a raw material for Cu 71, and another Ar gas containing the vapor of a raw material for In 81 are introduced to the mixer 2.例文帳に追加

先ず、この混合器２内に、（Ｈ_2 Ｓ／Ｈ_2 ）ガス、Ｃｕ原料７１の蒸気を含むＡｒガス、Ｉｎ原料８１の蒸気を含むＡｒガスを導入する。 - 特許庁

The Cu-Ti alloy has a (111) plane crystals oriented in a direction perpendicular to the surface of the non-magnetic substrate 1 and has a pseude-hexagonal structure.例文帳に追加

そして、このＣｕ−Ｔｉ合金は、非磁性基板１の表面に対して略垂直方向に（１１１）結晶面配向するとともに擬似六方晶構造を有している。 - 特許庁

Further, desirably, the amount of Mn to be added is 0.05 to 1.20%, and the amount of Cu to be added is 0.05 to 0.20% in the extruding material.例文帳に追加

また、前記押出材は、Ｍｎの添加量が０．０５％以上１．２０％以下、Ｃｕの添加量が０．０５％以上０．２０％以下としたものが望ましい。 - 特許庁

In the wiring board 1, the metal terminal pad 10, 17 comprises a Cu plating layer 52, Ni plating layers 53 and 55, and Au plating layers 54 and 56 formed from the first major surface CP side.例文帳に追加

配線基板において、金属端子パッド１０，１７は、第一主表面ＣＰ側からＣｕメッキ層５２、Ｎｉメッキ層５３，５５及びＡｕメッキ層５４，５６を積層する。 - 特許庁

To provide a wiring material which is extremely little in diffusion of Cu and/or Ag to adjacent Si films and low gesistance and a sputtering target for forming the same.例文帳に追加

隣接するＳｉ膜へのＣｕ及び／又はＡｇの拡散が非常に少なく、かつ、低抵抗の配線材料及びそれを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid for cobalt protecting a cobalt layer in addition to a Cu layer while maintaining a favorable polishing speed and a substrate polishing method using the same.例文帳に追加

良好な研磨速度を保ちながら、Ｃｕ層を保護しつつ、コバルト層も保護するコバルト用研磨液、及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法を、提供する。 - 特許庁

At that time, it is preferred that the heavy metal is selected from among Cu, Fe, Ni, and Cr and the heavy metal is added to the polishing slurry in a concentration of 1 to 1,000 ppb.例文帳に追加

その際、重金属をＣｕ、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｒのうちから選択し、研磨スラリー中の重金属の添加量を１〜１０００ｐｐｂとすることが好ましい。 - 特許庁

In the Al-Mn alloy coating layer 2, an Al-Mn intermetallic compound is dispersed and precipitated, and elements of Al, Mn, Fe, Si, Zn, Cu, etc., are included.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｎ合金被覆層２には、Ａｌ−Ｍｎ系金属間化合物が分散析出しており、Ａｌ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｃｕ等の元素が含有されている。 - 特許庁

In a portion of an inner wall of a wiring groove T1 excepting for an upper end portion thereof, a barrier metal film is formed for preventing copper forming Cu wiring from being diffused over the layer insulating film.例文帳に追加

配線溝Ｔ１の内壁の上端部を除く部分に、Ｃｕ配線を形成する銅が層間絶縁膜へ拡散することを防止するバリアメタル膜が形成される。 - 特許庁

The wiring material for a battery pack is formed by a composite bar material of a Cu-Ag alloy bar containing Ag in the ratio of 0.005-5.0 wt.% and a Ni bar.例文帳に追加

Ａｇを０．００５〜５．０重量％の割合で含むＣｕ−Ａｇ合金条と、Ｎｉ条との複合条材で形成した電池パック用配線材である。 - 特許庁

The brazing filler metal is provided by the paste containing a mixture of the ball 1 of the metal such as Cu, Al, Au, and Ag or the metal alloy and a metal ball 2 of Sn or In.例文帳に追加

ろう材はＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属または金属合金ボール１およびＳｎまたはＩｎの金属ボール２の混合体を含むペーストで提供される。 - 特許庁

A roll body of the Cu foil 50 is loaded with its one end face 50a in contact with a surface 13c on the side opposite to the clamping 12 on the flange 13.例文帳に追加

そして、Ｃｕ箔５０のロール体は、その一方の端面５０ａがフランジ１３におけるクランピング１２とは反対側の面１３ｃに対し当接する状態に装填される。 - 特許庁

To improve the wettability to Cu and Ni in a high-temperature brazing filler metal made of a Pb-free Zn solder alloy.例文帳に追加

Ｐｂを含まないＺｎ系はんだ合金による高温ろう材において、ＣｕやＮｉに対する濡れ性を向上させたＺｎ系はんだ合金による高温ろう材を提供する。 - 特許庁

In the catalyst for purifying the volatile organic compounds, at least one of Au, Ag, and Cu, Co, and Ce are incorporated into manganese oxide.例文帳に追加

本発明の揮発性有機化合物の浄化触媒は、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕのうちの少なくとも一つとＣｏとＣｅとをＭｎ酸化物に複合化したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target material for electronic device wiring in which operation characteristics are improved by reducing the parasitic resistance of an oxide reaction layer, and to provide an element structure.例文帳に追加

酸化物反応層の寄生抵抗の低減を図り、動作特性の向上を図った電子デバイス配線用Ｃｕ合金スパッタリングターゲット材、及び素子構造を提供する。 - 特許庁

The contents of the impurity metal elements are compared as to Ca, Mn, Fe, Ni, Cr, Cu, Zn, etc., (except metal elements constituting the metal oxides in powder form).例文帳に追加

不純物金属元素の含有率はＣａ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎなど（粉体状金属酸化物の構成金属元素を除く）について比較する。 - 特許庁

The Ag alloy film for electronic parts contains, by atom, 0.1 to 0.5% Sm and Au and/or Cu by 0.1 to 1.0% in total, and the balance substantially Ag.例文帳に追加

Ｓｍを０．１〜０．５ａｔ％、Ａｕおよび／またはＣｕを合計で０．１〜１．０ａｔ％含み残部実質的にＡｇからなる電子部品用Ａｇ合金膜である。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si-Co based alloy provided with mechanical and electric properties suitable as those of a copper alloy for an electronic material, and in which the mechanical properties are uniform.例文帳に追加

電子材料用の銅合金として好適な機械的及び電気的特性を備え、機械的特性の均一なＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金を提供する。 - 特許庁

To provide a simple method for producing a high purity carbon black by efficiently removing metal components such as Fe and Cu contained in the carbon black as impurities.例文帳に追加

カーボンブラック中に不純物として含まれるＦｅ、Ｃｕなどの金属成分を効率よく除去して、精製カーボンブラックを製造する簡便な方法を提供すること。 - 特許庁

Each of the inorganic gas barrier layers contains an oxide, nitride or oxynitride of at least one metal selected from Si, Al, In, Sn, Zn, Ti, Cu, Ce and Ta.例文帳に追加

無機ガスバリア層は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｅ、又はＴａから選ばれる一種以上の金属を含む酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物を含む。 - 特許庁

At least one selected from the group comprising V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Rh and Pd is preferably incorporated in the transition metal compound.例文帳に追加

また好ましくは、遷移金属化合物は、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ及びＰｄからなる群より選択される１種以上を含む。 - 特許庁

When the excessive Cu film 28 formed on a first interlayer insulator film 22 is removed by polishing in a CMP method, the oxide film 26 is also polished and film thickness is thinned.例文帳に追加

第１層間絶縁膜２２の上に形成された余分なＣｕ膜２８をＣＭＰ法による研磨で除去するときに、酸化膜２６も研磨されて膜厚が薄くなる。 - 特許庁

It is preferable that the composition can contain, by atom, >0-7% Ta, >0-30% Ni and >0-5% of (Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+B) independently or in combination.例文帳に追加

本発明は、好ましくは７≧Ｔａ＞０ａｔ％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％および５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞０ａｔ％を、それぞれもしくは複合で含むことが可能である。 - 特許庁

To suppress deterioration in electromigration resistance and to reduce via resistance while making good use of characteristics of a barrier metal needed when, for example, Cu is used as a wiring material.例文帳に追加

配線材料に例えばＣｕを用いる場合に要求されるバリアメタルの特性を活かしながらも、エレクトロマイグレーション耐性の劣化の抑制及びビア抵抗の低減を図る。 - 特許庁

By the pinning action of the fine (Mn, Mg, Cu) S grains, the growth of γ grains in superhigh heat input welding HAZ(heat affected zone) is suppressed, and its HAZ toughness is improved.例文帳に追加

微細（Ｍｎ, Ｍｇ，Ｃｕ）Ｓ粒子のピン止め作用により超大入熱溶接ＨＡＺのγ粒成長を抑制し、ＨＡＺ靭性を向上させる。 - 特許庁

To provide a sintered article of a low loss Ni-Cu-Zn-based ferrite which is smaller in the core loss than conventional without being accompanied by the marked decrease of the saturated magnetic flux density.例文帳に追加

飽和磁束密度の顕著な減少を伴うことなく、従来よりもコアロスが小さい低損失Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトの焼成体を提供すること。 - 特許庁

Then Cu wiring 214' is formed in a plurality of grooves formed into the interlayer insulating film, so that the adjacent wires of the wiring 214' is separated from each other by the insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に設けられた複数の溝の中にＣｕ配線２１４’が配置され、層間絶縁膜により隣接するこのＣｕ配線２１４’が分離される。 - 特許庁

A fusible alloy is of a high-temperature alloy type having a melting point of 190°C or higher and the lead wire is Sn-Cu alloy plated, resulting in improved heat resistance.例文帳に追加

可溶合金として融点が１９０℃以上の高温型の合金タイプのものを用い、また、リード線もＳｎ−Ｃｕ合金メッキのものとし、耐熱性を向上させた。 - 特許庁

In the case where a joint of high reliability is required, a Cu layer is deposited under the Sn-Bi layer to provide n a connection of sufficient interface strength.例文帳に追加

更に高信頼性の継ぎ手が要求される場合には、Ｓｎ−Ｂｉ層の下にＣｕ層を施すことによって、十分な界面強度を有する接続部を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which a Cu wiring layer formed as a lower wiring layer is not oxidized and, in addition, a via hole can be opened satisfactorily.例文帳に追加

下層配線層として形成されているＣｕ配線層を酸化させず、且つ、良好にヴィアホールを開口する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where adhesion between interlayer isolations is improved with regard to an interlayer isolator film of low dielectric constant in a Cu wiring and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ｃｕ配線の低誘電率の層間絶縁膜について、層間絶縁間の密着性が向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thick steel plate may include a specified amount of C, Mn, Cu, Ni, P, S, Al and N, or further Cr, Mo, Nb, V, Ti, B, Ca, Mg and REM, in addition to Si.例文帳に追加

Ｓｉのほかに、Ｃ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓ、Ａｌ、Ｎ、あるいはさらに、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ、Ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、ＲＥＭの含有量を規定してもよい。 - 特許庁

Hypercomplex alloy of liquidus temperature of 300°C to 550°C, in which two kinds or more of other metallic elements such as Ag, Cu, Ni, Ge, Al are combined with Sn, is worked into a small diameter wire.例文帳に追加

Ｓｎに、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ａｌ等の他の金属元素の二種以上を配合した液相線温度３００℃〜５５０℃の多元合金を細線に加工した。 - 特許庁

In the chemical formulae (not shown) of the compounds A and B, each central metal atom denotes Cu or Si and a substituent is a hydroxy group, Cl, a 6-18C aryloxy group, a 1-22C alkoxy group or an electron-withdrawing group.例文帳に追加

中心金属原子は銅、Ｓｉを示し、置換基がヒドロキシ基、塩素原子、炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜２２のアルコキシ基、電子吸引基。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that reduces the amount of Mn remaining in Cu wiring while excellently forming a barrier film.例文帳に追加

バリア膜を良好に形成することができながら、Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A second barrier film 10 is formed in the inner surface of the interconnection trench 8 (the surface of the first barrier film 9, the bottom 7A of the trench 7 and the exposed surface of a first Cu interconnection 2).例文帳に追加

配線溝８の内面（第１バリア膜９の表面、トレンチ７の底面７Ａおよび第１Ｃｕ配線２の露出面）には、第２バリア膜１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a bearing made of a sintered Cu alloy for a recirculation exhaust gas flow rate control valve of an EGR (Exhaust Gas Recirculation) type internal combustion engine which exhibits excellent wear resistance in a high temperature environment.例文帳に追加

高温環境下ですぐれた耐摩耗性を示すＥＧＲ式内燃機関の再循環排ガス流量制御弁の焼結Ｃｕ合金製軸受を提供する。 - 特許庁

A Cu-added solder ball bump 6 is placed on the oxidation prevention layer 4, which is thermally treated in a temperature range of 190-220°C to be welded to the Ni junction layer 3.例文帳に追加

そして、Ｃｕ添加ハンダボールバンプ６を上記酸化防止層４に載置し１９０℃〜２２０℃の範囲温度で熱処理を施しＮｉ接合層３に溶融接合する。 - 特許庁

Particularly, in the case of an alloy not substantially comprising Cu, the finishing temperature of the cooling at ≥2°C/sec after the high temperature forming is controlled within the range of 200 to 500°C.例文帳に追加

特に実質的にＣｕを含まない合金の場合には、高温成形後の２℃／ｓｅｃ以上での冷却の終了温度を２００〜５０℃の範囲内とする。 - 特許庁

To provide an Al-Cu joined structure in which Ag is used for an insert, the joining strength thereof is equivalent to that of a base metal Al, and the joining characteristic is excellent.例文帳に追加

インサート材としてＡｇを用い、接合強度が母材Ａｌと同等の強度であり、優れた接合特性を示すＡｌ−Ｃｕ接合構造物を提供する。 - 特許庁

One or more metals selected from Fe, Co and Cu are incorporated in the Pt-containing catalyst for selectively oxidizing carbon monoxide as a low-temperature active component.例文帳に追加

Ｐｔを含む一酸化炭素選択酸化触媒に、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｕの中から選ばれる一種以上の金属を低温活性成分として含有せしめる。 - 特許庁

The Pb-free solder material powders contain a substance containing at least one element selected from a group consisting of Ag, In, Cu, Zn, Bi, Sb and Ge.例文帳に追加

鉛フリーはんだ材料粉末に銀、インジウム、銅、亜鉛、ビスマス、アンチモン、ゲルマニウムからなる群より選ばれた少なくとも一種類の元素である含有物質が含有される。 - 特許庁

This SiCN etching stopper film is formed to have CHn radicals for 1021-1022 in the film and shows a low dielectric constant (≤6) and low Cu diffusibility.例文帳に追加

このＳｉＣＮ系のエッチングストッパ膜は、膜中にＣＨ_ｎ基を１０^２１〜１０^２２有するように形成され、低誘電率（６以下）かつ低Ｃｕ拡散性を示す。 - 特許庁

In multilayer wiring, on a second interlayer insulating film 14 formed on a substrate, a Ti film 16a, a TiN film 16b and an Al-Cu film 16c are sequentially laminated.例文帳に追加

多層配線において、第２層間絶縁膜１４の上にＴｉ膜１６ａ、ＴｉＮ膜１６ｂ、及びＡｌ−Ｃｕ膜１６ｃとを順に基板上に積層形成する。 - 特許庁

By depositing the TaN film by means of reactive sputtering using such a sputtering target, the TaN film (barrier layer) excellent in Cu barrier property can be obtained with superior reproducibility.例文帳に追加

このようなスパッタリングターゲットを用いて、化成スパッタによりＴａＮ膜を成膜することによって、Ｃｕバリア性に優れるＴａＮ膜（バリア層）が再現性よく得られる。 - 特許庁