「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

In the Al-Mn alloy coating layer 2, an Al-Mn intermetallic compound is dispersed and precipitated, and elements of Al, Mn, Fe, Si, Zn, Cu, etc., are included.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｎ合金被覆層２には、Ａｌ−Ｍｎ系金属間化合物が分散析出しており、Ａｌ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｃｕ等の元素が含有されている。 - 特許庁

In a portion of an inner wall of a wiring groove T1 excepting for an upper end portion thereof, a barrier metal film is formed for preventing copper forming Cu wiring from being diffused over the layer insulating film.例文帳に追加

配線溝Ｔ１の内壁の上端部を除く部分に、Ｃｕ配線を形成する銅が層間絶縁膜へ拡散することを防止するバリアメタル膜が形成される。 - 特許庁

The wiring material for a battery pack is formed by a composite bar material of a Cu-Ag alloy bar containing Ag in the ratio of 0.005-5.0 wt.% and a Ni bar.例文帳に追加

Ａｇを０．００５〜５．０重量％の割合で含むＣｕ−Ａｇ合金条と、Ｎｉ条との複合条材で形成した電池パック用配線材である。 - 特許庁

The brazing filler metal is provided by the paste containing a mixture of the ball 1 of the metal such as Cu, Al, Au, and Ag or the metal alloy and a metal ball 2 of Sn or In.例文帳に追加

ろう材はＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属または金属合金ボール１およびＳｎまたはＩｎの金属ボール２の混合体を含むペーストで提供される。 - 特許庁

A roll body of the Cu foil 50 is loaded with its one end face 50a in contact with a surface 13c on the side opposite to the clamping 12 on the flange 13.例文帳に追加

そして、Ｃｕ箔５０のロール体は、その一方の端面５０ａがフランジ１３におけるクランピング１２とは反対側の面１３ｃに対し当接する状態に装填される。 - 特許庁

Thus, the quality of the Al-Cu film is improved, namely, an area causing a density difference with crystal grains is made narrower than in the conventional example, the film quality is so improved as to suppress an occurrence of hillock.例文帳に追加

これにより、Ａｌ−Ｃｕ膜は、結晶粒と粗密差が生じる領域が従来例よりも狭くなってヒロックの発生が抑制される膜質に改善される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a resin molding die excellent in mirror surface property, which is composed of Ni-Al-Cu based age hardening die steel and used for molding a large resin product.例文帳に追加

大型の樹脂製品の成形に使用される、Ｎｉ−Ａｌ−Ｃｕ系時効硬化型鋼からなり、鏡面性に優れた樹脂成形金型の製造方法の提供。 - 特許庁

To avoid a trouble, such as a short circuit occurring between VIAs, in the manufacture of a semiconductor device comprising a microminiaturizing process that adopts a Low-K interlayer material or a Cu interconnecting line process.例文帳に追加

Ｌｏｗ−Ｋ層間材やＣｕ配線プロセスを採用する微細化プロセス工程を含む半導体装置の製造において、ＶＩＡ間ショートの問題を回避する。 - 特許庁

In the case the corrosive environment is severe, preferably, the steel is moreover incorporated with 0.1 to 4% Ni and one or more kinds of 0.1 to 2% Mo and 0.1 to 2% Cu as well.例文帳に追加

腐食環境が厳しい場合は、Ｎｉ：０．１〜４％、それに加えＭｏ：０．１〜２％、Ｃｕ：０．１〜２％の１種以上を、さらに含有することが好ましい。 - 特許庁

To provide a simple method for producing a high purity carbon black by efficiently removing metal components such as Fe and Cu contained in the carbon black as impurities.例文帳に追加

カーボンブラック中に不純物として含まれるＦｅ、Ｃｕなどの金属成分を効率よく除去して、精製カーボンブラックを製造する簡便な方法を提供すること。 - 特許庁

Each of the inorganic gas barrier layers contains an oxide, nitride or oxynitride of at least one metal selected from Si, Al, In, Sn, Zn, Ti, Cu, Ce and Ta.例文帳に追加

無機ガスバリア層は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｅ、又はＴａから選ばれる一種以上の金属を含む酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物を含む。 - 特許庁

An active material in accordance with an embodiment of the present invention contains LiVOPO_4 and one or more kinds of metallic elements selected from the group consisting of Al, Nb, Ag, Mg, Mn, Fe, Zr, Na, K, B, Cr, Co, Ni, Cu, Zn, Si, Be, Ti, and Mo.例文帳に追加

本発明の活物質は、ＬｉＶＯＰＯ_４と、Ａｌ，Ｎｂ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｚｒ，Ｎａ，Ｋ，Ｂ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｂｅ，Ｔｉ及びＭｏからなる群より選ばれる一種以上の金属元素と、を備える。 - 特許庁

Hypercomplex alloy of liquidus temperature of 300°C to 550°C, in which two kinds or more of other metallic elements such as Ag, Cu, Ni, Ge, Al are combined with Sn, is worked into a small diameter wire.例文帳に追加

Ｓｎに、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ａｌ等の他の金属元素の二種以上を配合した液相線温度３００℃〜５５０℃の多元合金を細線に加工した。 - 特許庁

In the chemical formulae (not shown) of the compounds A and B, each central metal atom denotes Cu or Si and a substituent is a hydroxy group, Cl, a 6-18C aryloxy group, a 1-22C alkoxy group or an electron-withdrawing group.例文帳に追加

中心金属原子は銅、Ｓｉを示し、置換基がヒドロキシ基、塩素原子、炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜２２のアルコキシ基、電子吸引基。 - 特許庁

By depositing the TaN film by means of reactive sputtering using such a sputtering target, the TaN film (barrier layer) excellent in Cu barrier property can be obtained with superior reproducibility.例文帳に追加

このようなスパッタリングターゲットを用いて、化成スパッタによりＴａＮ膜を成膜することによって、Ｃｕバリア性に優れるＴａＮ膜（バリア層）が再現性よく得られる。 - 特許庁

In the catalyst for purifying the volatile organic compounds, at least one of Au, Ag, and Cu, Co, and Ce are incorporated into manganese oxide.例文帳に追加

本発明の揮発性有機化合物の浄化触媒は、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕのうちの少なくとも一つとＣｏとＣｅとをＭｎ酸化物に複合化したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target material for electronic device wiring in which operation characteristics are improved by reducing the parasitic resistance of an oxide reaction layer, and to provide an element structure.例文帳に追加

酸化物反応層の寄生抵抗の低減を図り、動作特性の向上を図った電子デバイス配線用Ｃｕ合金スパッタリングターゲット材、及び素子構造を提供する。 - 特許庁

To improve the wettability to Cu and Ni in a high-temperature brazing filler metal made of a Pb-free Zn solder alloy.例文帳に追加

Ｐｂを含まないＺｎ系はんだ合金による高温ろう材において、ＣｕやＮｉに対する濡れ性を向上させたＺｎ系はんだ合金による高温ろう材を提供する。 - 特許庁

The Ag alloy film for electronic parts contains, by atom, 0.1 to 0.5% Sm and Au and/or Cu by 0.1 to 1.0% in total, and the balance substantially Ag.例文帳に追加

Ｓｍを０．１〜０．５ａｔ％、Ａｕおよび／またはＣｕを合計で０．１〜１．０ａｔ％含み残部実質的にＡｇからなる電子部品用Ａｇ合金膜である。 - 特許庁

To provide a bearing made of a sintered Cu alloy for a recirculation exhaust gas flow rate control valve of an EGR (Exhaust Gas Recirculation) type internal combustion engine which exhibits excellent wear resistance in a high temperature environment.例文帳に追加

高温環境下ですぐれた耐摩耗性を示すＥＧＲ式内燃機関の再循環排ガス流量制御弁の焼結Ｃｕ合金製軸受を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si-Co based alloy provided with mechanical and electric properties suitable as those of a copper alloy for an electronic material, and in which the mechanical properties are uniform.例文帳に追加

電子材料用の銅合金として好適な機械的及び電気的特性を備え、機械的特性の均一なＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that reduces the amount of Mn remaining in Cu wiring while excellently forming a barrier film.例文帳に追加

バリア膜を良好に形成することができながら、Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A second barrier film 10 is formed in the inner surface of the interconnection trench 8 (the surface of the first barrier film 9, the bottom 7A of the trench 7 and the exposed surface of a first Cu interconnection 2).例文帳に追加

配線溝８の内面（第１バリア膜９の表面、トレンチ７の底面７Ａおよび第１Ｃｕ配線２の露出面）には、第２バリア膜１０が形成されている。 - 特許庁

One or more metals selected from Fe, Co and Cu are incorporated in the Pt-containing catalyst for selectively oxidizing carbon monoxide as a low-temperature active component.例文帳に追加

Ｐｔを含む一酸化炭素選択酸化触媒に、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｕの中から選ばれる一種以上の金属を低温活性成分として含有せしめる。 - 特許庁

The Pb-free solder material powders contain a substance containing at least one element selected from a group consisting of Ag, In, Cu, Zn, Bi, Sb and Ge.例文帳に追加

鉛フリーはんだ材料粉末に銀、インジウム、銅、亜鉛、ビスマス、アンチモン、ゲルマニウムからなる群より選ばれた少なくとも一種類の元素である含有物質が含有される。 - 特許庁

To provide an Al-Cu joined structure in which Ag is used for an insert, the joining strength thereof is equivalent to that of a base metal Al, and the joining characteristic is excellent.例文帳に追加

インサート材としてＡｇを用い、接合強度が母材Ａｌと同等の強度であり、優れた接合特性を示すＡｌ−Ｃｕ接合構造物を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si-Co-based alloy for an electronic material having excellent spring critical value and stress relaxation properties in addition to strength and conductivity.例文帳に追加

強度及び導電性に加えて、ばね限界値及び応力緩和特性にも優れた電子材料用のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金を提供する。 - 特許庁

The subordinate wiring 11 is made of conductive material (Cu) which is lower in specific resistance than the conductive material (Al) of the superordinate wiring 15 and has long-term reliability.例文帳に追加

下位配線１１は、上位配線１５の導電性材料（Ａｌ）より比抵抗が低く且つ長期信頼性が高い導電性材料（Ｃｕ）から作られる。 - 特許庁

A cover layer 85 made of a metal lower in melting point than copper, e.g., an Sn-Cu alloy is formed on the outer periphery of one obtained, by copper-plating the connection member 80 to be zinc die cast.例文帳に追加

結合部材８０を亜鉛ダイカストに銅メッキしたものの外周に、銅よりも融点の低い金属、例えばＳｎ−Ｃｕ合金の被覆層８５を形成する。 - 特許庁

The solvent (melt) composition forming the solution phase is made to be a BaO-CuO-BaF_2 system, and the atomic ratio of Ba to Cu is adjusted to be in the range of 42:58 to 20:80.例文帳に追加

溶液相における溶媒（溶融体）組成を、ＢａＯ−ＣｕＯ−ＢａＦ_2 系とするとともに、Ｂａ／Ｃｕ原子比を約４２／５８〜２０／８０の範囲とする。 - 特許庁

The Cu films 12A-12F are structured so as to form a stacked structure, having a three-dimensional passage in the stacked body by being stacked.例文帳に追加

このＣｕ膜１２Ａ〜１２Ｆは、積層されることによって積層体内に３次元的な流路を有する積層構造体を形成するように構成されている。 - 特許庁

By the pinning action of the fine (Mn, Mg, Cu) S grains, the growth of γ grains in superhigh heat input welding HAZ(heat affected zone) is suppressed, and its HAZ toughness is improved.例文帳に追加

微細（Ｍｎ, Ｍｇ，Ｃｕ）Ｓ粒子のピン止め作用により超大入熱溶接ＨＡＺのγ粒成長を抑制し、ＨＡＺ靭性を向上させる。 - 特許庁

To provide a sintered article of a low loss Ni-Cu-Zn-based ferrite which is smaller in the core loss than conventional without being accompanied by the marked decrease of the saturated magnetic flux density.例文帳に追加

飽和磁束密度の顕著な減少を伴うことなく、従来よりもコアロスが小さい低損失Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトの焼成体を提供すること。 - 特許庁

At least one selected from the group comprising V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Rh and Pd is preferably incorporated in the transition metal compound.例文帳に追加

また好ましくは、遷移金属化合物は、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ及びＰｄからなる群より選択される１種以上を含む。 - 特許庁

A Cu-added solder ball bump 6 is placed on the oxidation prevention layer 4, which is thermally treated in a temperature range of 190-220°C to be welded to the Ni junction layer 3.例文帳に追加

そして、Ｃｕ添加ハンダボールバンプ６を上記酸化防止層４に載置し１９０℃〜２２０℃の範囲温度で熱処理を施しＮｉ接合層３に溶融接合する。 - 特許庁

Particularly, in the case of an alloy not substantially comprising Cu, the finishing temperature of the cooling at ≥2°C/sec after the high temperature forming is controlled within the range of 200 to 500°C.例文帳に追加

特に実質的にＣｕを含まない合金の場合には、高温成形後の２℃／ｓｅｃ以上での冷却の終了温度を２００〜５０℃の範囲内とする。 - 特許庁

It is preferable that the composition can contain, by atom, >0-7% Ta, >0-30% Ni and >0-5% of (Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+B) independently or in combination.例文帳に追加

本発明は、好ましくは７≧Ｔａ＞０ａｔ％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％および５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞０ａｔ％を、それぞれもしくは複合で含むことが可能である。 - 特許庁

When the excessive Cu film 28 formed on a first interlayer insulator film 22 is removed by polishing in a CMP method, the oxide film 26 is also polished and film thickness is thinned.例文帳に追加

第１層間絶縁膜２２の上に形成された余分なＣｕ膜２８をＣＭＰ法による研磨で除去するときに、酸化膜２６も研磨されて膜厚が薄くなる。 - 特許庁

The surface layer part 12 may be a metal capable of being solid-soluted for the solder part 11, for example, a metal containing one or more elements selectable from among Au, Ag, Cu, Sn, Pb, Sb, Ge, In, and Bi.例文帳に追加

表層部１２は、ハンダ部１１に対して固溶可能な金属、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｂｉから選択される１種あるいは２種以上の元素を含んだものであればよい。 - 特許庁

To suppress deterioration in electromigration resistance and to reduce via resistance while making good use of characteristics of a barrier metal needed when, for example, Cu is used as a wiring material.例文帳に追加

配線材料に例えばＣｕを用いる場合に要求されるバリアメタルの特性を活かしながらも、エレクトロマイグレーション耐性の劣化の抑制及びビア抵抗の低減を図る。 - 特許庁

To provide a method for forming a superconducting film in which Y-Ba-Cu-O type superconducting fine particles are radially oriented on a circular surface of a cylindrical base member.例文帳に追加

Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導微粒子を円筒基材の円形表面に放射状に配向させた超伝導膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

During a trial hitting mode, the number of added balls, the number of subtracted balls and the number of game balls are not transmitted from the P machine 2 and the number of game balls is not updated in the CU 3.例文帳に追加

試打モード中はＰ台２から加算玉数と減算玉数と遊技玉数とが送信されずＣＵ３において遊技玉数の更新を行なわない。 - 特許庁

The contents of the impurity metal elements are compared as to Ca, Mn, Fe, Ni, Cr, Cu, Zn, etc., (except metal elements constituting the metal oxides in powder form).例文帳に追加

不純物金属元素の含有率はＣａ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎなど（粉体状金属酸化物の構成金属元素を除く）について比較する。 - 特許庁

The glass for coating an electrode comprises 0.05-2 mol% Cu and 0.05-2 mol% Co calculated in terms of CuO and CoO, respectively.例文帳に追加

ＣｕおよびＣｏを含有し、ＣｕのＣｕＯ換算含有量が０．０５〜２モル％かつＣｏのＣｏＯ換算含有量が０．０５〜２モル％である電極被覆用ガラス。 - 特許庁

A trench for forming a wiring layer on the CF film 21 is etched by using the hard mask 31 as a mask, and a semiconductor device is manufactured by embedding Cu in the trench.例文帳に追加

この後ハ−ドマスク３１をマスクとしてＣＦ膜２１に配線層を形成するための溝をエッチングし、この溝にＣｕを埋め込むことにより半導体装置を製造する。 - 特許庁