「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a silicon epitaxial wafer, in which the yield is improved in a post-process by preventing an SF from occurring in an epitaxial layer and effectively reducing the Cu concentration in a substrate.例文帳に追加

エピタキシャル層に発生するＳＦを防止するとともに、基板内部のＣｕ濃度を効果的に低減することによって、後工程での歩留まりを向上することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a TAB (Tape Automated Bonding) tape increasing the reliability in a semiconductor package manufacturing process by preventing generation of foreign matter such as Cu particles with no presence of a Cu or metal pattern layer in a sprocket hole part where friction is generated due to a drive roller in progress of assembling a panel with a drive IC (Integrated Circuit) or a chip/drive IC; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ドライブＩＣまたはチップ／ドライブＩＣとパネルとのアセンブリ進行時に、駆動ローラにより摩擦が発生するスプロケットホールの部位にＣｕまたは金属パターン層が存在せず、Ｃｕパーティクルなどの異物の発生を防止することによって、半導体パッケージの製造工程において信頼性を向上させることができるＴＡＢテープ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By heat treatment, Sn, Mg, or Zr contained in the copper alloy film 106 is diffused into a copper film 107 for forming the copper alloy film where the Sn, Mg, or Zr is contained in Cu, the copper alloy film is subjected to the CMP method, and contact consisting of the copper alloy film where the Sn, Mg, or Zr is contained in the Cu and buried wiring are simultaneously formed.例文帳に追加

熱処理により銅合金膜１０６に含まれるＳｎ、Ｍｇ又はＺｒを銅膜１０７に拡散させてＣｕにＳｎ、Ｍｇ又はＺｒが含有されてなる銅合金膜を形成した後、該銅合金膜に対してＣＭＰ法を行なって、ＣｕにＳｎ、Ｍｇ又はＺｒが含有されてなる銅合金膜よりなるコンタクト及び埋め込み配線を同時に形成する。 - 特許庁

A manufacturing method of a wiring board formed by laminating at least one conductor layer and one resin insulation layer includes a groove formation process in which a groove is formed on at least one resin insulation layer and a Cu paste filling process in which the groove is filled with Cu paste forming the conductor layer with an ink jet device.例文帳に追加

導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されてなる配線基板の製造方法であって、前記少なくとも１層の樹脂絶縁層に溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に対してインクジェット装置を用いて前記導体層となるＣｕペーストを充填するＣｕペースト充填工程と、を備える。 - 特許庁

Disclosed is a method for producing a methanol by performing a reaction using a raw material gas containing hydrogen and at least either of carbon monoxide and carbon dioxide in the presence of a catalyst containing Cu, Mg, Na and Pd and alcohols in addition to at least one of sodium formate, rubidium carbonate and caesium carbonate.例文帳に追加

一酸化炭素、二酸化炭素のいずれか、及び水素を含む原料ガスを反応させてメタノールを製造する方法であって、ギ酸ナトリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウムの少なくともいずれかに加えて、Cu、Mg、Na及びPdを含有する触媒、及びアルコール類の存在下に反応を行い、メタノールを得ることを特徴とするメタノールの製造方法。 - 特許庁

The hot rolled steel sheet containing ≥0.03 mass% Cu in the steel is pickled with hydrochloric or sulfuric aqueous solution, is thereafter roughly rinsed in a rinsing solution containing 0.1 to 4% nitric acid, and is successively subjected to normal rinsing.例文帳に追加

鋼材中にCuを0.03質量% 以上含有する普通鋼熱延鋼板を酸洗処理する方法において、該熱延鋼板を塩酸または硫酸水溶液により酸洗した後、硝酸を0.1〜４%含有するリンス液中にて粗リンスし、引き続いて本リンスすることを特徴とする色調性に優れたＣｕ含有普通鋼熱延鋼板の酸洗方法。 - 特許庁

In this metal bond diamond lapping surface plate, metal bond comprising a soft metal phase of Cu-Sn alloy, comprising 45-65 wt.% of Cu, and Sn for the rest, and soft particles of 1 or 2 kinds of more selected from MoS_2, Cr_2O_3, h-BN, graphite, etc., dispersed in the soft metal phase is used.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｓｎ系合金からなり、Ｃｕが４５〜６５重量％、残量がＳｎからなる軟質金属相と、軟質金属相に分散されている、ＭｏＳ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ｈ−ＢＮ及び黒鉛等から選択された１種類または２種類以上の軟質粒子からなるメタルボンドを用いたメタルボンドダイヤモンドラップ定盤を用いる。 - 特許庁

The method for manufacturing the surface-treated steel sheet includes forming an adhesive film on at least one side of the steel sheet by arranging an anion-exchange membrane between an anode and the steel sheet in an aqueous solution which contains ions including Ti and ions including at least one metal selected from Fe, Co, Ni, V, Cu, Mn and Zn, and cathodically electrolyzing the steel sheet in the aqueous solution.例文帳に追加

鋼板の少なくとも片面に、Tiを含むイオンと、Fe、Co、Ni、V、Cu、MnおよびZnのうちから選ばれた少なくとも1種の金属を含むイオンを含有する水溶液中で、陽極と鋼板の間に陰イオン交換膜を設置して鋼板に陰極電解処理を施して密着性皮膜を形成することを特徴とする表面処理鋼板の製造方法。 - 特許庁

A variable length encoding unit 13 performs variable length encoding on a maximum CU division layer number indicating a division layer number of a portion in the deepest layer of a quadtree structure in each LCU, and also performs variable length encoding on a division flag indicating whether a CU other than CUs belonging to the deepest layer is divided into a quadtree by a block division unit 2.例文帳に追加

可変長符号化部１３が、各々のＬＣＵにおける四分木構造で階層が最も深い部分の分割階層数を示す最大ＣＵ分割階層数を可変長符号化するとともに、最も深い階層に属するＣＵ以外のＣＵがブロック分割部２によって四分木分割されているか否かを示す分割フラグを可変長符号化する。 - 特許庁

The water gas shift reaction catalyst is an inorganic oxide which contains one or more kinds of elements selected from Cu, Ni, Co, and Sn, and an alkaline earth metal oxide, has a content of the above elements in a range from 40 to 80% in terms of oxide, has the content of the alkaline earth metal oxide of 1 to 10 wt%, and the balance inorganic oxides other than the above.例文帳に追加

Cu、Ni、CoおよびSnから選ばれる１種以上の元素と、アルカリ土類金属酸化物とを含み、前記元素の含有量が酸化物換算で４０〜８０重量％の範囲にあり、アルカリ土類金属酸化物の含有量が１〜１０重量％であり、残部が前記以外の無機酸化物であることを特徴とする水性ガスシフト反応触媒。 - 特許庁

In addition, an Au metal film 44 low in resistance is laminated by the nonelectrolytic plating on the Ni metal film 43, and a Cu metal film 45 low in resistance is laminated on the Au film 44 at a low cost.例文帳に追加

さらに、そのＮiからなる金属膜４３上に、無電解メッキにより低抵抗なＡuからなる金属膜４４を積層し、Ａu膜４４上に電気メッキにより低抵抗で低コストなＣuからなる金属膜４５を積層する。 - 特許庁

To provide a laminated piezoelectric element that can be reduced in cost by using inexpensive Cu as the material of its internal electrodes and, in addition, is excellent in electricity transfer characteristics and, at the same time, can prevent the strength drops of its internal electrode layers.例文帳に追加

内部電極材料に安価なＣｕを用いてコストダウンを図ることができ、かつ、電気伝達効率に優れると共に内部電極層の強度低下を防止することができる積層型圧電体素子を提供すること。 - 特許庁

The copper foil for shielding electromagnetic wave is provided with a black or brown processing layer consisting of Cu or alloy, on one side of a copper foil (original foil) or a copper alloy foil (original foil), and a smoothing layer consisting of Cu, Co, Ni, In or the alloy of them is provided on the black or brown processing layer if necessary.例文帳に追加

電磁波シールド用銅箔は、銅箔（元箔）または銅合金箔（元箔）の片面にＣｕ又は合金からなる黒色乃至褐色処理層が設けられ、当該黒色乃至褐色処理層上に必要によりＣｕ、Ｃｏ，Ｎｉ、Ｉｎ又はこれらの合金からなる平滑層が設けられている。 - 特許庁

The slurry includes an oxidizer of Cu, a complex forming agent for forming a Cu organic complex, a surfactant, inorganic particles, and resin particles blended in a concentration of less than 1 wt%, containing polystyrene and having a mean particle size of less than 100 nm on the surface of a functional group of the same polarity as that of the inorganic particle.例文帳に追加

Ｃｕの酸化剤、Ｃｕ有機錯体を形成する錯体形成剤、界面活性剤、無機粒子、および、１重量％未満の濃度で配合され、ポリスチレンを含むとともに、前記無機粒子と同極性の官能基を表面に有する平均粒子径１００ｎｍ未満の樹脂粒子を含有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for production of a steel sheet for containers includes forming a Zr-containing film on the surface of the steel sheet by immersion or electrolytic treatment in a solution containing Zr ions, F ions and at least one reaction-accelerating component selected from the group consisting of ions of Al, boric acid, Cu and Ca, and metal Al and metal Cu.例文帳に追加

Ａｌイオン、ホウ酸イオン、Ｃｕイオン、Ｃａイオン、金属Ａｌ、および、金属Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一つの反応促進成分と、Ｚｒイオンと、Ｆイオンとを含む溶液中で、鋼板の浸漬または電解処理を行い、鋼板表面にＺｒ含有皮膜を形成する、容器用鋼板の製造方法。 - 特許庁

The pinned layer 42 includes a stacked part 40 provided with: a 1st layer 36 formed of Cu; a 2nd layer 38 which is formed of Cu and arranged to the side of free layer from the 1st layer; and an intermediate layer 37 which is arranged between the 1st layer and 2nd layer in contact with these layers and formed by partially oxidizing a ferromagnetic layer.例文帳に追加

そして、ピンド層４２は、Ｃｕで形成された第１層３６と、Ｃｕで形成され、第１層よりもフリー層側に配された第２層３８と、第１層と第２層との間にこれらの層に接して配されると共に、強磁性層を部分的に酸化させた中間層３７とを有する積層部４０を含んでいる。 - 特許庁

By the addition of 0.05 to 1.0 wt.% Co to an Sn-Cu solder alloy, even when a load caused by a temperature change is applied to a soldering part, Co forms fine alloy grains in the Sn-Cu solder alloy, and the grains are scattered thereover, so that the propagation of cracks is disturbed, and its thermal fatigue characteristics are improved.例文帳に追加

Ｓｎ−Ｃｕ半田合金にＣｏが０．０５〜１．０重量％添加されることで、半田付け部に温度変化による負荷が掛かっても、ＣｏがＳｎ−Ｃｕ半田合金中で微小な合金粒を形成し点在することによりクラックの進展を妨げ、熱疲労特性が改善される。 - 特許庁

To provide a negative electrode material for lithium secondary battery which can prevent separation of the coating containing Sn-Cu or Sn-Cu alloy intermetallic compound from the current collector by absorbing and relaxing stress generated at expansion and shrinking of the negative electrode at charge and discharge and which is improved in charge and discharge cycle characteristics.例文帳に追加

充放電時負極の膨張・収縮の際に発生する応力を吸収緩和することにより、集電体からＳｎ−ＣｕあるいはＳｎ−Ｃｕの金属間化合物を含む被覆の脱離を防止し得て、充放電サイクル特性を向上したリチウム二次電池用負極材料を提供すること。 - 特許庁

To provide a comparatively simple evaluation method capable of predicting accurately adhesion between Cu coating and an Al wire in a manufacturing process of a CA wire, and to estimate beforehand a possibility of exfoliation of the Cu coating, exposure and furthermore disconnection of the Al wire or the like, when manufacturing the object CA wire by wire drawing.例文帳に追加

ＣＡ線の製造工程におけるＣｕ被覆とＡｌ線の密着性を正確に予測できる比較的簡単な評価方法を提供し、伸線加工によって目的とするＣＡ線を製造する際のＣｕ被覆の剥離やＡｌ線の露出、さらには断線の可能性等を事前に推測できるようにすることにある。 - 特許庁

The method for improving the half-life of the ZnS: Cu, Cl zinc sulfide-based electroluminescence phosphorescent substance comprises heating MgSO4-7H2O in an amount of 0.015 to 0.15 mole per mole of ZnS together with a first preliminarily heated material comprising ZnS: Cu, Cl to form a second heated material.例文帳に追加

ZnS:Cu,Clエレクトロルミネセンス燐光体の半減期を改善するための方法であって、第２の加熱された材料を形成するたに、１モルのZnS当たり0.015から0.15モルのMgSO_4・7H__2Oの量のＭｇＳＯ_４−７Ｈ_２Ｏと共に、ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｃｌから成る事前に第１の加熱がなされた材料を加熱することから成る方法。 - 特許庁

Disclosed is a composite material comprising Pt, Au and Cu, and at least comprising an intermetallic compound of Au and Cu and a Pt simple substance, and, in the range of 2θ=36 to 44° of X ray diffraction analysis, the peak intensity of the whole intermetallic compound is 0.8 to 40 times the peak intensity of the Pt simple substance.例文帳に追加

Ｐｔ、Ａｕ及びＣｕを有する複合材料であって、ＡｕとＣｕとの金属間化合物、及び、Ｐｔ単体を少なくとも有し、Ｘ線回折分析の２θ=３６〜４４°の範囲において、前記金属間化合物全体のピーク強度が、前記Ｐｔ単体のピークの強度の０．８〜４０倍であること。 - 特許庁

The target material containing Cr-Mo-Cu comprising, by atom, ≥60% Cr, ≥5% Mo and ≤10% Cu is the one compacted at 900 to 1,050°C, having a matrix structure in which Mo particles are bonded with a Cr bond phase whose width is ≤5 μm, and having a relative density of ≥97%.例文帳に追加

原子量％で、Ｃｒ：≧６０％、Ｍｏ：≧５％、Ｃｕ：≦１０％を含むターゲット材において、９００〜１０５０℃で固化成形し、Ｍｏ粒子が幅５μｍ以下のＣｒ結合相で結合されたマトリックス組織を有する相対密度９７％以上であるＣｒ−Ｍｏ−Ｃｕを含むターゲット材。 - 特許庁

On the other hand, a comparator 36-38 compares a terminal voltage Vu-Vw with the reference voltage Vm to detect a comparison signal Cu-Cw and a positional signal detecting circuit 40 generates, in conjunction with a rectangular wave signal generating circuit 41, a rectangular wave conduction signal Dup"-Dwn" by 120° conduction system based on the comparison signal Cu-Cw.例文帳に追加

一方、コンパレータ３６〜３８は端子電圧Ｖu 〜Ｖw と基準電圧Ｖm とを比較して比較信号Ｃu 〜Ｃw を検出し、位置信号検出回路４０および矩形波信号生成回路４１は比較信号Ｃu 〜Ｃw に基づいて１２０°通電方式による矩形波通電信号Ｄup''〜Ｄwn''を生成する。 - 特許庁

To suppress troubles of allowing insulative reaction byproducts to adhere on the surface of an underlying Cu interconnections exposed on the bottoms of interconnection grooves, and allowing a silicon carbide film and an organic insulating film exposed on the sidewalls of interconnection grooves to be side-etched, in forming interconnection grooves on the underlying Cu interconnections by dry-etching an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜をドライエッチングして下層のＣｕ配線の上部に配線溝を形成する際、配線溝の底部に露出した下層のＣｕ配線の表面に絶縁性の反応物が付着したり、配線溝の側壁に露出した炭化シリコン膜や有機絶縁膜がサイドエッチングされるという不具合を抑制する。 - 特許庁

The wear resistant aluminum alloy 10 for casting comprises, by weight, 14 to 20% Cu, 8.5 to 15% Zn, 5 to 8% Si, and the balance Al with inevitable impurities, and in which the elements are formed into the three structures of an Al-Cu phase (12), an Al-Zn phase (14) and an Si phase (16).例文帳に追加

鋳造用耐摩耗性アルミニウム合金１０は、Ｃｕ：１４〜２０重量％，Ｚｎ：８．５〜１５重量％，Ｓｉ：５〜８重量％，Ａｌ及び不可避不純物：残部を含有し、これらがＡｌ−Ｃｕ相（１２），Ａｌ−Ｚｎ相（１４）およびＳｉ相（１６）の３つの組織に形成された合金である。 - 特許庁

This method for manufacturing the electric contact material includes: preparing an alloy composed of 1 to 15 mass% Cu, 0.01 to 0.7 mass% Ni and the balance Ag with unavoidable impurities; supplying oxygen in an amount exceeding the amount of oxygen required to internally oxidize Cu, onto the surface layer of the alloy; and forming an oxygen-concentrated layer.例文帳に追加

Ｃｕを１〜１５質量％、Ｎｉを０．０１〜０．７質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避的不純物からなる合金の表層部に、Ｃｕを内部酸化させるのに必要な酸素量を上回る酸素量を供給して、酸素濃縮層を形成して、電気接点材料とする。 - 特許庁

Thus, a barrier layer 15 which is chemically stable even in a high-temperature usage environment at a temperature exceeding 200°C and effectively works as a barrier layer can be interposed between Cu interconnections 18 and the interlayer insulation film 12, and thereby diffusion of Cu, which is a material of the interconnections, into the interlayer insulation film 12 can be prevented.例文帳に追加

これにより、２００℃を超える高温使用環境においても化学的に安定であり、バリア層として効果的に作用するバリア層１５をＣｕ配線１８と層間絶縁膜１２との間に介在させることができるので、配線材料たるＣｕの層間絶縁膜１２への拡散を防止することができる。 - 特許庁

To provide a high processing characteristic in which, as a polishing agent for polishing a plane having Cu and a Cu alloy applied on a semiconductor device, adhesive grains leading to a factor of surface defects such as dishing or the like are not at all included, and a practical processing speed of 200 nm/min can be attained, and an etching speed is very low.例文帳に追加

半導体デバイス上に施したＣｕ及びＣｕ合金を有する面を研磨する際の研磨液として、ディッシング等の表面欠陥発生の要因となる砥粒を全く含有せず、実用的な加工速度２００ｎｍ／ｍｉｎが達成でき、エッチング速度も極めて低い高加工特性を提供する。 - 特許庁

A plate of Cu/Cu2O composite alloy which is excellent in fine processability, Young's modulus, and electric resistance is connected to the electrode pads of a board, fine columnar connections are formed corresponding to the electrode pads of a semiconductor element, and the electrode pads of the board are electrically connected to the electrode pads of the semiconductor element through the intermediary of the columnar connections.例文帳に追加

基板の電極パッド部に、微細加工性に富み、ヤング率及び電気抵抗に優れたCu/Cu_2O系複合合金からなる板材を接続してから電極パット部に対応し、かつ微細な柱状の接続部を形成した後、この接続部を介して半導体素子の電極パッド部との電気的な接続を行う。 - 特許庁

In the case of forming the nickel (Ni) layer 17 on the electrode pad 13 composed of aluminum (Al)-silicon (Si) by electroless deposition, preceding deposition of zinc (Zn) being a catalyst, intermittent mottles or islands are formed of copper (Cu) on the surface of the electrode pad 13 to arrange a Cu thin layer 15.例文帳に追加

アルミニウム（Ａｌ）−シリコン（Ｓｉ）からなる電極パッド１３上に、ニッケル（Ｎｉ）層１７を無電解メッキ法により形成する際、触媒となる亜鉛（Ｚｎ）の析出に先行して、当該電極パッド１３の表面に銅（Ｃｕ）を断続的な斑状或いは島状に形成し、Ｃｕ薄層１５を配設する。 - 特許庁

The electrode contact member of the vacuum circuit breaker comprises the Cu-Cr alloy base metal 1 containing 40-80 wt.% of Cu and 20-60 wt.% of Cr, and the Cr fine dispersion layer 2 of 500 μm to 3 mm in thickness formed on the surface of the base metal 1 through surface treatment by friction stir processing.例文帳に追加

真空遮断器の電極接点部材は、Ｃｕの含有量が４０〜８０重量％とＣｒの含有量が２０から６０重量％とを含むＣｕ−Ｃｒ合金母材１の表面に、摩擦攪拌による表面処理で形成した厚さ５００μｍ〜３ｍｍのＣｒ微細分散層２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which has a multilayered wiring structure of Cu wiring layers combined with interorganic-layer insulating films, and wherein a Cu layer is formed on a base structure having wiring grooves and via holes formed therein by a CVD method continuously with a substantially constant thickness in a shape suitable to the base structure.例文帳に追加

有機層間絶縁膜にＣｕ配線層を組み合わせた多層配線構造を有する半導体装置の製造において、配線溝あるいはビアホールを形成された下地構造上に、Ｃｕ層を、ＣＶＤ法により、前記下地構造に対応した形状で連続的に、実質的に一様な厚さで形成する。 - 特許庁

The Cu plating titanium copper contains 1.5 to 4.5% (% is a ratio by mass, hereafter the same) Ti and consists of the balance Cu and inevitable impurities and is subjected to copper plating on its surface, in which the impurities are S≤30 ppm, P≤10 ppm and O≤100 ppm.例文帳に追加

Ｔｉを１．５〜４．５％（％は質量割合、以下同じ）含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、表面に銅めっきを施したチタン銅において、銅めっき層中の不純物が、Ｓ≦３０ｐｐｍ、Ｐ≦１０ｐｐｍ、Ｏ≦１００ｐｐｍであることを特徴とするＣｕめっきチタン銅。 - 特許庁

The copper alloy consists of, by weight, 0.8 to 8.0% Sn, 0.2 to 7.0% Bi, and Cu, and by controlling the content of Ni to the range of 0.2 to 3.0% on casting, and precipitating a CU-Sn-Ni compound in the alloy, its machinability is improved while maintaining the prescribed mechanical properties thereof.例文帳に追加

Ｓｎ：０．８〜８．０重量％、Ｂｉ：０．２〜７．０重量％、及びＣｕからなり、鋳造時にＮｉを０．２〜３．０重量％の範囲に調整して、合金中にＣｕ-Ｓｎ-Ｎｉ化合物を析出させることにより、所定の機械的性質を保持しつつ、切削性を向上させた銅基合金である。 - 特許庁

In the bronze based metal bond (Cu-Sn composition), one or more kinds of hard particles selected from Si_3N_4, Al_2O_3, Sic, WC, and B_4C and one or more kinds of soft particles selected from MoS_2, Cr_2O_3, and graphite are dispersed to Cu-Sn alloy, or the matrix.例文帳に追加

ブロンズ系メタルボンド（Ｃｕ−Ｓｎ組成）において、マトリックスであるＣｕ−Ｓｎ合金にＳｉ_３Ｎ_４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣ、ＷＣ、およびＢ_４Ｃから選択された１種類または２種類以上の硬質粒子と、ＭｏＳ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、及び黒鉛から選択された１種類または２種類以上の軟質粒子を分散させる。 - 特許庁

This invention relates to the intermetallic compound-dispersed type Al-based material which contains, by mass, 76 to 95% Al, 2 to 7% Mn, 2 to 9% Cu, 1 to 4% Zn and 0 to 2% Mg, and in which the grains of an Al-Mn-Cu-Zn-based intermetallic compound are dispersed.例文帳に追加

Ａｌ：７６〜９５質量％、Ｍｎ：２〜７質量％、Ｃｕ：２〜９質量％、Ｚｎ：１〜４質量％及びＭｇ：０〜２質量％を含む材料であって、前記材料中にＡｌ−Ｍｎ−Ｃｕ−Ｚｎ系金属間化合物の粒子が分散してなる金属間化合物分散型Ａｌ系材料に係る。 - 特許庁

The laser beam 100 is irradiated on the Cu fuse layer 1, in the direction intersecting with the longitudinal direction of the Cu fused layer 1, thereby, the energy of the laser beam is not dispersed, the laser beam is continually irradiated at the same position, thus the fuse layer 1 can be heated effectively.例文帳に追加

Ｃｕヒューズ層１の長手方向に対して交差する方向となるように、レーザ光１００をＣｕヒューズ層１に対して照射することにより、レーザ光のエネルギを分散させることなく、同一個所に連続的にレーザ光が照射されることになり、効果的にヒューズ層を加熱することが可能になる。 - 特許庁

To provide a low permittivity ceramic substrate low in relative permittivity, small in loss in a high frequency zone, and small in temperature dependence, enabling low temperature sintering where conductors having high electric conductivity such as Ag, Au and Cu can be simultaneously sintered, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの電気伝導度が高い導体を同時焼成できる低温焼結が可能な、比誘電率が低く高周波帯域での損失が小さく、かつ温度依存性の小さい低誘電率磁器基板およびその製造方法の提供。 - 特許庁

The plating layer may further contain one or more selected from Cr, Mn, Co, Ni and Cu in an amount of 0.02 to 3% in total and one or more selected from Ti, V, Nb, W, Zr, Mo, La, Ce, Hf and Y in an amount of 0.02 to 0.5% in total.例文帳に追加

さらに、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕから選ばれる１種ないし２種以上を合計で０．０２〜３％、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｆ、Ｙから選ばれる１種ないし２種以上を合計で０．０２〜０．５％含有しても良い。 - 特許庁

As compared with conventional structures where the first protective layers are not formed or structures where the first protective layers are formed of Al, Ti, Cu or IrMn, magnetostriction is indicated low in the free magnetic layer and change rate in the resistance is high.例文帳に追加

これにより、第１保護層が形成されない従来構造、あるいは第１保護層をＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＩｒＭｎで形成した構造に比べて、フリー磁性層の磁歪が低く、かつ高い抵抗変化率を示す。 - 特許庁

Combined addition of Ga+In or Sn+In is applied to a Pd-Ag-Au-Cu-based alloy to lower the melting point of the alloy and regulate a thermal expansion coefficient to <14.9×10^-6K^-1.例文帳に追加

Ｐｄ−Ａｇ−Ａｕ−Ｃｕ系合金にＧａ＋ＩｎもしくはＳｎ＋Ｉｎの複合添加を行うことにより合金の融点を下げ、かつ熱膨張係数が１４．９×１０^−６Ｋ^−１未満とする。 - 特許庁

This composite material is provided by hardening, in the presence of a magnetic field, a mixture of a magnetic mixed fluid prepared by dispersing Ni powder and Cu powder in a magnetic fluid, and a liquid elastic polymer material.例文帳に追加

この複合材料は、磁性流体にＮｉ粉末およびＣｕ粉末を分散させてなる磁気混合流体と液状の弾性高分子材料の混合物を磁場の存在下で硬化させることによって得られる。 - 特許庁

To avoid adverse effects of splashes of fuse material caused by a blown-out fuse in a redundancy circuit in a semiconductor device provided with a semiconductor integrated circuit, using Cu wiring and the redundancy circuit.例文帳に追加

Ｃｕ配線を用いた半導体集積回路とリダンダンシー回路とを備えた半導体装置において、リダンダンシー回路のフューズの溶断によって生じるフューズ材料の飛散による悪影響を無くすこと。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing an electric connector of which the processing time is short, in which Cu foils of an FPC board 14 are not exfoliated, and which does not require examinations of a micro strip line in which transmission line characteristics have been taken into consideration.例文帳に追加

本発明の目的は、加工時間が短く、ＦＰＣ基板１４のＣｕ箔が剥離することがなく、伝送路の特性を配慮したマイクロストリップラインの検討が不必要な電気コネクタの製造方法を得るにある。 - 特許庁

Reaction selectivity is given in the initial process of CVD by the surface treatment, thus improving the coherency between Cu wiring and the CVD film, without increase in resistance or leakage between wirings.例文帳に追加

この表面処理によりＣＶＤ初期過程において反応選択性を持たせることにより、抵抗上昇、配線間リークなどを生じさせないでＣｕ配線とＣＶＤ膜間の密着力を向上させる。 - 特許庁