「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

A control section (CU) 5 has a first control information table for describing a blinking ratio and a lighting current for the illumination LED in cross-reference with a plurality of thresholds to discriminate a residual voltage level detected by the battery voltage detection section and sets the blinking ratio and the lighting current corresponding to the residual voltage level detected by the battery voltage detection section to the illumination drive section.例文帳に追加

制御部（ＣＰＵ）５は、電池電圧検出部が検出した残留電圧レベルを判定するための複数のしきい値に対応してイルミネーション用ＬＥＤの点滅比および点灯電流値が記述された第１の制御情報テーブルを有し、電池電圧検出部が検出した残留電圧レベルに対応する点滅比と点灯電流値とをイルミネーション駆動部に設定する。 - 特許庁

Disclosed herein is a conductive paste for use in formation of an electrode on a semiconductor substrate, which contains a conductive powder consisting of at least one species selected from Ag, Cu and Ni, a halide, and an organic vehicle, the content of the halide being 0.45 to 15.38% by volume relative to 100% by volume of the conductive powder.例文帳に追加

本発明の導電性ペーストは、半導体基板上に電極を形成するための導電性ペーストであって、Ａｇ，ＣｕおよびＮｉのうち少なくとも１種からなる導電性粉末と、ハロゲン化物と、有機ビヒクルと、を含有し、前記ハロゲン化物の含有量は、前記導電性粉末１００体積％に対して０．４５〜１５．３８体積％であることを特徴とする。 - 特許庁

With particles of infiltrant with Cu of density Rb as a main ingredient infiltrated in air gap of TiC particles of a molding with porosity X with TiC of density Ra as a main ingredient, the contact point material for the vacuum valve is to have relative density of not less than 98% against theoretical density Rth by formula: Rth=Ra.(1-X)+Rb.X.例文帳に追加

密度ＲａのＴｉＣを主成分とする空隙率Ｘの成形体体のＴｉＣ粒子の空隙に密度ＲｂのＣｕを主成分とする溶浸材の粒子が溶浸された状態について、Ｒｔｈ＝Ｒａ・（１−Ｘ）＋Ｒｂ・Ｘの式による理論密度Ｒｔｈに対して９８％以上の相対密度を有する真空バルブ用接点材料とする。 - 特許庁

When the particle size-increased layer is formed by melting Ni into the W (or Mo) existing on the surface of the sintered body with the size larger than that in the sintered body, fine pores 13 formed on the surface of the sintered body due to the falling out of Cu 11 can be extinguished.例文帳に追加

このように焼結体の表面部はＷ（あるいはＭｏ）にＮｉが固溶されて、これらのＷ（あるいはＭｏ）の粒径の大きさが内部に存在するＷ（あるいはＭｏ）の粒径よりも大きく成長した増大粒層が形成されていると、Ｃｕ１１の抜けを起因とする焼結体の表面に形成された細かな気孔１３を消滅させることが可能となる。 - 特許庁

A recording thin film 3 is formed between a first electrode 1 and a second electrode 4, and a memory element 10 contains any one from among elements Cu, Ag and Zn with its size as 70 nm or less, at a layer 2 containing at least oxygen and rare earth in the recording thin film 3 that is within or adjacent to the recording thin film 3.例文帳に追加

第１の電極１と第２の電極４との間に記憶用薄膜３が挟まれて構成され、この記憶用薄膜３に少なくとも酸素と希土類元素とを有して成り、記憶用薄膜３内もしくは記憶用薄膜３と接している層２に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれ、素子サイズが７０ｎｍ以下である記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device is constituted by arranging IDT electrodes on the main surface of rotary Y-cut X-propagation lithium niobate (LiNbO_3) in the propagation direction of a Love wave, and the metal material of the IDT electrodes is an alloy which is principally comprised of Ag and contains 0.1 to 3.0 wt.% Pd and 0.1 to 3.0 wt.% Cu.例文帳に追加

回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）の主表面上にラブ波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を配置して構成した弾性表面波デバイスであって、ＩＤＴ電極の金属材料をＡｇを主成分とし、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＰｄと、０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％のＣｕとを含有した合金とした弾性表面波デバイス。 - 特許庁

To provide a flux-cored wire for gas shielded arc welding, when a hydrochloric acid and sulfuric acid dewpoint corrosion resistant steel is subjected to gas shielded arc welding, capable of obtaining a weld metal having excellent sulfuric acid corrosion resistance and hydrochloric acid corrosion resistance and also having excellent strength and impact toughness while suppressing occurrence in the liquid metal embrittlement cracks of the weld metal caused by Cu and Sb as low melting point components.例文帳に追加

耐塩酸及び耐硫酸露点腐食鋼をガスシールドアーク溶接した際に、低融点成分であるＣｕ及びＳｂに起因する溶接金属の液体金属脆化割れ発生を抑制しつつ、耐硫酸腐食性と耐塩酸腐食性とが共に優れ、かつ強度及び衝撃靱性に優れた溶接金属が得られるガスシールドアーク溶接用フラックス入りワイヤを提供する。 - 特許庁

In this diamond grinding method, a diamond grinding wheel consisting mainly of an intermetallic compound of Ti and one or two or more kinds of elements selected from a group of Al, Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu is pressed against a relatively rotating or moving diamond and ground while keeping the grinding wheel at room temperature or heating a grinding part at 100-800°C as necessary.例文帳に追加

Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの群から選択した１種または２種以上の元素とＴｉとの金属間化合物を主成分とすることを特徴とするダイヤモンド研磨用砥石、及び室温又は必要により研磨部を１００〜８００°Cに加熱しながら、砥石を相対的に回転又は移動するダイヤモンドに押し当て、研磨するダイヤモンドの研磨方法。 - 特許庁

This bearing 1 has the sliding surface 10 composed of a white metal layer 13 on the base 11 composed of the Cu alloy, and is characterized in that the base 11 forms a fine recess-projection part 15 on the sliding surface 10 side, and is covered with a plating layer 12 composed of ferromagnetic metal or its alloy, and is formed with the white metal layer 13 via the plating layer 12.例文帳に追加

Ｃｕ合金からなる基台１１にホワイトメタル層１３からなる摺動面１０を有する軸受１であって、前記基台１１は前記摺動面１０側に微細凹凸部１５が形成されるとともに強磁性金属又はその合金からなるめっき層１２が被覆され、前記めっき層１２を介してホワイトメタル層１３が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a metal wiring substrate and a method of manufacturing the same, which can form a pattern of a metal film with a simple process not requiring any etching process on a metal film, can precisely form a fine pattern, even on a metal such as copper (Cu) that is difficult to control etching, and is superior in material utilization efficiency, and a metal wiring substrate for reflection liquid crystal display.例文帳に追加

金属膜のエッチング工程を必要とせず簡単なプロセスによりパターン形成することができ、銅（Ｃｕ）等のエッチング制御が困難な金属であっても精細にパターニングでき、かつ材料の利用効率の優れた金属配線基板及び金属配線基板の製造方法並びに反射型液晶表示装置用金属配線基板を提供する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having an intermediate layer and a charge generation layer on a conductive support, the charge generation layer contains a moisture agent and the titanylphthalocyanine pigment having the maximum peak when the Bragg angle 2θ of X-ray diffraction spectrum using Cu-Kα characteristic X-ray (wavelength 1.541A) is 27.2±0.2°, and also the intermediate layer contains titanium oxide particles.例文帳に追加

導電性支持体上に中間層、電荷発生層を有する電子写真感光体において、該電荷発生層がＣｕ−Ｋα特性Ｘ線（波長１．５４１Ａ）を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角２θが２７．２±０．２°に、最大ピークを有するチタニルフタロシアニン顔料と保湿剤を含有し、且つ中間層が酸化チタン粒子を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The piezoelectric ceramic contains a third compound containing Bi, at least one kind of divalent metal element selected from the group consisting of Mg, Fe, Co, Cu and Zn, at least one kind of tetravalent metal element selected from the group consisting of Ti, Zr and Sn, and oxygen in addition to a first compound having a rhombohedral perovskite-structure and a second compound having a tetragonal perovskite-structure.例文帳に追加

菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第１の化合物および正方晶系ペロブスカイト構造を有する第２の化合物に加えて、Ｂｉと、Ｍｇ，Ｆｅ，Ｃｏ，ＣｕおよびＺｎからなる群のうちの少なくとも１種の二価金属元素と、Ｔｉ，ＺｒおよびＳｎからなる群のうちの少なくとも１種の四価金属元素と、Ｏとを含む第３の化合物を含有する。 - 特許庁

An X-ray detector 20 detects separately a diffraction X-ray coming out of the first sample domain irradiated with a characteristic X-ray of Co and a diffraction X-ray coming out of the second sample domain irradiated with a characteristic X-ray of Cu, being of a position sensitive type at least in the Z-direction, for example, a two-dimensional CCD sensor capable of TDI operation.例文帳に追加

Ｘ線検出器２０は，Ｃｏの特性Ｘ線が照射された第１試料領域から出てくる回折Ｘ線とＣｕの特性Ｘ線が照射された第２試料領域から出てくる回折Ｘ線とを分離して検出できるような，少なくともＺ方向に位置感応型のＸ線検出器であり，例えば，ＴＤＩ動作が可能な２次元ＣＣＤセンサである。 - 特許庁

This recording solution comprises an aqueous medium and at least one kind of a coloring matter selected from metal complex coloring matters formed from salts of a compound represented by general formula (1) in a free acid form, a compound represented by general formula (2), a compound represented by general formula (3) or a compound represented by general formula (4) and Cu, Co, Ni or Fe.例文帳に追加

水生媒体と遊離酸の形が下記一般式（１）で示される化合物あるいは下記一般式（２）で示される化合物あるいは下記一般式（３）で示される化合物あるいは下記一般式（４）で示される化合物とＣｕ，Ｃｏ，ＮｉあるいはＦｅの塩とから形成される金属錯体色素から選ばれる少なくとも１種の色素を含有する記録液。 - 特許庁

This invented silver paste is consisted of a vehicle and a metallic powder which contains silver as a principle constituent, Pd of 0.1-5.0 wt.%, and plural elements of 0.1-5.0 wt.% in total chosen from among the group comprising Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, and Si.例文帳に追加

本発明に係る銀ペーストは、金属粉末及びビヒクルからなる銀ペーストであって、上記金属粉末は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有するものである。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁

The interconnection and an electrode for flat panel display using a thin-film transistor having superior adhesiveness, formed by a copper alloy thin film having a composition containing oxygen by 0.4 to 6 atomic%, one or more of Ni, Co and Zn by 0.001 to 3 atomic% in total, and the rest consisting of Cu and unavoidable impurities, and is also relates to a sputtering target for forming interconnections and the electrode.例文帳に追加

酸素：０．４〜６原子％を含有し、さらにＮｉ、ＣｏおよびＺｎのうちの１種または２種以上を合計で０．００１〜３原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The method has a process of forming a wiring groove 38 at an interlayer insulating film 34, a process of forming the wiring layer 44 with Cu as the main material within the wiring groove 38, and a process of performing nitrogen two-fluid treatment, in which deionized water with ammonia and hydrogen dissolved therein and nitrogen gas are sprayed simultaneously to the surface of the wiring layer 44 embedded into the wiring groove 38.例文帳に追加

層間絶縁膜３４に、配線溝３８を形成する工程と、配線溝３８内に、Ｃｕを主材料とする配線層４４を形成する工程と、配線溝３８内に埋め込まれた配線層４４の表面に対して、アンモニア及び水素が溶解された純水と窒素ガスとを同時に吹き付ける窒素二流体処理を行う工程とを有する。 - 特許庁

The catalytic particle 10 having a function of absorbing and releasing oxygen contains a Fe compound being a solid solution formed from ferric oxide and one or more bivalent elements except for Fe, which are selected from alkaline metals such as Ca, Mg, Sr and Ba and transition metals such as Co, Ni and Cu and incorporated in the solid solution by around 1-10 atom%.例文帳に追加

酸素の吸蔵および放出を行う機能を有する触媒用粒子１０において、原子価が３価であるＦｅの酸化物に原子価が２価であるＦｅ以外の元素、たとえば、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａといったアルカリ金属や、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕといった遷移金属元素などが固溶されているＦｅ化合物を、１原子％〜１０原子％程度含んでいる。 - 特許庁

A polyol is allowed to react with an organic polyisocyanate in the presence of a catalyst composition comprising a metal complex catalyst represented by general formula (1) M(acac)_n (wherein M is Fe, Mn, Cu, Zr, Th, Ti, Ni, Al or Co; acac represents acetylacetonate; n is an integer of ≥1 and ≤4) and a compound having a cumulative double bond.例文帳に追加

下記一般式（１） Ｍ（ａｃａｃ）_ｎ （１）（式中、Ｍは、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ又はＣｏであり、ａｃａｃはアセチルアセトナートを表し、ｎは１以上４以下の値を有する整数である）で示される金属錯体触媒と累積二重結合を有する化合物とからなる触媒組成物の存在下で、ポリオールと有機ポリイソシアナートとを反応させる。 - 特許庁

In this biosensor for detecting the interaction between substances based on surface plasmon resonance, the substrate has a metal thin film including ≥90 mol% and less than 99.95 mol% of Ag as a first metal element, and ≥0.05 mol% and less than 10 mol% of at least one of Au, Pt, Cu, Bi, Nd, Ti or Sb as a second metal element.例文帳に追加

表面プラズモン共鳴に基づいて物質間の相互作用を検出するバイオセンサーにおいて、前記基板が、第一の金属元素としてのＡｇを９０モル％以上９９．９５モル％未満と、第二の金属元素としてのＡｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｓｂから選ばれる少なくとも１種を０．０５モル％以上１０モル％未満と、を含む金属薄膜を備えたバイオセンサー。 - 特許庁

In the polishing pad for Cu film polishing, the polymeric polyol compound contains polyester polyol of ≥30 wt.%.例文帳に追加

ポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有するＣｕ膜研磨用研磨パッドにおいて、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、イソシアネート成分と高分子量ポリオール成分とを原料成分として含有するイソシアネート末端プレポリマーと、鎖延長剤との反応硬化物であり、かつ前記高分子量ポリオール成分はポリエステルポリオールを３０重量％以上含有することを特徴とするＣｕ膜研磨用研磨パッド。 - 特許庁

On the premise of addition of Ti, the liquid metal embrittlement resistant characteristics can be improved, even in the high strength steel sheet having ≥590 MPa by adding fine quantity of B and one or more elements among Nb, Mo and Cr and further, since the martensitic structure can easily be obtained by adding Cu and Ni, the strength of ≥590 MPa is stably obtained.例文帳に追加

Ｔｉ添加を前提として、微量のＢやＮｂ，Ｍｏ，Ｃｒの一種または２種以上を添加することにより、５９０ＭＰａ以上の高強度鋼板においても耐溶融金属脆化特性が改善でき、更に、Ｃｕ，Ｎｉを添加することにより容易にマルテンサイト組織が得られるようになるため、安定して５９０ＭＰａ以上の強度が得られる。 - 特許庁

The conductive covering material comprises a lower layer region 2 made of one element selected from the group IV-X elements of the periodic table or an alloy predominantly composed of the element, an intermediate layer region 3 made of a Cu-Sn intermetallic compound, and an upper layer region 4 made of an Sn alloy containing an Ag-Sn intermetallic compound that are formed in this order on the surface of a base 1.例文帳に追加

基材１の表面に、周期律表４〜１０族に属する元素のいずれか１種またはその元素を主成分とする合金から成る下層領域２と、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物から成る中間層領域３と、Ａｇ−Ｓｎ金属間化合物を含有するＳｎ合金から成る上層領域４とがこの順序で形成されている導電性被覆材料。 - 特許庁

The method for specifying the Cu contaminated position when reproducing the silicon wafer in combination of one or more treatment processes uses a P-type silicon wafer or a P-type silicon wafer and a N-type silicon wafer as a monitoring wafer to perform at least one detecting operation in the reproducing processes for detecting the electric resistance of the monitoring wafer before and after the plurality of single or consecutive treatment processes during reproduction.例文帳に追加

一以上の処理プロセスを組合わせてシリコンウエハーを再生する際に、該再生時におけるＣｕ汚染箇所を特定する方法であって、 モニターウエハーとして、Ｐ型シリコンウエハー、若しくはＰ型シリコンウエハー及びＮ型シリコンウエハーを使用し、前記再生時における単一若しくは連続する複数の処理プロセスの前後で、前記モニターウエハーの電気抵抗を検知する検知操作を、当該再生工程で、少なくとも一回実施することを特徴とするＣｕ汚染箇所の特定方法である。 - 特許庁

A brazing structure in which an Al-plated steel material and an aluminum material are brazed to each other by using a brazing filler metal of Al-Cu-Si-based alloy composition with a melting point of <550°C comprises, a steel basis material, an Al-Fe-Si-based alloy layer, and an Al basis material.例文帳に追加

Ａｌめっき鋼材とアルミニウム材料を融点が５５０℃未満のＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ系合金組成のろう材を用いてろう付けした接合構造であって、鋼材側から順に、鋼素地、Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系合金層、Ａｌ素地により構成され、前記Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系合金層は下記（１）の条件好ましくはさらに下記（２）を満たすものである鋼材とアルミニウム材料のろう付け接合構造。 - 特許庁

This exhaust gas treating catalyst contains the oxide of at least one metal selected from Cr, Co, Fe, Cu and Mn as a component imparting an active point mainly and the oxide of at least one element selected from group VA, group VIA and group VB in the periodic table as a component imparting an adsorbing point mainly.例文帳に追加

主に活性点を与える成分としてＣｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎのうちの少なくとも１種の酸化物を含み、主に吸着点を与える成分として周期律表５Ａ族、６Ａ族、５Ｂ族の元素から選ばれる少なくとも１種の酸化物を含むことを特徴とする排ガス処理触媒を用いて、焼却炉等から排出される排ガス中の有害物質の分解、除去を行う。 - 特許庁

The resistive element is formed by stacking a first plate made of Cu-Ni-based alloy and a second plate made of Ni-Cr-based alloy, and has a diffusion layer 11c, in which the metal materials thereof are diffused, formed between the first plate 11a and second plate 11b, and the diffusion layer occupies 10% or more of the overall thickness of the resistive element.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｎｉ系合金からなる第１の板材と、Ｎｉ−Ｃｒ系合金からなる第２の板材とを積層することにより形成される抵抗体であって、第１の板材１１ａと第２の板材１１ｂとの間に、それぞれの金属材料が拡散した拡散層１１ｃが形成されており、前記拡散層は、前記抵抗体の全体厚みに占める割合が１０％以上である。 - 特許庁

In a gate electrode 103 that is formed on a compound semiconductor layer 100 composed of GaN, an Ni layer 41 formed by Schottky junction, a low-resistance metal layer 42 that is composed of one metal selected from the group consisting of Au, Cu, and Al, and a Pd layer 44 formed between the Ni layer 41 and the low-resistance metal layer 42 are provided on the compound semiconductor layer 100 composed of GaN.例文帳に追加

ＧａＮからなる化合物半導体層１００上に形成されたゲート電極１０３において、ＧａＮからなる化合物半導体層１００上でショットキー接合してなるＮｉ層４１と、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選択された１種の金属からなる低抵抗金属層４２と、Ｎｉ層４１と低抵抗金属層４２との間に形成されたＰｄ層４４を設けるようにする。 - 特許庁

In a pressurizing/heating process, a CuAu alloy layer 522 being an alloy layer of Cu constituting the pad 31 and Au constituting the stud bump 52a is formed by bonding the pad 31 with the stud bump 52a and the electrode 51a with the stud bump 52a by solid-phase diffusion bonding, and all Al of the electrode 51a are made into AuAl alloy and an AuAl alloy layer 521 which does not include Al is formed.例文帳に追加

また、加圧・加熱工程では、パッド３１とスタッドバンプ５２ａ、及び電極５１ａとスタッドバンプ５２ａとを固相拡散接合により接合することによって、パッド３１を構成するＣｕとスタッドバンプ５２ａを構成するＡｕとの合金層であるＣｕＡｕ合金層５２２を形成すると共に、電極５１ａのＡｌを全てＡｕＡｌ合金化してＡｌを含まないＡｕＡｌ合金層５２１とする。 - 特許庁

A catalyst for removing an organohalogen compd. improved in durability contains at least one kind of Mn-containing oxide selected from the group consisting of α-MnO2, β-MnO2, Mn-Cu compound oxide and Mn-Fe compound oxide and at least one kind of a compd. selected from the group consisting of Ti oxide, Ce oxide, Zr oxide and aluminum phosphate.例文帳に追加

α−ＭｎＯ_2、β−ＭｎＯ_2、Ｍｎ−Ｃｕ複合酸化物、及びＭｎ−Ｆｅ複合酸化物よりなる群から選択される少なくとも一種のＭｎ含有酸化物と；Ｔｉ酸化物、Ｃｅ酸化物、Ｚｒ酸化物、及びリン酸アルミニウムよりなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含有することにより耐久性が改善されたハロゲン化有機化合物除去触媒である。 - 特許庁

The barium titanate contains <5 mol% (including 0 mol%) at least one element chosen from the group consisting of Sn, Zr, Ca, Sr, Pb, La, Ce, Mg, Bi, Ni, Al, Si, Zn, B, Nb, W, Mn, Fe, Cu and Dy against BaTiO_3 and is used in a laminated ceramic capacitor and an electronic device.例文帳に追加

Ｓｎ，Ｚｒ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｐｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｍｇ，Ｂｉ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ｂ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕ，及びＤｙからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素をＢａＴｉＯ_3に対して５ｍｏｌ％未満（０ｍｏｌ％を含む）含むチタン酸バリウムであって、ＢＥＴ比表面積ｘ（単位：ｍ^2／ｇ）と、リートベルト法で算出した結晶格子のｃ軸長（単位：ｎｍ）とａ軸長（単位：ｎｍ）の比ｙが、下記一般式を満たすチタン酸バリウムを用いた積層セラミックコンデンサおよび電子機器。 - 特許庁

Disclosed is an interconnector material for solar cells used as an interconnector 32 for solar cells connecting cells 31 in a solar cell module 30, which contains, by mass, 3 to 20 ppm at least one kinds selected from Zr and Mg and ≤5 ppm O, and the balance Cu with inevitable impurities, and has the average crystal grain size of ≥300 μm.例文帳に追加

太陽電池モジュール３０においてセル３１間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ３２として使用される太陽電池用インターコネクタ材であって、質量百万分率で、Ｚｒ及びＭｇのうち少なくとも１種を３〜２０ｐｐｍ、Ｏを５ｐｐｍ以下、を含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなり、平均結晶粒径が３００μｍ以上とされていることを特徴とする。 - 特許庁

The copper wiring substrate manufacturing method is characterized in that a surface 2 of a glass or quartz substrate 1 is irradiated with plasmas 4 of an inert gas such as an Ar gas to reform the surface 2 to improve the adhesive property of the surface 2 itself of the substrate 1 to pure Cu and the copper thin film 3 is formed by sputtering directly on the surface 2 of the substrate 1.例文帳に追加

本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 - 特許庁

The number of conventional dual damascene process steps is reduced by using an organic insulating material which is photosensitive to electron beam irradiation as an interlayer insulating film, performing pattern exposure corresponding to via holes and wiring grooves in two steps of electron beam irradiation conditions and then performing development at the same time for forming necessary via holes and wiring grooves, and Cu of low resistivity is used as a wiring material.例文帳に追加

層間絶縁膜として、電子線照射に感光する有機絶縁材料を用い、電子線照射条件を２段階で行うことによりビアホールと配線溝に相当するパターン露光をし、その後同時に現像を行い必要なビアホールと配線溝を形成することで、従来のデュアルダマシン工程の工程数を削減するとともに、配線材料として比抵抗の小さいＣｕを用いる。 - 特許庁

The reflector is formed on a base material, and has a metal oxide layer and a reflection layer consisting of Ag doped with an element having a smaller atomic radius than that of Ag from a side near the base material when seen from a base material side, wherein crystallite size calculated from diffraction peaks originating in Ag by X-ray diffraction measurement using Cu K-alpha beam of the reflector, is 2 to 23 nm.例文帳に追加

基材上に形成される反射体であり、該反射体は、基材側から見て基材に近い側から、金属酸化物層、Ａｇに対して小さい原子半径を有する元素がドープされたＡｇからなる反射層、を有するものであり、該反射体のＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定により、Ａｇに由来する回折ピークから算出される結晶子サイズが２〜２３ｎｍであることを特徴とする反謝体。 - 特許庁

This sputtering target, having 1×10^-4 to 1.5×10^4 Ω.cm for electrical resistivity at 25°C, is obtained by sintering a raw material mixture, containing substantially ZnS and at least one dopant element selected from the group consisting of Al, In, Ag, Cu, N, Li, Na and Cl.例文帳に追加

実質的にＺｎＳと、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ、Ｌｉ、Ｎａ及びＣｌからなる群から選択される少なくとも１種のドーパント元素とを含有する原料混合物を焼結して得られるターゲットであって、該ターゲットの２５℃における電気抵抗率が１×１０^−４〜１．５×１０^４Ω・ｃｍであることを特徴とする、ＤＣスパッタリングの可能な光ディスク保護膜用スパッタリング・ターゲット、さらには、これらを用いて作成した光ディスク保護膜により提供。 - 特許庁

This selective method for producing a multi-substituted butadiene is provided by reacting two alkene compounds containing an alkene bond and bonded with an organic group containing an atom selected from group 13 to 16 elements of a long period type periodic table and bonded with a second carbon atom of a first and second carbon atoms forming the alkene bond through the atom in the presence of a catalyst containing copper (Cu).例文帳に追加

アルケン結合を含み、該アルケン結合を形成する第一の炭素原子及び第二の炭素原子の内の該第二の炭素原子に、元素の長周期型周期表における第１３族から第１６族から選択される原子を含む有機基が該原子を介して結合してなるアルケン化合物の２つを、少なくとも銅（Ｃｕ）含有触媒を含む触媒の存在下で反応させる多置換ブタジエンの選択的製造方法である。 - 特許庁

In Japan too it has been held that with a view to introducing the CU system the 'Panel for the Prompt Supply of Effective and Safe Drugs' should consider, with continued adherence to the principle of government approval once the necessary domestic clinical trials have been conducted, such matters as the basic philosophy of this system (the scope of unapproved drugs to be covered and the target patients), the respective roles of the government, pharmaceutical companies and physicians, and the handling under medical insurance. (Fiscal 2007 ~ )例文帳に追加

我が国でも、「有効で安全な医薬品を迅速に提供するための検討会」において、国内で必要な治験を行った上で、国が承認するとの原則を堅持すべきであるとしつつ、ＣＵ制度の基本的考え方（対象とすべき未承認医薬品の範囲や対象者）、国・製薬企業・医師の役割分担、医療保険上の取扱い等について、ＣＵ制度の導入に向けて検討すべきとされた。（2007 年度～） - 厚生労働省

In a metallization polyimide film having two or more metal layers including at least a metal layer principally comprising Cu formed on at least one side of a polyimide film, surface metal index Asm calculated by IR-ATR method is ≥0.001 on the surface of the polyimide film after the metallization polyimide film is treated with sulphuric acid/hydrogen peroxide based etching reagent, and he surface resistivity is ≥1×10^13 Ω.例文帳に追加

ポリイミドフィルムの少なくとも片面に少なくともＣｕを主体とする金属層を含む二層以上の金属層が形成された金属被覆ポリイミドフィルムにおいて、該金属被覆ポリイミドフィルムを硫酸／過酸化水素系エッチング試薬で処理したポリイミドフィルム表面のＩＲ−ＡＴＲ法から算出される表面金属指数Ａｓｍが０．００１以上、かつ表面抵抗率が１×１０^13Ω以上であることを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム。 - 特許庁

The oxide superconductor S has an oxide superconducting layer b obtained through a method to form a film by a chemical reaction of oxide superconductor raw material gas on at least one surface side of a tape- form base material 38 containing Ag in it, on a surface layer part of the base material 38 formed a diffused layer c with Cu diffused, and the oxide superconducting layer formed on the diffused layer c.例文帳に追加

Ａｇを含むテープ状の基材３８の少なくとも一面側において酸化物超電導体の原料ガスを化学反応させて前記基材上に成膜する方法により得られた酸化物超電導層ｂを有し、前記基材３８の表層部に、Ｃｕが拡散された拡散層ｃが形成され、該拡散層ｃ上に前記酸化物超電導層が形成されたことを特徴とする酸化物超電導導体Ｓ及びその製造方法。 - 特許庁

The powder X-ray diffraction pattern of the biimidazole compound shows a diffraction peak at least in each region from 9.0° to 9.2°, from 11.0° to 11.2° and from 21.2° to 21.4° of 2θ angle by Cu-Kα characteristic X-ray diffraction.例文帳に追加

（Ａ）バインダー樹脂、（Ｂ）光重合性モノマー、（Ｃ）光重合開始剤、（Ｄ）着色材料および（Ｅ）溶剤を含有し、光重合開始剤として少なくともビイミダゾール化合物を含む着色感光性樹脂組成物において、ビイミダゾール化合物の（１）粉末Ｘ線回折パターンがＣｕ−Ｋα特性Ｘ線回折の２θ角度で少なくとも９．０°〜９．２°の範囲、１１．０°〜１１．２°の範囲および２１．２°〜２１．４°の範囲にそれぞれ回折ピークを有することを特徴とする着色感光性樹脂組成物。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor element 2 mounted on a rectangular PBGA substrate 1 composed of an epoxy circuit board 11 having Cu wirings 12 in an inner layer, the semiconductor element 2 sealed with an epoxy resin 4, and mounting solder balls 5 disposed on the backside of the PBGA substrate 1.例文帳に追加

内層にＣｕ配線１２を有するエポキシ回路基板（１１）で構成される矩形のＰＢＧＡ基板１上に半導体素子２が搭載され、かつ半導体素子２がエポキシ樹脂４により封止されるとともに、ＰＢＧＣ基板１の裏面に実装用の半田ボール５が配設されている半導体装置において、ＰＢＧＡ基板１のコーナ部には、外方向に向けて放射状に突出された突起形状部１４がエポキシ回路基板（１１）を形成しているエポキシ樹脂により一体形成される。 - 特許庁

The high strength thick steel plate having excellent arrest properties in the Z direction has a chemical composition comprising 0.01 to 0.12% C, ≤0.50% Si, 0.4 to 2% Mn, ≤0.05% P, ≤0.008% S, 0.002 to 0.05% Al, ≤0.01%例文帳に追加

C：0.01〜0.12％、Si≦0.50％、Mn：0.4〜2％、P≦0.05％、S≦0.008％、Al：0.002〜0.05％、N≦0.01％、Nb：0.003〜0.1％を含み、〔C＋（Mn／6）＋（Cu／15）＋（Ni／15）＋（Cr／5）＋（Mo／5）＋（V／5）〕：0.32〜0.40を満たし、残部はFeと不純物の化学組成を有し、板厚中心部における有効結晶粒径≦25μmで、C断面における板厚1／4位置を中心として、Z方向で特定長さを有する任意の直線と交差する有効結晶粒の粒界数NzとC方向で前記と同じ特定長さを有する任意の直線と交差する有効結晶粒の粒界数Ncとの比Nz／Ncが1.05以上のＺ方向のアレスト特性に優れた高強度厚肉鋼板。 - 特許庁