「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

The first arm 131 includes a recessed portion 138 on the front side of the arm, and when the second arm 132 is turned toward the front side of the first arm together with the camera head 150 and both arms are folded in a storage posture, the recessed portion 138 encloses a lens unit CU of the camera head 150.例文帳に追加

第１アーム１３１は、アーム正面側に陥没凹所１３８を備え、この陥没凹所１３８には、第２アーム１３２がカメラヘッド１５０と共に第１アーム正面側に回動されてアームが重なった収納姿勢となると、カメラヘッド１５０のレンズユニットＣＵを取り囲む。 - 特許庁

Subsequently, laser beams 5 are overlappingly scanned in the atmosphere of a second CVD gas 4 of DMAu-Tfac or HfacCu-tmvs, whereby a conductive film 6 made of Au or Cu which is electrically connected to the contact 3 at a low resistance is formed.例文帳に追加

続いて、ＤＭＡｕ−ＴｆａｃまたはＨｆａｃＣｕ−ｔｍｖｓの第２のＣＶＤガス４雰囲気中でレーザ光５を重畳走査することによって、コンタクト３と電気的に低抵抗で接続されるＡｕまたはＣｕからなる導電性膜６を形成する。 - 特許庁

In the formula, L1 represents a ligand comprising within its molecule a thiol group binding to a plurality of species of substrates and a terpyridyl group binding to a plurality of species of metallic elements, L2 represents terpyridine or a terpyridine derivative, and M represents a metallic element selected from Co, Cr, Cu, V, Fe, Ru, Os and Ni.例文帳に追加

（式中、Ｌ１は分子内に、多くの金属基板に結合可能なチオール基と、多くの金属元素に結合可能なターピリジル基を有した配位子である。Ｌ２はターピリジン、またはターピリジン誘導体である。ＭはＣｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｖ，Ｆｅ，Ｒｕ，ＯｓまたはＮｉから選ばれる金属元素である。） - 特許庁

This surface contracted layer 2 is made of a porous plate made of copper alloy (94.9 wt.% Cu-5.5 wt.% Sn-0.1 wt.% P), its thickness is 45 μm, and a through hole of an averaged diameter 5 μm is formed in distribution density (porosity 4%) of 1,600 pieces/mm2.例文帳に追加

この表面絞り層２は、銅合金製（９４．９ｗｔ％Ｃｕ−５．５ｗｔ％Ｓｎ−０．１ｗｔ％Ｐ）の多孔板からなり、その厚さは４５μｍであり、平均直径５μｍの貫通孔が、１，６００個／ｍｍ^２の分布密度（気孔率４％）で形成されている。 - 特許庁

To obtain a polishing composition wherein metallic impurities of Cu, Mn, Ni, Fe, Zn, Cr, etc are hardly present on the surfaces of its fumed silica particles and in its dispersion medium and which is optimal for polishing silicon wafers etc, and to provide a method of obtaining the above polishing composition at a low cost.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｒ等の金属性不純物がヒュームドシリカ粒子表面及び分散媒中にほとんど存在せず、シリコンウエハ等の研磨に最適な研磨用組成物を得ること、及び低コストでこの研磨用組成物を得る方法を提供すること。 - 特許庁

In hot tool steel and cold tool steel, the compositional contents of C, Si, Mn, P, S, Cr, Cu+Ni+Co, 2Mo+W and V as components are limited, and the balance substantially Fe with inevitable impurities, and Nb, Sn, Pb, B, Ta and Bi are not incorporated.例文帳に追加

熱間工具鋼及び冷間工具鋼の成分Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｓ、Ｃｒ、Ｃｕ＋Ｎｉ＋Ｃｏ、２Ｍｏ＋Ｗ及びＶの含有量を組成限定し、残部が実質的にＦｅ及び不可避的不純物よりなり、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂ、Ｔａ及びＢｉを含有させない。 - 特許庁

The copper complex is [Cu^II_2(Sp)_2(OH)_2](ClO_4)_2 complex having a structure of a coordination plane twisted in a spiral form and is obtained by synthesis using natural alkaloid (-)-sparteine as a ligand.例文帳に追加

天然アルカロイド（−）−Ｓｐａｒｔｅｉｎｅを配位子として用い合成して得られる、配位平面が螺旋状に捻じれた構造を有する［Ｃｕ^ＩＩ_２（Ｓｐ）_２（ＯＨ）_２］（ＣｌＯ_４）_２錯体であることを特徴とする天然アルカロイド（−）−Ｓｐａｒｔｅｉｎｅを用いた銅錯体。 - 特許庁

The Ge ion-eluting Ag alloy having satisfactory corrosion resistance and plastic workability comprises, by mass, ≤97% Ag and 2 to 6% Ge, and the balance one or more selected from Au, Pd, Cu and In.例文帳に追加

９７ｍａｓｓ％以下のＡｇと，２〜６ｍａｓｓ％のＧｅを含み，残部がＡｕ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｉｎの１種類もしくは２種類以上からなることを特徴とするＧｅイオン溶出Ａｇ合金．これにより，耐食性および塑性加工性の良い，Ｇｅイオン溶出Ａｇ合金を提供することが出来る． - 特許庁

To provide a complex sulfide powder useful as a manufacturing intermediate of a compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn and S which is excellent in uniformity, and a manufacturing method thereof; a compound semiconductor obtained using the above complex sulfide powder; and a solar cell comprising the above compound semiconductor.例文帳に追加

均一性に優れる、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含有する化合物半導体の製造中間体として有用な複合硫化物粉体とその製造方法、前記複合硫化物粉体を用いて得られる化合物半導体、及び前記化合物半導体を含む太陽電池を提供する。 - 特許庁

This decorative copper alloys have a composition consisting of, by mass, 1-6% Al, 0-3% Ti and the balance essentially Cu and whose reflected light spectra have xy chromaticity coordinate values or Lab coordinate values almost identical with those of the alloys in the range from gold-copper alloys to gold-copper-silver alloys.例文帳に追加

質量％で１〜６％のＡｌと、０〜３％のＴｉを含有し残部が実質的にＣｕからなるもので、その反射光スペクトルが金−銅合金から金−銅−銀合金とほぼ同じｘｙ色度座標値あるいはＬａｂ座標値を持つ装飾用銅合金である。 - 特許庁

The copper alloy material is obtained by subjecting a copper alloy ingot comprising, by mass, 1.0 to 5.0% Ni, 0.2 to 1.1% Si, and the balance Cu with inevitable impurities, and in which the size of crystallized products is 0.5 to 10 μm, and dendrite secondary arm spacing is 10 to 50 μm to rolling and heat treatment.例文帳に追加

Ｎｉを１．０〜５．０質量％、Ｓｉを０．２〜１．１質量％含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなり、晶出物径が０．５〜１０μｍ、デンドライト２次アームスペーシングが１０〜５０μｍである銅合金鋳塊に圧延加工および熱処理が施された銅合金材。 - 特許庁

The composite layer formed of the insulating layer and wiring layer includes the wiring (the wiring layer) formed by a printing method on curable insulating resin (the insulating layer) formed on the substrate by the printing method, wherein the wiring contains at least one or more elements out of Cu, Ag, Au, Al, Ni, Co, Pd, Sn, Pb, In, and Ga.例文帳に追加

基板上に印刷法により形成した硬化性絶縁樹脂（絶縁層）上に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｇａの内少なくともひとつ以上の元素を含む配線（配線層）を印刷法により形成した、絶縁層と配線層の複合層。 - 特許庁

The aluminum material is characterized in that the content of carbon (C) is ≤10 ppm by atomic ratio, the content of oxygen(O) is ≤1ppm by atomic ratio, the content of nitrogen(N) is ≤20 ppm by atomic ratio, and the total content of iron(Fe), silicon(Si) and copper(Cu) is ≤0.3 ppm by atomic ratio.例文帳に追加

炭素（Ｃ）含有量が原子比で１０ｐｐｍ以下、酸素（Ｏ）含有量が原子比で１ｐｐｍ以下、窒素（Ｎ）含有量が原子比で２０ｐｐｍ以下であり、鉄（Ｆｅ）と珪素（Ｓｉ）と銅（Ｃｕ）の合計含有量が原子比で０．３ｐｐｍ以下であることを特徴とするアルミニウム材である。 - 特許庁

The high-strength and high-conductivity copper alloy has a composition containing, by mass, >1.0 to <4% Mg and >0.1 to 5% Sn, and the balance substantially Cu with inevitable impurities, and in which the mass ratio between the Mg content to the Sn content, Mg/Sn is ≥0.4.例文帳に追加

Ｍｇ；１．０質量％を超えて４質量％未満、Ｓｎ；０．１質量％を超えて５質量％未満を含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされており、Ｍｇの含有量とＳｎの含有量の質量比Ｍｇ／Ｓｎが０．４以上とされていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a refractory steel in which the contents of alloy elements Mo, Cu, Cr and Nb increasing high temperature strength are limited, and which has sufficient refractory performance and low temperature toughness, i.e., a refractory steel which has excellent reheat embrittlement resistance and low temperature toughness, and a method for producing the same.例文帳に追加

高温強度を高める合金元素Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｂの含有量を制限し、かつ、十分な耐火性能及び低温靭性を有する耐火鋼材、即ち、耐再熱脆化性及び低温靭性に優れた耐火鋼材並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

The lens 10A for the imaging apparatus is for use in the imaging apparatus including a solid-state imaging device; the lens has a layer 12, containing near-infrared absorbing particles which are composed of oxide crystallites containing at least Cu and P, and which have a number-average coagulated particle size of 5 to 200 nm.例文帳に追加

撮像装置用レンズ１０Ａは、固体撮像素子を備えた撮像装置に用いられるレンズであって、少なくともＣｕおよび／またはＰを含む酸化物の結晶子からなり、数平均凝集粒子径が５〜２００ｎｍである近赤外線吸収粒子を含有する層１２を備える。 - 特許庁

To provide a laminated varistor of superior static electricity suppression effect and static electricity resistance which has varistor voltage and voltage non-linearity of equivalent level to the case where firing is performed in atmosphere by using an electrode of a noble metal such as a Pd even when an non-fired varistor material and a Cu electrode are integrally fired.例文帳に追加

未焼成のバリスタ材料とＣｕ電極とを一体焼成しても、Ｐｄ等の貴金属の電極を用いて大気中で焼成した場合と同等レベルのバリスタ電圧と電圧非直線性を有し、優れた静電気抑制効果と静電気耐性を実現する。 - 特許庁

Moreover, the base material contains 15-40 mass% Zn, 8-20 mass% Ni, 0-0.5 mass% Mn, and the balance may be a copper-based alloy including Cu and unavoidable impurities, and further may contain 0.005-10 mass% the optional ingredient in total.例文帳に追加

又、母材は１５〜４０質量％のＺｎ、８〜２０質量％のＮｉ、０〜０．５質量％のＭｎを含有し残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金でもよく、更に上記任意成分を合計で０．００５〜１０質量％含有することができる。 - 特許庁

In a bonding system, two objects 91 and 92 to be bonded each having a bonding part PT1 composed of one of Au(gold), Cu(copper) and Al(aluminum) and a bonding part PT2 composed of one of one of Si(silicon), SiO_2(silicon dioxide) or glass on bonding surfaces thereof are bonded.例文帳に追加

この接合システムは、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）およびＡｌ（アルミニウム）のいずれかで構成される接合部分ＰＴ１とＳｉ（シリコン）、ＳｉＯ_２（二酸化シリコン）およびガラスのいずれかで構成される接合部分ＰＴ２とをその接合表面にそれぞれ有する２つの被接合物９１，９２を接合する。 - 特許庁

A method of manufacturing the electronic device includes forming a solder connection portion 1 by the steps of: forming a Ni plating layer 3 on a Cu layer as an electrode of a substrate 5; forming a solder ball; and having a compound layer 2 between a Sn-based solder 8 which includes a Cu6Sn5 phase in a temperature range from a room temperature to 200°C.例文帳に追加

電子装置のはんだ接続部１において、基板５の電極となるＣｕ層上にＮｉめっき層３が形成され、はんだボールを構成し、かつ室温から２００℃においてＣｕ６Ｓｎ５相を含有するＳｎ系はんだ８との間に化合物層２を有する。 - 特許庁

The second electrode layer may include at least any one selected from a group consisting of Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu and Co.例文帳に追加

前記第２電極層は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｎａ、Ｓｂ、Ｌｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｎｉ、ＣｕおよびＣｏよりなる群のうち選択された少なくとも何れか一つを含みうる。 - 特許庁

To optimize process conditions and to supervise CMP equipment by enabling residual slurry map detection equipment to detect the state of slurries etc. adhered on wafers after CMP with high accuracy, in order to, for example, realize a semiconductor device having high-reliablility Cu interconnections.例文帳に追加

スラリー残マップ検出装置に関し、ＣＭＰ後のウェーハに付着したスラリー等の状態を精度良く検出できるようにし、プロセス条件の最適化やＣＭＰ装置の状態を監視できるようにして、例えば、信頼性が高いＣｕ配線をもつ半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

In this bearing 10 formed by joining a bearing member 4 made of a Cu-Pb bearing alloy to a surface of a base material 2, the bearing member 4 is joined to the base material 2 by soldering, and a surface opposite to the base material 2 of the bearing member 4 is provided with a soldering material anti-diffusion layer 8.例文帳に追加

基材２の表面に、Ｃｕ−Ｐｂ系軸受合金から成る軸受部材４を接合して成る軸受１０であって、軸受部材４は基材２にろう付接合され、かつ、軸受部材４のうち基材２に対向する面には、ろう材の拡散防止層８が形成されている。 - 特許庁

Zinc borate has a specific chemical composition and has a crystalline size of not less than 60 nm determined based on any of diffraction peak of surface indices (020), (101) and (200) in an X-ray diffraction image and a sodium content of not more than 100 ppm measured by means of an atomic absorption method.例文帳に追加

特定の化学組成を有し、Ｘ線回折像（Cu-kα）における面指数(０２０)(１０１)及び(２００)の回折ピークから求めた結晶子サイズが何れも６０ｎｍ以上であり、且つ原子吸光法で測定したナトリウム分の含有量が１００ｐｐｍ以下であるホウ酸亜鉛。 - 特許庁

This composite electromagnetic shielding material comprises a conductive core made of metal foil whose main component is Al, a dry Cu plated layer and a metal plated layer in order from bottom up on either side of an organic resin film and has a fracture elongation of 5% or more.例文帳に追加

本発明の複合電磁波シールド材は、有機樹脂フィルムの片面に、下から順に、Ａｌを主成分とする金属箔からなる導電性芯体、乾式Ｃｕめっき層、金属めっき層が形成されてなり、破断伸度が５％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

In this lead-acid battery equipped with a negative electrode lattice having a lattice base material provided with the ear porion 1 and lattice portions 2, 3 and a surface layer disposed only on the surface of the ear potion, the surface layer contains lead as a main material and at least one kind of Ag, Bi, Co, Cu, Fe, Ge, Ni, and Zn.例文帳に追加

耳部１と格子部２、３とを備えた格子基材と前記耳部の表面にのみ配された表面層とを有する負極格子を備えた鉛蓄電池において、前記表面層は鉛を主材としてＡｇ，Ｂｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｎｉ，およびＺｎの少なくとも一種を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an aqueous photoresist stripping agent, which maintains a certain level of abilities of preventing corrosion in Cu and Al and of stripping a photoresist even when a water content varies, by using an azole compound containing a mercapto group as a corrosion preventive, the compound being an additive for a TFT-LCD stripping solution composition.例文帳に追加

ＴＦＴ−ＬＣＤ用剥離液組成物添加剤であるメルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いて、水の含有量変化時にもＣｕ及びＡｌの腐食防止及びフォトレジスト剥離能力を一定に維持する水系フォトレジスト剥離剤を提供する。 - 特許庁

To provide a metal wiring forming method in which reliability of a metal wiring is secured by selectively forming a titanium or ruthenium metal, which is capable of preventing diffusion of a copper selectively, at an interface between a copper (Cu) metal wiring having no head for electromigration and a capping film.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションに弱い銅（Ｃｕ）金属配線とキャッピング膜との界面に選択的に銅の拡散を防止することが可能なチタニウム又はルテニウム金属を選択的に形成して金属配線の信頼性を確保することが可能な金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

By using the strong excitation micro photoluminescence method, each intensity of photoluminescence light emitted from an evaluated semiconductor silicon wafer and from the non-contaminated portion of a reference semiconductor silicon wafer is measured and compared, and thus Cu contamination in the semiconductor silicon wafer is evaluated.例文帳に追加

強励起顕微フォトルミネッセンス法を用い、評価対象の半導体シリコンウェーハと参照半導体シリコンウェーハの汚染のない部分とから発光されるフォトルミネッセンス光の光強度を測定して比較することにより当該半導体シリコンウェーハ中のＣｕ汚染を評価するようにした。 - 特許庁

Alternately, the base material may be a copper-based alloy containing, by mass, 15-40% Zn, 8-20% Ni and 0-0.5% Mn, and the balance composed of Cu and inevitable impurities, and furthermore, the base material may contain 0.005-10 mass% in total of the above mentioned arbitrary components.例文帳に追加

又、母材は１５〜４０質量％のＺｎ、８〜２０質量％のＮｉ、０〜０．５質量％のＭｎを含有し残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金でもよく、更に上記任意成分を合計で０．００５〜１０質量％含有することができる。 - 特許庁

To provide an automobile component being a plastically worked product of an Al-Mg-Si-based alloy in which the amount of Cu to be added is increased, wherein corrosion resistance can be improved together with the increase of its strength, and a corrosion loss is prevented even when being thinned, and its weight reduction can be securely performed.例文帳に追加

Ｃｕ添加量を増加させたＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金の塑性加工品である自動車用部品において、高強度化とともに耐食性を向上させることができ、部品を薄肉化しても腐食減量を防止して軽量化を確実に行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a silicon nitride circuit board provided with a radiation part consisting Cu-SiC and a composite material capable of making thermal cycle life long and mass production by solving the problem that reliability is inferior in soldering, heat resistance increases and a production cost increases.例文帳に追加

はんだ付けの信頼性に劣る課題、はんだ付けにより熱抵抗が増加する課題および製造コストを高めてしまう課題を解決し、熱サイクル寿命が長く安価に大量に製造できる、Ｃｕ−ＳｉＣ、複合材料からなる放熱部材を具備する窒化ケイ素回路基板を提供する。 - 特許庁

At least one kind of Zr, Al, Li, Mg and Zn is incorporated by an amount of 0.05 to 3.0 pts.wt. in metallic conversion to a composition of 100 pts.wt. containing Cu at the ratio of 10 to 70 vol.% and W and/or Mo at the ratio of 30 to 90 vol.%.例文帳に追加

Ｃｕを１０〜７０体積％、Ｗ及び／又はＭｏを３０〜９０体積％の割合で含有する組成物１００重量部に対して、Ｚｒ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｍｇ及びＺｎのうち少なくとも１種を金属換算で０．０５〜３．０重量部含有することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the thin Al-Cu joined structure, the hot-rolling is performed at the temperature of 350-500°C, the draft at each rolling is set to be 20%±10% when the hot-rolling is repeated, and annealing is preferably performed after finishing the hot-rolling.例文帳に追加

上記薄型Ａｌ−Ｃｕ接合構造物の製造方法では、熱間圧延を３５０℃〜５００℃で行ったり、熱間圧延を繰り返す場合に各圧延での圧下率を２０％±１０％にしたり、さらに熱間圧延の仕上後に焼鈍を施すのが望ましい。 - 特許庁

This aluminum alloy sheet excellent in formability is formed into a sheet body contg., as chemical components, by weight, 0.85 to 1.50% Mn, 0.50 to 1.50% Mg, 0.30 to 0.70% Fe, 0.10 to 0.50% Si, 0.15 to 0.50% Cu, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

化学成分として重量％で、Ｍｎ：０．８５〜１．５０％、Ｍｇ：０．５０〜１．５０％、Ｆｅ：０．３０〜０．７０％、Ｓｉ：０．１０〜０．５０％、Ｃｕ：０．１５〜０．５０％を含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなる板体に形成される成形性に優れたアルミニウム合金板。 - 特許庁

To enable the effective development of an action of a metal such as Ag, Cu and Zn in a surface-treatment of a substrate having a glass layer and provide a product having a glass layer, etc., imparted with excellent surface characteristics and producible with suppressed loss of the metal.例文帳に追加

ガラス層をもつ基体の表面処理方法及びガラス層をもつ製品に関し、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属による作用を効果的に発揮可能とするとともに、それらの金属の無駄を生じさせず、かつ製品に優れた表面性状をもたせ得るようにする。 - 特許庁

The metal oxide particulates are expressed by a compositional formula of ABO_2 (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag; and B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl), and have a mean particle diameter of ≤100 nm.例文帳に追加

組成式ＡＢＯ_２（Ａの金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇ、Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）で表される金属酸化物微粒子であって、平均粒径が１００ｎｍ以下である金属酸化物微粒子。 - 特許庁

A green sheet 14 is provided between a Cu wiring board 11 wherein an IGBT 12 and a diode 13 are bonded, and a cooler 15, and its thickness is made projected and larger on the side of the cooler in an area not opposite to the IGBT 12 and the diode 13.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１２およびダイオード１３が接合されたＣｕ配線板１１と冷却器１５との間に設けられたグリーンシート１４の厚みが、ＩＧＢＴ１２およびダイオード１３と対向しない領域において冷却器１５側に凸状に厚くなるように構成されている。 - 特許庁

The aluminum-alloy material has a composition which consists of 1.0-1.6 mass% Mn and the balance Al with inevitable impurities and in which the contents of Cu, Fe and Si among the inevitable impurities are regulated, by mass, to ≤0.01%, ≤0.15% and ≤0.15%, respectively.例文帳に追加

アルミニウム合金材の組成を、Ｍｎを１．０乃至１．６質量％含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物のうちＣｕは０．０１質量％以下、Ｆｅは０．１５質量％以下、Ｓｉは０．１５質量％以下に規制された組成とする。 - 特許庁

The method comprises a process for forming the barrier metal layer 5 in a prescribed position on a Cu wiring layer 3 formed on a semiconductor substrate by a CVD method or an ALD method, and a process for forming an Al layer 6 on the barrier metal layer without air-exposing the barrier metal layer 5.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＣｕ配線層３上の所定位置に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりバリアメタル層５を形成する工程と、前記バリアメタル層５を大気暴露することなく、前記バリアメタル層上にＡｌ層６を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Sn-P copper alloy sheet which can meet the recent demand for higher efficiency and higher speed in a press forming process for manufacturing connection parts such as automotive terminal-connector and has a satisfactory strength-ductility balance and also has excellent stress relaxation resistance and electric conductivity.例文帳に追加

前記高効率化、高速化した自動車用端子・コネクタなどの接続部品を製造するプレス成形工程に対応し、強度−延性バランスに優れ、同時に、耐応力緩和特性と導電率にも優れさせるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系の銅合金板を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the formula, Ln1 is one or both of La and Sm, Ln2 is one or both of Ba and Ca, A is one or both of Fe and Cu, 0.5<x1.0, 0<y<1.0, and -0.5≤d≤0.5.例文帳に追加

Ｌｎ1_1-xＬｎ2_xＡ_1-yＣｏ_yＯ_3+d ……(１) 但し、Ｌｎ1はＬａ又はＳｍのいずれか一方又は双方の元素であり、Ｌｎ2はＢａ又はＣａのいずれか一方又は双方の元素であり、ＡはＦｅ又はＣｕのいずれか一方又は双方の元素であり、０．５＜ｘ＜１．０であり、０＜ｙ＜１．０であり、−０．５≦ｄ≦０．５である。 - 特許庁

To produce a lithium titanium complex oxide, where the inequality: Ia>Ib>Ic is effected in an X-ray diffraction spectrum using Cu-Kα beam sources, wherein Ia is the peak intensity of the (200) face; Ic is the peak intensity of the (004) face; and Ib is the peak intensity of the (31-3) face.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｋα線源を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、（２００）面のピーク強度Ｉａ、（００４）面のピーク強度Ｉｃ、及び、（３１−３）面のピーク強度Ｉｂの間に、Ｉａ＞Ｉｂ＞Ｉｃとなる関係が成立する、リチウムチタン複合酸化物を製造する。 - 特許庁

The method has an interlayer insulating film forming step of forming an interlayer insulating film 12, a wiring groove forming step of etching the interlayer insulating film 12 to form a wiring groove 13, and a wiring forming step of filling Al-Cu alloy in the inside of the wiring groove 13 to form a wiring 18.例文帳に追加

層間絶縁膜形成工程により層間絶縁膜１２を形成し、配線溝形成工程により層間絶縁膜１２をエッチングして配線溝１３を形成し、配線形成工程により配線溝１３の内部にＡｌ−Ｃｕ合金を充填し、配線１８を形成する。 - 特許庁

The surface mount light emitting diode comprises a recess 1d having a circular bottom 1b and a conical light reflecting side face 1c and formed on one surface 1a of a package 1 molded in a substantially cubic shape by injection molding or press forming a metal core material of high heat conductive Mg, Al, Cu or the like.例文帳に追加

高熱伝導性のＭｇ系、Ａｌ系、Ｃｕ系等のメタルコア材料を、射出成形あるいはプレス成形によって略立方体形状に成形したパッケージ１の一面１ａには、円形の底面１ｂと円錐形状の側面１ｃとを有する凹部１ｄが形成されている。 - 特許庁