「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

The composite layer formed of the insulating layer and wiring layer includes the wiring (the wiring layer) formed by a printing method on curable insulating resin (the insulating layer) formed on the substrate by the printing method, wherein the wiring contains at least one or more elements out of Cu, Ag, Au, Al, Ni, Co, Pd, Sn, Pb, In, and Ga.例文帳に追加

基板上に印刷法により形成した硬化性絶縁樹脂（絶縁層）上に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｇａの内少なくともひとつ以上の元素を含む配線（配線層）を印刷法により形成した、絶縁層と配線層の複合層。 - 特許庁

The aluminum material is characterized in that the content of carbon (C) is ≤10 ppm by atomic ratio, the content of oxygen(O) is ≤1ppm by atomic ratio, the content of nitrogen(N) is ≤20 ppm by atomic ratio, and the total content of iron(Fe), silicon(Si) and copper(Cu) is ≤0.3 ppm by atomic ratio.例文帳に追加

炭素（Ｃ）含有量が原子比で１０ｐｐｍ以下、酸素（Ｏ）含有量が原子比で１ｐｐｍ以下、窒素（Ｎ）含有量が原子比で２０ｐｐｍ以下であり、鉄（Ｆｅ）と珪素（Ｓｉ）と銅（Ｃｕ）の合計含有量が原子比で０．３ｐｐｍ以下であることを特徴とするアルミニウム材である。 - 特許庁

The high-strength and high-conductivity copper alloy has a composition containing, by mass, >1.0 to <4% Mg and >0.1 to 5% Sn, and the balance substantially Cu with inevitable impurities, and in which the mass ratio between the Mg content to the Sn content, Mg/Sn is ≥0.4.例文帳に追加

Ｍｇ；１．０質量％を超えて４質量％未満、Ｓｎ；０．１質量％を超えて５質量％未満を含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされており、Ｍｇの含有量とＳｎの含有量の質量比Ｍｇ／Ｓｎが０．４以上とされていることを特徴とする。 - 特許庁

The lens 10A for the imaging apparatus is for use in the imaging apparatus including a solid-state imaging device; the lens has a layer 12, containing near-infrared absorbing particles which are composed of oxide crystallites containing at least Cu and P, and which have a number-average coagulated particle size of 5 to 200 nm.例文帳に追加

撮像装置用レンズ１０Ａは、固体撮像素子を備えた撮像装置に用いられるレンズであって、少なくともＣｕおよび／またはＰを含む酸化物の結晶子からなり、数平均凝集粒子径が５〜２００ｎｍである近赤外線吸収粒子を含有する層１２を備える。 - 特許庁

To provide a laminated varistor of superior static electricity suppression effect and static electricity resistance which has varistor voltage and voltage non-linearity of equivalent level to the case where firing is performed in atmosphere by using an electrode of a noble metal such as a Pd even when an non-fired varistor material and a Cu electrode are integrally fired.例文帳に追加

未焼成のバリスタ材料とＣｕ電極とを一体焼成しても、Ｐｄ等の貴金属の電極を用いて大気中で焼成した場合と同等レベルのバリスタ電圧と電圧非直線性を有し、優れた静電気抑制効果と静電気耐性を実現する。 - 特許庁

Moreover, the base material contains 15-40 mass% Zn, 8-20 mass% Ni, 0-0.5 mass% Mn, and the balance may be a copper-based alloy including Cu and unavoidable impurities, and further may contain 0.005-10 mass% the optional ingredient in total.例文帳に追加

又、母材は１５〜４０質量％のＺｎ、８〜２０質量％のＮｉ、０〜０．５質量％のＭｎを含有し残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金でもよく、更に上記任意成分を合計で０．００５〜１０質量％含有することができる。 - 特許庁

In a bonding system, two objects 91 and 92 to be bonded each having a bonding part PT1 composed of one of Au(gold), Cu(copper) and Al(aluminum) and a bonding part PT2 composed of one of one of Si(silicon), SiO_2(silicon dioxide) or glass on bonding surfaces thereof are bonded.例文帳に追加

この接合システムは、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）およびＡｌ（アルミニウム）のいずれかで構成される接合部分ＰＴ１とＳｉ（シリコン）、ＳｉＯ_２（二酸化シリコン）およびガラスのいずれかで構成される接合部分ＰＴ２とをその接合表面にそれぞれ有する２つの被接合物９１，９２を接合する。 - 特許庁

A method of manufacturing the electronic device includes forming a solder connection portion 1 by the steps of: forming a Ni plating layer 3 on a Cu layer as an electrode of a substrate 5; forming a solder ball; and having a compound layer 2 between a Sn-based solder 8 which includes a Cu6Sn5 phase in a temperature range from a room temperature to 200°C.例文帳に追加

電子装置のはんだ接続部１において、基板５の電極となるＣｕ層上にＮｉめっき層３が形成され、はんだボールを構成し、かつ室温から２００℃においてＣｕ６Ｓｎ５相を含有するＳｎ系はんだ８との間に化合物層２を有する。 - 特許庁

The second electrode layer may include at least any one selected from a group consisting of Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu and Co.例文帳に追加

前記第２電極層は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｎａ、Ｓｂ、Ｌｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｎｉ、ＣｕおよびＣｏよりなる群のうち選択された少なくとも何れか一つを含みうる。 - 特許庁

The via plug 111 and upper-layer wiring 112 each have first and second barrier metal films 107 and 108 and a Cu film 110 laminated in order, wherein the first barrier metal film 107 contains nitrogen and the second barrier metal film 108 contains platinum group metals.例文帳に追加

ビアプラグ１１１および上層配線１１２では、それぞれ、第１および第２のバリアメタル膜１０７，１０８とＣｕ膜１１０とが順に積層されており、第１のバリアメタル膜１０７は窒素を含有し、第２のバリアメタル膜１０８は白金族元素を含有している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multilayer ceramic capacitor, which prevents the oxidation of an electrode layer at baking by applying a Cu external electrode on the multilayer ceramic capacitor where the internal electrode is Ni and the dielectric ceramic is barium titanate, and which does not cause nonconformity in a plating process.例文帳に追加

内部電極がＮｉで誘電体セラミックがチタン酸バリウムである積層セラミックコンデンサにＣｕ外部電極を塗布し、焼き付ける際の電極層の酸化を防止するとともに、めっき工程においても不具合を生じない積層セラミックコンデンサの製造方法を得る。 - 特許庁

The average crystal grain size of the conductor for a cable formed of tough pitch copper or a Cu-Sn alloy is smaller than 10 μm; the 0.2% proof stress of the conductor for a cable exceeds 130 MPa; the elongation percentage thereof in fracture is not smaller than 15%; and the conductivity thereof is not smaller than 98% IACS.例文帳に追加

タフピッチ銅又はＣｕ−Ｓｎ合金で構成されるケーブル用導体の平均結晶粒径が１０μｍ未満であり、上記ケーブル用導体の０．２％耐力が１３０ＭＰａを超え、破断時の伸び率が１５％以上で、かつ導電率が９８％ＩＡＣＳ以上である。 - 特許庁

The metal salt of 8-quinolinol or an 8-quinolinol derivative is formed by coordinating, such metals as selected from among Cu, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Yt, La, Pb, Sb, Bi, Cr, Mo, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Ce, and Pr.例文帳に追加

８−キノリノール又は８−キノリノール誘導体の金属塩は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｙｔ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 - 特許庁

By adding Bi (bismuth), Ga (gallium) and In (indium) as low melting point metal elements to a Zn (zinc) alloy and Zn for die casting comprising Al (aluminum), Cu (copper), Mg (manganese) or the like, the hardness of the Zn alloy and Zn for die casting is increased, and the mechanical properties thereof are improved.例文帳に追加

Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｍｇ（マグネシウム）等を含有するダイカスト用Ｚｎ（亜鉛）合金およびＺｎ（亜鉛）に、低融点金属元素であるＢｉ（ビスマス）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）を添加することにより、ダイカスト用Ｚｎ合金およびＺｎの硬度を上昇させ、機械的性質を向上させる。 - 特許庁

The light shielding film has a composition consisting of 2-14% Nb and the balance Ni with inevitable impurities or further containing 1-30%, in total, of Cu and/or V if necessary.例文帳に追加

Ｎｂ：２〜１４％を含有し、さらに必要に応じてＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜３０％含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびその遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

In this plated copper alloy material, a Ni layer 2 is formed on a surface of a copper alloy base material 1, and a Ni/Sn-containing alloy layer 3 formed of a Ni-Sn alloy, a Ni-Cu-Sn alloy or both of them is formed on top of it, and a pure Sn layer 4 is formed on top of it as the outermost layer.例文帳に追加

銅合金基材１の表面にＮｉ層２、その上にＮｉ−Ｓｎ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｓｎ合金、又はその両者からなるＮｉ，Ｓｎ含有合金層３が形成され、その上に最表層として純Ｓｎ層４が形成されためっき付き銅合金材。 - 特許庁

To provide a data displaying method for displaying, in a visually easy-to-understand manner, the position of a specific peak top of bound energy of a photoelectron peak (such as Cu 2p3/2 photoelectron peak) and the position of a specific peak top of kinetic energy of an Auger transition peak (such as a CuLMM Auger transition peak).例文帳に追加

光電子ピーク（例えば、Ｃｕ ２ｐ３／２光電子ピーク）の束縛エネルギーの特定のピークトップ位置とオージェ遷移ピーク（例えば、ＣｕＬＭＭオージェ遷移ピーク）の運動エネルギーの特定のピークトップ位置を視覚的に理解しやすく表示するデータ表示方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The method comprises a process for forming the barrier metal layer 5 in a prescribed position on a Cu wiring layer 3 formed on a semiconductor substrate by a CVD method or an ALD method, and a process for forming an Al layer 6 on the barrier metal layer without air-exposing the barrier metal layer 5.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＣｕ配線層３上の所定位置に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりバリアメタル層５を形成する工程と、前記バリアメタル層５を大気暴露することなく、前記バリアメタル層上にＡｌ層６を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Sn-P copper alloy sheet which can meet the recent demand for higher efficiency and higher speed in a press forming process for manufacturing connection parts such as automotive terminal-connector and has a satisfactory strength-ductility balance and also has excellent stress relaxation resistance and electric conductivity.例文帳に追加

前記高効率化、高速化した自動車用端子・コネクタなどの接続部品を製造するプレス成形工程に対応し、強度−延性バランスに優れ、同時に、耐応力緩和特性と導電率にも優れさせるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系の銅合金板を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the formula, Ln1 is one or both of La and Sm, Ln2 is one or both of Ba and Ca, A is one or both of Fe and Cu, 0.5<x1.0, 0<y<1.0, and -0.5≤d≤0.5.例文帳に追加

Ｌｎ1_1-xＬｎ2_xＡ_1-yＣｏ_yＯ_3+d ……(１) 但し、Ｌｎ1はＬａ又はＳｍのいずれか一方又は双方の元素であり、Ｌｎ2はＢａ又はＣａのいずれか一方又は双方の元素であり、ＡはＦｅ又はＣｕのいずれか一方又は双方の元素であり、０．５＜ｘ＜１．０であり、０＜ｙ＜１．０であり、−０．５≦ｄ≦０．５である。 - 特許庁

To produce a lithium titanium complex oxide, where the inequality: Ia>Ib>Ic is effected in an X-ray diffraction spectrum using Cu-Kα beam sources, wherein Ia is the peak intensity of the (200) face; Ic is the peak intensity of the (004) face; and Ib is the peak intensity of the (31-3) face.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｋα線源を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、（２００）面のピーク強度Ｉａ、（００４）面のピーク強度Ｉｃ、及び、（３１−３）面のピーク強度Ｉｂの間に、Ｉａ＞Ｉｂ＞Ｉｃとなる関係が成立する、リチウムチタン複合酸化物を製造する。 - 特許庁

In the method of manufacturing this compressor swash plate, thermal spraying powder of the Cu-based-MnS is spread to the base material 81 by the HVOF spraying method, and the sliding layer 82 structuring at least the sliding surface 8a for allowing the shoe 21 to slide thereon is formed on the base material 81.例文帳に追加

また、本発明の圧縮機用斜板の製造方法は、Ｃｕ系−ＭｎＳからなる溶射粉末をＨＶＯＦ溶射法により基材８１に溶射し、シュー２１が摺動する摺動面８ａを少なくとも構成する摺動層８２を基材８１上に形成する。 - 特許庁

On the surface of the substrate 11 provided with the alloy layer 17, a washing liquid which dissolves Mn selectively to Cu is supplied and dissolves the Mn in the alloy layer 17 which does not contribute to forming of the self-forming barrier film into the washing liquid to remove selectively.例文帳に追加

次いで、合金層１７が設けられた状態の基板１１の表面に、Ｃｕに対してＭｎを選択的に溶解する洗浄液を供給し、自己形成バリア膜の形成に寄与しない合金層１７中のＭｎを、洗浄液に溶解させて選択的に除去する。 - 特許庁

Sufficient breaking performance can be provided by containing Cr and either of Cu and Ag; a chopping current can be reduced by a sublimation phenomenon of the carbide in current cutoff; arc drive is facilitated; and excellent breaking performance can be exerted.例文帳に追加

ＣｒとＣｕまたはＡｇのいずれか一方を含むことにより、十分な遮断性能が得られ、また、電流遮断時における炭化物の昇華現象によって裁断電流を小さくするとともに、アーク駆動を促進し、優れた遮断性能を発揮することができる。 - 特許庁

To provide a ferritic stainless steel which is excellent in any of oxidation resistance (including resistance to oxidation with water vapor), thermal fatigue characteristic and high-temperature fatigue characteristic by preventing the deterioration of the oxidation resistance due to the addition of Cu without adding expensive elements such as Mo and W.例文帳に追加

ＭｏやＷ等の高価な元素を添加することなく、かつ、Ｃｕ添加による耐酸化性の低下を防止することによって、耐酸化性（耐水蒸気酸化性を含む）、熱疲労特性および高温疲労特性のいずれにも優れるフェライト系ステンレス鋼を提供する。 - 特許庁

The production method of the nanoparticle phosphor comprises heating and refluxing at least one selected from a group consisting of Si compounds, Pt compounds, Pd compounds, Fe compounds, Au compounds, Cu compounds and Ag compounds in a solvent containing dimethyl formamide.例文帳に追加

Ｓｉ化合物、Ｐｔ化合物、Ｐｄ化合物、Ｆｅ化合物、Ａｕ化合物、Ｃｕ化合物及びＡｇ化合物からなる群から選択される少なくとも１種を、ジメチルホルムアミド含有溶媒中で加熱還流することを特徴とするナノ粒子蛍光体の製造方法。 - 特許庁

Complexly alloying two different metals of Cu and Ir can reduce a discharge voltage and improve durability to spark erosion, while addition of either one metal alone exhibits only a slight improvement in the spark erosion and thus an effect of reducing the discharge voltage cannot be expected.例文帳に追加

ＣｕとＩｒの２種の金属を複合的に合金化することで、放電電圧の低減、火花消耗への耐久性を向上させることができ、いずれか一方の金属のみの添加では、火花消耗性の改善効果が薄く、放電電圧の低減効果が期待できない。 - 特許庁

The copper complex is [Cu^II_2(Sp)_2(OH)_2](ClO_4)_2 complex having a structure of a coordination plane twisted in a spiral form and is obtained by synthesis using natural alkaloid (-)-sparteine as a ligand.例文帳に追加

天然アルカロイド（−）−Ｓｐａｒｔｅｉｎｅを配位子として用い合成して得られる、配位平面が螺旋状に捻じれた構造を有する［Ｃｕ^ＩＩ_２（Ｓｐ）_２（ＯＨ）_２］（ＣｌＯ_４）_２錯体であることを特徴とする天然アルカロイド（−）−Ｓｐａｒｔｅｉｎｅを用いた銅錯体。 - 特許庁

The Ge ion-eluting Ag alloy having satisfactory corrosion resistance and plastic workability comprises, by mass, ≤97% Ag and 2 to 6% Ge, and the balance one or more selected from Au, Pd, Cu and In.例文帳に追加

９７ｍａｓｓ％以下のＡｇと，２〜６ｍａｓｓ％のＧｅを含み，残部がＡｕ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｉｎの１種類もしくは２種類以上からなることを特徴とするＧｅイオン溶出Ａｇ合金．これにより，耐食性および塑性加工性の良い，Ｇｅイオン溶出Ａｇ合金を提供することが出来る． - 特許庁

To provide a complex sulfide powder useful as a manufacturing intermediate of a compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn and S which is excellent in uniformity, and a manufacturing method thereof; a compound semiconductor obtained using the above complex sulfide powder; and a solar cell comprising the above compound semiconductor.例文帳に追加

均一性に優れる、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含有する化合物半導体の製造中間体として有用な複合硫化物粉体とその製造方法、前記複合硫化物粉体を用いて得られる化合物半導体、及び前記化合物半導体を含む太陽電池を提供する。 - 特許庁

This decorative copper alloys have a composition consisting of, by mass, 1-6% Al, 0-3% Ti and the balance essentially Cu and whose reflected light spectra have xy chromaticity coordinate values or Lab coordinate values almost identical with those of the alloys in the range from gold-copper alloys to gold-copper-silver alloys.例文帳に追加

質量％で１〜６％のＡｌと、０〜３％のＴｉを含有し残部が実質的にＣｕからなるもので、その反射光スペクトルが金−銅合金から金−銅−銀合金とほぼ同じｘｙ色度座標値あるいはＬａｂ座標値を持つ装飾用銅合金である。 - 特許庁

By using the strong excitation micro photoluminescence method, each intensity of photoluminescence light emitted from an evaluated semiconductor silicon wafer and from the non-contaminated portion of a reference semiconductor silicon wafer is measured and compared, and thus Cu contamination in the semiconductor silicon wafer is evaluated.例文帳に追加

強励起顕微フォトルミネッセンス法を用い、評価対象の半導体シリコンウェーハと参照半導体シリコンウェーハの汚染のない部分とから発光されるフォトルミネッセンス光の光強度を測定して比較することにより当該半導体シリコンウェーハ中のＣｕ汚染を評価するようにした。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a quartz glass tool or a member during the production process of the quartz glass tool, by which metal impurities, such as Na, K, Al, Fe, Cu, Ca and Mg, can be easily and sufficiently removed; and to provide an ultrasonic cleaning device suitably used in the same.例文帳に追加

Ｎａ，Ｋ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃａ及びＭｇ等の金属不純物を容易かつ十分に除去することのできる石英ガラス治具又は該石英ガラス治具の製作工程途中の部材の洗浄方法及び該洗浄方法に好適に用いられる超音波洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode which has higher performance, is less expensive than a conventional one and has an electrode part represented by a W-Cu composite material with high costs in materials and manufacturing, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明では、材料費および製造にかかる費用が大きなＷ−Ｃｕ複合材に代表される電極部を有す電極およびその製造方法について、従来用いられているものよりも高性能かつ安価な電極および製造方法を提供することをその課題とするものである。 - 特許庁

The antifungal metal component-carrying inorg. material particles carrying either at least one side of Ag or Cu on the surface of one or ≥2 kinds of inorg. material particles comprising primarily of either zinc oxide, calcium carbonate, alumina and zirconium are compounded in the glaze powder.例文帳に追加

酸化亜鉛、炭酸カルシウム、アルミナ及びジルコンいずれかを主体とする無機材料粒子の１種又は２種以上のものの表面に、Ａｇ及びＣｕの少なくとも一方を抗菌金属成分として担持させた抗菌金属成分担持無機材料粒子を釉薬粉末中に配合する。 - 特許庁

A roughened surface is formed by bringing etching solution into contact with aluminum or an aluminum alloy having a surface coating containing (1) at least one metal selected from metals in the first group comprising Sn, Cu, Fe, Ni, Co, Bi, Sb, Ag and Te, and (2) zinc.例文帳に追加

（１）Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｇ及びＴｅからなる第一群の金属より選択される少なくとも１種の金属と（２）亜鉛とを含む表面皮膜を有するアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチング溶液と接触させることにより粗化表面を形成する。 - 特許庁

1,1,2,2,3,3,4-Heptafluorocyclopentane is produced by the hydrogenation of 1-chloroheptafluorocyclopentene in the presence of a hydrogenation catalyst where a group VIII metal is mixed with at least one kind selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Te, Zn, Cr, Mo, Tl, Sn, Bi and Pb.例文帳に追加

１−クロロヘプタフルオロシクロペンテンを周期律表第ＶＩＩＩ族金属に銀、銅、金、テルル、亜鉛、クロム、モリブデン、タリウム、錫、ビスマス、鉛から成る群から選ばれる少なくとも１種の金属を添加してなる水素化触媒の存在下に水素化して１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを製造する。 - 特許庁

To provide a roughening method for Cu plating wiring which provides a higher firm sticking property of fine wiring and interlayer insulating layer relating to a method of obtaining the firm sticking property of the fine wiring and the interlayer insulating resin in manufacturing of a multilayered wiring board and satisfies electric characteristics.例文帳に追加

多層配線板の製造における微細配線と層間絶縁樹脂の密着性を得る方法に関する問題に鑑み、さらなる微細配線と層間絶縁層が高い密着性を得るとともに電気特性も満足するＣｕメッキ配線の粗化方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of semi-hard magnetic materials having high coercive force in hot workability caused by Cu aggregation and to provide the semi-hard magnetic materials having good magnetic properties, bias materials for magnetic markers, magnetic markers and production methods of bias materials for magnetic markers.例文帳に追加

本発明の目的は、高い保磁力を具備した半硬質磁性材料の、Ｃｕの凝集に起因する熱間加工性の問題を解決し、磁気特性に優れた半硬質磁性材料、磁気マーカ用バイアス材、磁気マーカおよび磁気マーカ用バイアス材の製造方法を提供することである。 - 特許庁

A copper alloy comprising, by mass, 1 to 10% Ag and 0.01 to 0.5% Mg, and the balance Cu with inevitable impurities is heat-treated in the pressure of ≤3.0×10^3Pa by plasma discharge, and is finally wire-drawn to a wire diameter of ≤0.2 mm.例文帳に追加

１〜１０mass％のＡｇ、０．０１〜０．５mass％のＭｇを含有し残部がＣｕ及び不可避の不純物からなる銅合金に、３．０×１０^3Ｐａ以下の圧力下でプラズマ放電による熱処理を施した後、最終的に線径０．２ｍｍ以下の極細線に伸線する。 - 特許庁

The metal salt of an 8-quinolinol derivative is formed by coordination with a metal selected from the group consisting of Cu, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Yt, La, Pb, Sb, Bi, Cr, Mo, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Ce, and Pr.例文帳に追加

８−キノリノール誘導体の金属塩は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｙｔ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 - 特許庁

The method has an interlayer insulating film forming step of forming an interlayer insulating film 12, a wiring groove forming step of etching the interlayer insulating film 12 to form a wiring groove 13, and a wiring forming step of filling Al-Cu alloy in the inside of the wiring groove 13 to form a wiring 18.例文帳に追加

層間絶縁膜形成工程により層間絶縁膜１２を形成し、配線溝形成工程により層間絶縁膜１２をエッチングして配線溝１３を形成し、配線形成工程により配線溝１３の内部にＡｌ−Ｃｕ合金を充填し、配線１８を形成する。 - 特許庁

The surface mount light emitting diode comprises a recess 1d having a circular bottom 1b and a conical light reflecting side face 1c and formed on one surface 1a of a package 1 molded in a substantially cubic shape by injection molding or press forming a metal core material of high heat conductive Mg, Al, Cu or the like.例文帳に追加

高熱伝導性のＭｇ系、Ａｌ系、Ｃｕ系等のメタルコア材料を、射出成形あるいはプレス成形によって略立方体形状に成形したパッケージ１の一面１ａには、円形の底面１ｂと円錐形状の側面１ｃとを有する凹部１ｄが形成されている。 - 特許庁

One of a compound including indium, a compound including tin and a compound including tantalum is included in a compound oxide represented by LiNi_1-xM_xO_2 (M is a metallic element selected from Co, Mn, Fe, Cu, Zn, Mg, Ti, Al and Ga, and 0.2>x≥0).例文帳に追加

ＬｉＮｉ_1-xＭ_xＯ_2（但し、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、ＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の金属元素で、０．２＞ｘ≧０）で表される複合酸化物に、インジウムを含む化合物、スズを含む化合物およびタンタルを含む化合物のいずれかが含まれる。 - 特許庁