「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing a semiconductor device is provided with a process for forming a wiring trench 38 in an interlayer insulating film 34, a process for forming the wiring layer 44 whose main material is Cu in the wiring trench 38, and a process for performing nitrogen two-phase flow treatment in which nitrogen gas and hotwater are sprayed simultaneously to the surface of the wiring layer 44 embedded in the wiring trench 38.例文帳に追加

層間絶縁膜３４に、配線溝３８を形成する工程と、配線溝３８内に、Ｃｕを主材料とする配線層４４を形成する工程と、配線溝３８内に埋め込まれた配線層４４の表面に対して、窒素ガスと水とを同時に吹き付ける窒素二流体処理を行う工程とを有する。 - 特許庁

To process a good pattern without remainders, while preventing precipitation of copper or silicon generated in a step of forming a film containing Al as a main component and containing at least Cu or Si, or in a thermal step of peeling off a defective resist pattern during pattern processing after the film formation.例文帳に追加

Ａｌを主成分とし、少なくともＣｕあるいはＳｉを含んだ膜の成膜時、あるいは成膜後におけるパターン加工時の不良レジストパターンの剥離時の熱工程時に発生する銅あるいはシリコンの析出を防ぎ、残渣のない良好なパターンを加工する。 - 特許庁

The device for producing the silicon ingot includes a bottomless cooling mold 1 and a heating induction coil 2, and furthermore a plasma torch 3 as a heat source, and uses electromagnetic induction heating and plasma heating in combination, wherein copper (Cu) is used as a plasma electrode 12 which is installed in the plasma torch.例文帳に追加

無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ３を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極１２として銅（Ｃｕ）を用いる製造装置。 - 特許庁

The soft-dilute-copper-alloy wire contains Ti of 4-55 ppm by mass and the balance of Cu, and is characterized in that the average crystal grain size is 20 μm or less in the surface layer up to a depth of at least 50 μm from the surface.例文帳に追加

４ｍａｓｓｐｐｍ〜５５ｍａｓｓｐｐｍのＴｉを含み、残部が銅である軟質希薄銅合金線において、少なくとも表面から５０μｍ深さまでの表層における平均結晶粒サイズが２０μｍ以下であることを特徴とする軟質希薄銅合金線。 - 特許庁

A semiconductor device includes an insulating film 2, a groove 5 formed in the insulating film 2, a barrier metal film 3 formed on sidewalls and bottom surface of the groove 5 and consisted of an alloy of titanium (Ti) and tantalum (Ta), and the copper (Cu) wiring 4 laminated on the barrier metal film 3 and positioned in the groove 5.例文帳に追加

半導体装置は、絶縁膜２と、絶縁膜２に形成された溝５と、溝５の側壁及び底面に形成された、チタン（Ｔｉ）とタンタル（Ｔａ）との合金からなるバリアメタル膜３と、バリアメタル膜３に積層され、溝５の中に位置する銅（Ｃｕ）配線４と、を有する。 - 特許庁

The hydrogen-storage composite formed body and the hydrogen- storage composite sintered compact in which, other than hydrogen-storage material powder, powder of at least one metal selected from a group consisting of Cu, Ni, Zn, Al, Fe, Sn, In, Pt, Pd, Au and Ag is incorporated are provided.例文帳に追加

本発明は、水素吸蔵材料粉に加えて、ＣｕとＮｉとＺｎとＡｌとＦｅとＳｎとＩｎとＰｔとＰｄとＡｕとＡｇとからなる一群から選ばれる少なくとも１種の金属粉を含有してなる水素吸蔵複合成形体及び水素吸蔵複合焼結体を提供する。 - 特許庁

In this structure, a fuel gas never intrudes into the joining part between both the members, and Ni and Cu are remarkably excellent in high-temperature oxidation resistance, whereby the separator is surely protected from a fuel electrode atmosphere by the protective plate 20, and growth of a high-temperature oxidation coating is stopped.例文帳に追加

本構成では、両部材の接合部分に燃料ガスが侵入することばなく、且つ、ＮｉおよびＣｕは耐高温酸化性に著しく優れるため、セパレータは、この保護板２０によって燃料極雰囲気から確実に保護され、高温酸化被膜の成長が阻止される。 - 特許庁

The rolled copper foil for secondary battery negative electrode collector is a copper alloy foil of oxygen-free copper base which contains Sn of 0.05-0.22 mass% and the rest is Cu and impurities and in which the Sn concentration in the surface oxidized film is 0.16-1.5 mass% and which has excellent cycle characteristics.例文帳に追加

０．０５〜０．２２質量％のＳｎを含有し残部Ｃｕ及び不純物からなる無酸素銅ベースの銅合金箔であり、表面酸化膜中のＳｎ濃度が０．１６〜１．５質量％である良好なサイクル特性を有する二次電池用負極集電体用圧延銅箔。 - 特許庁

In the method for manufacturing the substrate for the lithographic printing plate for obtaining the substrate for the lithographic printing plate by at least applying an electrochemical roughened surface treatment on an aluminum plate in an acidic water solution, the acidic water solution contains 0.1-3.0 mass% Cu.例文帳に追加

アルミニウム板に、少なくとも、酸性水溶液中で電気化学的粗面化処理を施して平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法であって、 前記酸性水溶液が、０．１〜３．０質量％のＣｕを含有する、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can suppress damage to a wire in a catalyst process carried out in an electroless plating process using a Co-based material etc., when manufacturing a semiconductor device having wires of Cu etc., and a semiconductor device manufactured by the method.例文帳に追加

Ｃｕなどの配線を有する半導体装置の製造においてＣｏ系材料などの無電解メッキ処理において行われる触媒プロセスでの配線へのダメージを抑制できる半導体装置の製造方法とその方法により製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

An Si alloy negative electrode material excellent in conductivity is powder comprising a composite phase consisting of an Si phase and an SixCuy phase comprising an SixCuy alloy that is an intermetallic compound of Si and Cu, while x<y is satisfied in a composition of the SixCuy phase.例文帳に追加

Ｓｉ相とＳｉとＣｕとの金属間化合物であるＳｉｘＣｕｙ合金からなるＳｉｘＣｕｙ相の複合相からなる粉体であり、かつＳｉｘＣｕｙ相の組成がｘ＜ｙであることを特徴とする導電性に優れるＳｉ系合金負極材料。 - 特許庁

To provide a phase transition type optical information recording medium which has a reflection layer consisting of a metal having high reflectance/high heat conductivity of which the main component is Ag, Au, Cu, or the like, especially, Ag or Ag alloy, and an organic layer being adjacent this layer, and in which preservation reliability in a high temperature and high humidity state is good.例文帳に追加

Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどを主成分とする高反射率・高熱伝導率の金属、特にＡｇ又はＡｇ合金からなる反射層と、これに隣接する有機物層を有し、高温高湿状態での保存信頼性の良好な相変化型光情報記録媒体の提供。 - 特許庁

The ink is in the form of a solution where an organometallic compound containing at least one transition metal selected from Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu and an organometallic compound containing at least one noble metal selected from Pd, Pt, Rh, Ir, Ru and Os are included in water or an organic solvent as the main solvent.例文帳に追加

水或いは有機溶剤を主溶媒として、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕから選択される少なくとも一種の遷移金属を含む有機遷移金属化合物と、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｏｓから選択される少なくとも一種の貴金属を含む有機貴金属化合物とを含む溶液とする。 - 特許庁

In the optical recording medium having a lower heat-resistant protective layer 2, optical recording layer 3, upper heat-resistant protective layer 4 and reflective heat radiation layer 5 successively laminated on a substrate 1, the heat-resistant protective layer consists of Ag and/or Cu, In and/or Al and O (oxygen).例文帳に追加

基板１上に、下部耐熱保護層２、光記録層３、上部耐熱保護層４及び反射放熱層５を順次積層した光記録媒体において、前記耐熱保護層が、Ａｇ及び／又はＣｕと、Ｉｎ及び／又はＡｌと、Ｏ（酸素）とからなることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

By mass, 10 to 100 ppm Al is added to a copper alloy comprising 1.0 to 4.5% Ni and 0.2 to 1.0% Si, and the concentration of Al in the surface is controlled to 0.01 to 0.5%, thus a Cu-Ni-Si-based alloy excellent in plating adhesion can be obtained.例文帳に追加

１．０〜４．５質量％のＮｉおよび０．２〜１．０質量％のＳｉを含有する銅合金に１０〜１００質量ｐｐｍのＡｌを添加し、表面のＡｌ濃度を０．０１〜０．５質量％に調整することにより、めっき密着性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金が得られる。 - 特許庁

In each counter circuit CU, starts and stops of counting actions on S clocks CK_1-CK_s are sequentially propagated, so that in the process of the counting action on the clock CK_n, the counting actions on the clocks CK_1-CK_n-1, CK_n+1-CK_s are stopped.例文帳に追加

各カウンタ回路ＣＵ内において、Ｓ個のクロックＣＫ_１〜ＣＫ_ｓによるカウント動作の起動および停止を順次伝播させることで、クロックＣＫ_ｎによるカウント動作が行われている時は、クロックＣＫ_１〜ＣＫ_１−ｎ、ＣＫ_１＋ｎ〜ＣＫ_ｓによるカウント動作を停止させる。 - 特許庁

In loading a long Cu foil 50 plate material wound around a winding core 51 on an air chuck 11, the front edge of a stopper bolt 122 is projected from a surface at the side facing a flange 13 on a clamping 12, resulting in a clearance d1 being present between the clamping 12 and the flange 13.例文帳に追加

巻芯５１に対し巻回された長尺状のＣｕ箔５０板体をエアチャック１１に装填する際には、クランピング１２のフランジ１３と対向する側の面からはストッパボルト１２２の先端が突出しており、これによりクランピング１２とフランジ１３との間には、隙間ｄ１が存在する。 - 特許庁

This member is obtained by integrating, by solid phase welding through a Cu plating layer, a metallic body 12 using Ti as an insert 13 in a recess at the tip end in the center, wherein the Ti as the metallic body 12 is usable for precision machining, having a larger coefficient of thermal expansion than the titanium/aluminum intermetallic compound constituting the base body 11.例文帳に追加

中央先端の凹部に、精密加工が可能で、且つ、熱膨張率が基体１１を構成するチタンアルミ金属間化合物よりも大きい金属体１２としてのＴｉをインサート１３としてＣｕメッキ層を介して固相結合によって一体化したものである。 - 特許庁

To provide an electrophotographic toner and an image forming method, preventing contamination in a machine by scattering of a toner powder into a fume state during development, caused by fluctuation in an electric charge amount of the toner, and providing a toner image having no color turbidity, while a Cu-based phthalocyanine compound is used as a colorant.例文帳に追加

Ｃｕ系フタロシアニン化合物を着色剤として用いながら、トナーの帯電量のバラツキにより、現像時にトナー粉が粉煙状に飛散し機内を汚染することが無く、しかも、色濁りのないトナー画像を得ることができる電子写真用トナーと画像形成方法を提供する。 - 特許庁

By defining a maximum value of a wiring width 12 provided by a smallest space width 13 between adjacent wirings, the generation of wiring short-circuit due to the bridge between wirings which consist of copper (Cu) can be prevented even in the semiconductor circuit device in which fine wiring is made.例文帳に追加

隣接する配線との最小スペース幅１３によって、設けられる配線幅１２の最大値を規定することにより、配線が微細化された半導体回路装置でも、銅（Ｃｕ）からなる配線間ブリッジ等による配線ショートの発生を予防することができる。 - 特許庁

In this roller bearing for the compressor used under the mixed lubricating condition of hydrofluorocarbon as the refrigerant and the lubricant dissolved in the refrigerant, at least one of a rolling element 1d and bearing rings 1a, 1b has a film mainly composed of nickel (Ni) or copper (Cu).例文帳に追加

冷媒としてのヒドロフルオロカーボン類とこれに溶ける潤滑剤との混合潤滑条件下で使用されるコンプレッサ用転がり軸受において、転動体１ｄおよび軌道輪１ａ，１ｂのうちの少なくともいずれかの部材に、ニッケル（Ｎｉ）または銅（Ｃｕ）を主成分とする皮膜を形成した。 - 特許庁

The stock 12 to be worked formed of an aluminum alloy is subjected to forging at a high working degree in such a manner that the eutectic fusion of Al-Cu compounds in the stock 12 to be worked by the subsequent solution treatment is prevented, and a scroll 13 after the forging is subjected to solution treatment and aging treatment.例文帳に追加

アルミニウム合金で形成される被加工素材１２を、当該被加工素材１２中のＡｌ−Ｃｕ化合物が後の溶体化処理によって共晶融解とならないように高加工度で鍛造成形し、鍛造成形後のスクロール１３に溶体化処理及び時効処理を行うようにした。 - 特許庁

The surface of the ingot obtd. by casting the Cu-Ga alloy in which the compsn. of Ga is controlled to 15 to 70% by a melting method is provided with an In part insularly formed by melting by 0.1 to 60 wt.% to the ingot.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇａ合金であってそのＧａの組成が１５重量％乃至７０重量％として溶解法により鋳造したインゴットの表面に、インゴットに対する組成が０．１重量％〜６０重量％で溶解により島状に形成されたＩｎ部分を設ける。 - 特許庁

The solder balls comprise one or two kinds selected from Ag and Cu by 0.5 to 60 mass% in total, and the balance Sn with impurities and are obtained by being solidified in a gas atmosphere, and the solder balls have a solidified structure free from dendrite when being observed at a cross-section including the center of each ball.例文帳に追加

ＡｇおよびＣｕの１種または２種を合計で０．５〜６０質量％含有し、残部がＳｎおよび不純物からなるガス雰囲気で凝固させたはんだボールであって、球の中心を含む断面で観察した際にデンドライトのない凝固組織であるはんだボールである。 - 特許庁

To provide a barrier layer material which is suitable for preventing the diffusion of oxygen in Ta_2O_5 by heat treatment while the dielectric constant of the Ta_2O_5 is maintained at a high level in a MIM capacitor using a Ta_2O_5 dielectric layer on Cu wiring, and to provide a method of manufacturing the MIM capacitor.例文帳に追加

Ｃｕ配線上に誘電体層Ｔａ_２Ｏ_５を用いたＭＩＭキャパシタにおいて、Ｔａ_２Ｏ_５の誘電率を高く保ったままで、熱処理によるＴａ_２Ｏ_５中の酸素の拡散防止に適したバリア層材料とそれを用いたＭＩＭキャパシタの製造方法を提供することである。 - 特許庁

It is desirable that the material contains by atomic % ≤15% the total of the components in the 4A, 5A, 6A groups in the periodic table or 0.5-15% Nb desirably 1-10% Nb or 0.1% to <4% Cu or 5-15% Si as the components besides B.例文帳に追加

Ｂ以外の成分として原子％で、４Ａ、５Ａ、６Ａ族を合計で１５％以下、あるいはＮｂを０．５％以上１５％以下、好ましくは１％以上１０％以下、あるいはＣｕを０．１％以上４％未満、あるいはＳｉを５％以上２５％以下含むことが好ましい。 - 特許庁

A sleeve 1 is formed from a copper alloy obtained by containing silicon (Si) in α brass mainly composed of copper (Cu) and zinc (Zn) without containing a low-melting-point soft metal component, and a hard phase composed of a compound of brass and silicon and a soft phase composed of α brass is mixed for existence in the matrix condition.例文帳に追加

スリーブ１の材質を、銅（Ｃｕ）と亜鉛（Ｚｎ）を主成分とするα黄銅に、けい素（Ｓｉ）を含有し、低融点軟金属成分は含有しない銅合金とし、黄銅とけい素の化合物からなる硬質相と、α黄銅からなる軟質相とをマトリックス状に混在させる。 - 特許庁

In addition to the fundamental components, one or more elements selected from each group of (1) prescribed amounts of one or more kinds of metals selected from Cu, Ni, Cr and Mo and (2) prescribed amounts of one or two kinds of metals selected from Nb and V can further be added individually or in combination.例文帳に追加

上記基本成分のほか、（１） 所定量のＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏのいずれか１種または２種以上、（２） 所定量のＮｂ、Ｖのいずれか１種または２種などの各群から選ばれた元素を単独で、あるいは複合してさらに添加することができる。 - 特許庁

To provide an inexpensive method for producing an indium target, which makes less indium oxide enter into an inner layer of a hot metal, and is suitable particularly for use in forming an indium film which is a light absorption layer formed of a stacked Cu-Ga/In precursor for a thin-film solar cell.例文帳に追加

溶湯内層への酸化インジウムの取り込みが少なく、取り分け薄膜太陽電池薄膜太陽電池のＣｕ−Ｇａ／Ｉｎの積層プリカーサー光吸収層であるインジウム膜成膜用として適したインジウムターゲットの安価な製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

A CO eliminating agent made by impregnating, for example, a Cu-Mn complex oxide shaped by extrusion molding with a Ru compound such as ruthenium chloride, preferably in an amount of 0.2 to 1.0 mass% in terms of Ru is used as a CO eliminating agent charged into the absorbing canister of the disaster prevention mask.例文帳に追加

防災マスクの吸収缶に充填するＣＯ除去剤として、例えば押出し成型法で成型したＣｕ−Ｍｎ複合酸化物に、例えば塩化ルテニウムなどのＲｕ化合物をＲｕ換算で好ましくは０．２〜１．０質量％含浸させて作製したＣＯ除去剤を用いる。 - 特許庁

In this electron device 1, the electron supply parts 7 formed in the diamond layer 6 have a small work function as compared with, for instance, Cu or the like because of containing one or more kinds of metal elements selected from alkaline metal elements and alkaline-earth metal elements.例文帳に追加

電子素子１においては、ダイヤモンド層６内に形成された電子供給部７は、アルカリ金属元素及びアルカリ土類金属元素から選ばれる１種類以上の金属元素を含有しているため、例えばＣｕ等に比べ仕事関数が小さいものとなっている。 - 特許庁

The gold-alloy bonding wire contains Ag of 0.02 to 0.3 wt.% and at least one kind of Ge or Si of 10 to 200 mass ppm in total and/or at least one kind of Al or Cu of 10 to 200 mass ppm in total and is composed of Au as a remainder.例文帳に追加

Ａｇを０．０２〜０．３質量％、ＧｅまたはＳｉの少なくとも1種を合計で１０〜２００質量ｐｐｍおよび／またはＡｌまたはＣｕの少なくとも1種を合計で１０〜２００質量ｐｐｍ含有し、残部がＡｕからなることを特徴とする金合金ボンディングワイヤ。 - 特許庁

The titanium copper is a copper alloy containing 2.7 to 3.7mass% Ti and consists of the balance Cu and inevitable impurities, in which a work hardening coefficient is ≥0.1 and the difference in volume resistivity (ρ:μΩcm) before and after heat treatment to water-cool the alloy after heating for 10 minutes at 900°C is 25 to 45.例文帳に追加

Ｔｉを２．７〜３．７質量％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物から成る銅合金であって、加工硬化係数が０．１以上であり、かつ９００℃で１０分間加熱後に水冷する熱処理前後の体積抵抗率(ρ：μΩｃｍ)の差が２５〜４５であるチタン銅。 - 特許庁

In the high strength aluminum alloy with excellent brazability, trace elements comprised of, by mass, 0.05 to 1.0% Si, 0.5 to 1.5% Mn, 0.2 to 0.8% Cu, 0.2 to 0.5% Mg and 0.15 to 0.5% Ag are incorporated in aluminum.例文帳に追加

Ｓｉを０．０５〜１．０質量％と、Ｍｎを０．５〜１．５質量％と、Ｃｕを０．２〜０．８質量％と、Ｍｇを０．２〜０．５質量％と、Ａｇを０．１５〜０．５質量％と、から構成される微量元素が前記課題の解決手段としてアルミニウムに含有されることを特徴する。 - 特許庁

To provide a method and equipment for cleaning silver electrolyte capable of suppressing amount of silver oxide remaining in sediment at the time of sedimenting and removing impurities such as Cu, Pb, Pd in the silver electrolyte as hydroxides thereof by using silver oxide, and continuously performing the cleaning.例文帳に追加

銀電解液中のＣｕ、Ｐｂ、Ｐｄ等の不純物を酸化銀で水酸化物として沈澱除去する際に、沈澱物中に残留する酸化銀の量を抑制でき、連続的に実施することが可能な銀電解液の浄液方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

In a method for heating the steel material containing 0.05-3 mass% Cu precedent to the hot-rolling, the steel material is heated in an auxiliary atmosphere having ≤ 5 vol% steam under state of the lowest temperature of the steel material surface at ≥ 1,080°C.例文帳に追加

Ｃｕを０．０５質量％以上３質量％以下含有する鋼材を熱間圧延に先立ち加熱する方法において、鋼材の表面の最低温度が１０８０℃以上である状態で、水蒸気が５容量％以下である酸化性雰囲気内で鋼材を加熱する鋼材の加熱方法。 - 特許庁

To reduce an influence due to a projecting part formed on the surface of a substrate caused by impurities contained in water and the atmosphere used in a cleaning and a drying stage and containing at least one of C, O, Al, Si, Fe, Cu, Zn and Zr to avoid a product defect.例文帳に追加

洗浄・乾燥工程で使用する水や雰囲気中に含まれる不純物が原因で基板表面上に形成されるＣ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部による影響を低減し、製品不良を回避する。 - 特許庁

The absorption layer comprises Cu, In, Ga and Se elements as constitutional ingredients thereof and such elements are formed by coating or printing an ink that contains Cu_2Se nanoparticles and (In,Ga)_2Se_3 nanoparticles on the rear electrode, and then heating them.例文帳に追加

前記光吸収層は、構成成分としてＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｅ元素を含有し、これらの元素は、少なくともＣｕ_２Ｓｅナノ粒子及び（Ｉｎ、Ｇａ）_２Ｓｅ_３ナノ粒子を含有するインクを前記背面電極上に塗布又は印刷した後、これを熱処理して形成することを特徴とする。 - 特許庁

In the method of plasma film deposition for a copper oxide thin film on a film-deposition substrate, a relative position between this substrate and a target or an evaporating source is selected or varied, thereby depositing a copper oxide thin film having a different composition ratio in the contents of CuO, Cu_2O, and Cu.例文帳に追加

成膜用基板上に酸化銅薄膜をプラズマ成膜する方法において、成膜用基板とターゲットまたは蒸発源との相対位置を選択または変更することにより、ＣｕＯ、Ｃｕ_2Ｏ、およびＣｕの含有組成比の異なる酸化銅薄膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a copper alloy which is a Cu-Zn-Sn-based copper alloy for conductive component of electronic and electric apparatus such as a connector and a lead frame, etc., and is superior in stress corrosion cracking resistance and further superior in various properties such as strength and rolling properties, bendability and conductivity.例文帳に追加

コネクタやリードフレームなど、電子・電気機器の導電部品用のＣｕ−Ｚｎ—Ｓｎ系銅合金として、耐応力腐食割れ性および耐応力緩和特性が優れ、しかも強度や圧延性、曲げ加工性、導電率などの諸特性も優れた銅合金を提供する。 - 特許庁

A mixed gas including the desired amount of CO gas and O_2 gas in addition to the CO_2 gas as the major element is used for baking, in the reducing atmosphere, a laminated body 1 of a dielectric material layer 2 of oxide such as PZT, and an internal electrode layer 3 which is mainly formed of base material such as Cu.例文帳に追加

ＰＺＴ等の酸化物誘電体層２とＣｕ等の卑金属を主成分とする内部電極層３との積層体１を、還元雰囲気中で焼成する際に、ＣＯ_2 ガスを主成分とし、任意量のＣＯガスおよびＯ_2 ガスを含む混合ガスを用いる。 - 特許庁

To provide an electronic parts in which increase in electric resistance due to oxidation is suppressed, generation of air bubbles of glass or glass ceramics is suppressed, and a Cu based wiring material superior in migration resistance is used in the electronic parts in which the wiring and an electrode are manufactured by calcination from a paste, and the electronic parts having the wiring contacted with glass or a glass ceramics member.例文帳に追加

本発明は、配線や電極をペーストから焼成して製造する電子部品や、ガラス又はガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品において、酸化による電気抵抗増大を抑制でき、あるいは、ガラス又はガラスセラミックスの気泡の発生を抑制可能で、マイグレーション耐性に優れたＣｕ系配線材料を用いた電子部品を提供することを目的とする。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte battery is provided with a vessel; a cathode housed in the vessel; an anode housed in the vessel, composed of complex particles containing a carbonaceous material, silicon oxide dispersed in the carbonaceous material, silicon dispersed in the silicon oxide, a metal phase dispersed in the silicon oxide and containing Ni or Cu; and an nonaqueous electrolyte filled in the vessel.例文帳に追加

本発明の非水電解質電池は、容器と、容器内に収納された正極と、容器内に収納され、炭素質物と、炭素質物中に分散されたシリコン酸化物と、シリコン酸化物中に分散されたシリコンと、シリコン酸化物中に分散されＮｉもしくはＣｕを含む金属相と、を有する複合体粒子を備える負極と、容器内に充填された非水電解質と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The inevitable impurities are controlled in ≤0.10% Nb, ≤0.010% P, ≤0.005% S, ≤0.30% Cu, ≤0.30% Cr, ≤0.30% Mo, ≤0.010% Al, ≤0.010% O and ≤0.010% N.例文帳に追加

この不可避的不純物は、Ｎｂ：０．１０％以下、Ｐ：０．０１０％以下、Ｓ：０．００５％以下、Ｃｕ：０．３０％以下、Ｃｒ：０．３０％以下、Ｍｏ：０．３０％以下、Ａｌ：０．０１０％以下、Ｏ：０．０１０％以下及びＮ：０．０１０％以下に規制される。 - 特許庁

The lead-free solder alloy contains by weight ≥ 0.5% and < 3% Ag, ≥ 1% and ≤ 8% In, ≥ 0.1% and ≤ 0.5% Cu, ≥ 1% and ≤ 5% Zn, and ≥ 1% Bi and ≤ 10% Bi.例文帳に追加

Ａｇは０．５ｗｔ％以上３ｗｔ％未満、Ｉｎは１ｗｔ％以上８ｗｔ％以下、Ｃｕは０．１ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下、Ｚｎは１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、Ｂｉは１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含有する。 - 特許庁