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Cu-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2149



例文

In a varistor 1, varistor electrodes 3, 4 composed of metal material such as Ag, Pd, Pt, A, Ni and Cu are formed on the surface and the back of a voltage nonlinear resistor 2 whose main component is SiC(silicon carbide) doped with impurities such as N(nitrogen) and P(phosphorus).例文帳に追加

バリスタ1は、N(窒素)やP(リン)等の不純物をドープしたSiC(炭化ケイ素)を主成分とした電圧非直線抵抗体2の表裏面に、例えばAg,Pd,Pt,Al,Ni,Cu等の金属材料からなるバリスタ電極3,4が形成されている。 - 特許庁

The apparatus for producing the functional water, converting water into the functional water with a metal immersed in the water to elute metal ions under the ionization reaction of the metal, comprises a rotor driven by mechanical means and/or by water flow, wherein the rotor comprises an abrasive for grinding the surface of fixed copper (Cu) and further a filter at the downstream side of the apparatus.例文帳に追加

水中に金属を没した状態で備えることにより金属のイオン化反応で金属イオンを溶出させて水を機能水に変える機能水製造装置であって、前記水流及び/又は機械的に回転する回転体が備えられ、該回転体には固定状態で備えられた銅(Cu)の表面を掻き削る研削部材が備えられると共に、この機能水製造装置の下流側にはフィルタが備えられている構成とした。 - 特許庁

In the ceramic electronic component equipped with a device body comprising ferroelectric ceramic and with an external electrode, the external electrode contains therein a vibration absorption layer formed with a metal cap comprising Ti-Ni alloy, Cu-Zn alloy, Mn-Cu alloy, Fe-Cr alloy, Mg alloy or Al-Zn alloy for absorbing vibration generated by electrostriction.例文帳に追加

強誘電体セラミックからなる素子本体と外部電極とを備えるセラミック電子部品において、防振合金であるTi−Ni系合金、Cu−Zn系合金、Mn−Cu系合金、Fe−Cr系合金、Mg系合金、またはAl−Zn系合金からなる金属キャップにより形成されている、電歪により発生する振動を吸収する振動吸収層を、前記外部電極中に有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a heat-resistant member for a device using a high energy density in which the load on the cooling capacity is reduced by further improving the heat conductivity, a joined body is further improved, the adhesiveness is excellent in dissimilar materials with large difference in the coefficient of thermal expansion such as W, Cu and Ni, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

更なる熱伝導性の向上による冷却能の負荷軽減を目指し、接合体をさらに改善し、WとCuやNiのように熱膨張係数の差が大きい異種材料において密着性に優れた、且つ熱伝導性を向上させた接合体等の高エネルギー密度利用機器用耐熱部材とその製造方法とを提供すること。 - 特許庁

例文

Since a heavy metal acquisition layer composed of a crystal alteration layer is formed on the reverse-surface side of the silicon substrate through laser beams irradiation, Cu and Ni mixed principally in the reverse-surface grinding and polishing processes and heavy metal mixed in a process following the thin thickness processing can be also obtained in a reverse-surface neighborhood region.例文帳に追加

本発明によれば、レーザー光の照射によってシリコン基板の裏面側に結晶変質層からなる重金属捕獲層を形成していることから、主に裏面研削・研磨工程において混入するCu、Niや薄厚加工後の次工程で混入する重金属も裏面近傍領域に捕獲することが可能となる。 - 特許庁


例文

Copper alloy materials having major components such as Cu, Zn, Al, Mn, and Si are employed as bearing materials 10 and 11 of the supercharger, and the extending direction of an Mn-Si series compound crystallized in the alloy material is set in the axial direction of a rotational axis for a radial bearing, and also in the perpendicular direction of the rotational axis for a thrust bearing.例文帳に追加

過給機の軸受材10,11として、Cu、Zn、Al、Mn、Siを主成分とする銅合金材を採用するとともに、該合金材に晶出されるMn−Si系化合物の伸長方向を、ラジアル軸受については回転軸の軸方向に、スラスト軸受については回転軸の軸直角方向に配設して構成する。 - 特許庁

To produce an alloy for dental treatment use with which a clasp in which the defects of the conventional Au-Cu-Zn alloy for dental treatment use are solved, improved in tensile strength, stabilized in fatigue resistance, hard to be broken with refining crystal grains, having durability, hard to be deformed and free from breaking over a long period can easily be produced.例文帳に追加

従来の歯科用Au−Cu−Zn合金の欠点を解消し、引張り強度を向上させ、耐疲労特性の安定化を図り、結晶粒を微細化することにより破折しにくくして、耐久性があり変形しにくく長期間破折することの無いクラスプを容易に製作することが出来る歯科用合金を提供する。 - 特許庁

The method for forming electric wiring or the electrode for the liquid crystal display, which does not have the thermal defect and is superior in adhesiveness, includes: using a copper target having a composition comprising 0.04 to 1 mass% oxygen and the balance Cu with unavoidable impurities; and sputtering the target in an inert gas atmosphere or in an inert gas atmosphere containing 3 vol% or less oxygen.例文帳に追加

酸素:0.04〜1質量%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅ターゲットを用い、不活性ガス雰囲気中または酸素:3体積%以下含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッタリングする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線または電極の形成方法。 - 特許庁

The electrostatic charge image developing toner contains at least a binder resin, a colorant, a release agent and a modified resin, wherein the release agent has a diffraction peakin the range of 15 to 20° in X-ray diffraction using Cu Kα-ray, and the toner including the release agent has also the diffraction peak in the same range.例文帳に追加

少なくとも結着樹脂、着色剤、離型剤、変性体樹脂を含有する静電荷像現像用トナーにおいて、CuのKα線を用いたX線回折において2θが15〜25°の範囲に回折ピークを持つ離型剤が、該離型剤を含有したトナーにおいても同じ範囲に回折ピークが現れることを特徴とする。 - 特許庁

例文

The surface of a metallic material is subjected to dispersion plating, wherein nonmetal inorganic fine particles comprising, as composing elements, one or more kinds selected from Ag, Cu and Zn, and in which the maximum diameter in a single particle is50 μm are dispersed by 1 to 30% in the sweeping area ratio of the surface (the surface area obtained by neglecting extremely fine ruggedness).例文帳に追加

金属材料の表面に、構成元素としてAg、Cu、Znの内1種または2種以上を含む、単一粒子での最大径が50μm以下の非金属無機質微細粒子を、表面の掃引面積率(非常に細かい凹凸を無視した表面積)で1%以上30%以下含むように分散させた分散めっきを施す。 - 特許庁

例文

A coil electrode 2 is arranged on an end face of a conductor 1 for current conduction oppositely arranged in a breaking chamber under a vacuum atmosphere, and the electrode contact material 3 using a Cu-Cr alloy material stuck to an opposite end face of the coil electrode 2 is processed by frictional stirring treatment.例文帳に追加

真空雰囲気の遮断室内に対向配置する通電導体1の端面にコイル電極2を設け、これらコイル電極2の対向端面に固着するCu−Cr合金素材を用いた電極接点材3を摩擦攪拌処理によって加工処理する。 - 特許庁

The magnetic thin film and a sputtering target or a deposition material is constituted by Pt of 40 to 60 at%, Fe of 40 to 60 at%, and P of 0.05 to 1.0 at%, and further in some cases Cu and/or Ni of 0.4 to 19.5 at%.例文帳に追加

Pt 40〜60at%、Fe 40〜60at%およびP 0.05〜1.0at%ならびにさらに場合によりCuおよび/またはNi 0.4〜19.5at%より構成される磁性薄膜およびスパッタリングターゲットまたは蒸着材料。 - 特許庁

The medal bond grinding wheel is manufactured by sintering metal bond including 35 to 60 mass% of Sn in the whole 100 mass% of the metal bond mainly constituted of Cu, and mixing material 1 including super abrasive grain by an electrical discharge plasma sintering method.例文帳に追加

メタルボンド砥石の製造方法は、Cuを主成分とする当該メタルボンドの全量100質量%中にSnが35〜60質量%含まれるメタルボンドと、超砥粒とを含む混合材料1を、放電プラズマ焼結法により焼結する。 - 特許庁

The copper alloy thin film with excellent adhesion has a component composition consisting of, by atom, 0.01 to 5% fluorine, 0.01 to 2.5%, in total, of one or more elements among Ca, Mg and Zn, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

フッ素:0.01〜5原子%を含有し、さらにCa、MgおよびZnの内の1種または2種以上を合計で0.01〜2.5原子%含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる成分組成を有する密着性に優れた銅合金薄膜。 - 特許庁

To provide an insulating film material whose dielectric constant is low, whose heat resistance is high and which is superior in barrier property against the diffusion of CU on an organic insulating film material, the manufacturing method, the forming method of an organic insulating film, and a semiconductor device where the organic insulating film is installed.例文帳に追加

有機絶縁膜材料、その製造方法、有機絶縁膜の形成方法、及び、有機絶縁膜を設けた半導体装置に関し、低誘電率で耐熱性が高く、且つ、Cuの拡散に対するバリア性に優れた絶縁膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a low temperature fired porcelain composition in which the firing condition is widely set and which is fired simultaneously with a Cu conductor, a low temperature fired porcelain having low dielectric constant and small dielectric loss and a wiring board using the porcelain as an insulation layer.例文帳に追加

焼成条件を幅広く設定することができ、Cu導体と同時焼成することができる低温焼成磁器組成物、誘電率が低く、誘電損失が小さい低温焼成磁器、及びこの磁器を絶縁層として用いた配線基板を提供する。 - 特許庁

The cast aluminum alloy has a composition comprising, by mass, 9 to 17% Si, 3 to 6% Cu, 0.2 to 1.2% Mg, 0.2 to 1.5% Fe and 0 to 1% Mn, and in which the content of Ni is ≤0.5%, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

Si:9〜17質量%、Cu:3〜6質量%、Mg:0.2〜1.2質量%、Fe:0.2〜1.5質量%及びMn:0〜1質量%を含有し、Ni含有量が0.5質量%以下であり、残部がAl及び不可避的不純物よりなる。 - 特許庁

Ti layer 20a, TiOx layer 20b, TiN layer 20c, and Ti layer 20d are formed in this order between a metal layer 10 made of Cu material and a metal layer 14 made of Al material, from the metal layer 10 side to the metal layer 14 side.例文帳に追加

Cu材により構成される金属層10と、Al材により構成される金属層14との間に、金属層10側から金属層14側にかけて、Ti層20a、TiOx層20b、TiN層20c、Ti層20dの順に構成する。 - 特許庁

In this method, the creep damage is estimated accurately by observing the metallographic structure of a sample tube extracted from an actual machine by a transmission electron microscope, and by measuring the density of black spots on a strain field generated by deposition of a Cu-enriched phase by the following methods.例文帳に追加

実機から抜管したサンプル管の金属組織を透過型電子顕微鏡で観察し、Cu富化相の析出によって生じる歪場の黒点の密度を次のような方法で計測することにより、クリープ損傷を精度よく推定する方法。 - 特許庁

In a method of manufacturing a light-emitting diode 1, a state where a GaN substrate 10 is separated from AlGaN layers 16, 18, and 20 formed thereon, and a Cu-W alloy substrate 26 is bonded to the AlGaN layers 16, 18, and 20 is obtained.例文帳に追加

本発明に係る発光ダイオード1の製造方法においては、GaN基板10は、この上に形成したAlGaN層16,18,20から分離されて、AlGaN層16,18,20にはCu−W合金基板26が接着された状態となる。 - 特許庁

This manufacturing method is characterized by arranging a microwave oscillating device 10 for irradiating a Cu alloy powder 12 to be sintered with a microwave, along with a resistive heating device and/or a high- frequency induction heating device for heating an atmosphere in a furnace, as heat sources of a sintering furnace 2.例文帳に追加

焼結炉2の熱源として、炉内雰囲気を加熱する電気抵抗加熱装置および/または高周波誘導加熱装置を設けると共に、焼結するCu合金粉末12にマイクロ波を照射するマイクロ波発振装置10を設ける。 - 特許庁

In such a state that the solder bump 26 is touched to the Cu layer 22b of a wiring layer 22 prepared at the packaging substrate 20 made of glass, the leading electrode 14 is connected to the wiring layer 22 by irradiating a laser beam L to the solder bump 26 from the rear side of the substrate 20.例文帳に追加

ガラス製の実装基板20に設けた配線層22のCu層22bに半田バンプ26を接触させた状態で基板20の裏側から半田バンプ26にレーザー光Lを照射することにより導出電極14を配線層22に接続する。 - 特許庁

In a wiring board 1, a metal terminal pad 10, 110, 17, 117 comprises a Cu plating layer 52, an Ni plating layer 53 and an Au plating layer 54 formed sequentially from the first major surface CP side wherein the Ni plating layer 53 is an electrolytic Ni plating layer 53.例文帳に追加

配線基板1において、金属端子パッド10,110,17,117は、第一主表面CP側からCuメッキ層52、Niメッキ層53及びAuメッキ層54がこの順序で積層されるとともに、Niメッキ層53が電解Niメッキ層53とされる。 - 特許庁

The solder alloy 5 contains90 mass% Sn, and the balance containing one or more kinds of additive elements to be selected among a group consisting of Ag, Cu, Zn, Bi, Sb and In, and further contains <0.01 mass% inevitable impurities other than the additive elements.例文帳に追加

はんだ合金5は、Snを90質量%以上含み、残部がAg、Cu、Zn、Bi、SbおよびInよりなる群から選ばれる1種以上の添加元素を含み、かつ添加元素以外の不可避不純物を0.01質量%未満含んでいる。 - 特許庁

To improve heat exchange performance than before while preventing a hole from being formed by electrolytic corrosion of a tube on the side of refrigerant in a water-refrigerant heat exchanger that uses Cu metal as a base material of a tube on the side of water and Al metal as a base material of the tube on the side of refrigerant.例文帳に追加

水側チューブの母材としてCu金属を用い、冷媒側チューブの母材としてAl金属を用いた水冷媒熱交換器において、冷媒側チューブの電食による穴あきを防止しつつ、従来よりも熱交換性能を向上させる。 - 特許庁

Electrode parts 2 and 2' formed by laminating Cu, Ni, and Au layers in order are formed on a chip substrate 1, and a reflective layer 6 comprising a white resin wherein a white pigment or the like is mixed with a resin by dispersion is formed on a surface of the Au layer being the outermost layer.例文帳に追加

Cu、Ni、Auの各層が順に積層形成された電極部2,2’をチップ基板1上に形成し、その最外層であるAu層の表面に白色顔料などを樹脂に分散混合した白色樹脂からなる反射層6を設ける。 - 特許庁

The method for producing the recycled magnesium alloy includes an adjusting step of adjusting a composition of the molten metal of a magnesium alloy so as to include 5-10% Al, Zn in an amount of 1% or more and three times or more of Cu content (%), 0.1-1.5% Mn and the balance Mg.例文帳に追加

本発明の再生マグネシウム合金の製造方法は、マグネシウム合金の溶湯を、Al:5〜10%、Zn:1%以上でCuの含有量(%)の3倍以上、Mn:0.1〜1.5%および残部:Mgの組成に調整する調製工程を備える。 - 特許庁

When the ceramic substrate and heatsink metal, such as Cu or the like, are bonded by an alloy including resin, it is possible to reduce the warpage of the substrate after bonding which is caused by a difference in coefficient of linear expansion between ceramic and metal, thereby enabling the reduction of a stress occurring on the chip or ceramic substrate.例文帳に追加

セラミックス基板とCu等のヒートシンク金属とを樹脂を含むはんだ合金で接合する場合は、セラミックスと金属との線膨張係数差に起因する接合後の基板反りを低減でき、チップ、セラミック基板に発生する応力の低減が可能になる。 - 特許庁

To provide a sintered material having a good dimensional accuracy by improving sinterability of a Cu-Al sintered material, and to provide thereby a composite sintered sliding member using a sintered sliding member which has a high strength and is excellent in wear resistance, seize resistance and corrosion resistance.例文帳に追加

Cu−Al系焼結材料の焼結性を改善して寸法精度の良い焼結材料を提供し、これによって広く高強度、耐摩耗、耐焼付性、耐食性に優れた焼結摺動部材を用いた複合焼結摺動部材を提供する。 - 特許庁

In compliance with request, a composition containing each element of (a) one or more kinds selected from Cu, Ag and Au of, by weight, 3 to 10%, (b) 0.2 to 5% Si, (c) one or more kinds selected from the group IVB and VB and (d) ≤10% Fe is given.例文帳に追加

所望により、(a)Cu,Ag,Auから選ばれる1種又は2種以上3〜10%、(b)Si0.2〜5%、(c)第IVB族,VB族から選ばれる1種又は2種以上、(d)Fe10%以下の各元素を含有する組成が与えられる(含有量は重量%)。 - 特許庁

In the internal space of this inorganic insulation film 109, the second Cu film 111 is formed with the sputtering.例文帳に追加

この無機絶縁膜は、個々の配線構造内で生ずるリーク電流を遮断し、配線構造内の複数の膜102 〜106 を側面から保持するためクラック等の発生が防止され、更に有機樹脂膜103 、105 からのガスを遮断して隣接配線構造間の空間でのボイドの形成を阻害する。 - 特許庁

To liquid such as water, a Li (lithium) component, a P (phosphorus) component and A component (here, A is a kind selected from Co, Ni, Mn, Fe, Cu, and Cr.) are added, which are reacted in a subcritical state, a critical state, or a supercritical state to synthesize Li_xA_yPO_4.例文帳に追加

水などの液体にLi(リチウム)成分およびP(リン)成分およびA成分(ただし、AはCo,Ni,Mn,Fe、Cu,Crから選ばれた1種)を加え、これを亜臨界状態または臨界状態または超臨界状態で反応させ、Li_xA_yPO_4を合成する。 - 特許庁

Pt, Cu, Ag, Pd, Ru, Ta, Ti, Au, In, Zn, Ni, Fe, Mn, Cr, V, Al, Mg and the like, the alloys of these various metallic elements, the alloys of these alloys and Pt and the like are used preferably as materials for the metallic thin-films 3b and 3d for the reinforcement.例文帳に追加

強化用金属薄膜3b、3dの材料としては、Pt、Cu、Ag、Pd、Ru、Ta、Ti、Au、In、Zn、Ni、Fe、Mn、Cr、V、Al、Mg等々、これら各種金属元素の合金、これらとPtとの合金等が好適に用いられる。 - 特許庁

The aluminum alloy for casting is required to have both of the mechanical strength and the thermal fatigue strength; and comprises aluminum as a base metal, in proportions of 4.0-7.0 wt.% Si, 0.4-1.0 wt.% Mg, 0.10 wt.% or less Cu and 0.3 wt.% or less Fe, respectively.例文帳に追加

本発明に係る鋳造用アルミニウム合金は、機械的強度及び熱疲労強度が共に要求されるものであって、アルミ母材に、 Siを4.0〜7.0wt%、 Mgを0.4〜1.0wt%、 Cuを0.10wt%以下、 Feを0.3wt%以下、の割合で含ませたものである。 - 特許庁

The metal-carried and rare-earth-exchanged zeolite catalyst is used for treatment of water containing nitrate nitrogen, wherein an exchanging ratio of rare earth is in the range of 50-95% and metals to be carried are one or more metals selected from Pt, Pd, Au, Ru, Cu, Ag, Sn, Ni and Fe.例文帳に追加

硝酸性窒素含有水処理用の金属担持希土類交換ゼオライト触媒であって、希土類交換率が50〜95%の範囲にあり、担持金属がPt、Pd、Au、Ru、Cu、Ag、Sn、Ni、Fe から選ばれる1種または2種以上の金属である。 - 特許庁

The CU updates a current game ball number based on the returned response including the increased game ball number and the decreased game ball number, and the addition requested game ball number, and checks whether its game ball number and the current game ball number included in the response from the Pachinko machine coincide with each other.例文帳に追加

CUでは、返信されてきた加算玉数および減算玉数と加算要求玉数とに基づいて現時点の遊技玉数を更新し、その遊技玉数とP台から送信されてきた現時点の遊技玉数とが、一致するか否か確認する。 - 特許庁

The residue can be generated by further machining in this case, but an SiC film 2 is formed generally between the film 3 and a Cu wiring 1 positioned at the lower section of the film 3 by the dual damascene method, and the residue is removed when the film 2 is machined.例文帳に追加

このとき、更なる加工によって残渣が生じ得るが、一般に、デュアルダマシン法では、層間絶縁膜3とその下方に位置するCu配線1との間にSiC膜2が形成されており、このSiC膜2を加工する際に残渣が除去される。 - 特許庁

In a lead wire 8 of an electrolytic capacitor, an alloy plating layer 10 of tin (Sn) and copper (Cu) is formed to touch the surface of a base material 9 of an oxygen-free copper wire, or the like, and a tin plating layer 11 is formed to touch the surface of the alloy plating layer.例文帳に追加

電解コンデンサのリード線8は、無酸素銅線等の基材9の表面に接触するようにスズ(Sn)と銅(Cu)との合金メッキ層10が形成され、さらに、その合金メッキ層の表面に接触するようにスズメッキ層11が形成されている。 - 特許庁

Further preferably, the silver solder material contains 40 to 50 wt.% silver (Ag), 10 to 20 wt.% copper (Cu), 10 to 20 wt.% zinc (Zn), 20 to 25 wt.% cadmium (Cd), and 1 to 5 wt.% indium (In).例文帳に追加

さらに好ましくは、銀(Ag)を40乃至50重量パーセント、銅(Cu)を10乃至20重量パーセント、亜鉛(Zn)を10乃至20重量パーセント、カドミウム(Cd)を20乃至25重量パーセント、インジウム(In)を1乃至5重量パーセント含有するのが良い。 - 特許庁

The composition of the high-temperature lead-free solder for a lamp in which a lead wire of the lamp is soldered to a mouthpiece thereof consists of, by mass, 5-40% Sb and10% Cu.例文帳に追加

そこでPb-Sn代替高温鉛フリーはんだも提案されているが、従来の高温鉛フリーはんだは、HIDランプやハロゲンランプ等のように使用時に高温となるものに対しては耐熱性に問題があり、また冷凍庫に使用したときには寿命が短いものであった。 - 特許庁

A bump electrode 26, composed of a Cu plating layer 22 having straight side walls and a solder plating layer 24, is provided on each electrode pad 14 via a double-structured common electrode film 21 in the opening 16a of the film 16 on the top surface of the semiconductor chip 2.例文帳に追加

その絶縁膜(16)の開口部(16a)を通して、各電極パッド(14)上にそれぞ2層構造の共通電極膜(21)を介して、両側壁がストレートウオール状の銅めっき層(22)と半田めっき層(24)からなる突起電極(26)を設けている。 - 特許庁

The aluminum alloy extruded material includes 3.0-6.0 mass% Si, 0.1-0.45 mass% Mg, 0.01-0.5 mass% Cu, 0.01-0.5 mass% Mn and 0.2-1.0 mass% Ni each controlled in the range, and the balance Al with unavoidable impurities.例文帳に追加

Si:3.0〜6.0質量%、Mg:0.1〜0.45質量%、Cu:0.01〜0.5質量%、Mn:0.01〜0.5質量%を有し、Ni:0.2〜1.0質量%の範囲に制御し、残りがAlおよび不可避的不純物からなるアルミニウム合金押出材を得た。 - 特許庁

In the manufacturing method of the field emission electron source, Ar ion is irradiated from perpendicular direction under low vacuum on the top end of the tip of the Cu wire which is applied preliminary oxidation, and the Cu_2O conical projections are formed on the top end of the tip.例文帳に追加

また、本発明の電界放出型電子源の製造方法は、予備酸化したCuワイヤのチップ先端に低真空下で垂直方向からArイオンを照射して、チップの先端にCu_2O円錐状突起を形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

Disclosed is a Cu-Zn-Si based copper alloy having a composition containing, by weight, 16.5 to 24.0% zinc, 2.5 to 3.5% silicon and 0.5 to 1.0% bismuth, and in which the content of lead as impurities is ≤0.25%, and the balance copper with inevitable impurities.例文帳に追加

亜鉛を16.5〜24.0重量%、珪素を2.5〜3.5重量%、ビスマスを0.5〜1.0重量%含有し、且つ不純物としての鉛が0.25重量%以下で、残余が銅と不可避的不純物とからなるCu−Zn−Si系銅合金とする。 - 特許庁

The stainless steel contains 15-25 mass% Cr and 1-8 mass% Ni, may further contain at least either 0.1-3.0 mass% Cu or 0.1-3.0 mass% Mo, and shows a total elongation of 30% or more in a tensile test.例文帳に追加

前記ステンレス鋼は、質量%でCr:15〜25%、Ni:1〜8%を含有し、あるいはさらに加えて、Cu:0.1〜3.0%、Mo:0.1〜3.0%の1種または2種を含有してなるもので、引張試験による全伸びが30%以上である。 - 特許庁

A wiring, electrodes 9, 10, and 11, and a contact point comprise an alloy thin-film, where a CuAg alloy, in which Cu contains Ag by 0.3-10.0 wt.%, comprises Ti, for example, 0.01-5.0 wt.% as a material for improving corrosion resistance.例文帳に追加

Cuに、Agが、0.3〜10.0重量%含有されたCuAg合金に、耐食性向上材料として、例えばTiであれば0.01〜5.0重量%含有されてなる合金薄膜により、配線、電極9、10、11、接点を作成する。 - 特許庁

In the coated electrode for arc welding having a core wire made of mild steel or low-alloy steel coated with a coating agent, the coating agent contains 1.3-9.0 mass% of a Cu alloy whose liquidus temperature is 1,150-1,400°C and average particle diameter is 40-160 μm.例文帳に追加

軟鋼または低合金鋼からなる心線に被覆剤が塗装されている被覆アーク溶接棒において、液相線温度が1150〜1400℃、かつ平均粒径が40〜160μmのCu合金を被覆剤中に1.3〜9.0質量%含有させる。 - 特許庁

The claim item 1: this spacer material is composed of the foil or thin sheet of an Al-Cu-Mg based precipitation hardening type alloy in which high temperature hardness when held at 200°C for 15 min is65 Hv, and the warpage to a standard length of 300 mm is <0.6 mm.例文帳に追加

請求項1:200℃で15分保持したときの高温硬さがHv65以上であるAl−Cu−Mg系析出硬化型合金の箔もしくは薄板からなり、基準長さ300mmに対する反りが0.6mm未満のスペーサ材。 - 特許庁

The aluminum die casting alloy superior in seize resistance comprises, by mass%, 1.6 to 2.0 Cu, 8.6 to 9.4 Si, 0.4 to 0.6 Mg, 0.05 to 0.3 Ti, 0.005 to 0.08 Sr, 0.3 to 0.8 Mn, 0.2 or less Fe and the balance Al with unavoidable impurities.例文帳に追加

本発明は、質量%で、Cu:1.6〜2.0、Si:8.6〜9.4、Mg:0.4〜0.6、Ti:0.05〜0.3、Sr:0.005〜0.08、Mn:0.3〜0.8、Fe:0.2以下、残部がAlおよび不可避的不純物からなり、耐焼付性に優れているアルミニウムダイカスト合金である。 - 特許庁

例文

The substrate is manufactured, which has an evaluation pattern including a recess that is formed on the substrate and occupies 0.1-90% of a chip area while the depth ranges from 5 to 300 nm, a wiring groove formed on the recess, and a barrier film 6 and a Cu film 7 provided in the wiring groove.例文帳に追加

基板に形成された、深さが5〜300nmでチップ面積の0.1〜90%を占める凹部と、凹部上に形成された配線溝と、配線溝に設けられたバリア膜6とCu膜7とを具備する評価用パターンを有する基板を作成する。 - 特許庁




  
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