「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device having an electric resistance measurement pattern which is suitable for specifying places where a film thickness is thinned in a wiring of a Cu wiring or the like, for example, by a CMP treatment without increasing any chip size, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

チップサイズを増大させることなく、Ｃｕ配線等の配線における例えばＣＭＰ処理による膜厚の薄膜化が起こった箇所を特定するのに好適な電気抵抗測定パターンを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When forming a film of rare earth elements on a metal base 1 by using an electron beam deposition device 30, an insert crucible 37 is first put inside a recess formed on the upper part of a water cooled hearth 33 made of Cu, and a material 38 is put in the crucible 37.例文帳に追加

電子ビーム蒸着装置３０を用いて金属基材１に希土類金属膜を成膜するに際して、まず、Ｃｕからなる水冷ハース３３の上部に形成された凹部にインサート坩堝３７を嵌め込み、インサート坩堝３７に原料３８を収容する。 - 特許庁

The aluminum alloy member has a composition containing, by weight, 3.0 to 4.2% Si, 0.4 to 0.6% Mg, ≤0.2% Fe and ≤0.5%, in total, of Zn, Mn, Ni, Sn and Cr and being free from Cu as an essential additive element.例文帳に追加

アルミニウム合金部材の組成として、Ｓｉ：３．０〜４．２ｗｔ％、Ｍｇ：０．４〜０．６ｗｔ％を含有し、Ｆｅ：０．２ｗｔ％以下、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｒの合計量：０．５ｗｔ％以下とされ、かつ、必須添加元素としてＣｕを含有しないものを採用する。 - 特許庁

The second and third aluminum alloy layers contain 0.3 to 1.3 mass% Si, 0.3 to 1.0 mass% Cu and 0.3 to 1.5 mass% Mn and is regulated in the Mg content to ≤0.2 mass% and the thicknesses thereof are 50 to 100 μm.例文帳に追加

第２及び第３のアルミニウム合金層は、Ｓｉ：０．３乃至１．３質量％、Ｃｕ：０．３乃至１．０質量％及びＭｎ：０．３乃至１．５質量％を含有しＭｇ含有量が０．２質量％以下に規制され、その厚さは５０乃至１００μｍである。 - 特許庁

A SiCN film 5, and a SiOC film 6, a PAE film 8, and an SiOC film 8 are formed in this order on a substrate of which the surface layer is an interlayer insulation film 2 embedded with first Cu wiring 4, so as to form interlayer insulation films.例文帳に追加

第１Ｃｕ配線４が埋め込み形成された層間絶縁膜２を基板の表面層とし、当該基板上にＳｉＣＮ膜５、ＳｉＯＣ膜６、ＰＡＥ膜８、およびＳｉＯＣ膜８をこの順に成膜してなる層間絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

When the vaporization of an organometallic complex Cu (hfac) TMVS is not performed by a vaporizer 2, to the inside of the gas region Av of the vaporizer 2 or the inside of piping 14 connected to a vaporizer 1 on the downstream side therefrom, a stabilizer TMVS with respect to the organometallic complex is supplied in a gas state.例文帳に追加

気化器２により有機金属錯体Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの気化を行っていないときに、気化器２の気体領域Ａｖまたはその下流側の気化器１につながる配管１４内に、有機金属錯体に対する安定化剤ＴＭＶＳをガス状態で供給する。 - 特許庁

In this hydrogen generator, installs a reforming part having a reforming catalyst at least including platinum is installed, and a desulfurizing part installing one or more oxides of metals selected from the group comprising V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Zn, is installed on the downstream side in the flow direction of the fuel from the reforming part.例文帳に追加

少なくとも白金を含有する改質触媒を有する改質部を設置し、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎからなる群より選択される少なくとも1種以上の金属の酸化物を配置した脱硫部を、前記原料の流れ方向に対して前記改質部より下流部に設置する。 - 特許庁

The electrode 2 for welding is formed of an electrode material in which at least one kind of hard grains selected from SiO_2 hard grains, Mo_2C hard grains and TiC hard grains are dispersed by 0.1 to 2 wt.% in total, and the balance Cu.例文帳に追加

本発明に係る溶接用電極２は、ＳｉＯ_２硬質粒子、Ｍｏ_２Ｃ硬質粒子及びＴｉＣ硬質粒子のうち少なくとも１種の硬質粒子を合計で０．１重量％〜２重量％分散させ、残部がＣｕからなる電極材料によって形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

This quartz glass container has arbitrary thickness (t) and <0.1 ppb concentration of Na, Mg, Al, K, Ca, Cr, Fe, Ni, Cu and Zn, respectively in the thickness range of 20 μm from the surface and in the thickness range of 1/2t±10 μm.例文帳に追加

任意の厚さ：ｔを有する石英ガラス容器であって、表面から２０μｍの厚さ領域および１／２ｔの±１０μｍの厚さ領域いずれにおいても、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎ濃度がいずれも０．１ｐｐｂ未満であることを特徴とする石英ガラス製容器。 - 特許庁

To further suppress generation of corrosion between a braze part 124 and a joining member 130 than before, in a ceramic heater 100 in which a Ni connection terminal (joining member 130) is connected with an electrode pad 121 via the braze part 124 made of Cu and Au, the electrode pad 121 being electrically connected to a heating resistor 141.例文帳に追加

発熱抵抗体１４１と電気的に接続された電極パッド１２１に、ＣｕとＡｕとからなるロウ材部１２４を介してＮｉ系の接続端子（接合部材１３０）が接続されるセラミックヒータ１００において、ロウ材部１２４と接合部材１３０との間における腐食の発生を従来よりも抑える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an inexpensive and highly reliable high integrated circuit can be formed by suppressing an excessive facility investment, keeping a high productivity and forming physically and electrically appropriate connection in an interlayer wiring with a multilayer wiring structure using a wiring material made mainly of Cu.例文帳に追加

余剰な設備投資を抑制し、かつ高い生産性を保持して、Ｃｕを主成分とする配線材を用いた多層配線構造の配線層間において、物理的、電気的に良好な接続を形成することによって、安価で信頼性の高い高集積回路となる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since each address electrode has the single-layer structure of the metal material containing AL as a main constituent, manhours in a photolithography process is reduced, and manufacturing efficiency can remarkably be improved as compared with the case where a conventional address electrode is formed in a three-layer structure of Cr/Al/Cr or Cr/Cu/Cr.例文帳に追加

また、アドレス電極はＡｌを主成分とする金属材料の単層構造であるので、フォトリソグラフィ工程における工数が減少し、従来のＣｒ／Ａｌ／ＣｒやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの３層構造でアドレス電極を形成する場合と比較して製造効率を大幅に向上することができる。 - 特許庁

The shape memory alloy has a composition consisting of, by atom, 15 to 50% In, 5 to 45%, in total, of at least one element selected from the group consisting of Mn, Fe, Cu, Ag and Au, and the balance Pd with inevitable impurities and also has a single-phase structure composed of a bcc ordered structure.例文帳に追加

本願発明合金は、Ｉｎを１５〜５０原子％含有し、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕからなる群から選ばれた少なくとも１種類を合計で５〜４５原子％含有し、残部がＰｄと不可避不純物とからなる組成と、ｂｃｃ規則構造からなる単相組織を有する形状記憶合金とする。 - 特許庁

This Cu-In based metal powder can be advantageously manufactured by a method where metal baser than indium is put into an indium salt solution in which metal copper powder is suspended to deposit indium metal onto the surface of the metal copper powder and the resultant indium-coated copper powder is separated from the solution.例文帳に追加

このＣｕ・Ｉｎ系金属粉体は，金属銅粉を懸濁したインジウム塩溶液中にインジウムより卑な金属を投入することにより該金属銅粉の表面にインジウム金属を析出させ，得られたインジウム被着銅粉を液から分離するという方法によって有利に製造することができる。 - 特許庁

To restrain an Sn-system plated Cu rectangular conductor with heat treatment from generating whisker down to an extent in which no short circuits or the like may occur between copper wirings or the like, even after being used in insertion coupling with a connector for a long period, concerning one of tin-system plated copper or copper alloy used as an FFC.例文帳に追加

ＦＦＣとして用いる錫系めっき銅または銅合金の平角導体に関するもので、熱処理を行ったＳｎ系めっきＣｕ平角導体は、コネクタと長期間嵌合して使用してもウイスカーの発生が、銅配線間等での短絡等が生じることがない程度に抑制されるようにすることにある。 - 特許庁

Since a sintering temperature can be lowered by substituting a part or the whole of Mg of BaMgAl10O17:Eu2+ with one or more kinds of divalent metals selected from Ca, Cu, Zn, Pb, Cd, Mg and Sn and a flux is eliminated, reduction in cost and improvement in characteristics can be realized.例文帳に追加

ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋のＭｇの一部または全部を、Ｃａ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｎから選ばれる１種以上の２価の金属で置換することにより、焼結温度を低下することが可能となり、融剤が不要となるので、コスト低減及び特性向上が実現できる。 - 特許庁

Preferably, the radial distribution is based on the radial structure function obtained by Fourier transformation of a wide area X-ray absorption fine- structure spectrum in a K absorption edge of the Fe or Cr atom, and the steel material includes one or two kinds of 0.1% or more Cu and 0.1% or more Ni by mass% in iron matrix.例文帳に追加

好ましくは、ＦｅまたはＣｒ原子のＫ吸収端の広域Ｘ線吸収微細構造スペクトルをフーリエ変換して得られた動径構造関数における動径分布とし、地鉄に、ｍａｓｓ％で、Ｃｕ：０．１％以上、Ｎｉ：０．１％以上のうち、１種もしくは２種を含有させる。 - 特許庁

In the first sintered body, a region between the coil conductor 18 and the coil conductor 20 and each inside region of the coil conductor 18 and the coil conductor 20 are formed of magnetic or non-magnetic materials, and also includes a ferrite material containing a Cu component at 0.05 to 2 mol.% in terms of CuO.例文帳に追加

第１の焼結体のうち、コイル導体１８とコイル導体２０との間に挟まれた領域、及びコイル導体１８，２０それぞれの内側の領域は、磁性体又は非磁性体からなると共に、Ｃｕ成分をＣｕＯに換算して０．０５モル％〜２モル％含有するフェライト材料を含んでいる。 - 特許庁

To provide a technology for improving deterioration of contact resistance with elapsed time under a high temperature environment by controlling the oxygen concentration in Ni phase for enhancing heat resistance, in a reflow Sn-plated material, whose undercoat layer is Cu/Ni double layer, and which is suitable for a conductive spring material for electronic parts such as connector and terminal.例文帳に追加

コネクタや端子等の電子部品の導電性ばね材として好適な、Ｃｕ／Ｎｉ二層下地めっきリフローＳｎめっき材について、耐熱性を向上させるためＮｉ相中の酸素濃度を適度に制御することにより高温環境下における接触抵抗の経時劣化を改善する技術を提供する。 - 特許庁

The highly cleaned ceramic has ≥98.5% relative density, ≤3% defective area on a mirror polished surface, ≤1.0 pieces/mm^2 particle transfer rate in the transfer to the silicon wafer, and ≤1×10^12 atom/cm^2 in total of transfer rate of each metal of Cr, Fe, Ni, and Cu.例文帳に追加

相対密度が９８．５％以上で鏡面研磨面の欠陥の面積が３％以下であり、さらに洗浄処理後のシリコンウエハ転写によるパーティクル転写量が１．０個／ｍｍ^２以下であり、かつ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕの金属転写量が合計で１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下である高清浄セラミックス。 - 特許庁

In the method of forming wirings of a semiconductor element in which ultra-fine electronic circuit wirings are formed, the electronic circuits are formed by embedding conductor materials including at least Cu layer into the substrate material and only the open surface of the electronic circuits is covered with a material for preventing movement by thermal diffusion of the conductor material.例文帳に追加

微細な電気回路配線を形成する半導体素子の配線形成方法において、基材中に少なくともＣｕ層を含む導電体材料の埋め込みにより電気回路を形成し、該導電体材料の熱拡散移動を防止する材料によって、前記電気回路の開放表面のみを被覆する。 - 特許庁

In the production method for a W-Cu composite material thin sheet, a first stage where copper powder and tungsten powder are mixed to produce powder for thermal spraying in the production method for a metal-matrix composite material, and a secondary stage where the powder for thermal spraying is plasma-sprayed on a substrate to form a thin sheet are included.例文帳に追加

金属基地複合材料の製造方法において、銅粉末とタングステン粉末とを混合して溶射用粉末作製する第一工程と、前記溶射用粉末を基板にプラズマ溶射して薄板を形成すること第二工程と、を備えることを特徴とするＷ−Ｃｕ複合材料薄板の製造方法。 - 特許庁

Furthermore, the extremely low carbon steel sheet is characterized in that it contains ≤0.005 mass% C, ≤0.005 mass% acid-soluble Al, and further, contains Cu, Nb and B. and further fine oxides having a diameter of 0.5-30μm dispersed therein, in an amount of 1000-1,000,000 pieces/cm^2.例文帳に追加

また、Ｃ：０．００５質量％以下、酸可溶Ａｌ：０．００５質量％以下、さらに、Ｃｕ、ＮｂおよびＢを含有する鋼であって、その鋼中には直径０．５μｍから３０μｍの微細酸化物が１０００個／ｃｍ^２以上、１００００００個／ｃｍ^２以下分散していることを特徴とする極低炭素鋼板。 - 特許庁

Mixed powder 11 of Mg and B is filled in an Nb pipe or an Nb-Ta alloy pipe 12 not forming a solid solution (not reacting) with Mg and reacting with B only in high temperature, and a Cu pipe 14 is covered on an outer circumference of the Nb pipe or Nb-Ta alloy pipe 12 for improving drawability.例文帳に追加

ＭｇとＢの混合粉末１１を、Ｍｇと固溶せず（反応せず）、かつＢとは高温でしか反応しないＮｂパイプまたはＮｂ−Ｔａ合金パイプ１２内に充填し、加えて伸線加工性を向上させるためＮｂパイプまたはＮｂ−Ｔａ合金パイプ１２の外周にＣｕパイプ１４を被覆した構造とする。 - 特許庁

A plurality of alloy layers different in composition ratios of Al to Cu are formed in connection regions between the AlCu pads 107 and the CuP wires 111, and each alloy layer includes a CuAl_2 layer, and a layer formed between the CuAl_2 layer and the CuP wire 111, and having a relatively low Al composition ratio relative to the CuAl_2 layer.例文帳に追加

ＡｌＣｕパッド１０７とＣｕＰワイヤ１１１の接続領域に、ＡｌとＣｕ組成比が異なる複数の合金層が設けられ、合金層が、ＣｕＡｌ_2層と、ＣｕＡｌ_2層とＣｕＰワイヤ１１１との間に設けられるとともにＣｕＡｌ_2層よりもＡｌ組成比が相対的に低い層とを含む。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium 100 including at least the soft magnetic layer 14, an orientation control layer 16, an underlayer 18 and the magnetic recording layer 22 for recording a signal deposited in this order on a disk base body 1, the orientation control layer 16 is made of a Cu alloy and the underlayer 18 is made of ruthenium.例文帳に追加

ディスク基体１上に少なくとも軟磁性層１４と、配向制御層１６と、下地層１８と、信号を記録する磁気記録層２２とを、この順に成膜する垂直磁気記録媒体１００において、配向制御層１６は、Ｃｕ合金から成り、下地層１８は、ルテニウムから成ることを特徴とする。 - 特許庁

In the tinned strip using a copper-based alloy comprising, by mass, 1.0 to 4.5% Ni and 0.2 to 1.0% Si, and the balance Cu with inevitable impurities as a base metal, the concentration of S and the concentration of C in the boundary face between the plating layer and the base metal are controlled to ≤0.05%.例文帳に追加

１．０〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金を母材とするすずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＳ濃度及びＣ濃度を０．０５質量％以下に調整する。 - 特許庁

The information recording medium of surface light incident type is characterized in that the reflective layer containing Ag-Cu alloy and a magneto-optical recording layer are provided in this order on at least one surface of a support.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に、Ａｇ−Ｃｕ合金を含む反射層、光磁気記録層をこの順に有することを特徴とする表面光入射型情報記録媒体、及び上記表面光入射型情報記録媒体にレーザー光を照射して情報を記録再生する情報記録再生方法。 - 特許庁

In the friction material containing a matrix composed of at least one of Cu, Ni, Fe, and an alloy thereof, a lubricant, and a friction control agent, the friction control agent contains Al2O3 and ZrO2 and the weight ratio of Al203 to (Al2O3+ZrO2) in the friction control agent is 0.3-0.7.例文帳に追加

少なくともＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅおよびこれらの合金の１種または２種以上からなるマトリックス、潤滑剤、摩擦調整剤を含む摩擦材料において、摩擦調整剤がＡｌ_2 Ｏ_3 およびＺｒＯ_2 を含有し、該摩擦調整剤中の（Ａｌ_2 Ｏ_3）／（Ａｌ_2 Ｏ_3 ＋ＺｒＯ_2 ）の重量比が０．３〜０．７である。 - 特許庁

The overlaying copper alloy powder excellent in cladding and wear resistance is composed of, by mass%, 2-5% Si, 7-20% Ni, ≤10% Fe+Co, and 0.1-10% in total of 1 or more kinds of Al, Zn, Sn, Mn, Cr, Ti, and Zr, with the balance consisting of Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

質量％で、Ｓｉ：２〜５％、Ｎｉ：７〜２０％、Ｆｅ＋Ｃｏ：１０％以下を含有し、かつ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの１種または２種以上を合計０．１〜１０％、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるクラッド性および耐摩耗性に優れた肉盛用銅合金粉末。 - 特許庁

This aluminum alloy sheet has a composition containing 4.8 to 7% Zn, 1 to 3% Mg, 1 to 2.5% Cu and 0.05 to 0.25% Zr, and the balance Al with impurities, and, in the sheet face, a structure containing grain boundaries in which the crystal orientation difference is 3 to 10° are contained by ≥25% is provided.例文帳に追加

Ｚｎ：４．８〜７％、Ｍｇ：１〜３％、Ｃｕ：１〜２．５％、Ｚｒ：０．０５〜０．２５％を含有し、残部Ａｌおよび不純物からなる組成を有するアルミニウム合金板であって、該アルミニウム合金板の板面において結晶方位差が３〜１０°の結晶粒界を２５％以上含む組織を有する。 - 特許庁

Related to a wiring structure 1 that is constituted by integrally forming wiring 2 and a plug 3 with Cu as a material by a damascene method, a difference between deviation stress (1) applied in the longitudinal direction of the wiring and deviation stress (2) applied in a direction vertical to the center axis of the plug is so controlled as to be 220 MPa or below.例文帳に追加

配線部２とプラグ部３とがＣｕを材料としてダマシン法により一体形成されてなる配線構造１において、配線部の長手方向に印加される偏差応力 とプラグ部の中心軸と垂直な方向に印加される偏差応力 との差分を２２０ＭＰａ以下となるように制御する。 - 特許庁

There is provided a preparation method for an electroluminescence (EL) phosphor of ZnS activated by Cu and Mn, which method comprises a step for baking a composition comprising ZnS, S, an halide of ammonium, a Cu compound and metallic Mn and washing and sieving the products obtained by baking, wherein before the baking of the composition, ZnS is put in a capsule and the ZnS is treated by explosion of an explosive surrounding the circumference of the capsule.例文帳に追加

本発明に係る銅およびマンガンによって活性化された硫化亜鉛のエレクトロルミネセンス（ＥＬ）用蛍光体の調製方法は、硫化亜鉛、硫黄、アンモニウムのハロゲン化物、銅化合物および金属マンガンを含む組成物を焼成し、焼成によって得られた生成物を洗浄し篩い分ける工程を含み、前記組成物の焼成の前に、硫化亜鉛をカプセルに入れ、該カプセルの周囲を取り囲む爆薬の爆発により該硫化亜鉛を処理することを特徴とする。 - 特許庁

Regarding the Cu-Ni-Si based copper alloy including Sn and Zn, in its structure, the average crystal grain size, the average number density of coarse second phase grains, the average area ratio in the Cube orientation in the texture and the average total area ratio of the three orientations in a Brass orientation, an S orientation and a Copper orientation are balanced, so as to obtain a copper alloy having high strength and excellent bending workability.例文帳に追加

Ｓｎ、Ｚｎを含むＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金であって、この銅合金の組織における平均結晶粒径、粗大第二相粒子の平均数密度、集合組織におけるＣｕｂｅ方位の平均面積率と、Ｂｒａｓｓ方位、Ｓ方位、Ｃｏｐｐｅｒ方位の３つの方位の平均合計面積率とをバランスさせ、高強度で曲げ加工性に優れた銅合金を得る。 - 特許庁

To enable the effective development of an action of a metal such as Ag, Cu and Zn in a surface-treatment of a substrate having a glass layer and provide a product having a glass layer, etc., imparted with excellent surface characteristics and producible with suppressed loss of the metal.例文帳に追加

ガラス層をもつ基体の表面処理方法及びガラス層をもつ製品に関し、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属による作用を効果的に発揮可能とするとともに、それらの金属の無駄を生じさせず、かつ製品に優れた表面性状をもたせ得るようにする。 - 特許庁

The metal oxide particulates are expressed by a compositional formula of ABO_2 (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag; and B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl), and have a mean particle diameter of ≤100 nm.例文帳に追加

組成式ＡＢＯ_２（Ａの金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇ、Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）で表される金属酸化物微粒子であって、平均粒径が１００ｎｍ以下である金属酸化物微粒子。 - 特許庁

The aluminum-alloy material has a composition which consists of 1.0-1.6 mass% Mn and the balance Al with inevitable impurities and in which the contents of Cu, Fe and Si among the inevitable impurities are regulated, by mass, to ≤0.01%, ≤0.15% and ≤0.15%, respectively.例文帳に追加

アルミニウム合金材の組成を、Ｍｎを１．０乃至１．６質量％含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物のうちＣｕは０．０１質量％以下、Ｆｅは０．１５質量％以下、Ｓｉは０．１５質量％以下に規制された組成とする。 - 特許庁

A green sheet 14 is provided between a Cu wiring board 11 wherein an IGBT 12 and a diode 13 are bonded, and a cooler 15, and its thickness is made projected and larger on the side of the cooler in an area not opposite to the IGBT 12 and the diode 13.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１２およびダイオード１３が接合されたＣｕ配線板１１と冷却器１５との間に設けられたグリーンシート１４の厚みが、ＩＧＢＴ１２およびダイオード１３と対向しない領域において冷却器１５側に凸状に厚くなるように構成されている。 - 特許庁

The first arm 131 includes a recessed portion 138 on the front side of the arm, and when the second arm 132 is turned toward the front side of the first arm together with the camera head 150 and both arms are folded in a storage posture, the recessed portion 138 encloses a lens unit CU of the camera head 150.例文帳に追加

第１アーム１３１は、アーム正面側に陥没凹所１３８を備え、この陥没凹所１３８には、第２アーム１３２がカメラヘッド１５０と共に第１アーム正面側に回動されてアームが重なった収納姿勢となると、カメラヘッド１５０のレンズユニットＣＵを取り囲む。 - 特許庁

Subsequently, laser beams 5 are overlappingly scanned in the atmosphere of a second CVD gas 4 of DMAu-Tfac or HfacCu-tmvs, whereby a conductive film 6 made of Au or Cu which is electrically connected to the contact 3 at a low resistance is formed.例文帳に追加

続いて、ＤＭＡｕ−ＴｆａｃまたはＨｆａｃＣｕ−ｔｍｖｓの第２のＣＶＤガス４雰囲気中でレーザ光５を重畳走査することによって、コンタクト３と電気的に低抵抗で接続されるＡｕまたはＣｕからなる導電性膜６を形成する。 - 特許庁

In the formula, L1 represents a ligand comprising within its molecule a thiol group binding to a plurality of species of substrates and a terpyridyl group binding to a plurality of species of metallic elements, L2 represents terpyridine or a terpyridine derivative, and M represents a metallic element selected from Co, Cr, Cu, V, Fe, Ru, Os and Ni.例文帳に追加

（式中、Ｌ１は分子内に、多くの金属基板に結合可能なチオール基と、多くの金属元素に結合可能なターピリジル基を有した配位子である。Ｌ２はターピリジン、またはターピリジン誘導体である。ＭはＣｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｖ，Ｆｅ，Ｒｕ，ＯｓまたはＮｉから選ばれる金属元素である。） - 特許庁

This surface contracted layer 2 is made of a porous plate made of copper alloy (94.9 wt.% Cu-5.5 wt.% Sn-0.1 wt.% P), its thickness is 45 μm, and a through hole of an averaged diameter 5 μm is formed in distribution density (porosity 4%) of 1,600 pieces/mm2.例文帳に追加

この表面絞り層２は、銅合金製（９４．９ｗｔ％Ｃｕ−５．５ｗｔ％Ｓｎ−０．１ｗｔ％Ｐ）の多孔板からなり、その厚さは４５μｍであり、平均直径５μｍの貫通孔が、１，６００個／ｍｍ^２の分布密度（気孔率４％）で形成されている。 - 特許庁

To obtain a polishing composition wherein metallic impurities of Cu, Mn, Ni, Fe, Zn, Cr, etc are hardly present on the surfaces of its fumed silica particles and in its dispersion medium and which is optimal for polishing silicon wafers etc, and to provide a method of obtaining the above polishing composition at a low cost.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｒ等の金属性不純物がヒュームドシリカ粒子表面及び分散媒中にほとんど存在せず、シリコンウエハ等の研磨に最適な研磨用組成物を得ること、及び低コストでこの研磨用組成物を得る方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a defect of a barrier metal film having a multilayer wiring structure is interpolated with a diffused barrier film by self-formation reaction between Mn of a CuMn layer and an interlayer insulating film, the specific resistance of a Cu layer on the CuMn layer being reduced.例文帳に追加

多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In hot tool steel and cold tool steel, the compositional contents of C, Si, Mn, P, S, Cr, Cu+Ni+Co, 2Mo+W and V as components are limited, and the balance substantially Fe with inevitable impurities, and Nb, Sn, Pb, B, Ta and Bi are not incorporated.例文帳に追加

熱間工具鋼及び冷間工具鋼の成分Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｓ、Ｃｒ、Ｃｕ＋Ｎｉ＋Ｃｏ、２Ｍｏ＋Ｗ及びＶの含有量を組成限定し、残部が実質的にＦｅ及び不可避的不純物よりなり、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂ、Ｔａ及びＢｉを含有させない。 - 特許庁