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Cu-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2149



例文

One of a compound including indium, a compound including tin and a compound including tantalum is included in a compound oxide represented by LiNi_1-xM_xO_2 (M is a metallic element selected from Co, Mn, Fe, Cu, Zn, Mg, Ti, Al and Ga, and 0.2>x≥0).例文帳に追加

LiNi_1-xM_xO_2(但し、MはCo、Mn、Fe、Cu、Zn、Mg、Ti、AlおよびGaからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の金属元素で、0.2>x≧0)で表される複合酸化物に、インジウムを含む化合物、スズを含む化合物およびタンタルを含む化合物のいずれかが含まれる。 - 特許庁

The extruded material of the free-cutting aluminum alloy superior in the high-temperature embrittlement resistance includes 3-6 mass% Cu, 0.9-3 mass% Bi and the balance Al with unavoidable impurities; and has such a Charpy impact test value as not to decrease to one-half the value at room temperature, till the material reaches 180°C.例文帳に追加

Cu:3〜6mass%、Bi:0.9〜3mass%を含有し、残部がAlと不可避的不純物とからなり、かつ、シャルピー衝撃試験値が室温時の半分に低下する温度が180℃以上であることを特徴とする耐高温脆化性に優れた快削アルミニウム合金押出材。 - 特許庁

This method comprises arranging the cast iron chips uniformly on the steel material with interposing non-chilling elements such as Ni and Cu in between, sintering the cast iron chips, and bonding the sintered compact to the steel material, by causing discharge between the cast iron chips 13 and the steel material 12 along with applying pressure between them.例文帳に追加

間にNiやCu等の非チル化元素を介在させて鉄鋼材に鋳鉄切粉を均一に重ね、鋳鉄切粉13を鉄鋼材12に加圧しながら両者間で放電して鋳鉄切粉を焼結すると共に、この焼結体を鉄鋼材側へ接合する。 - 特許庁

The copper alloy material for electric and electronic components contains one of or both of Fe and Co in total 0.3-1 mass% and also contains 0.1-0.3 mass% of P, 0.15-3 mass% of Zn, and 0.02-0.3 mass% of Sn, and the remainder includes Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

電気・電子部品用銅合金材は、Fe、Coの一方もしくは両方を合計で0.3〜1質量%含有するとともに、0.1〜0.3質量%のP、0.15〜3質量%のZn、0.02〜0.3質量%のSnを含有し、残部がCuおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

例文

The oxygen-free copper rough drawing wire for windings used as a material for producing windings has a composition comprising, by parts per million mass, at least one selected from Zr and Mg by 3 to 20 ppm, and in which the content of O is regulated to10 ppm, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

巻線を製造する際の素材として用いられる巻線用無酸素銅荒引線であって、質量百万分率で、Zr及びMgのうち少なくとも1種を3〜20ppmを含み、かつ、Oが10ppm以下とされ、残部がCu及び不可避不純物からなることを特徴とする。 - 特許庁


例文

This is a catalyst for the fuel cell which contains RuTe_2 as an active component, and the half width of a maximum diffraction peak in a region of diffraction angle 2θ (±0.3) 27° or more and 29° or less by X-ray diffraction method (Cu-Kα line) of RuTe_2 is 1.80° or less.例文帳に追加

活性成分としてRuTe_2を含む触媒であって、RuTe_2のX線回折法(Cu−K_α線)による回折角2θ(±0.3゜)が27゜以上29゜以下の領域における最大回折ピークの半値幅が、1.80゜以下である燃料電池用触媒。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a quartz glass tool or a member during the production process of the quartz glass tool, by which metal impurities, such as Na, K, Al, Fe, Cu, Ca and Mg, can be easily and sufficiently removed; and to provide an ultrasonic cleaning device suitably used in the same.例文帳に追加

Na,K,Al,Fe,Cu,Ca及びMg等の金属不純物を容易かつ十分に除去することのできる石英ガラス治具又は該石英ガラス治具の製作工程途中の部材の洗浄方法及び該洗浄方法に好適に用いられる超音波洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode which has higher performance, is less expensive than a conventional one and has an electrode part represented by a W-Cu composite material with high costs in materials and manufacturing, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明では、材料費および製造にかかる費用が大きなW−Cu複合材に代表される電極部を有す電極およびその製造方法について、従来用いられているものよりも高性能かつ安価な電極および製造方法を提供することをその課題とするものである。 - 特許庁

A roughened surface is formed by bringing etching solution into contact with aluminum or an aluminum alloy having a surface coating containing (1) at least one metal selected from metals in the first group comprising Sn, Cu, Fe, Ni, Co, Bi, Sb, Ag and Te, and (2) zinc.例文帳に追加

(1)Sn、Cu、Fe、Ni、Co、Bi、Sb、Ag及びTeからなる第一群の金属より選択される少なくとも1種の金属と(2)亜鉛とを含む表面皮膜を有するアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチング溶液と接触させることにより粗化表面を形成する。 - 特許庁

例文

1,1,2,2,3,3,4-Heptafluorocyclopentane is produced by the hydrogenation of 1-chloroheptafluorocyclopentene in the presence of a hydrogenation catalyst where a group VIII metal is mixed with at least one kind selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Te, Zn, Cr, Mo, Tl, Sn, Bi and Pb.例文帳に追加

1−クロロヘプタフルオロシクロペンテンを周期律表第VIII族金属に銀、銅、金、テルル、亜鉛、クロム、モリブデン、タリウム、錫、ビスマス、鉛から成る群から選ばれる少なくとも1種の金属を添加してなる水素化触媒の存在下に水素化して1,1,2,2,3,3,4−ヘプタフルオロシクロペンタンを製造する。 - 特許庁

例文

The antifungal metal component-carrying inorg. material particles carrying either at least one side of Ag or Cu on the surface of one or ≥2 kinds of inorg. material particles comprising primarily of either zinc oxide, calcium carbonate, alumina and zirconium are compounded in the glaze powder.例文帳に追加

酸化亜鉛、炭酸カルシウム、アルミナ及びジルコンいずれかを主体とする無機材料粒子の1種又は2種以上のものの表面に、Ag及びCuの少なくとも一方を抗菌金属成分として担持させた抗菌金属成分担持無機材料粒子を釉薬粉末中に配合する。 - 特許庁

To provide a roughening method for Cu plating wiring which provides a higher firm sticking property of fine wiring and interlayer insulating layer relating to a method of obtaining the firm sticking property of the fine wiring and the interlayer insulating resin in manufacturing of a multilayered wiring board and satisfies electric characteristics.例文帳に追加

多層配線板の製造における微細配線と層間絶縁樹脂の密着性を得る方法に関する問題に鑑み、さらなる微細配線と層間絶縁層が高い密着性を得るとともに電気特性も満足するCuメッキ配線の粗化方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of semi-hard magnetic materials having high coercive force in hot workability caused by Cu aggregation and to provide the semi-hard magnetic materials having good magnetic properties, bias materials for magnetic markers, magnetic markers and production methods of bias materials for magnetic markers.例文帳に追加

本発明の目的は、高い保磁力を具備した半硬質磁性材料の、Cuの凝集に起因する熱間加工性の問題を解決し、磁気特性に優れた半硬質磁性材料、磁気マーカ用バイアス材、磁気マーカおよび磁気マーカ用バイアス材の製造方法を提供することである。 - 特許庁

A copper alloy comprising, by mass, 1 to 10% Ag and 0.01 to 0.5% Mg, and the balance Cu with inevitable impurities is heat-treated in the pressure of ≤3.0×10^3Pa by plasma discharge, and is finally wire-drawn to a wire diameter of ≤0.2 mm.例文帳に追加

1〜10mass%のAg、0.01〜0.5mass%のMgを含有し残部がCu及び不可避の不純物からなる銅合金に、3.0×10^3Pa以下の圧力下でプラズマ放電による熱処理を施した後、最終的に線径0.2mm以下の極細線に伸線する。 - 特許庁

The metal salt of an 8-quinolinol derivative is formed by coordination with a metal selected from the group consisting of Cu, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Yt, La, Pb, Sb, Bi, Cr, Mo, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Ce, and Pr.例文帳に追加

8−キノリノール誘導体の金属塩は、Cu、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Yt、La、Pb、Sb、Bi、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Ce及びPrからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 - 特許庁

The average crystal grain size of the conductor for a cable formed of tough pitch copper or a Cu-Sn alloy is smaller than 10 μm; the 0.2% proof stress of the conductor for a cable exceeds 130 MPa; the elongation percentage thereof in fracture is not smaller than 15%; and the conductivity thereof is not smaller than 98% IACS.例文帳に追加

タフピッチ銅又はCu−Sn合金で構成されるケーブル用導体の平均結晶粒径が10μm未満であり、上記ケーブル用導体の0.2%耐力が130MPaを超え、破断時の伸び率が15%以上で、かつ導電率が98%IACS以上である。 - 特許庁

The metal salt of 8-quinolinol or an 8-quinolinol derivative is formed by coordinating, such metals as selected from among Cu, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Yt, La, Pb, Sb, Bi, Cr, Mo, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Ce, and Pr.例文帳に追加

8−キノリノール又は8−キノリノール誘導体の金属塩は、Cu、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Yt、La、Pb、Sb、Bi、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Ce及びPrからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 - 特許庁

By adding Bi (bismuth), Ga (gallium) and In (indium) as low melting point metal elements to a Zn (zinc) alloy and Zn for die casting comprising Al (aluminum), Cu (copper), Mg (manganese) or the like, the hardness of the Zn alloy and Zn for die casting is increased, and the mechanical properties thereof are improved.例文帳に追加

Al(アルミニウム)、Cu(銅)、Mg(マグネシウム)等を含有するダイカスト用Zn(亜鉛)合金およびZn(亜鉛)に、低融点金属元素であるBi(ビスマス)、Ga(ガリウム)、In(インジウム)を添加することにより、ダイカスト用Zn合金およびZnの硬度を上昇させ、機械的性質を向上させる。 - 特許庁

The light shielding film has a composition consisting of 2-14% Nb and the balance Ni with inevitable impurities or further containing 1-30%, in total, of Cu and/or V if necessary.例文帳に追加

Nb:2〜14%を含有し、さらに必要に応じてCuおよびVの内の1種または2種を合計で1〜30%含有し、残りがNiおよび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびその遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

In this plated copper alloy material, a Ni layer 2 is formed on a surface of a copper alloy base material 1, and a Ni/Sn-containing alloy layer 3 formed of a Ni-Sn alloy, a Ni-Cu-Sn alloy or both of them is formed on top of it, and a pure Sn layer 4 is formed on top of it as the outermost layer.例文帳に追加

銅合金基材1の表面にNi層2、その上にNi−Sn合金、Ni−Cu−Sn合金、又はその両者からなるNi,Sn含有合金層3が形成され、その上に最表層として純Sn層4が形成されためっき付き銅合金材。 - 特許庁

To provide a data displaying method for displaying, in a visually easy-to-understand manner, the position of a specific peak top of bound energy of a photoelectron peak (such as Cu 2p3/2 photoelectron peak) and the position of a specific peak top of kinetic energy of an Auger transition peak (such as a CuLMM Auger transition peak).例文帳に追加

光電子ピーク(例えば、Cu 2p3/2光電子ピーク)の束縛エネルギーの特定のピークトップ位置とオージェ遷移ピーク(例えば、CuLMMオージェ遷移ピーク)の運動エネルギーの特定のピークトップ位置を視覚的に理解しやすく表示するデータ表示方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やSi層への密着性が良好で、かつSi拡散バリア性を有するCu系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a chitosan derivative which is usable in a neutral or alkaline environment by controlling the electric charge of a cationic partially acylated chitosan: P-Cu-chitosan to make it amphoteric or anionic and to provide a polymeric surfactant using it.例文帳に追加

カチオン性である部分アシル化キトサン:P−Cu−キトサンの電荷を調製し、両性、あるいはアニオン性に変えることにより、中性あるいはアルカリ性の環境においても使用可能な、新しいキトサン誘導体とこれを用いたキトサン高分子界面活性剤を提供する。 - 特許庁

In this nonaqueous electrolyte secondary battery, its negative electrode is formed of a carbon material carrying copper(Cu), nickel(Ni), iron(Fe), chromium(Cr), titanium(Ti), zirconium(Zr), vanadium(V), beryllium(Be), potassium(K), plutonium(Pu), niobium(Nb), or an alloy containing those metals.例文帳に追加

非水電解質二次電池において、銅(Cu)またはニッケル(Ni)または鉄(Fe)またはクロム(Cr)またはチタン(Ti)またはジルコニウム(Zr)またはバナジウム(V)またはベリリウム(Be)またはカリウム(K)またはプルトニウム(Pu)またはニオブ(Nb)またはこれらの金属を含む合金を担持した炭素材料を負極とする。 - 特許庁

When the user coordinate system Cu having axial directions is set according to a shape of the work W, a coordinate system in which positions of characteristic points E1 to E3 are taught and coordinate values of the positions of the characteristic points are stored is selected from a plurality of coordinate systems including a work coordinate system at the least.例文帳に追加

ワークWの形状に応じた軸方向を有するユーザ座標系Cuの設定する際に、特徴点E1〜E3の位置教示に加えて、特徴点の位置座標値を記憶する座標系を、少なくともワーク座標系を含む複数の座標系の中から選択する。 - 特許庁

Continually, heat treatment is performed to make Mn in the alloy layer 17 react with the components of interlayer insulating films 12 and 15 to form a self-forming barrier film made of an Mn compound having diffusion prevention property of Cu on the interface of the alloy layer 17 and the interlayer insulating films 12 and 15.例文帳に追加

続いて、熱処理を行い、合金層17中のMnを層間絶縁膜12、15の構成成分と反応させて、合金層17と層間絶縁膜12、15の界面に、Cuの拡散防止性を有するMn化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。 - 特許庁

The shield film has resistance against surface-active processing liquid containing defatting liquid, acid chemical, alkaline chemical, solvent, alcohol, plating liquid and etching liquid, and may have, in some cases, moisture resistance, resistance to gas permeability, and corrosion resistance; for example, the shielding film has Cr, Ni, Ti, Cu, W, Ag or Al as the main components.例文帳に追加

シールド膜は、脱脂液を含む表面活性処理液、酸性薬液、アルカリ性薬液、溶剤、アルコール、めっき液及びエッチング液に対する耐性を有し、耐湿性、耐ガス透過性、耐腐食性を有する場合があり、例えばCr、Ni、Ti、Cu、W、Ag又はAlを主成分とする。 - 特許庁

The animal hair fiber is pretreated by impregnating into an aqueous solution containing salts of metals selected from transition metals, especially from the group composed of Cu, Fe, Ni, Co, Mn, Cr and Zn to adsorb one or more kinds of the metallic salts thereinto and then subjected to the ozone treatment in the method for treating the animal hair fiber.例文帳に追加

獣毛繊維を、遷移金属、特にCu、Fe、Ni、Co、Mn、Cr、Znからなる群から選ばれる金属の塩を含む水溶液中に含浸前処理して繊維中に上記塩の1種または2種以上を吸着した後、上記オゾン処理を行う獣毛繊維の処理方法。 - 特許庁

External electrode (external electrode) paste composed of Cu powder, B-Si-Zn glass frit, and an organic vehicle is applied on an end face of a ceramic sintering body having an Ni internal electrode, and the paste is baked at thresholds of 400°C and 700°C in a continuous kiln having an area composed of three atmospheres.例文帳に追加

Cu粉末、B−Si−Zn系のガラスフリット、および有機ビヒクルからなる外部電極(外部電極)ペーストを、Ni内部電極を備えるセラミック焼結体の端面に塗布し、これを、400℃、700℃のしきい値により、三つの雰囲気からなる領域を持つ連続炉にて焼き付ける。 - 特許庁

This composite electromagnetic wave shielding material comprises a conductive core made of metal foil whose main component is Al, a dry Ni alloy plated layer, a dry Cu plated layer and a metal plated layer in order from bottom up on both sides of an organic resin film and has an elongation of 5% or more.例文帳に追加

本発明の複合電磁波シールド材は、有機樹脂フィルムの片面に、下から順に、Alを主成分とする金属箔から成る導電性芯体、乾式Ni合金めっき層、乾式Cuめっき層、金属めっき層から成り、伸びが5%以上であることを特徴とする。 - 特許庁

This aluminum slab has ≥99.9% aluminum purity and contains, by mass%, 5-30ppm Si, 5-20ppm Fe, 1-80ppm Cu, 0.5-10ppm Na and in addition, ≤100ppm of the total of minor component and further, ≤0.15cc/100gAl of content of the hydrogen gas.例文帳に追加

アルミ純度が99.9%以上であり、質量ppmで、Si:5〜30ppm、Fe:5〜20ppm、Cu:1〜80ppm、Na:0.5〜10ppmを各々含有し、その他、微量成分の総和が100ppm以下であり、さらに水素ガスの含有量を0.15cc/100gAl以下としている。 - 特許庁

In a Sn-plated extra fine copper wire with a diameter of 0.1 mm or less, the objective copper wire 11 is characterized by having a Cu-base plated layer 13 containing Sn of 0.2-0.7 mass% with layer thickness of 0.05 μm or more, around the extra fine copper wire 12 consisting of copper or a copper alloy.例文帳に追加

本発明に係るSnめっき極細銅線11は、線径が0.1mm以下のSnめっき極細銅線において、銅又は銅合金からなる極細銅線12の外周に、Sn−0.2〜7.0mass%Cu系めっき層13を、0.05μm以上の層厚で形成したものである。 - 特許庁

Its wear resistance or the like can be improved because of the incorporation of 14 to 20% Cu and 8.5 to 15% Zn in this way, and the fluidity of molten metal can be improved, and further, its liquidus temperature can be reduced by the blending of 5 to 8% Si therein.例文帳に追加

このようにCuを14〜20重量%およびZnを8.5〜15重量%含むため耐摩耗性などを向上させることができ、これにSiを5〜8重量%配合することによって溶湯の流動性を向上させるとともに液相線温度を下げることができる。 - 特許庁

The housing members 511, 512, 514 comprise, by mass, 9 to 17% Si, 3.5 to 6% Cu, 0.2 to 1.2% Mg, 0.2 to 1.5% Fe and 0 to 1% Mn, and, in which the content of Ni is ≤0.5%, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

ハウジング部材511、512、514は、Si:9〜17質量%、Cu:3.5〜6質量%、Mg:0.2〜1.2質量%、Fe:0.2〜1.5質量%及びMn:0〜1質量%を含有し、Ni含有量が0.5質量%以下であり、残部がAl及び不可避的不純物よりなる。 - 特許庁

The copper alloy having excellent stress corrosion cracking resistance and dezincification resistance has a composition containing, by weight, 58 to 66% Cu, 0.1 to 0.8% Sn and 0.01 to 0.5% Si, and the balance Zn with inevitable impurities, and in which the ratio of an α phase is80 vol.%.例文帳に追加

耐応力腐食割れ性および耐脱亜鉛性に優れた銅合金は、58〜66重量%のCuと、0.1〜0.8重量%のSnと、0.01〜0.5重量%のSiと、残部としてZnおよび不可避不純物とからなり、α相の割合が80体積%以上である。 - 特許庁

In a compound transistor module including a pellet 12 of three or more transistors inside one enclosure 11, the pellet 12 is packaged on a frame 13, and the pellet 12 and an external lead terminal 14 are bonded via a Cu connector 15.例文帳に追加

3個以上のトランジスタのペレット12を1つの外囲器11内に有する複合トランジスタモジュールにおいて、前記ペレット12はフレーム13上に搭載され、前記ペレット12と外部リード端子14とがCu製コネクター15を介して接合されていることを特徴とする複合トランジスタモジュール。 - 特許庁

A sputtering target is composed of a high-purity Ge a Ge alloy containing, in the range of 0.1-50 atom.%, at least one element selected from Al, Si, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C.例文帳に追加

高純度Ge、もしくはAl、Si、Fe、Cr、Ta、Nb、Cu、Mn、Mo、W、Ni、Ti、Zr、Hf、Co、Ir、Pt、Ru、BおよびCから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子%の範囲で含むGe合金からなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

This copper alloy rolled foil has a composition containing, by mass, 0.005 to 0.25% Ag, 0.002 to 0.06% B, ≤0.002% S, one or two kinds of Ca and Mg by 0.0001 to 0.01% in total, <0.003% oxygen, <0.0002% hydrogen, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

Ag:0.005〜0.25%(質量%、以下同じ)、B:0.002〜0.06%、S:0.002%以下、Ca及びMgのうち1種又は2種を計0.0001〜0.01%、酸素:0.003%未満、水素:0.0002%未満、残部Cu及び不可避不純物からなる銅合金圧延箔。 - 特許庁

To provide a sealing glass which excels in water resistance, is hard to crystallize in sealing time or also in heat treatment after that, can realize a low sealing temperature and a desired thermal expansion coefficient, and has a high transmittance of visible light, even not including the oxides of Pb, Ge, Ga or the like, or halogen components such as fluorine, or even not including the oxides of Sn and Cu so much.例文帳に追加

Pb、Ge、Ga等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Sn、Cuの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の熱膨張係数を実現でき、可視光の透過率が高い封止用ガラスを提供すること。 - 特許庁

An electrode for a vacuum breaker using an electrical contact in which refractory-metal particles are dispersed in an alloy of a highly conductive metal and a low melting-point metal, more specifically, Cr particles are dispersed in an alloy containing Cu and at least one kind out of Sn, Te, Bi is provided.例文帳に追加

本発明の特徴は、高導電性金属と低融点金属の合金中に、耐火性金属の粒子が分散した電気接点、特に、Sn,Te,Biのうちの少なくとも1種とCuとを含む合金中に、Cr粒子が分散していることを特徴とする電気接点を用いた真空遮断器用電極と、それを用いた真空バルブ、又は真空遮断器にある。 - 特許庁

The cooling chamber is provided with cooling units CU respectively comprising a conveying device 10 for simultaneously conveying the plurality of treated objects in a single line, a mist cooling device 30 disposed in a state of surrounding a conveying passage of the conveying device and supplying misty cooling liquid, and a gas cooling device 20 disposed in a state of surrounding the conveying passage of the conveying device and supplying a cooling gas.例文帳に追加

複数の被処理物を同時に単列で搬送する搬送装置10と、搬送装置の搬送経路を囲んで配置されミスト状の冷却液を供給するミスト冷却装置30と、搬送装置の搬送経路を囲んで配置され冷却ガスを供給するガス冷却装置20とをそれぞれ備えた冷却ユニットCUが冷却室に設けられる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal by which a high quality single crystal can be stably and efficiently manufactured by expanding the margin of the pulling speed F enabling the single crystal to be pulled in a desired defective region, particularly an N-region where no Cu-deposition defect is detected in manufacturing of the single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶の製造において、所望の欠陥領域、特にCuデポジション欠陥が検出されないN領域で単結晶の引上げを行うことのできる引上げ速度Fのマージンを拡大して、高品質の単結晶を安定して効率的に製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide glass which has excellent water resistance, is less liable to crystalize even in sealing or subsequent heat treatment, achieves a low sealing temperature and a desired expansion coefficient, and is suitable for sealing or the like with a Tg of 450°C or lower, without containing oxides of Pb, Ge, Ga, etc., or a halogen component such as fluorine, or without containing oxides of Sn and Cu in large quantities.例文帳に追加

Pb、Ge、Ga等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Sn、Cuの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の膨張係数を実現でき、Tgが450℃以下の封着等に適したガラスを提供する。 - 特許庁

A positive electrode plate 1 on which an active material mixture for positive electrode has been coated, and a negative electrode plate 2 are opposed to each other through a separator 3 and immersed in an electrolyte, and predetermined voltage is applied between the positive electrode plate 1 and the negative electrode plate 2 to forcedly deposit foreign metals such as Fe and Cu in the positive electrode active material mixture on the separator.例文帳に追加

正極活物質合剤を塗布した正極板1と、負極板2と、をセパレータ3を介して対向させて電解液中に浸潤させ、正極板1及び負極板2間に所定電圧を印加して正極活物質合剤中のFe、Cu等の異種金属をセパレータ3上に強制的に析出させる。 - 特許庁

To provide a CIGS thin film solar cell which can maximize an optical and/or electric conversion rate of a solar cell such that a CIGS thin film is manufactured through a process of printing an ink containing nanoparticles without requirement of vacuum processing or complex equipment and a Cu/(In+Ga) ratio and a Ga/(In+Ga) ratio of the CIGS thin film can be easily regulated.例文帳に追加

太陽電池における光・電変換率の最大化を実現するCIGS薄膜太陽電池において、真空工程や複雑な装備の必要なしに、ナノ粒子インクの印刷工程だけでCIGS薄膜を製造し、CIGS薄膜のCu/(In+Ga)比率及びGa/(In+Ga)比率を自在に調節できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a glass ceramic multilayer wiring board calsined at a low temperature using a ceramic green sheet, which is excellent in non-binder performance and the handling at the time of row processing because of the moderate sheet strength and moderate flexibility, and especially excellent in property of forming fine via holes at a narrow pitch with a low fusion point metals such as Ag, Cu or Au as a wiring material.例文帳に追加

特にAg、Cu、Auなどの低融点金属を配線材料とし、脱バインダー性に優れ、生加工時の取り扱い性、具体的には適度なシート強度、適度な柔軟性、特に狭ピッチの微細なビアホールの形成性に優れるセラミックグリーンシートを用いた低温焼成のガラスセラミック多層配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for assembling and inspecting an electronic component using a lead-free solder capable of compensating a degradation in assembling/inspecting properties due to material characteristics, by using an Sn-Ag-Cu lead-free solder which does not degrade connection reliability in soldering to mount the component, and to provide an electronic circuit sub strate manufactured using the same.例文帳に追加

電子部品の実装を、はんだ付け時の接続信頼性を低下させることがないSn−Ag−Cu系鉛フリーはんだを用いて、材料特性からくる組立/検査性の低下を補うことが可能な鉛フリーはんだを用いた電子部品の組立検査方法、該組立検査方法を用いて製造した電子回路基板を提供すること。 - 特許庁

The method deposits the dopant metal in the bulk of semiconductor wafer where heating is started from a backside of the semiconductor wafer W3 by a hot plate 1 irradiating ultraviolet rays onto the surface of the semiconductor wafer W3 by a ultraviolet irradiation lamp 2, and then the dopant metal Cu in the bulk of the semiconductor wafer W3 is deposited.例文帳に追加

紫外線照射ランプ2により半導体ウェハW3表面に紫外線を照射しながら、半導体ウェハW3をホットプレート1により裏面側から加熱し、半導体ウェハW3のバルク中の不純物金属Cuを析出させることを特徴とする半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法。 - 特許庁

To provide a Cu-Cr-Zr alloy having excellent high temperature strength, thermal conductivity and fatigue resistance, to provide its production method and to provide a cooling roll for continuous casting excellent in a service life and used for continuous casting of a twin roll system or the like in which a local heat cycle load for a short time compared with a conventional system is applied.例文帳に追加

優れた高温強度、高熱伝導性を有するとともに、耐疲労特性に優れたCu−Cr−Zr系合金とその製造方法、さらに従来の鋳型に比べて著しく短時間で、しかも局部的な熱サイクル負荷を受ける双ロール方式等の連続鋳造に用いる使用寿命に優れた連続鋳造用冷却ロールを提供する。 - 特許庁

例文

In the method for producing the metal oxide particulates, a metal complex solution containing an A element complex containing the metal element A (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag) and a B element complex containing the metal element B (B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl) is irradiated with a laser.例文帳に追加

金属元素A(Aは金属元素Pd、Pt、Cu又はAgを示す。)を含むA元素錯体と金属元素B(Bは金属元素Co、Fe、Ni、Cr、Rh、Al、Ga、Sc、In又はTlを示す。)を含むB元素錯体とを含む金属錯体溶液に、レーザー照射する金属酸化物微粒子の製造方法。 - 特許庁




  
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