「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

The Nb_3Sn superconducting wire rod includes a first base material containing Sn, B, and Cu, a second base material containing Nb arranged in the vicinity of the first base material, and an Nb_3Sn compound layer produced between the first base material and the second base material by diffusion reaction of Nb and Sn.例文帳に追加

ＳｎとＢとＣｕを含む第１の基材と、前記第１の基材に隣接して配置されたＮｂを含む第２の基材と、ＮｂとＳｎとの拡散反応により前記第１の基材と前記第２の基材との間に生成されたＮｂ_3Ｓｎ化合物層とを有する。 - 特許庁

A base material made of copper or a copper alloy is cleaned by using an acid so as to remove a natural oxide film formed on the surface of the base material, and then the base material is dipped in an aqueous alkaline solution containing a silicate so as to form Cu-Si-O chemical bonds on the surface of the base material.例文帳に追加

銅又は銅合金からなる基材を酸により洗浄して前記基材の表面に形成されている自然酸化膜を除去し、けい酸塩を含むアルカリ性水溶液に浸漬して前記基材の表面にＣｕ−Ｓｉ−Ｏの化学結合を形成する。 - 特許庁

The electromagnetic wave shielding film 1 is formed from an Ag alloy material in which Ag is a main component, with Au contained, and at least one kind of element selected out of Cu, Al, Ti, Pd, Ni, V, Ta, W, Mo, Cr, Ru and Mg is added as a third element.例文帳に追加

上記電磁波遮蔽膜１は、Ａｇを主成分とし、Ａｕを含有し、更に第三元素としてＣｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｇからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を添加してなるＡｇ合金材料から形成されている。 - 特許庁

The oxide superconductor comprises a main component represented by the general formula: LnBa_2Cu_3O_7-x (wherein Ln denotes two or more selected from the group consisting of Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm and Y; and the content of each element is 10-90 mol%) and fluorine in a molar ratio to Cu of 10^-2-10^-6.例文帳に追加

主成分が一般式ＬｎＢａ_2Ｃｕ_3Ｏ_7-x（ここで、ＬｎはＧｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，ＴｍおよびＹからなる群より選択される２種以上であり、各々の元素の含有率は１０〜９０モル％である）で表され、モル比で銅の１０^-2〜１０^-6のフッ素を含む酸化物超電導体。 - 特許庁

If the shortest rectilinear distance between openings 18a and 18b provided to the resist 18 exceeds 300 μm, an etching rate decreases, so that the openings 18a and 18b of the resist 18 in which the Ag-Pd-Cu film 17 becomes islands are so set as to make the shortest rectilinear distance between them equal to 300 μm or below, by which an etching rate distribution is markedly improved.例文帳に追加

レジスト18の開口部18a ，18b の最短直線距離が３００μｍ以上離れるとエッチング速度が低下するため、３００μｍ以内にＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜17が島となるレジスト18の開口部18a ，18b を設定することで、エッチング速度分布は大幅に改善する。 - 特許庁

This composite electromagnetic shielding material comprises a conductive core made of metal foil whose main component is Al, a dry Cu plated layer and a metal plated layer in order from bottom up on either side of an organic resin film and has a fracture elongation of 5% or more.例文帳に追加

本発明の複合電磁波シールド材は、有機樹脂フィルムの片面に、下から順に、Ａｌを主成分とする金属箔からなる導電性芯体、乾式Ｃｕめっき層、金属めっき層が形成されてなり、破断伸度が５％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an aqueous photoresist stripping agent, which maintains a certain level of abilities of preventing corrosion in Cu and Al and of stripping a photoresist even when a water content varies, by using an azole compound containing a mercapto group as a corrosion preventive, the compound being an additive for a TFT-LCD stripping solution composition.例文帳に追加

ＴＦＴ−ＬＣＤ用剥離液組成物添加剤であるメルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いて、水の含有量変化時にもＣｕ及びＡｌの腐食防止及びフォトレジスト剥離能力を一定に維持する水系フォトレジスト剥離剤を提供する。 - 特許庁

To optimize process conditions and to supervise CMP equipment by enabling residual slurry map detection equipment to detect the state of slurries etc. adhered on wafers after CMP with high accuracy, in order to, for example, realize a semiconductor device having high-reliablility Cu interconnections.例文帳に追加

スラリー残マップ検出装置に関し、ＣＭＰ後のウェーハに付着したスラリー等の状態を精度良く検出できるようにし、プロセス条件の最適化やＣＭＰ装置の状態を監視できるようにして、例えば、信頼性が高いＣｕ配線をもつ半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

In this bearing 10 formed by joining a bearing member 4 made of a Cu-Pb bearing alloy to a surface of a base material 2, the bearing member 4 is joined to the base material 2 by soldering, and a surface opposite to the base material 2 of the bearing member 4 is provided with a soldering material anti-diffusion layer 8.例文帳に追加

基材２の表面に、Ｃｕ−Ｐｂ系軸受合金から成る軸受部材４を接合して成る軸受１０であって、軸受部材４は基材２にろう付接合され、かつ、軸受部材４のうち基材２に対向する面には、ろう材の拡散防止層８が形成されている。 - 特許庁

In this lead-acid battery equipped with a negative electrode lattice having a lattice base material provided with the ear porion 1 and lattice portions 2, 3 and a surface layer disposed only on the surface of the ear potion, the surface layer contains lead as a main material and at least one kind of Ag, Bi, Co, Cu, Fe, Ge, Ni, and Zn.例文帳に追加

耳部１と格子部２、３とを備えた格子基材と前記耳部の表面にのみ配された表面層とを有する負極格子を備えた鉛蓄電池において、前記表面層は鉛を主材としてＡｇ，Ｂｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｎｉ，およびＺｎの少なくとも一種を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Alternately, the base material may be a copper-based alloy containing, by mass, 15-40% Zn, 8-20% Ni and 0-0.5% Mn, and the balance composed of Cu and inevitable impurities, and furthermore, the base material may contain 0.005-10 mass% in total of the above mentioned arbitrary components.例文帳に追加

又、母材は１５〜４０質量％のＺｎ、８〜２０質量％のＮｉ、０〜０．５質量％のＭｎを含有し残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金でもよく、更に上記任意成分を合計で０．００５〜１０質量％含有することができる。 - 特許庁

To provide an automobile component being a plastically worked product of an Al-Mg-Si-based alloy in which the amount of Cu to be added is increased, wherein corrosion resistance can be improved together with the increase of its strength, and a corrosion loss is prevented even when being thinned, and its weight reduction can be securely performed.例文帳に追加

Ｃｕ添加量を増加させたＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金の塑性加工品である自動車用部品において、高強度化とともに耐食性を向上させることができ、部品を薄肉化しても腐食減量を防止して軽量化を確実に行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a silicon nitride circuit board provided with a radiation part consisting Cu-SiC and a composite material capable of making thermal cycle life long and mass production by solving the problem that reliability is inferior in soldering, heat resistance increases and a production cost increases.例文帳に追加

はんだ付けの信頼性に劣る課題、はんだ付けにより熱抵抗が増加する課題および製造コストを高めてしまう課題を解決し、熱サイクル寿命が長く安価に大量に製造できる、Ｃｕ−ＳｉＣ、複合材料からなる放熱部材を具備する窒化ケイ素回路基板を提供する。 - 特許庁

At least one kind of Zr, Al, Li, Mg and Zn is incorporated by an amount of 0.05 to 3.0 pts.wt. in metallic conversion to a composition of 100 pts.wt. containing Cu at the ratio of 10 to 70 vol.% and W and/or Mo at the ratio of 30 to 90 vol.%.例文帳に追加

Ｃｕを１０〜７０体積％、Ｗ及び／又はＭｏを３０〜９０体積％の割合で含有する組成物１００重量部に対して、Ｚｒ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｍｇ及びＺｎのうち少なくとも１種を金属換算で０．０５〜３．０重量部含有することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the thin Al-Cu joined structure, the hot-rolling is performed at the temperature of 350-500°C, the draft at each rolling is set to be 20%±10% when the hot-rolling is repeated, and annealing is preferably performed after finishing the hot-rolling.例文帳に追加

上記薄型Ａｌ−Ｃｕ接合構造物の製造方法では、熱間圧延を３５０℃〜５００℃で行ったり、熱間圧延を繰り返す場合に各圧延での圧下率を２０％±１０％にしたり、さらに熱間圧延の仕上後に焼鈍を施すのが望ましい。 - 特許庁

This aluminum alloy sheet excellent in formability is formed into a sheet body contg., as chemical components, by weight, 0.85 to 1.50% Mn, 0.50 to 1.50% Mg, 0.30 to 0.70% Fe, 0.10 to 0.50% Si, 0.15 to 0.50% Cu, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

化学成分として重量％で、Ｍｎ：０．８５〜１．５０％、Ｍｇ：０．５０〜１．５０％、Ｆｅ：０．３０〜０．７０％、Ｓｉ：０．１０〜０．５０％、Ｃｕ：０．１５〜０．５０％を含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなる板体に形成される成形性に優れたアルミニウム合金板。 - 特許庁

To provide a metal wiring forming method in which reliability of a metal wiring is secured by selectively forming a titanium or ruthenium metal, which is capable of preventing diffusion of a copper selectively, at an interface between a copper (Cu) metal wiring having no head for electromigration and a capping film.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションに弱い銅（Ｃｕ）金属配線とキャッピング膜との界面に選択的に銅の拡散を防止することが可能なチタニウム又はルテニウム金属を選択的に形成して金属配線の信頼性を確保することが可能な金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

In this nonaqueous electrolyte secondary battery, its negative electrode is formed of a carbon material carrying copper(Cu), nickel(Ni), iron(Fe), chromium(Cr), titanium(Ti), zirconium(Zr), vanadium(V), beryllium(Be), potassium(K), plutonium(Pu), niobium(Nb), or an alloy containing those metals.例文帳に追加

非水電解質二次電池において、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ）または鉄（Ｆｅ）またはクロム（Ｃｒ）またはチタン（Ｔｉ）またはジルコニウム（Ｚｒ）またはバナジウム（Ｖ）またはベリリウム（Ｂｅ）またはカリウム（Ｋ）またはプルトニウム（Ｐｕ）またはニオブ（Ｎｂ）またはこれらの金属を含む合金を担持した炭素材料を負極とする。 - 特許庁

To provide a chitosan derivative which is usable in a neutral or alkaline environment by controlling the electric charge of a cationic partially acylated chitosan: P-Cu-chitosan to make it amphoteric or anionic and to provide a polymeric surfactant using it.例文帳に追加

カチオン性である部分アシル化キトサン：Ｐ−Ｃｕ−キトサンの電荷を調製し、両性、あるいはアニオン性に変えることにより、中性あるいはアルカリ性の環境においても使用可能な、新しいキトサン誘導体とこれを用いたキトサン高分子界面活性剤を提供する。 - 特許庁

This composite electromagnetic wave shielding material comprises a conductive core made of metal foil whose main component is Al, a dry Ni alloy plated layer, a dry Cu plated layer and a metal plated layer in order from bottom up on both sides of an organic resin film and has an elongation of 5% or more.例文帳に追加

本発明の複合電磁波シールド材は、有機樹脂フィルムの片面に、下から順に、Ａｌを主成分とする金属箔から成る導電性芯体、乾式Ｎｉ合金めっき層、乾式Ｃｕめっき層、金属めっき層から成り、伸びが５％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

When the user coordinate system Cu having axial directions is set according to a shape of the work W, a coordinate system in which positions of characteristic points E1 to E3 are taught and coordinate values of the positions of the characteristic points are stored is selected from a plurality of coordinate systems including a work coordinate system at the least.例文帳に追加

ワークＷの形状に応じた軸方向を有するユーザ座標系Ｃｕの設定する際に、特徴点Ｅ１〜Ｅ３の位置教示に加えて、特徴点の位置座標値を記憶する座標系を、少なくともワーク座標系を含む複数の座標系の中から選択する。 - 特許庁

Continually, heat treatment is performed to make Mn in the alloy layer 17 react with the components of interlayer insulating films 12 and 15 to form a self-forming barrier film made of an Mn compound having diffusion prevention property of Cu on the interface of the alloy layer 17 and the interlayer insulating films 12 and 15.例文帳に追加

続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。 - 特許庁

The animal hair fiber is pretreated by impregnating into an aqueous solution containing salts of metals selected from transition metals, especially from the group composed of Cu, Fe, Ni, Co, Mn, Cr and Zn to adsorb one or more kinds of the metallic salts thereinto and then subjected to the ozone treatment in the method for treating the animal hair fiber.例文帳に追加

獣毛繊維を、遷移金属、特にＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｎからなる群から選ばれる金属の塩を含む水溶液中に含浸前処理して繊維中に上記塩の１種または２種以上を吸着した後、上記オゾン処理を行う獣毛繊維の処理方法。 - 特許庁

External electrode (external electrode) paste composed of Cu powder, B-Si-Zn glass frit, and an organic vehicle is applied on an end face of a ceramic sintering body having an Ni internal electrode, and the paste is baked at thresholds of 400°C and 700°C in a continuous kiln having an area composed of three atmospheres.例文帳に追加

Ｃｕ粉末、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ系のガラスフリット、および有機ビヒクルからなる外部電極（外部電極）ペーストを、Ｎｉ内部電極を備えるセラミック焼結体の端面に塗布し、これを、４００℃、７００℃のしきい値により、三つの雰囲気からなる領域を持つ連続炉にて焼き付ける。 - 特許庁

The shield film has resistance against surface-active processing liquid containing defatting liquid, acid chemical, alkaline chemical, solvent, alcohol, plating liquid and etching liquid, and may have, in some cases, moisture resistance, resistance to gas permeability, and corrosion resistance; for example, the shielding film has Cr, Ni, Ti, Cu, W, Ag or Al as the main components.例文帳に追加

シールド膜は、脱脂液を含む表面活性処理液、酸性薬液、アルカリ性薬液、溶剤、アルコール、めっき液及びエッチング液に対する耐性を有し、耐湿性、耐ガス透過性、耐腐食性を有する場合があり、例えばＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｇ又はＡｌを主成分とする。 - 特許庁

This aluminum slab has ≥99.9% aluminum purity and contains, by mass%, 5-30ppm Si, 5-20ppm Fe, 1-80ppm Cu, 0.5-10ppm Na and in addition, ≤100ppm of the total of minor component and further, ≤0.15cc/100gAl of content of the hydrogen gas.例文帳に追加

アルミ純度が９９．９％以上であり、質量ｐｐｍで、Ｓｉ：５〜３０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜２０ｐｐｍ、Ｃｕ：１〜８０ｐｐｍ、Ｎａ：０．５〜１０ｐｐｍを各々含有し、その他、微量成分の総和が１００ｐｐｍ以下であり、さらに水素ガスの含有量を０．１５ｃｃ／１００ｇＡｌ以下としている。 - 特許庁

In a Sn-plated extra fine copper wire with a diameter of 0.1 mm or less, the objective copper wire 11 is characterized by having a Cu-base plated layer 13 containing Sn of 0.2-0.7 mass% with layer thickness of 0.05 μm or more, around the extra fine copper wire 12 consisting of copper or a copper alloy.例文帳に追加

本発明に係るＳｎめっき極細銅線１１は、線径が０．１ｍｍ以下のＳｎめっき極細銅線において、銅又は銅合金からなる極細銅線１２の外周に、Ｓｎ−０．２〜７．０ｍａｓｓ％Ｃｕ系めっき層１３を、０．０５μｍ以上の層厚で形成したものである。 - 特許庁

Its wear resistance or the like can be improved because of the incorporation of 14 to 20% Cu and 8.5 to 15% Zn in this way, and the fluidity of molten metal can be improved, and further, its liquidus temperature can be reduced by the blending of 5 to 8% Si therein.例文帳に追加

このようにＣｕを１４〜２０重量％およびＺｎを８．５〜１５重量％含むため耐摩耗性などを向上させることができ、これにＳｉを５〜８重量％配合することによって溶湯の流動性を向上させるとともに液相線温度を下げることができる。 - 特許庁

The housing members 511, 512, 514 comprise, by mass, 9 to 17% Si, 3.5 to 6% Cu, 0.2 to 1.2% Mg, 0.2 to 1.5% Fe and 0 to 1% Mn, and, in which the content of Ni is ≤0.5%, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

ハウジング部材５１１、５１２、５１４は、Ｓｉ：９〜１７質量％、Ｃｕ：３．５〜６質量％、Ｍｇ：０．２〜１．２質量％、Ｆｅ：０．２〜１．５質量％及びＭｎ：０〜１質量％を含有し、Ｎｉ含有量が０．５質量％以下であり、残部がＡｌ及び不可避的不純物よりなる。 - 特許庁

The copper alloy having excellent stress corrosion cracking resistance and dezincification resistance has a composition containing, by weight, 58 to 66% Cu, 0.1 to 0.8% Sn and 0.01 to 0.5% Si, and the balance Zn with inevitable impurities, and in which the ratio of an α phase is ≥80 vol.%.例文帳に追加

耐応力腐食割れ性および耐脱亜鉛性に優れた銅合金は、５８〜６６重量％のＣｕと、０．１〜０．８重量％のＳｎと、０．０１〜０．５重量％のＳｉと、残部としてＺｎおよび不可避不純物とからなり、α相の割合が８０体積％以上である。 - 特許庁

In a compound transistor module including a pellet 12 of three or more transistors inside one enclosure 11, the pellet 12 is packaged on a frame 13, and the pellet 12 and an external lead terminal 14 are bonded via a Cu connector 15.例文帳に追加

３個以上のトランジスタのペレット１２を１つの外囲器１１内に有する複合トランジスタモジュールにおいて、前記ペレット１２はフレーム１３上に搭載され、前記ペレット１２と外部リード端子１４とがＣｕ製コネクター１５を介して接合されていることを特徴とする複合トランジスタモジュール。 - 特許庁

A sputtering target is composed of a high-purity Ge a Ge alloy containing, in the range of 0.1-50 atom.%, at least one element selected from Al, Si, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C.例文帳に追加

高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

This copper alloy rolled foil has a composition containing, by mass, 0.005 to 0.25% Ag, 0.002 to 0.06% B, ≤0.002% S, one or two kinds of Ca and Mg by 0.0001 to 0.01% in total, <0.003% oxygen, <0.0002% hydrogen, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

Ａｇ：０．００５〜０．２５％（質量％、以下同じ）、Ｂ：０．００２〜０．０６％、Ｓ：０．００２％以下、Ｃａ及びＭｇのうち１種又は２種を計０．０００１〜０．０１％、酸素：０．００３％未満、水素：０．０００２％未満、残部Ｃｕ及び不可避不純物からなる銅合金圧延箔。 - 特許庁

An electrode for a vacuum breaker using an electrical contact in which refractory-metal particles are dispersed in an alloy of a highly conductive metal and a low melting-point metal, more specifically, Cr particles are dispersed in an alloy containing Cu and at least one kind out of Sn, Te, Bi is provided.例文帳に追加

本発明の特徴は、高導電性金属と低融点金属の合金中に、耐火性金属の粒子が分散した電気接点、特に、Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂｉのうちの少なくとも１種とＣｕとを含む合金中に、Ｃｒ粒子が分散していることを特徴とする電気接点を用いた真空遮断器用電極と、それを用いた真空バルブ、又は真空遮断器にある。 - 特許庁

To provide a sealing glass which excels in water resistance, is hard to crystallize in sealing time or also in heat treatment after that, can realize a low sealing temperature and a desired thermal expansion coefficient, and has a high transmittance of visible light, even not including the oxides of Pb, Ge, Ga or the like, or halogen components such as fluorine, or even not including the oxides of Sn and Cu so much.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の熱膨張係数を実現でき、可視光の透過率が高い封止用ガラスを提供すること。 - 特許庁

The cooling chamber is provided with cooling units CU respectively comprising a conveying device 10 for simultaneously conveying the plurality of treated objects in a single line, a mist cooling device 30 disposed in a state of surrounding a conveying passage of the conveying device and supplying misty cooling liquid, and a gas cooling device 20 disposed in a state of surrounding the conveying passage of the conveying device and supplying a cooling gas.例文帳に追加

複数の被処理物を同時に単列で搬送する搬送装置１０と、搬送装置の搬送経路を囲んで配置されミスト状の冷却液を供給するミスト冷却装置３０と、搬送装置の搬送経路を囲んで配置され冷却ガスを供給するガス冷却装置２０とをそれぞれ備えた冷却ユニットＣＵが冷却室に設けられる。 - 特許庁

The preform for precise press forming, lens and prism are each composed of a near-infrared absorption glass obtained by incorporating Cu ions into a fluorophosphate glass comprising ZnF_2 of 1 to 15 mass% and ZnF_2 of 0 to 2 mass% expressed in terms of fluoride (wherein, the fluoride comprised in the glass may be oxide to 70 mass%).例文帳に追加

フッ化物に換算して１〜１５質量％のＺｎＦ_2および０〜２質量％のＡｌＦ_3を含むフツリン酸塩ガラス（但し、前記ガラスに含まれるフッ化物は、７０質量％まで酸化物であることができる）に、さらにＣｕイオンを含有する近赤外光吸収ガラスからなる精密プレス成形用プリフォーム、レンズおよびプリズム。 - 特許庁

The method deposits the dopant metal in the bulk of semiconductor wafer where heating is started from a backside of the semiconductor wafer W3 by a hot plate 1 irradiating ultraviolet rays onto the surface of the semiconductor wafer W3 by a ultraviolet irradiation lamp 2, and then the dopant metal Cu in the bulk of the semiconductor wafer W3 is deposited.例文帳に追加

紫外線照射ランプ２により半導体ウェハＷ３表面に紫外線を照射しながら、半導体ウェハＷ３をホットプレート１により裏面側から加熱し、半導体ウェハＷ３のバルク中の不純物金属Ｃｕを析出させることを特徴とする半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法。 - 特許庁

To provide a Cu-Cr-Zr alloy having excellent high temperature strength, thermal conductivity and fatigue resistance, to provide its production method and to provide a cooling roll for continuous casting excellent in a service life and used for continuous casting of a twin roll system or the like in which a local heat cycle load for a short time compared with a conventional system is applied.例文帳に追加

優れた高温強度、高熱伝導性を有するとともに、耐疲労特性に優れたＣｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金とその製造方法、さらに従来の鋳型に比べて著しく短時間で、しかも局部的な熱サイクル負荷を受ける双ロール方式等の連続鋳造に用いる使用寿命に優れた連続鋳造用冷却ロールを提供する。 - 特許庁

In the method for producing the metal oxide particulates, a metal complex solution containing an A element complex containing the metal element A (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag) and a B element complex containing the metal element B (B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl) is irradiated with a laser.例文帳に追加

金属元素Ａ（Ａは金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇを示す。）を含むＡ元素錯体と金属元素Ｂ（Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）を含むＢ元素錯体とを含む金属錯体溶液に、レーザー照射する金属酸化物微粒子の製造方法。 - 特許庁

The CSP semiconductor device 1 is patterned in a grid pattern by Cu posts 1h, each serving as a post-electrode connected via connection terminals and bumps formed on the mounting substrate to the bottom surface of a resin seal section 1k in which semiconductor chips are sealed, mounted at each of intersections of sets of equally spaced parallel lines perpendicular to each other.例文帳に追加

ＣＳＰの半導体装置１は、半導体チップが封止された樹脂封止部１ｋの底面に、実装基板に形成された接続端子とバンプを介在させて接続されるポスト電極であるＣｕポスト１ｈが、互いに直交する等間隔の平行線の各交点に設けられていることで格子状に配設されている。 - 特許庁

A positive electrode plate 1 on which an active material mixture for positive electrode has been coated, and a negative electrode plate 2 are opposed to each other through a separator 3 and immersed in an electrolyte, and predetermined voltage is applied between the positive electrode plate 1 and the negative electrode plate 2 to forcedly deposit foreign metals such as Fe and Cu in the positive electrode active material mixture on the separator.例文帳に追加

正極活物質合剤を塗布した正極板１と、負極板２と、をセパレータ３を介して対向させて電解液中に浸潤させ、正極板１及び負極板２間に所定電圧を印加して正極活物質合剤中のＦｅ、Ｃｕ等の異種金属をセパレータ３上に強制的に析出させる。 - 特許庁

A bilaminar structured electromagnetic shielding film comprising a first layer and a second layer is obtained by forming the first layer with a Cu-Ni gradient alloy with a current for evaporating a monel alloy varied from a low current value to a high current value in a vacuum evaporation method, and after that, by forming the monel alloy with the second layer by evaporating the monel alloy in the alloy composition.例文帳に追加

真空蒸着法を用いて、モネル合金を蒸発させるための電流を低電流値より高電流値として第１層をＣｕ−Ｎｉ傾斜合金で形成し、その後、モネル合金をその合金組成で蒸発させて第２層をモネル合金で形成することで、第１層と第２層からなる二層構造である電磁波シールド膜を得る。 - 特許庁

The manufacturing method comprises heating the steel material in a heating furnace having an atmosphere of a low oxygen concentration to form a scale layer formed of only a wustite layer, and to evaporate/dissipate molten Cu existing in the interface between the scale/matrix; or alternatively heating the steel material, extracting it from the heating furnace, and carrying out descaling treatment on it twice or more times during the first hot rolling process.例文帳に追加

また、その製造方法は、加熱炉での加熱を低酸素濃度雰囲気条件で行ってウスタイト層のみからなるスケール層とすることでスケール／地鉄界面の溶融Ｃｕを蒸発・飛散させるか、または、鋼材を加熱し加熱炉から抽出した後、最初の熱間圧延の間に２回以上のスケール除去処理を施すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal by which a high quality single crystal can be stably and efficiently manufactured by expanding the margin of the pulling speed F enabling the single crystal to be pulled in a desired defective region, particularly an N-region where no Cu-deposition defect is detected in manufacturing of the single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶の製造において、所望の欠陥領域、特にＣｕデポジション欠陥が検出されないＮ領域で単結晶の引上げを行うことのできる引上げ速度Ｆのマージンを拡大して、高品質の単結晶を安定して効率的に製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁