「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

Parts other than a region of the seed layer 14 in the groove 10A are selectively removed by etching and thereafter, a metal 15 (e.g. copper (Cu)) is selectively grown on the seed layer 14 by plating to form a wire layer L1.例文帳に追加

エッチングにより、シード層１４の溝１０Ａ内の領域以外の部分を選択的に除去した後、めっきによりシード層１４上に金属１５（例えば銅（Ｃｕ））を選択的に成長させて配線層Ｌ１を形成する。 - 特許庁

To readily and inexpensively produce a Cu-Ni-Si based alloy that shows optimum tensile strength as a sliding material for a motor and is excellent in 0.2% proof stress, elongation, hardness, thermal conductivity, fatigue strength under alternating stress condition, seizure resistance and bearing performance.例文帳に追加

発動機用摺動材として最適な引張強さ、０．２％耐力、伸び、硬さ、熱伝導率、両振り疲れ強度、耐焼付き性及び軸受け性能に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金を、容易且つ廉価に製造可能とする。 - 特許庁

To improve the reduction efficiency of Fe304 compared with the reduction by coke of slag produced on a period in copper converter operation as the conventional method, further to improve the recovery rate of Cu components, and to reduce the quantity of exhaust gas at the outlet of the furnace.例文帳に追加

従来法である、銅転炉操業の造カン期に生成するスラグのコークスによる還元に比較して、Ｆｅ３Ｏ４の還元効率を向上させると共にＣｕ分の回収率を向上し、炉出口の排ガス量を削減する。 - 特許庁

A brazing filler metal having a three-element composition of Ti-Zr-Cu and the Vickers hardness after solidification of ≤350 is fomred in the form of an amorphous foil, gas-atomized method powder, or a rolled foil, and a brazing is executed with a high-frequency induction heating or a resistance heating.例文帳に追加

Ｔｉ−Ｚｒ−Ｃｕの３元組成で、凝固後のビッカース硬さ３５０以下のろう材を、アモルファス箔、ガスアトマイズ法粉末、あるいは圧延箔の形にして高周波誘導加熱または抵抗加熱によりろう付けを行う。 - 特許庁

The P-type semiconductor 8 which consists of CuO as its base material including La element of 1-10 mol% in relation to Cu element, and an N-type semiconductor 10 which consists of ZnO as its base material, are subjected to a pressure welding process, thereby making up the carbon monoxide gas sensor 2.例文帳に追加

Ｌａ元素をＣｕ元素に対して１〜１０モル％含有するＣｕＯを母材とするＰ型半導体８と、ＺｎＯを母材とするＮ型半導体１０とを圧接させて一酸化炭素ガスセンサ２を構成する。 - 特許庁

The tin-silver based solder alloy has a composition containing, 3 to 4% Ag, 5 to 10% Bi and 50 to 500 ppm P, and, if required, containing ≤5% In and ≤1% Cu, and the balance Sn by weight, respectively.例文帳に追加

Ａｇ３〜４重量％、Ｂｉ５〜１０重量％、Ｐ５０〜５００ｐｐｍ、さらに所望によりＩｎ５重量％以下、Ｃｕ１重量％以下含有し、残部がＳｎからなることを特徴とする錫−銀系ハンダ合金。 - 特許庁

Since inclined surfaces of the sides of a projection 5 and a depression 6 are sputtered by priority and the speed of sputtering of the flat surface is low; sputtering proceeds from the sides of the projection and depression 5 and 6 toward the in-plane part, and the surface of the Cu layer 4 is planarized.例文帳に追加

凹凸部５、６の側面の傾斜した面が優先的にスパッタされ、平坦面のスパッタ速度は遅いので、凹凸ぶ５、６の側面から面内方向にスパッタが進行してＣｕ層４表面は平坦になる。 - 特許庁

An alloy which essentially comprises Cu, contains 0.1 to 7.0 wt% W and comprises 0.1 to 3.0 wt% in total of one or more elements chosen from the group consisting of Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co and Si is applied as the metal material.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とし、Ｗを0.1〜7.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有してなる合金を金属材料として適用する。 - 特許庁

The salt water resistance performance evaluating tool comprises: a base plate (Cu metal plate 10); a first metal film formed on the upper surface of the base plate; and a second metal film (Al metal film 12) formed on the upper surface of the base plate in a state of being insulated from the first metal film.例文帳に追加

基板（Ｃｕ金属板１０）と、基板の上面に設けられた第１の金属膜と、基板の上面に第１の金属膜と絶縁された状態で設けられた第２の金属膜（Ａｌ金属膜１２）とを有している。 - 特許庁

To provide a Corson-based alloy whose characteristics are remarkably improved, i.e., having high strength and high conductivity by allowing the effect of Cr addition to satisfactorily exhibit in a Cu-Ni-Co-Si-based alloy.例文帳に追加

本発明の課題は、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金においてＣｒ添加の効果をより良く発揮させることで飛躍的に特性の向上即ち、高強度・高導電性のコルソン系合金を提供することである。 - 特許庁

When its corrosion resistance is considered, by regulating the addition amount of Cu to 1.0 to 1.5%, deterioration in the corrosion resistance can be suppressed, and, further, by adding 0.5 to 1.0% Mn thereto, the corrosion resistance can be improved.例文帳に追加

耐食性を考慮するのであれば、Ｃｕの添加量を1.0〜1.5重量％）に調整すると耐食性の低下を抑えることができ、更に、これにＭｎを0.5重量％〜1.0重量％添加すると耐食性を改善できる。 - 特許庁

A Cu foil on the opposite sides of an insulating substrate 10 is etched to form a surface conductor pattern 12 and a rear surface conductor pattern 14 and then a through hole 16 is formed in the connection land of the conductor patterns (12, 14) by drilling, or the like.例文帳に追加

絶縁基板１０の両面のＣｕ箔をエッチング加工し、おもて面導体パターン１２および裏面導体パターン１４を形成し、ドリル加工等により導体パターン（１２，１４）の接続ランドにスルーホール１６を形成する。 - 特許庁

Moreover, heat can be promptly radiated through the Cu substrate 3 in heat accompanying generation of the LED element 2, and it can respond to the output increase and of the light emitting device 1 and a calorific value increase accompanying the quantity-of-light increase with a margin.例文帳に追加

また、ＬＥＤ素子２の発熱に伴う熱をＣｕ基板３を介して速やかに放熱することができ、発光装置１の高出力化、大光量化に伴う発熱量増大に余裕をもって対応することができる。 - 特許庁

As the mechanical strength is increased by infiltration of Cu on a contact part of the roller 2 and the blade 3, the fracture caused by the concentration of stress on the contact part of the roller 2 and the blade 3 in starting the switch compressor 1 and the like, can be prevented.例文帳に追加

さらに、ローラ２とブレード３との接続部分にＣｕを溶浸して機械強度を上げているので、スイング圧縮機１の起動時等におけるローラ２とブレード３との接続部分の応力集中による破損を回避できる。 - 特許庁

In addition, the carbide is present by surrounding the circumference of Cr, whereby current-carrying performance of the matrix containing either of Cu and Ag as a main constituent can be secured and a low surge property improving action can be exerted.例文帳に追加

さらにこの炭化物は、おもにＣｒの周辺を囲んで存在することにより、ＣｕまたはＡｇのいずれか一方を主成分としたマトリックスの通電性能を確保し、前述の低サージ性向上作用を発揮できる。 - 特許庁

The corrective PWM signal Cu is 1 (the switching element on an upper arm side is on) during the period of Tu in which pre-correction times Tu1 and Tu2 are added together, but is 0 (the switching element on a lower arm side is on) during the remaining period (2×Tc-Tu).例文帳に追加

補正ＰＷＭ信号Ｃｕは、補正前の時間Ｔｕ１とＴｕ２とを合わせたＴｕの期間で１（上アーム側のスイッチング素子がオン）となり、残る（２・Ｔｃ−Ｔｕ）の期間で０（下アーム側のスイッチング素子がオン）となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with the long-life metal wiring by improving the adhesion between the metal wiring and a metal diffusion prevention film in the metal wiring, such as Cu wiring, and by improving the electromigration resistance of the metal wiring.例文帳に追加

Ｃｕ配線などの金属配線について、金属配線と金属拡散防止膜との密着性が向上し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性向上により金属配線寿命の長い半導体装置を提供する。 - 特許庁

This skin preparation for external use containing the extract of the lactobacillus enriched with at least 1 kind of mineral component selected from the group consisting of Mg, Fe, Mn, Zn, Cu, Se, Cr, Mo, I and Ca is excellent in the hair growing effect, humectant property, bleaching effect, anti-wrinkle effect, etc.例文帳に追加

Ｍｇ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｓｅ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＩおよびＣａからなる群から選択された少なくとも1種のミネラル成分を強化した乳酸菌の抽出物を含有してなる皮膚外用剤は、育毛効果、保湿性、美白効果、抗シワ効果等に優れる。 - 特許庁

To provide a wafer cleaning method for effectively removing from a wafer surface, organic substances sticking on a semiconductor substrate in a pre-processes, such as CMP process for forming Cu wiring, before moving to a next process, related to a wafer processing process.例文帳に追加

ウェーハ処理工程において、次工程へ移る前に半導体基板上にＣｕ配線を形成するＣＭＰ処理などの前工程で付着した有機物をウェーハ表面から有効に除去するウェーハ洗浄方法を提供する。 - 特許庁

A cooling room 8 isolated from a grill heating room 9 is formed in a space beside the grill heating room 9 inside a body, and a cooling unit CU is installed inside the cooling room 8 for cooling IH heating coils 6RC, 6LC.例文帳に追加

本体内部のグリル加熱室９の側方空間に、グリル加熱室９と隔絶された冷却室８を形成し、冷却室８の内部にＩＨ加熱コイル６ＲＣ，６ＬＣを冷却する冷却ユニットＣＵを設置する。 - 特許庁

The composition for via hole conductor contains a conductor material containing Cu, or the like, and an inorganic boron compound, wherein the content of inorganic boron compound is set in the range of 0.5-30.0 vol.% with respect to the total conductive material and the inorganic boron compound.例文帳に追加

Ｃｕ等を含む導体材料と無機ホウ素化合物とを含み、無機ホウ素化合物の含有量を、導体材料と当該無機ホウ素化合物の合計に対して、０．５〜３０．０体積％とした、ビアホール導体用組成物。 - 特許庁

The sputtering target material for the Ag alloy-based reflective film comprises 0.1-0.5 at.%, 0.1-0.5 at.% in total of Au and/or Cu, and the residue of substantially Ag.例文帳に追加

そして、本発明は、Ｓｍを０．１〜０．５ａｔ％、Ａｕおよび／またはＣｕを合計で０．１〜０．５ａｔ％含み残部実質的にＡｇからなることを特徴とするＡｇ合金系反射膜形成用スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

The control unit CU selects a first operation mode or a second operation mode based on the states of the workieces, and controls the temperature and the irradiation time of the gas in the plume P applied to the workpieces from the plasma generating unit.例文帳に追加

そして、制御ユニットＣＵは、前記ワークの状態に基づいて、第１運転モードまたは第２運転モードを選択し、プラズマ発生ユニットＰＵからそのワークに照射するプルームＰのガスの温度及び照射時間を制御する。 - 特許庁

The first conductive member is a metal film formed by copper (Cu) or the like and overlapped with at least one wiring line in plane and formed on the other face of the film substrate along one wiring line.例文帳に追加

第１の導電部材は、銅（Ｃｕ）などで形成された金属膜であり、複数の配線のうち、すくなくとも１本の配線に平面的に重なり、且つ１本の配線に沿って、フィルム基板の他方の面に形成されている。 - 特許庁

In the fuel cell (a test cell) 8 arranging the fuel electrode 3 and an oxidant electrode 4 on both sides of an electrolyte 1, all solid solution type alloy comprising at least nickel (Ni) and copper (Cu) is used as a fuel electrode material.例文帳に追加

電解質１の両面に燃料極３と酸化剤極４を配置した燃料電池（試験セル）８において、燃料極材料として少なくともニッケル（Ｎｉ）と銅（Ｃｕ）からなる全率固溶型合金を用いる。 - 特許庁

The sulfide compound semiconductor is obtained by producing a sulfide compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn and S in the presence of Na, and by washing the sulfide compound semiconductor, using a polar solvent.例文帳に追加

Ｎａ共存下において、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体を製造し、極性溶媒を用いて前記硫化物系化合物半導体を洗浄することにより得られる硫化物系化合物半導体。 - 特許庁

Preferably, one or more kinds among salts of inorganic oxides, salts of organic oxides, and hydroxides, which contain one or more kinds of metal elements among Mg, Ca, Fe, and Cu, are contained in the formed body.例文帳に追加

より好適には前記成形体中に、Ｍｇ、Ｃａ、ＦｅおよびＣｕからなる群から選ばれる１種以上の金属元素を含む、無機酸塩、有機酸塩および水酸化物からなる群から選ばれる１種以上を含有する。 - 特許庁

The medicine comprises as an effective ingredient a crystal composed of the 1-methylcarbapenem compound represented by formula (I) having a specific main peak in the powder X-ray diffraction obtained by irradiation with the Cu K_α-line.例文帳に追加

銅のＫ_α線の照射で得られる粉末Ｘ線回折において、特定の主ピークを示すことを特徴とする式（Ｉ）で表される１−メチルカルバペネム化合物からなる結晶を有効成分として含有する医薬。 - 特許庁

An SiO_2 film and a photoresist film are then formed sequentially on the seed layer (S3, S4), an opening is formed by patterning the photoresist film and the SiO_2 film (S5, S6), and a Cu film and a mask Al film are laminated in the opening (S7, S8).例文帳に追加

シード層の上にＳｉＯ_２膜及びフォトレジスト膜を順次形成し（Ｓ３、Ｓ４）、フォトレジスト膜、ＳｉＯ_２膜をパターニングして開口を形成し（Ｓ５，Ｓ６）、開口内にＣｕ膜及びマスクＡｌ膜を積層する（Ｓ７、Ｓ８）。 - 特許庁

The electrode 13 and/or the electrode 14 is interposed between the substrate 11 and the piezoelectric film 12 and made of Al alloy containing, in an amount of 0.1-3 wt.%, a metal selected from a group of Ti, Cr, Ni, Cu, Zn, Pd, Ag, Hf, W, Pt and Au.例文帳に追加

電極１３および／または電極１４は、基板１１および圧電膜１２の間に介在し、且つ、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｈｆ，Ｗ，Ｐｔ，およびＡｕからなる群より選択される金属を０．１〜３ｗｔ％含有するＡｌ合金よりなる。 - 特許庁

A second diffusion prevention film 21, a second low-k film 22 and a second cap film 23 are formed thereon, and a barrier film 25 and a Cu film 26 are buried in these films to form a second conductivity type layer.例文帳に追加

その上に、第２拡散防止膜２１と第２ｌｏｗ−ｋ膜２２と第２キャップ膜２３が形成され、それらの膜内にバリアメタル膜２５とＣｕ膜２６が埋め込まれることにより第２導電層が形成されている。 - 特許庁

An electrocmagnetic wave shield molding film consists of a metal shield layer of copper, and a protective layer on the metal shield layer wherein the protective layer is composed of an Sn-Cu-Cr alloy and the thickness of the protective layer is in the range of 40-120% that of the metal shield layer.例文帳に追加

銅からなる金属シールド層と、金属シールド層の上の保護層とからなり、保護層は、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金からなり、かつ、保護層の厚さは、金属シールド層の厚さの４０％〜１２０％である。 - 特許庁

To provide an ICP emission spectroscopic analyzer capable of very accurate analysis of nonmetallic elements such as S, P, As, Se and Sb as well as metallic elements such as Fe, Mn, Cu, Ni and Cr contained in a metal.例文帳に追加

金属中に含まれるＦｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属元素は勿論のこと、Ｓ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｂなどの非金属元素についても精度よく分析することができるＩＣＰ発光分光分析装置を提供すること。 - 特許庁

The copper alloy wire for the semiconductor contains 0.05 to 5 wt.% of Mn, has the total amount of one or two or more elements selected from Sb, Zr, Ti, Cr, Ag, Au, Cd, In and As of 10 wt.ppm or more, contains the balance being Cu, and has a self diffusion suppression function.例文帳に追加

Ｍｎ０．０５〜５ｗｔ％を含有し、Ｓｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ａｓから選択した１又は２以上の元素の総量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部Ｃｕである自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。 - 特許庁

The power module is constituted by stacking an underlay conductive member 28 formed by a melt-spraying process (cold spraying process), a solder layer 14, and a semiconductor chip 11 in order on a metal wiring 23 made of a first material (Cu).例文帳に追加

パワーモジュールは、第１の材料（Ｃｕ）からなる金属配線２３の上に、溶射法（コールドスプレー法）によって形成された下敷き導電部材２８と、半田層１４と、半導体チップ１１とを順次積層して構成されている。 - 特許庁

To provide an Al-Cu-Mg based alloy thin sheet in which high strength equal to that of a steel sheet for general pressing (SPCC) and good formability (particularly, bendability) are reconciled and to provide its producing method by continuous heat treatment.例文帳に追加

一般プレス用鋼板ＳＰＣＣと同等以上の高強度および良好な成形性（特に曲げ性）を両立させたＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系合金薄板ならびに連続的熱処理により製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable laminated ceramic electronic component which is provided with a terminal electrode made of Cu as a conductive element and is superior in mounting substrate expansion resistance (expansion strength) and mounting substrate bending resistance (bending strength).例文帳に追加

本発明は、Ｃｕを導電成分とする端子電極を備え、耐実装基板伸縮性（伸縮強度）ならびに耐実装基板曲げ性（撓み強度）に優れた、高信頼性の積層セラミック電子部品を提供することにある。 - 特許庁

The quaternary Pb-free solder composition is composed of, by weight, 0.3 to <2.5% silver (Ag), 0.2 to <2.0% copper (Cu), 0.2 to <1.0% indium (In), and the balance tin (Sn).例文帳に追加

０．３ｗｔ％以上２．５ｗｔ％未満の銀（Ａｇ）と、０．２ｗｔ％以上２．０ｗｔ％未満の銅（Ｃｕ）と、０．２ｗｔ％以上１．０ｗｔ％未満のインジウム（Ｉｎ）と、その他の錫（Ｓｎ）とからなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an Au-plated or Au-alloy plated stainless steel-made member in which stainless steel is plated with an Au or Au-alloy plating layer without needing any base plating layer such as Ni or Cu, and which is excellent in the adhesiveness of the Au or Au-alloy plating layer to the stainless steel, and is high in corrosion resistance, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ステンレス鋼上に、ＮｉまたはＣｕなどの下地めっき層を介さずに、ＡｕまたはＡｕ合金めっき層で被覆した部材であり、ステンレス鋼とＡｕまたはＡｕ合金めっき層の密着性に優れ、耐食性の高いＡｕまたはＡｕ合金めっきステンレス部材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In an electro-optical device 1a, a flexible substrate 7 is configured by laminating a resin base layer 71, a wiring layer 72 comprised of a metal layer of Cu or the like and a resin protecting layer 73 in the order and folded with round corners in both the front surface side corner 18 and the rear surface side corner 19 of an element substrate 10.例文帳に追加

電気光学装置１ａにおいて、可撓性基板７は、樹脂製のベース層７１、Ｃｕなどの金属層からなる配線層７２、および樹脂製の保護層７３がこの順に積層されており、素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９の双方において角丸に折り曲げられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor component superior in quality, by suppressing the occurrence of burrs in a layer containing Cu or Ag of a semiconductor element, in a bonded structure bonding the semiconductor element with an electrode by a bonding material which is composed mainly of Bi for solving conventional problems.例文帳に追加

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、Ｂｉを主成分とする接合材料により、半導体素子と電極とを接合した接合構造体において、半導体素子のＣｕあるいはＡｇを含む層のバリ発生を抑制することによって、品質の優れた半導体部品を提供すること。 - 特許庁

In the method of manufacturing 11(12)-pentadecen-15-olide by using 1-hydroperoxy-16-oxabicyclo[10.4.0]hexadecane (DDP-OOH) as the raw material in the presence of a Cu(II) compound and a diluent, an azeotropic mixture containing water and the diluent is distilled and removed in the course of reaction.例文帳に追加

原料として１−ヒドロパーオキシ−１６−オキサビシクロ［１０．４．０］ヘキサデカン（ＤＤＰ−ＯＯＨ）を使用し、Ｃｕ（ＩＩ）化合物および希釈剤の存在下、１１（１２）−ペンタデセン−１５−オリドを製造する方法において、反応の間に水と希釈剤とを含む共沸混合物を蒸溜、除去する方法。 - 特許庁

The catalyst for water-gas-shift reaction is characterized in that Pt is present in a solid solution of oxides of zirconium and cerium with iron and/or yttrium, and at the same time, particles of one or more kinds of metal elements A selected from Au, Ag, Cu, Fe, Pd, Ni, Ir, Rh, Co, Os, and Ru are present by being partly buried in the oxide solid solution.例文帳に追加

ジルコニウム及びセリウムと、鉄及び／又はイットリウムとの酸化物の固溶体に、Ｐｔを存在させるとともに、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｃｏ，Ｏｓ，Ｒｕの中から選ばれる１種または２種以上の金属元素Ａの粒子が該酸化物固溶体に一部埋まって存在する水性ガスシフト反応用触媒によって達成される。 - 特許庁

The method for producing the extremely low carbon steel cast slab, is characterized in that after the molten metal is decarburized to achieve ≤0.005 mass% carbon concentration in the molten steel, Cu, Nb and B are added to the molten steel and further, the dissolved oxygen concentration in the molten steel is adjusted to 0.01-0.06 mass% and the molten metal is cast is cast.例文帳に追加

溶鋼の炭素濃度を０．００５質量％以下まで脱炭した後、該溶鋼にＣｕ、ＮｂおよびＢを添加し、さらに、溶鋼中の溶存酸素濃度を０．０１質量％以上、０．０６質量％以下に調整した溶鋼を鋳造することを特徴とする極低炭素鋼鋳片の製造方法。 - 特許庁

In this analytical method for the trace element in the metal sample, a flow injection inlet-ICP mass spectrometer is used when analyzing the trace element in the sample of a metal element M (for example, Cu, Ag), and the analysis is carried out at a carrier gas flow rate determined preliminarily by an experiment to satisfy the expression (1).例文帳に追加

金属元素Ｍ（例えばＣｕ、Ａｇ）の試料中に存在する微量元素を分析するに際し、フローインジェクション導入−ＩＣＰ質量分析装置を用い、下記（１）式を満たすように予め実験により定めたキャリアガス流量で分析を行う金属試料中の微量元素分析方法。 - 特許庁