Cu-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2149件
The fin material has a composition which consists of, by mass, 0.1 to 1.0% Fe, 0.001 to 0.1% Ti and the balance Al with impurities and in which Si and Cu among the impurities are controlled to ≤0.1% and ≤0.03%, respectively.例文帳に追加
質量%で、Fe:0.1〜1.0%、Ti:0.001〜0.1%を含有し、残りがAlと不純物からなるとともに、前記不純物中において、Siを0.1%以下、Cuを0.03%以下に規制した。 - 特許庁
Alternatively, the steel further contains ≤0.05% C and ≤0.05% N, and further contains one or more kinds selected from V, Nb, Ti, Ta, Mn, B, Ni, Co, Cu and rare earth elements by ≤5% in total.例文帳に追加
さらに、C:0.05%以下、N:0.05%以下、さらにまた、V,Nb,Ti,Ta,Mn,B,Ni,Co,Cu、希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で5%以下含有することを特徴とする高強度フェライト系耐熱鋼。 - 特許庁
The substrate layer 40 consists of a material mainly consisting of at least one kind of metal selected from Cu, Co, Pd, Au, Ag, In, Sn, Ni, Ti, Zn, Cr, Al and Fe or an alloy containing the same metal.例文帳に追加
下地層40は、Cu、Co、Pd、Au、Ag、In、Sn、Ni、Ti、Zn、Cr、AlおよびFeのうちの少なくとも1種の金属または該金属を含む合金を主とする材料で構成されるものである。 - 特許庁
The plating of stem and lead is formed in order of a Cu plating layer 13, an Sn plating layer 14, and a metal layer 15 for formation of intermetallics with Sn, suppression of reaction between Sn and Au, and wire bonding.例文帳に追加
ステムおよびリードのめっきを、Cuめっき層13、Snめっき層14、Snとの金属間化合物形成及びSnとAuの反応抑制及びワイヤボンディングのための金属層15の順に形成する。 - 特許庁
To provide a means for easily forming a metal wiring, having high orientation and a long service life with a substance whose dry etching is difficult, for example, Cu as the materials in a method for forming metal wiring.例文帳に追加
金属配線形成方法に関し、例えばCuのようにドライ・エッチングが困難な物質を材料とし、しかも、高い配向性をもった長寿命の金属配線を簡単に形成できる手段を提供する。 - 特許庁
At least either Zn or Sn is alloyed with Cu as a main ingredient, with a content of Zn and/or Sn in the copper alloy powder of 0.02 to 1.2% by mass, and a content of P of 0.005 to 0.05% by mass.例文帳に追加
主成分であるCuに、ZnとSnの少なくともいずれか一方が合金化され、銅合金粉中のZn及び/又はSnの含有量が0.02〜1.2質量%で、Pの含有量は0.005〜0.05質量%である。 - 特許庁
The alumina mat has ≤300 ppm total amount of Na and K, ≤200 ppm Fe, ≤2 ppm Cu, ≤2 ppm Ni, ≤50 ppm Ca and ≤10 ppm Mg as impurities contained in the alumina fiber.例文帳に追加
アルミナ繊維の繊維中に含む不純物として、NaとKの合計量が300ppm以下、Feが200ppm以下、Cuが2ppm以下、Niが2ppm以下、Caが50ppm以下、Mgが10ppm以下である。 - 特許庁
Since the Cu plated layer 36 extends, the concentrated stress to a tip on the principal surface 28 can be dispersed and a crack caused in mounting external electrodes 23, 24 can be suppressed.例文帳に追加
このように、Cuめっき層36を伸ばすことにより、外部電極23,24の、主面28上での先端部分への応力の集中を分散することが可能となり、実装時に生じ得るクラックを抑制することができる。 - 特許庁
This is a copper alloy contg., by weight, 5 to <10% Zn, 0.1 to 3% Sn, and the balance Cu with inevitable impurities, in which the grain size is controlled to 5 to 35 μm.例文帳に追加
Znを5wt%以上、10wt%未満、Snを0.1〜3wt%含み、残部がCuと不可避的不純物からなる銅合金であって、結晶粒度が5〜35μmであることを特徴とする。 - 特許庁
The surface of an Al-Mg-Si alloy sheet having a composition containing 0.05 to <0.3% Zn, and in which the content of Cu is limited to <0.05% (inclusive of 0%) is formed with a zincate film of 0.1 to 1.5 g/m2.例文帳に追加
Zn0.05%以上0.3%未満を含有し、Cuを0.05%未満(0%を含む)に制限したAl−Mg−Si系合金板の表面に、0.1〜1.5g/m^2 のジンケート皮膜が形成されている。 - 特許庁
In the CPP type magnetic detecting element, the upper and lower portions of the fixed magnetic layer 23 having an artificial ferristructure are sandwiched by non-magnetic metal magnetostriction enhancement layer 22 and a non-magnetic material layer 24 having a lattice constant that is larger than that of Cu.例文帳に追加
CPP型磁気検出素子において、人工フェリ構造の固定磁性層23の上下を非磁性金属製の磁歪増強層22と、Cuよりも格子定数の大きい非磁性材料層24で挟む。 - 特許庁
Further, one or more kinds of metals selected from Cu, Cr, Ti, W, Mo, Sb, Al, Nb and Ta by 0.01 to 8% in total are incorporated into the Ni-containing iron based alloy material.例文帳に追加
上記、Ni含有鉄基合金材料に、さらに、質量%で、Cu、Cr、Ti、W、Mo、Sb、Al、Nb、Taの1種または2種以上を合計で0.01〜8%を含有する耐候性に優れた鋼材。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a sintered body having a structure of NaxA_2Oy (where A represents Co, Fe, Ni, Cu and Mn, and 1≤x≤2 and 2≤y≤4) whose C axis is oriented in one direction and which is preferable for a thermoelectric conversion material.例文帳に追加
熱電変換材料用に好適な、NaxA_2Oy(A:Co、Fe、Ni、Cu、Mn、1≦x≦2、2≦y≦4)型構造を有し、C軸が一方向に配向した焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁
Since a portion positioned at the edge part of the outer peripheral part of a chip region in the annular groove 30 is filled with a part of the photoresist pattern Fr2, Cu, etc., spattering from the bottom surface of the annular groove 30 is reduced.例文帳に追加
このとき、環状溝30のうちチップ領域外周部の辺部に位置する部分はフォトレジストパターンFr2の一部によって埋められているので、環状溝30の底面から飛散するCu等が低減される。 - 特許庁
The base metal 2 for the grinding tool is formed of a W group alloy containing 20% by weight of at least one type of metal selected from Ni, Cu, Fe and Co and W in the rest.例文帳に追加
Ni,Cu,FeおよびCoから選択される少なくとも一種の金属を20重量%以下含有し、残部Wから成るW基合金で形成されたことを特徴とする研削工具用台金2である。 - 特許庁
A structure connected by a dummy Cu pattern 43B and a dummy via plug 47D of the lower wiring layer is added to a region of a tip relative to the extension 47B in order to prevent a poor connection by stress migration at the connection thereof.例文帳に追加
この接続部でのストレスマイグレーションによる接続不良を防止するため延出部47Bより先端部の領域に下層配線層のダミーCuパターン43Bとダミービアプラグ47Dで接続する構造を追加する。 - 特許庁
To allow a solder alloy having excellent connection reliability under high temperature and having high content of Cu, to be applied in a soldering method by the reduction processing using reducing gas with low environmental load.例文帳に追加
高温下での接続信頼性に優れたCu含有量の多いはんだ合金を環境負荷の低い還元性ガスを用いた還元処理によるはんだ接合方法に適用することを可能にすることを目的とする。 - 特許庁
To provide a Cu-Fe-P-based copper alloy thin plate having good resin adhesion and suited to be used as a heat dissipation board in chip-on-board of an LED chip or the like capable of efficiently dissipating heat.例文帳に追加
樹脂密着性が良好であり、LEDチップ等の発熱を効率的に放散することが可能なチップオンボードでの放熱基板としての使用に適するCu−Fe−P系銅合金薄板を提供する。 - 特許庁
The wiring and the electrode are composed of a copper alloy having a composition including 0.1 to 3 at% one or more of rare earth elements in total, containing 0.1 to 5 at% Ag and having the rest comprising Cu and inevitable impurities.例文帳に追加
希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.1〜3原子%を含み、さらにAg:0.1〜5原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein coverage of an organic resin film in a corner part of an upper face of a Cu electrode layer is made sufficient even if the organic resin film is not especially made thick, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加
有機樹脂膜を特に厚膜化しなくても、Cu電極層の上面コーナ部における有機樹脂膜のカバレッジを良好とすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing a residual quantity of Mn in a Cu wire while preventing the occurrence of film separation of a metal film on a side face of a groove.例文帳に追加
溝の側面上における金属膜の膜剥がれの発生を防止することができながら、Cu配線中のMnの残留量を低減させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The copper alloy thin film has a composition that 5 to 2,000 wt.ppm B(boron) is contained in pure copper (especially oxygen free copper having ≥99.99% purity) and the rest comprises Cu and inevitable impurities.例文帳に追加
B:5〜2000wtppmを含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する液晶表示装置の配線および電極用銅合金薄膜およびその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁
The phosphor bronze bar excellent in deep drawing is composed of 3-9 mass % Sn, 0.03-0.35 mass % P, 30-200 mass ppm Ag, and the balance Cu with unavoidable impurities.例文帳に追加
Snを3〜9質量%、Pを0.03〜0.35質量%及びAgを30〜200質量ppm含有し、残部が銅及びその不可避的不純物からなることを特徴とする、深絞り性に優れたりん青銅条。 - 特許庁
To provide an aluminum alloy brazed body composed of a brazing sheet using an aluminum alloy containing ≥0.5 mass% Cu as a core material, and excellent in corrosion resistance with time at high temperature as a heat exchanger.例文帳に追加
Cuを0.5質量%以上含有するアルミニウム合金を心材とするブレージングシートで構成されて、熱交換器として高温経時の耐食性に優れたアルミニウム合金ろう付け体を提供する。 - 特許庁
In a mounting structure 1, the outermost layer of a terminal electrode 13 is formed by a resin electrode layer 18 containing Cu filler coated with Sn, and a resin component thermally cured at the melting point of Sn or lower.例文帳に追加
実装構造1では、SnでコーティングされたCuフィラーと、当該Snの融点以下で熱硬化された樹脂成分とを含む樹脂電極層18によって端子電極13の最外層を形成している。 - 特許庁
The allergen-inactivating fiber is obtained by immobilizing Ag and/or Cu in an amount of ≥2.5 mass% of the total mass of the fiber on a crosslinked fiber surface having a carboxy group and/or a salt thereof.例文帳に追加
カルボキシル基および/またはその塩を有する架橋繊維表面に、Agおよび/またはCuが繊維全体の質量の2.5質量%以上固着されてなることを特徴とするアレルゲン不活化繊維である。 - 特許庁
The metal particulate used is a particulate containing one or more kinds of metal elements selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Sn, Cu, Ni, Fe, Co, Ti, In and Ir.例文帳に追加
金属微粒子としては、Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Sn、Cu、Ni、Fe、Co、Ti、In、およびIrからなる群より選ばれる1種、または2種以上の金属元素を含有するものを用いる。 - 特許庁
To provide a metal wire which has high barrier property to metal such as copper(Cu) even in a groove buried wiring pattern having a high aspect ratio where the high step coverage of a barrier metal cannot be expected, and to provide its information.例文帳に追加
バリアメタルの高いステップカバレッジが期待できない高アスペクト比の溝埋め込み構造配線パターンにおいても、銅(Cu)などの金属に対して高いバリア性を有する金属配線及びその形成方法を提供する。 - 特許庁
In particular, when the user coordinate system Cu is set according to the shape of the work W mounted to the positioner P (or a manipulator other than the manipulator M), the coordinate values of the positions of the characteristic points are stored as work coordinate values.例文帳に追加
特に、ユーザ座標系Cuを、ポジショナP(またはマニピュレータMとは別のマニピュレータ)に搭載されたワークWの形状に応じて設定するときは、特徴点の位置座標値をワーク座標値で記憶する。 - 特許庁
Also, the thin film for wiring is formed by using the sputtering target consisting of at least one kind of Ag and Cu as essential components and containing the elements of the negative value in the free energy for forming the nitride at 300°C as the additive elements.例文帳に追加
また、Ag、Cuの少なくとも1種を主成分とし、300℃における窒化物の生成自由エネルギーが負の値である元素を添加元素として含むスパッタリングターゲットを用いて配線用薄膜を形成する。 - 特許庁
The light absorbing layer 3 is constituted of XYZ_2 (X is at least one element between Cu and Ag, Y is at least one element among B, In Ga and Al, and Z is at least one element among S, Se and Te).例文帳に追加
光吸収層3は、XYZ_2(X=Cu、Agのうち少なくとも1元素、Y=B、In、Ga、Alのうち少なくとも1元素、Z=S、Se、Teのうち少なくとも1元素)により構成される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an electric connector in which a processing time is short, a Cu foil of a FPC base plate 14 is not peeled off and a study of a micro-strip line considering a characteristic of a transmission passage is not required.例文帳に追加
本発明の目的は、加工時間が短く、FPC基板14のCu箔が剥離することがなく、伝送路の特性を配慮したマイクロストリップラインの検討が不必要な電気コネクタの製造方法を得るにある。 - 特許庁
The composite material 2 preferably further contains a third phase 23 which is present between the first phase 21 and the second phase 22, so as to be in contact with the phases 21 and 22, and comprises an intermetallic compound made of Pt-Cu.例文帳に追加
好ましくは、複合材料2は、第1相21と第2相22との間において両相21,22に接し、Pt−Cuにより形成された金属間化合物からなる第3相23をさらに有している。 - 特許庁
A plurality of N-type diffused layers 2 are provided separately from each other, and the layers adjacent to each other through contact holes 4 provided in insulating films 3 on the layers 2 are connected with each other through the first wiring metal layers 5 (Al-Si-Cu alloy layer).例文帳に追加
N型拡散層2が離間して複数設けられその上の絶縁膜3のコンタクトホール4で互いに隣り合うものどうし第一層の配線金属5(Al−Si−Cu合金)で接続する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for covering and embedding micro recesses on a base material in which the configuration and the control are simple, the film deposition speed is high, and expensive raw materials such as organic complexes Cu(hfac), (tmvs) can be effectively utilized.例文帳に追加
簡単に構成及び制御でき、膜堆積速度が速く、且つ例えば有機錯体Cu(hfac)(tmvs)のような高価な原料を有効に利用できる基材面微細凹み被覆・埋込み方法及び装置を提供すること。 - 特許庁
On the surface of the projection 24b of the base metal 22, an electric conductive layer 26 is adhered by dispersing metal powder 28 containing powder of Ni or Cu in the synthetic resin made of the heat resistant resin to provide conductivity.例文帳に追加
台金22の突起部24b表面24cに耐熱樹脂からなる合成樹脂にNiまたはCu粉からなる金属粉28を分散させて導電性を持たせた電気伝導層26を接着する。 - 特許庁
In a via hole formation process, first the surface of an insulating resin layer 27 is roughened, and after an electroless Cu plated film 31 is formed on the layer 27, a photosensitive resin layer 33 is formed on the surface of the film 31.例文帳に追加
ビアホール形成工程では、まず絶縁樹脂層27の表面を粗化し、無電解Cuメッキ被膜31を形成した後、無電解Cuメッキ被膜31の表面に感光性樹脂層33を形成する。 - 特許庁
Also, since an MR ratio is doubled compared to the optical modulation element using the conventional Cu spacer in the optical modulation element 10 using an Ag spacer, the magnetization direction of the magnetization inversion layer is easily inverted.例文帳に追加
また、Agスペーサを用いた光変調素子10は、従来のCuスペーサを用いた光変調素子に比べてMR比が2倍に増加するので、磁化反転層の磁化方向を反転し易くすることができる。 - 特許庁
Wiring trenches 3 and wide wiring trenches 3a are formed by etching, at a dense interval, in an interlayer insulation film 2 formed on an Si substrate (not shown) and a barrier metal 4 and a Cu film are formed on the surface thereof.例文帳に追加
図示しないSi基板上の層間絶縁膜2には、エッチングによって間隔が密な配線溝3と幅広配線溝3aが形成され、表面にバリアメタル4およびCu膜が成膜されている。 - 特許庁
To provide a double metal thin tube in which the first layer consists of a metal such as Au, Ag and Cu, and the second layer consists of metal different from the above metal, and to provide a method of producing the double metal thin tube.例文帳に追加
1層目がAu、Ag、Cu等の金属からなり、2層目が前記金属と異なる種類の金属からなる2重金属細管およびこの2重金属細管の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The bar-shaped Cu-based metal glass alloy of ≥15 mm in diameter can be obtained, and the bar-shaped metal glass alloy of maximum 30 mm can be produced with a composition comprising Cu_34Pd_2Zr_48Ag_8Al_8.例文帳に追加
直径が15mm以上の棒状のCu基金属ガラス合金が得られ、Cu_34Pd_2Zr_48Ag_8Al_8からなる組成において、最大30mmの棒状金属ガラス合金を作製することができる。 - 特許庁
To provide a sputtering target capable of forming a film sufficiently containing Se by sputtering as a laminated film for forming a Cu-In-Ga-Se quaternary alloy film, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加
Cu−In−Ga−Se四元系合金膜を形成するための積層膜として、スパッタ法により十分にSeを含有した膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
The battery case is excellent in pressure resistance because a sufficient intermediate phase of Al_2CuMg is developed due to the aging treatment, and is capable of high-speed laser welding because the Cu content achieves the specific amount above.例文帳に追加
この電池ケースは、時効処理で十分なAl_2CuMgの中間相が発現されているので耐圧性に優れ、また、Cu含有量を上記特定量としているので高速でのレーザ溶接が可能である。 - 特許庁
This is the positive electrode material for the lithium secondary battery containing lithium copper oxide as the active substance, in which a part of Spinal type lithium manganese oxide and Cu site is substituted by at least one and more kind of other elements.例文帳に追加
スピネル型リチウムマンガン酸化物およびCuサイトの一部が少なくとも1種以上の他元素で置換されたリチウム銅酸化物を活物質として含むことを特徴とするリチウム二次電池用正極材料。 - 特許庁
To provide a copper alloy material in which the value of the crystal grain diameter of a Cu-Co-Si-based copper alloy is controlled to a prescribed range for satisfying all of high conductivity, high strength and good bending workability.例文帳に追加
高い導電性、高い強度、良好な曲げ加工性のすべてを満足するため、Cu−Co−Si系銅合金の結晶粒径の値が所定範囲に制御された銅合金材料を提供する。 - 特許庁
A high resistance layer 3A consisting of an oxide of a metal element, and an ion source layer 3B containing metal elements (Cu, Ag, Zn) becoming an ion source are formed in this order between a lower electrode 2 and an upper electrode 4.例文帳に追加
下部電極2と上部電極4との間に、金属元素の酸化物からなる高抵抗層3A、イオン源となる金属元素(Cu,Ag,Zn)を含有するイオン源層3Bをこの順に有する。 - 特許庁
Further, by performing alternating electrolytic pickling in a sulfuric acid electrolytic cell 23, even if Cu^2+ is precipitated over the surfaces, they can easily be removed by performing dipping pickling into a nitric acid dipping tank 24.例文帳に追加
また、硫酸電解槽23中で、交番電解酸洗を実施することによって、Cu^2+が表面に折出したとしても、硝酸浸漬槽24に浸漬酸洗することによって容易に除去することができる。 - 特許庁
In addition, the recording layer 2 contains a mixture of the squalirium metallic chelate compound with the divalent metal such as Ni, Zn or Cu as the center metal and the squalirium metallic chelate compound with Al as the center metal.例文帳に追加
例えば、Ni、Zn、Cuなど2価の金属を中心金属に持つスクアリリウム金属キレート化合物とAlを中心金属に持つスクアリリウム金属キレート化合物を混合含有させた記録層2とする。 - 特許庁
To provide copper foil with a resin capable of laser beam boring in order to enable the adoption of a copper direct method which can use a conventional infrastructure directly and reduce costs by cutting a process and a method for producing the copper foil.例文帳に追加
これまでのインフラをそのまま使用でき、且つ工程削減によりコストダウンが図れるCuダイレクト法の採用を可能にするため、レーザ穴あけ加工が可能な樹脂付き銅箔及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In this way, if the color of the treating film on the Cu foil 4a is seen through an insulator 3b, the reference mark 5 becomes clear at contours so that the reference mark 5 can be detected surely, by the use of the CCD camera.例文帳に追加
このようにすると、銅箔4aの処理膜の色が絶縁物3bを透過しても、基準マーク5の輪郭が鮮明になり、CCDカメラにより基準マーク5を確実に検出するすることができる。 - 特許庁
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