「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

The Zn-Al eutectoid-base alloy joining material comprises 17 to 30 wt.% Al-0 to 0.5 wt.% Cu-0 to 0.5 wt.% Mg-Zn, wherein an object is joined in the solid phase state by using a superplastic phenomenon.例文帳に追加

Ｚｎ−Ａｌ共析系合金接合材は１７〜３０ｗｔ％Ａｌ−０〜１．５ｗｔ％Ｃｕ−０〜０．５ｗｔ％Ｍｇ−Ｚｎからなり、超塑性現象を利用して対象物を固相状態で接合する点に特徴がある。 - 特許庁

In the complex, a ratio of Ni to Cu is preferably 1 to 3 at an atom ratio, and the complex can be obtained as a deposition by heating an aqueous solution containing a water-soluble salt of copper and a water-soluble salt of nickel to 80-100°C and setting its pH to 9 or more.例文帳に追加

上記複合体は、原子比でＮｉ／Ｃｕが１〜３であることが好ましく、銅の水溶性塩とニッケルの水溶性塩を含む水溶液を、８０〜１００℃にし且つｐＨを９以上にすることで、沈殿物として得ることができる。 - 特許庁

A first diffusion prevention film 11, a first low-k film 12 and a first cap film 13 are formed on a silicon substrate 1, and a barrier film 15 and a Cu film 16 are buried in these films to form a first conductivity type layer.例文帳に追加

シリコン基板１上に第１拡散防止膜１１と第１ｌｏｗ−ｋ膜１２と第１キャップ膜１３が形成され、それらの膜内にバリアメタル膜１５とＣｕ膜１６が埋め込まれることにより第１導電層が形成されている。 - 特許庁

On the surface of the insulating layer 12 and the second vertical connection layer 15B, a storage layer 16 containing an ionizable metallic element such as Cu along with a chalcogenide element such as Te and an upper electrode 17 are laminated in this order, thus constituting a memory element 1.例文帳に追加

絶縁層１２および第２縦接続層１５Ｂの表面上に、Ｔｅなどのカルコゲナイド元素と共にＣｕなどイオン化可能な金属元素を含む記憶層１６および上部電極１７がこの順に積層され、記憶素子１を構成する。 - 特許庁

As the kind of an element component to be selected from VIIA, VIII, IB, IIB and rare earth element in periodic table, Mn, Cu, Zn, Co, Ni, Ag, Pt and Au are particularly preferable form the viewpoint of safety, oxidation decomposition activity and the like.例文帳に追加

周期律表 VIIＡ、VIII、ＩＢ、IIＢ族及び希土類元素から選ばれた少なくとも１種の元素成分としては、特に、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕは人体に対する安全性および酸化分解活性などの点で好ましい。 - 特許庁

A pipe 14 made of Fe-Ni-Co alloy of α-phase and γ-phase in which α-phase is 30 vol.% or less, has joined with a ceramic base plate 11 through a brazing filler 15 of Ag-Cu whose melting point is about 780°C.例文帳に追加

Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成り、α相とγ相の結晶相のうちα相が３０体積％以下とされたパイプ１４と、セラミックス製の基板１１とを、融点が７８０℃程度のＡｇ−Ｃｕロウ１５を介して接合した。 - 特許庁

By making Cu of ≤0.4 wt.% be contained, more improved ductility is abtained, and by making In of ≤1 wt.% be contained, improvement of electrochemical reliability is possible without remarkable increase of the alloy cost.例文帳に追加

また、０．４重量％以下のＣｕを含有させることで、さらに延性を改善することができ、１重量％以下のＩｎを含有させることで、合金コストの大幅増加なしに電気化学的信頼性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

In the case when at least one rare earth element and the Cu-based oxide are added to BaTiO3 and the process for sintering the resulting mixture is controlled under an oxygen atmosphere, the high density, superfine particulate BaTiO3 dielectric ceramic can be obtained at a low temperature.例文帳に追加

本発明によると、ＢａＴｉＯ_３に稀土類元素及びＣｕ系酸化物を添加し焼結工程を酸素雰囲気で制御することにより低温にて高密度で超微粒のＢａＴｉＯ_３系誘電体セラミックスを得ることが出来る。 - 特許庁

Even when an M^1 (at least one kind selected among Tc, Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag, and Au) is given in a region of 2 nm from the boundary with the nonmagnetic layer, the maximum distance is relatively reduced.例文帳に追加

非磁性層との界面から２ｎｍの範囲の強磁性層に、Ｍ^1（Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種）を添加しても、上記最長距離は相対的に低下する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can prevent film peeling of an alloy film on a side surface of a groove without increasing the remaining amount of Mn in a Cu layer formed so as to fully fill the groove.例文帳に追加

溝を埋め尽くすように形成されるＣｕ層中のＭｎの残留量の増加を生じることなく、溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This constitution is formed in such a way that the center conductor 1 surrounded by the dielectric 2 is prepared, Ir is formed on the surface of the dielectric, and electroless plating of Cu is conducted to the Ir applied dielectric 2 to form the outer conductor 3.例文帳に追加

この様な構成にするには、誘電体２に取り囲まれた中心導体１を用意し、誘電体２の表面にＩｒを付与した後、Ｉｒを付与した誘電体２に対して無電解Ｃｕメッキを行って外部導体３を形成する。 - 特許庁

The continuous casting mold has the composition of 0.1-1.5 mass% Cr, 0.01-0.25 mass% Zr, 0.01-0.3 mass% Si and the balance Cu with inevitable impurities, and the structure uniformly dispersing the compound of Cr and Si in the matrix.例文帳に追加

Ｃｒ：０．１〜１．５質量％、Ｚｒ：０．０１〜０．２５質量％、Ｓｉ：０．０１〜０．３質量％を含有し、残部：Ｃｕおよび不可避不純物からなる組成を有し、ＣｒとＳｉの化合物が素地中に均一分散している組織を有する。 - 特許庁

This copper base alloy for a terminal is the one having a compsn. contg. 0.45 to 3.0% Mn, 0.5 to 2.0% Sn and 0.01 to 1.0% P or moreover contg. 0.01 to 2.0% Zn, and the balance Cu with inevitable impurities, and in which the value of Mn/P is smaller than 45.例文帳に追加

Ｍｎ：０．４５〜３．０％、Ｓｎ：０．５〜２．０％、Ｐ：０．０１〜１．０％を含有し、またはさらにＺｎ：０．０１〜２．０％を含有し、残部がＣｕと不可避不純物からなり、Ｍｎ／Ｐの値が４５より小さい端子用銅基合。 - 特許庁

In a bearing formed with a white metal surface layer 2 of a Sn alloy on a base material 1 of a Cu alloy, an intermediate binding layer 3 of Fe is formed between the base material 1 and the surface layer 2.例文帳に追加

Ｃｕ合金とされた基材１上に、Ｓｎ合金であるホワイトメタルとされた表面層２が形成された軸受において、基材１と表面層２との間には、Ｆｅとされた中間結合層３が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The sputtering target has a composition that includes 20 to 40 at% Ga and 0.05 to 1 at% Na as metal components other than fluorine, with the remainder being Cu and unavoidable impurities, wherein Na is contained in the form of an NaF compound.例文帳に追加

スパッタリングターゲットのフッ素を除く金属成分としてＧａ：２０〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜１ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、ＮａはＮａＦ化合物の状態で含有されている。 - 特許庁

When a copper sheet material is stamped, the copper sheet material is surface-roughened by pressing, thereby forming depressions observed as a plurality of parallel lines in the surface of the copper sheet material and the copper sheet material is then plated with Cu and Sn, followed by reflowing to complete the production.例文帳に追加

銅板材の打抜き加工時にプレス加工により表面粗化処理を行い、銅板材表面に複数の平行線として観察される凹部を形成し、次いで銅板材にＣｕめっき及びＳｎめっきを行い、リフロー処理して製造する。 - 特許庁

To provide a copper alloy material which has strength and electroconductivity required for electrical parts such as a terminal of a connector and sufficiently brings out the properties of the copper alloy material, in a Cu-Co-Si-based alloy, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金において、コネクタ用端子などの電子部品に要求される強度と導電性を有し、銅合金原料が持つ特性が十分に引き出された銅合金材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The Mg-Co based alloy contains an Mg-Co based intermetallic compound constituting a body-centered cubic crystal structure, and at least either of Pd and Cu is further contained in the body-centered cubic crystal structure.例文帳に追加

体心立方結晶構造を構成するＭｇ−Ｃｏ系金属間化合物を含有するＭｇ−Ｃｏ系合金であって、上記体心立方結晶構造中に、Ｐｄ及びＣｕの少なくとも一方を更に含有して成ることを特徴とする。 - 特許庁

A SiCN film 3a, a SiCO film 3b, and a SiOC film 4a are provided, in this order, on the Cu film 2b, and the SiCO film 4a is an insulating film having a dielectric constant lower than those of the SiCN film 3a and the SiCO film 3b.例文帳に追加

Ｃｕ膜２ｂの上にはＳｉＣＮ膜３ａ、ＳｉＣＯ膜３ｂおよびＳｉＯＣ膜４ａが順に設けられており、ＳｉＯＣ膜４ａはＳｉＣＮ膜３ａおよびＳｉＣＯ膜３ｂよりも低誘電率な絶縁膜である。 - 特許庁

This sputtering target includes a composition that includes 1-40 atom% of Ga and 0.05-2 atom% of Na as metal components other than Se, with the rest being Cu and unavoidable impurities, wherein Na is contained in the form of sodium selenide.例文帳に追加

スパッタリングターゲットのＳｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがセレン化ナトリウムの状態で含有されている。 - 特許庁

A first SiN film is formed at a low temperature as a diffusion prevention film such that it covers the surface of Cu wiring pattern embedded in an interlayer insulation film, and then a second SiN film is formed thereon at a higher temperature as an etching stopper film.例文帳に追加

層間絶縁膜中に埋設されたＣｕ配線パターン表面を覆うように低温において第１のＳｉＮ膜を拡散防止膜として形成し、その上により高温で第２のＳｉＮ膜をエッチングストッパ膜として形成する。 - 特許庁

The metal is selected out of W, Ti, Zr, Ta, Mo, Nb, Hf, V, Cu, Co, Cr, Ni, Mn, Pt, Rh, Ir, Pd and the like while the composition ratio between the metal and germanium or between the metal and germanium-silicon compound is 1:1 to 1:3 in mol ratio.例文帳に追加

前記金属としては、Ｗ、Ｔi、Ｚr、Ｔa、Ｍo、Ｎb、Ｈf、Ｖ、Ｃu、Ｃo、Ｃr、Ｎｉ、Ｍn、Ｐt、Ｒh、Ｉｒ、Ｐdなどから選ばれ、金属とゲルマニウム、あるいは金属とゲルマニウム−シリコン化合物との組成比がモル比で１:１〜１:３の範囲である。 - 特許庁

An alloy which essentially comprises Cu, contains 0.1-3.0 wt.% Mo and comprises 0.1-3.0 wt.% in total of one or more elements chosen from the group consisting of Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co and Si is applied as the metal material.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とし、Ｍｏを０．１〜３．０ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１〜３．０ｗｔ％含有してなる合金を金属材料として適用する。 - 特許庁

To provide the stripping solution composition superior in anticorrosiveness to the Cu circuit forming substrate at the time of resist stripping by incorporating 2-(2-aminoethoxy)-ethanol, N-methyl-2-pyrrolidone and/or 1,3-dimethyl-n-imidazo-lidinone and a specified compound.例文帳に追加

レジスト剥離性と、Ｃｕ配線基板への防食性に優れ、特に０．２〜０．３μｍ程度以下の極微細なＣｕ配線が形成された基板に対して有用なホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁

In the photoelectric element that has the light-absorbing layer formed of the sulfide system compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn, and S, members other than the light-absorbing layer forming the photoelectric element is formed of a material that does not contain Na.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＳを含む硫化物系化合物半導体からなる光吸収層を備えた光電素子において、前記光電素子を構成する前記光吸収層以外の部材は、Ｎａを含まない材料からなる光電素子。 - 特許庁

To obtain an insulator ceramic composition capable of being fired at a low temperature of ≤1,000°C, capable of being cosintered with Ag and Cu, excellent in mechanical strength, having a high Q-value, and capable of providing a sintered compact suitable for a high-frequency use.例文帳に追加

１０００℃以下の低温で焼成することができ、ＡｇやＣｕとの共焼結が可能であり、機械的強度に優れ、Ｑ値が高く、高周波用途に適した焼結体を得ることを可能とする絶縁体磁器組成物を得る。 - 特許庁

A wafer W is stored into a chamber 1, a cuprous carbonate complex, e.g., CH_3COOCu and a reducing agent reducing the same are introduced into the chamber 1 in a vapor phase state, and a Cu film is deposited on the wafer W by a CDV process.例文帳に追加

チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内にカルボン酸第１銅錯体、例えばＣＨ_３ＣＯＯＣｕとこれを還元する還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 - 特許庁

A contact material according to the present invention has a structure where WC particles and a phase including a Cu_2Te phase surrounding around a Cu_3Te_2 phase are dispersed in a base material mainly comprising Cu, and has a relative density of 90% or more of the theoretical density thereof.例文帳に追加

本発明による接点材料は、Ｃｕを主体とした母材中に、ＷＣ粒子と、Ｃｕ_３Ｔｅ_２相の周囲をＣｕ_２Ｔｅ相が囲んだ相とが分散した組織とし、且つ相対密度を理論密度の９０％以上とする。 - 特許庁

The Cu alloy film for a display device is directly contacted with a glass substrate on a board and contains 0.1 to 10.0 atom% in total of one or more elements selected from the group consisting of Ti, Al, and Mg.例文帳に追加

基板上にて、ガラス基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１０．０原子％含有することを特徴とする。 - 特許庁

The composite electric wire includes the electric wire body W consisting of the center conductive wire AL, and an outer layer conductive wire CU which is extended along the outer peripheral face of this center conductive wire AL in Z direction, and arranged so as to surround this center conductive wire AL.例文帳に追加

複合電線は、中心導線ＡＬとＺ方向にこの中心導線ＡＬの外周面に沿って延長すると共にこの中心導線ＡＬを囲むように配置される外層導線ＣＵとからなる電線本体Ｗを含んでいる。 - 特許庁

It is preferable that the alloy component in the zincate treatment film is composed of at least one or more elements among Cu, Fe, Ni, and Sn and further the average size of crystalline grains of the Zn alloy zincate film formed by zincate treatment is <1 μm.例文帳に追加

好ましくは、ジンケ−ト処理皮膜の合金成分が、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎのうちの少なくとも１種以上であり、さらに、ジンケ−ト処理により形成されるＺｎ合金ジンケート皮膜の結晶粒の平均径が１μｍ未満である。 - 特許庁

The method of manufacturing the toners having a process step of melting and kneading at least a binder resin and multi component metal oxides, such as Fe, Ti, Cu, and Mn, which are black pigments, in which this process step melts and kneads this mixture by using a continuous two-roll kneading machine.例文帳に追加

少なくとも結着樹脂及び黒色顔料である、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｎ等の複合金属酸化物を溶融混練する工程を有するトナーの製造方法であって、該工程が連続式２本ロール型混練機を用いて溶融混練する。 - 特許庁

Preferably, the permanent magnet contains one kind or two or more kinds among 0.2-0.5% of Co, 0.05-0.5% of Nb, 0.01-0.5% of Al, 0.01-0.3% of Ga, 0.01-0.5% of Cu and 0.005-0.05% of P in wt.%.例文帳に追加

好ましくは質量百分率で０．２〜５．０％のＣｏ、０．０５〜０．５％のＮｂ、０．０１〜０．５％のＡｌ、０．０１〜０．３％のＧａ、０．０１〜０．５％のＣｕ、０．００５〜０．０５％のＰのうちの１種又は２種以上を含有する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a buried wiring structure employing copper in which barrier metal is removed from the contact hole portion of a Cu buried interconnect line and resistance is reduced sufficiently between an upper layer interconnect line and a lower interconnect line.例文帳に追加

この発明は、銅を用いた埋め込み配線構造を有する半導体装置に関し、Ｃｕ埋め込み配線の接続孔部分からバリアメタルを排除し、かつ、上層配線と下層配線との間の抵抗値を十分に小さくすることを目的とする。 - 特許庁

The copper-silver alloy wire material used in this method and provided with extremely high tensile strength and bending strength contains 0.08-24 wt%, 3-10 wt% desirably of Ag, and the rest is composed of Cu and an inevitable impurity.例文帳に追加

０．０８乃至２４重量％、好ましくは３乃至１０重量％のＡｇを含有し残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、極めて大きな引張り強度及び屈曲強度を備えた銅銀合金線材を用いている。 - 特許庁

This readily water-soluble and stable pharmaceutical composition containing conivaptane hydrochloride crystal as the active ingredient is characterized by having the most intense peak near the interplanar spacing 7.82 in the powder X-ray diffraction spectrum thereof given by the use of Cu-Kα rays.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折スペクトルにおいて格子間隔７．８２付近に最も強いピークを有することを特徴とする塩酸コニバプタンの結晶を有効成分とする水易溶性且つ安定性医薬組成物。 - 特許庁

By heating a Si-Ni-Cu-based alloy wire for less than two hours to anneal it after the temperature in the wire reaches 400°C, this element wire 1 for an electric wire having an elongation percentage of more than one that is smaller than that of a conventional element wire is manufactured.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｎｉ−Ｃｕ系合金線材を、その線材内部温度が４００度に到達した後２時間以下加熱して焼鈍し、伸び率が１よりも大きくかつ従来素線の伸び率よりも小さな電線用素線１を製造する。 - 特許庁

1-Benzyl-3-aminopyrrolidine is produced in high selectivity by the catalytic reduction of 1-benzyl-3-azidopyrrolidine with a Raney metal catalyst or a reduced metal catalyst containing Ni, Co, Fe or Cu as a main metal component.例文帳に追加

１−ベンジル−３−アジドピロリジンを、ニッケル、コバルト、鉄、銅の何れかを主な金属として含有するラネー金属触媒又は還元金属触媒を用いて接触還元することにより、高選択的に１−ベンジル−３−アミノピロリジンを製造する。 - 特許庁

When heavy metals including copper and tin are recovered from an aqueous solution of the heavy metals, Cu (I) ions are allowed to exist in the aqueous solution, an alkaline compound is added to the solution and mixed and oxidation treatment is carried out.例文帳に追加

少なくとも銅および錫を含む重金属の水溶液から重金属を回収するにあたり、この水溶液にＣｕ（Ｉ）イオンを存在させ、アルカリ性化合物を添加混合した後、引き続いて酸化処理することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a hydrogen permeation alloy membrane of a Pd-Cu alloy base having excellent hydrogen permeability in which breakage caused by deformation by hydrogen storage is reduced, and which can be also applied to a purification/separation apparatus for gaseous hydrogen for the fuel of a fuel cell.例文帳に追加

水素透過性能の優れたＰｄ−Ｃｕ合金系であって、水素吸蔵による変形に伴う膜の破損が少なく、燃料電池の燃料用水素ガスの精製・分離装置への適用も可能な、水素透過合金膜を提供する。 - 特許庁

In this contact material for a vacuum circuit breaker containing a Cu phase as a highly electrically conductive component and a Cr phase as an arc resistant component, the temperature at which 50% of the total content of oxygen is dissociated is ≥1,500°C.例文帳に追加

高導電成分としてのＣｕ相と耐弧成分としてのＣｒ相とを含んで成る真空遮断器用接点材料において、含有された酸素総量の５０％を解離する温度が１５００℃以上であることを特徴とする。 - 特許庁

This method for manufacturing the CO removing catalyst comprises a step to deposit at least one metallic component selected from Pt, Ru, Rh, Pd, Ni, Fe, Co, Cu, Au and Ag on the carrier and a succeeding step for heat treating the metallic component-deposited carrier in the presence of steam.例文帳に追加

担体に、Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｕ及びＡｇの中から選ばれる少なくとも一種の金属成分を担持してなるＣＯ除去触媒を製造するに当たり、該金属成分を担体に担持したのち、これを水蒸気存在下において熱処理する。 - 特許庁

By this manufacturing method of the positive electrode material for the lithium-ion battery, the positive electrode material for the lithium-ion battery is manufactured as expressed in a formula: Li_xA_yPO_4 (0.8<x<2, 0<Y<1.5, here, A is a kind selected from Co, Ni, Mn, Fe, Cu, and Cr.)例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池用正極材料の製造方法は、一般式Ｌｉ_ｘＡ_ｙＰＯ_４（０．８＜ｘ＜２、０＜Ｙ＜１．５、ただし、ＡはＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｒから選ばれた１種）で表されるリチウムイオン電池用正極材料を製造するものである。 - 特許庁

As a result, in comparison with the conventional Sn-0.7 wt.% Cu lead-free solder, this lead-free solder has a weld point having glossy and smooth surface, an alloy solder with enhanced diffusibility, and the solder surface having enhanced oxidation resistance.例文帳に追加

従来のＳｎ−０．７ｗｔ％Ｃｕ無鉛はんだと比較して、無鉛はんだは、結果的に、つやがあり滑らかな表面を有する溶接点と、拡散率が向上した合金はんだと、耐酸化性が向上したはんだ表面を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a light-emitting layer for inorganic electroluminescence in which excess Cu component added as an acceptor can be treated by a method suitable for a thin film, without being removed by washing using a harmful aqueous solution, or the like, of sodium cyanide.例文帳に追加

アクセプターとして添加された過剰なＣｕ成分の除去を有害なシアン化ナトリウム水溶液等の洗浄によらず、かつ薄膜に適した方法で処理できる無機エレクトロルミネッセンス用発光層の製造方法を提供することである。 - 特許庁