「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

Crystal A: the crystal of the optically active 4-amino-3-(4-chlorophenyl)butanoic acid having diffraction peaks in 8.7 to 9.4° range, 12.2 to 12.8° range and 24.8 to 25.4° range diffraction angle 2θ in a powder X-ray diffraction measurement at a Cu-Kα wavelength.例文帳に追加

Ａ晶： Ｃｕ−Ｋα波長の粉末Ｘ線回折測定において、回折角２θが８．７°〜９．４°の範囲内、１２．２°〜１２．８°の範囲内および２４．８°〜２５．４°の範囲内に回折ピークを有する光学活性４−アミノ−３−（４−クロロフェニル）ブタン酸の結晶。 - 特許庁

Crystal B: the crystal of the optically active 4-amino-3-(4-chlorophenyl)butanoic acid having diffraction peaks in 20.8 to 21.4° range, 26.7 to 27.3° range and 29.7 to 30.3° range diffraction angle 2θ in the powder X-ray diffraction measurement at the Cu-Kα wavelength.例文帳に追加

Ｂ晶： Ｃｕ−Ｋα波長の粉末Ｘ線回折測定において、回折角２θが２０．８°〜２１．４°の範囲内、２６．７°〜２７．３°の範囲内および２９．７°〜３０．３°の範囲内に回折ピークを有する光学活性４−アミノ−３−（４−クロロフェニル）ブタン酸の結晶。 - 特許庁

The copper alloy material has a composition comprising, by mass, 0.05 to 0.3 mass% Zr, and comprising one or more kinds selected from Mg, Ti, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Ag, In and Sn by 0.01 to 0.3 mass% in total, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

銅合金材は、Ｚｒを０．０５〜０．３質量％含有し、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎの中から選択した１種以上を総量で０．０１〜０．３質量％含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

By allowing a reformed gas 8 of hydrocarbon fuel with addition of oxygen or air to flow in the gas passage 16 and bringing into contact with the Cu-based CO selective oxidation catalyst 17, CO in the reformed gas 9 is selectively oxidized to reduce the CO concentration.例文帳に追加

炭化水素系燃料の改質ガス８を、酸素又は空気を添加した状態でガス流路１６に流してＣｕ系ＣＯ選択酸化触媒１７と接触させることで、改質ガス９中のＣＯを選択的に酸化させてＣＯ濃度を低減させる。 - 特許庁

The rolled copper foil comprises copper (Cu) with inevitable impurities and includes as additive elements: titanium (Ti); a metal which has a crystal structure other than a face-centered cubic structure and is solid-solved in the copper; and a metal which has a crystal structure of a face-centered cubic structure and is solid-solved in the copper.例文帳に追加

圧延銅箔は、銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物に、添加元素として、チタン（Ｔｉ）と、面心立方構造以外の結晶構造を有し、銅に固溶する金属と、面心立方構造の結晶構造を有し、銅に固溶する金属を含んでいる。 - 特許庁

Next, the rough film 110 which is released from the base material, is stored in a vacuum chamber, the metallic film is formed on the roughened surface by a Cr sputtering process (122) and a Cu sputtering process (123) in that order, and further, copper is plated on the metallic film to obtain the metal-coated substrate 130.例文帳に追加

次に基材から剥がした粗化フィルムを真空チャンバ内に収容して、Ｃｒスパッタ（１２２）、Ｃｕスパッタ（１２３）を順にすることにより粗化面上に金属薄膜を形成し、更にその上にＣｕメッキすることにより金属被覆基板１３０を得る。 - 特許庁

In the cylinder block for the engine formed with an aluminum alloy in which a weld overlay part of a copper based alloy is provided on an upper face, the copper based alloy is formed with 5.0 to 8.0% of Ni, 0.8 to 1.0% of B and the rest is Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

上面に銅系合金の肉盛り部を設けたアルミニウム合金から成るエンジン用シリンダブロックにおいて、上記銅系合金が５．０〜８．０％Ｎｉ、０．８〜１．０％Ｂ、残部Ｃｕおよび不可避不純物から成ることを特徴とするエンジン用シリンダブロック。 - 特許庁

The anchor connector 2 is provided with a connecting projecting section 5 which is constituted of the Cu alloy containing Si and Zn and not containing Pb to a projecting shape and has slits 11 extending in an axial direction, which gives elasticity in an axial direction to the section 5.例文帳に追加

アンカーコネクタ２は、ＳｉとＺｎとを含有する一方Ｐｂを含有しないＣｕ合金で突起状に構成され、軸方向に延びるスリット１１が形成されて該スリット１１により軸直方向への弾性が付与された接続突起部５を備えている。 - 特許庁

As one example of the production method, in addition to Cr and Cu, the powder of W and/or Mo is mixed, thereafter, the mixture is sintered and is cooled at a cooling rate of ≤30°C/min, and the obtained sintered compact is subjected to aging heat treatment in the temperature range of 500 to 750°C.例文帳に追加

その製造方法の一例として、ＣｒとＣｕに加えてＷおよび／またはＭｏの粉末を混合した後、焼結して３０℃／分以下の冷却速度で冷却し、得られた焼結体を５００〜７５０℃の温度範囲で時効熱処理する。 - 特許庁

To provide a melting and removing method of impurity in iron, with which the impurities of harmful Cu, Sn, etc. to the material and the stable production from a viewpoint of the production of a steel material when recycling an iron scrap, etc., can efficiently be removed in the molten state.例文帳に追加

鉄スクラップ等のリサイクルに際して鋼材製造の観点から材質と安定製造に有害なＣｕ、Ｓｎ等の不純物元素を溶融状態で安価に効率よく除去することができる鉄中不純物元素の溶融除去方法を提供すること。 - 特許庁

In this way, even in the case the surface of the object to be plated does not exhibit catalytic activity, the surface of the object to be plated is activated to start plating reaction, thus a metallic film of Cu, Ni or the like can be precipitated over the surface of the object to be plated.例文帳に追加

これにより被めっき物表面が触媒活性を示さない場合であってもエネルギ障壁が低下し、前記被めっき物表面が活性化してめっき反応を開始し、被めっき物表面にＣｕやＮｉ等の金属皮膜を析出させることができる。 - 特許庁

By the conductive composition containing bismuth (Bi) of ≥50 wt.%, indium (In) of ≤30 wt.%, Tin (Sn) of ≤30 wt.%, and copper (Cu) selected in the range of 1 to 5 wt.%, the through electrode 3 and the circuit pattern 2 are formed.例文帳に追加

５０ｗｔ％以上のビスマス（Ｂｉ）と、３０ｗｔ％以下のインジウム（Ｉｎ）と、３０ｗｔ％以下の錫（Ｓｎ）と、１〜５ｗｔ％の範囲で選択された銅（Ｃｕ）とを含有する導電性組成物によって、貫通電極３及び回路パターン２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for recovering an NbTi alloy where, when an NbTi alloy is recovered from an NbTi-based superconducting wire rod, which can be performed in a short time while evading the use of toxic gas and dangerous substance, and in which the residual concentration of Cu can be reduced as much as possible.例文帳に追加

ＮｂＴｉ系超電導線材からＮｂＴｉ合金を回収するに際し、毒性ガスや危険物の使用を回避しつつ、短時間で実施でき、しかもＣｕ残存濃度を極力低減できるようなＮｂＴｉ合金の回収方法を提供する。 - 特許庁

A fuel electrode material solid mixture comprising a starting material containing at least nickel (Ni) and copper (Cu) and the electrolyte is dispersed in a solvent and formed in slurry, and the slurry is applied to a porous supporting substrate or the electrolyte 1 and baked.例文帳に追加

少なくともニッケル（Ｎｉ）と銅（Ｃｕ）を含む出発原料および電解質からなる燃料極材料固体混合物を溶剤に分散させて、スラリー化させ、金属あるいはセラミックスからなる多孔質支持基体あるいは電解質１上に塗付し、焼成する。 - 特許庁

As electrode material, W-based electrode material such as W-Ag, W-Cu and W-Au is formed in through-holes 2, so that a board material, having W-based electrodes 3 which is dense and superior in thermal resistance and has small working step-difference to a board, is obtained.例文帳に追加

電極材としてＷ−Ａｇ,Ｗ−Ｃｕ,Ｗ−ＡｕなどのＷ系電極材をスルーホール２に形成することにより、緻密で基板１との加工段差の小さい耐熱性にすぐれたＷ系電極３を有する基板材料を得る。 - 特許庁

The rolled copper foil comprises copper (Cu) with inevitable impurities, and includes as additive elements: boron (B) as an additive element; a metal which has a crystal structure other than a face-centered cubic structure and is solid-solved in the copper; and a metal which has a crystal structure of a face-centered cubic structure and is solid-solved in the copper.例文帳に追加

圧延銅箔は、銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物に、添加元素として、硼素（Ｂ）と、面心立方構造以外の結晶構造を有し、銅に固溶する金属と、面心立方構造の結晶構造を有し、銅に固溶する金属とを含んでいる。 - 特許庁

The method is characterized in that, using flexibility of a metallic or metallic alloy porous body containing Ni, Cu, Ti, Al, Ag or W, the porous body is inserted into the gap to strengthen the weld zone in combination with the carrying of a brazing filler metal.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ或いはＷを含む金属或いは合金金属の多孔体の柔性を利用して、該間隙に多孔体を挿入し、且つ挿入される多孔体をしてろう材の担持と併せて接合部を強化せしめることを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor device 100 is provided with: a semiconductor chip 102; AlCu pads 107 formed on the semiconductor chip 102, containing Al as a main constituent and further containing Cu; and CuP wires 111 being connection members connecting inner leads 117 arranged in the outside of the semiconductor chip 102 to the semiconductor chip 102, and mainly containing Cu; and is sealed by a sealing resin 115 substantially without containing halogen.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体チップ１０２、半導体チップ１０２に設けられ、Ａｌを主成分としＣｕをさらに含むＡｌＣｕパッド１０７、および、半導体チップ１０２の外部に設けられたインナーリード１１７と半導体チップ１０２とを接続するとともに、Ｃｕを主として含む接続部材であるＣｕＰワイヤ１１１を備え、実質的にハロゲンを含まない封止樹脂１１５により封止されている。 - 特許庁

To form an antiferromagnetic layer in a higher-vacuum by suppressing inter-layer bonding caused between a fixed magnetized layer and a variable magnetized layer even when a Cu film forming a nonmagnetic layer is made thin.例文帳に追加

非磁性層となるＣｕ膜を薄膜化した場合でも、磁化固定層と磁化自由層との間に作用する層間結合を抑制することを可能とし、反強磁性層をより高真空の状態で成膜することを可能とする。 - 特許庁

The brazing filler metal is composed by mixing copper powder and quarternary alloy powder which comprises, in a composition ratio, 0.1-27.4 mass% Sn, 0.8-5.1 mass% Ni, 2.2-10.9 mass% P and the balance being Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

０．１〜２７．４質量％のスズ、０．８〜５．１質量％のニッケル、２．２〜１０．９質量％のリン、残部が銅および不可避不純物の組成比率で構成された４元合金粉未と、銅粉末とを混合してろう材を構成する。 - 特許庁

When the same data are continuously inputted, a writing control part 11 stores the first data of the data in a memory as writing data DAI and outputs a count-up signal CU each time the same data are inputted.例文帳に追加

書込制御部１１は、同一データが連続して入力されるとき、当該データの最初のデータをメモリ１２に書込データＤＡＩとして格納するとともに、同一データが入力される毎にカウントアップ信号ＣＵを出力する。 - 特許庁

In addition, the carbide is present by surrounding the circumference of Cr, whereby current-carrying performance of the matrix containing either of Cu and Ag as a main constituent can be secured and a low surge property improving action can be exerted.例文帳に追加

さらにこの炭化物は、おもにＣｒの周辺を囲んで存在することにより、ＣｕまたはＡｇのいずれか一方を主成分としたマトリックスの通電性能を確保し、前述の低サージ性向上作用を発揮できる。 - 特許庁

The corrective PWM signal Cu is 1 (the switching element on an upper arm side is on) during the period of Tu in which pre-correction times Tu1 and Tu2 are added together, but is 0 (the switching element on a lower arm side is on) during the remaining period (2×Tc-Tu).例文帳に追加

補正ＰＷＭ信号Ｃｕは、補正前の時間Ｔｕ１とＴｕ２とを合わせたＴｕの期間で１（上アーム側のスイッチング素子がオン）となり、残る（２・Ｔｃ−Ｔｕ）の期間で０（下アーム側のスイッチング素子がオン）となる。 - 特許庁

As the mechanical strength is increased by infiltration of Cu on a contact part of the roller 2 and the blade 3, the fracture caused by the concentration of stress on the contact part of the roller 2 and the blade 3 in starting the switch compressor 1 and the like, can be prevented.例文帳に追加

さらに、ローラ２とブレード３との接続部分にＣｕを溶浸して機械強度を上げているので、スイング圧縮機１の起動時等におけるローラ２とブレード３との接続部分の応力集中による破損を回避できる。 - 特許庁

To provide a Cu-N-Si based copper alloy sheet which has satisfactory fatigue resistance and spring properties and has excellent stress relaxation resistance even if being used in a high temperature-high vibration environment for a long time after being bent into a prescribed shape as the material for various electronic parts.例文帳に追加

各種電子部品の素材として所定形状に曲げ加工後に長時間に亘り高温・高振動環境下で使用されても良好な耐疲労特性およびばね特性を有し耐応力緩和特性に優れる。 - 特許庁

This wear resistant copper or copper base alloy is the one in which an oxidized film layer of 10 to 1000 nm thickness is formed on the topmost surface, and an intermetallic compd. layer essentically consisting of Cu-Sn of 0.1 to 10 μm thickness is formed on the inside.例文帳に追加

最表面に厚さ１０〜１０００ｎｍの酸化皮膜層とその内側に厚さ０．１〜１０μｍのＣｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物層を形成させる耐摩耗性銅または銅基合金とする。 - 特許庁

This heat radiating body is composed of a compact 1 consisting of a mixture of Cu powder and cuprous oxide powder and incorporated with a heat pipe 3 in which a working solution to be evaporated and condensed at prescribed temperature is stored.例文帳に追加

Ｃｕの粉末と酸化第１銅の粉末の混合物より構成され、内部に、所定の温度で蒸発し、凝縮する作動液を収容したヒートパイプ３を内蔵させた成型体１によって放熱体を構成する。 - 特許庁

This catalyst for a fuel cell contains tungsten carbide for which a half-value width of the maximum diffraction peak in a region having a diffraction angle 2θ(±0.3°) of 40°-60° by an X-ray diffraction method (Cu-K_α ray) is not less than 0.80°.例文帳に追加

Ｘ線回折法（Ｃｕ−Ｋ_α線）による回折角２θ（±０．３゜）が４０゜以上６０゜以下の領域における最大回折ピークの半値幅が、０．８０゜以上である炭化タングステンを含有する燃料電池用触媒。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a Cu wiring containing a basic crystal structure which is not affected by variation in wiring width and capable of reducing a surface defect to a level lower than a practicable level, and to provide its inspecting technique.例文帳に追加

配線幅の変遷に影響されない、表面欠陥を実用可能なレベルよりさらに低いレベルまで低減できる基本的な結晶構造を具備したＣｕ配線を有する半導体装置及びその検査技術を提供する。 - 特許庁

The copper alloy rolled foil comprises, by weight, 0.05 to 0.2% Sn and 0.005 to 0.02% P, and the balance Cu, and its crystal grain size in a state of being annealed before final cold rolling is ≤20 μm.例文帳に追加

０.０５〜０.２重量％のＳｎ、０.００５〜０.０２重量％のＰ、及び残部のＣｕからなる銅合金圧延箔であって、最終冷間圧延前の焼鈍された状態での結晶粒径が２０μｍ以下である。 - 特許庁

The trolley wire contains ≥0.05 mass% but <0.1 mass% In and the balance being Cu and unavoidable impurities and has a tensile strength of ≥400 MPa and an electric conductivity of ≥95% IACS.例文帳に追加

Ｉｎが０．０５質量％以上０．１質量％未満であり、残部がＣｕと不可避不純物で構成されて、引張強さが４００ＭＰａ以上、導電率が９５％ＩＡＣＳ以上であることを特徴とするトロリー線。 - 特許庁

To provide a technique for reducing the generation of splashes, particularly, initial splashes in the case an Al-(Ni, Co)-(La, Nd) based alloy or an Al-(Ni, Co)-(La, Nd)-(Cu, Ge) based alloy is used as a sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングターゲットとしてＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）系合金またはＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）系合金を用いた場合にスプラッシュ、特に初期スプラッシュの発生を低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

An optional Ni covering layer, a Cu-Sn alloy covering layer and a surface plating layer comprising an Sn covering layer are formed in this order on a copper or copper alloy sheet and graphite particles are dispersedly attached onto the Sn covering layer.例文帳に追加

銅又は銅合金板上に、Ｎｉ被覆層（必要に応じて）、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層及びＳｎ被覆層からなる表面めっき層がこの順に形成され、Ｓｎ被覆層の上に黒鉛粒子が分散して付着している。 - 特許庁

In a light emitting device having a light transmitting anode, for the purpose of lowering the resistance value of the anode, a conductive film having titanium (Ti), aluminum (Al), tantalum (Ta), tungsten (W), chrome (Cr), copper (Cu) or silver (Ag) is provided.例文帳に追加

透光性を有する陽極を有する発光装置において、陽極の抵抗値を下げるため、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）を有する導電膜を設ける。 - 特許庁

To provide a joining member having an excellent adhesion in which a defect harmful to the heat conductivity is eliminated and a practically sufficient joining strength is provided at the joined zone where such different kind of material as W and Cu or Ni whose heat expansion coefficients are largely different are joined.例文帳に追加

ＷとＣｕやＮｉのように、熱膨張係数の差が大きい異種材料において接合部で熱伝導性有害な欠陥のない密着性に優れ、実用十分な接合強度を有する接合体を提供する。 - 特許庁

The Cu alloy for the heat spreader has (100 to 200) N/mm^2 0.2% proof stress, ≥350 W/m.K thermal conductivity, 0.14 to 0.18 work hardening index and ≤25 μm grain size in a width direction of a rolled surface sheet.例文帳に追加

ヒートスプレッダ用Ｃｕ基合金は、０．２％耐力が１００〜２００Ｎ／ｍｍ^２、熱伝導率が３５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、加工硬化指数が０．１４〜０．１８、圧延表面板の幅方向の結晶粒径が２５μｍ以下である。 - 特許庁

The rolled copper foil has a composition comprising 0.01 to 0.2 mass% Sn so that the total of Sn and Cu is controlled to ≥99.9 mass%, and a recrystallized structure in which the average crystal grain size is ≤5 μm, and the maximum crystal grain size is ≤15 μm.例文帳に追加

Ｓｎを0.01〜0.2 mass％含有しＳｎとＣｕの合計が99.9 mass％以上であり、平均結晶粒径が５μｍ以下、最大結晶粒径が１５μm以下である再結晶組織を有することを特徴とする圧延銅箔。 - 特許庁

Connecting conditions of particles are improved by making whiskers 10 growing from the Sn coating layer 7 of adjoining Cu particles 6 intertwine with each other, and separation of particles is prevented in the thermal shock.例文帳に追加

隣接するＣｕ粒子６のＳｎコーティング層７から成長するウィスカ１０同士が絡み合うことで、粒子同士の接合状態を向上させ、熱衝撃時などにおいて、粒子同士が離間するのを阻止することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device, the Al electrode of the semiconductor element is connected with a bonding layer made of Ag or Cu interposed, and the bonding layer and the Al electrode are bonded to each other with an amorphous layer interposed therebetween.例文帳に追加

半導体素子のＡｌ電極がＡｇ又はＣｕで構成された接合層を介して接続され、前記接合層と前記Ａｌ電極とが非晶質層を介して接合している構造を備えた半導体装置を特徴とする。 - 特許庁

To provide an evaluation method for carrying out qualitative and quantitative analyses of Cu included in a silicon epitaxial wafer at high sensitivity; and a manufacturing method capable of providing a silicon epitaxial wafer having an excellent GOI characteristic.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるＣｕの定性、定量分析を高感度に行うための評価方法、及び、優れたＧＯＩ特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができる製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target through which a TaN film that is used as a barrier layer for Cu wirings and whose in-plane uniformity is, for instance, lens than 5% can be obtained with high reproducibility.例文帳に追加

Ｃｕ配線のバリア層などとして用いられるＴａＮ膜において、面内均一性を例えば5%以下とすることが望まれており、そのようなＴａＮ膜を再現性よく得ることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。 - 特許庁

The surfaces of the SiC films expected to come into contact with the Ta film 28 is placed in an Si rich state and then the Ta film 28 can be controlled into a crystal structure suppressing penetration of Cu.例文帳に追加

Ｔａ膜２８と接触することとなるＳｉＣ膜の表面をあらかじめＳｉリッチな状態にしておくことにより、Ｔａ膜２８をＣｕの突き抜けが抑えられるような結晶構造に制御することが可能になる。 - 特許庁

In addition, the massive graphite particle group has an apparent density of 0.70 g/cm^3 or more by the tap method, with an ash content of 0.5 mass% or less, and with a total of Fe, Cu, and Zn by the acid extracting ICP analysis of 100 ppm or less.例文帳に追加

なお、塊状黒鉛粒子群は、タップ法による見掛け密度が０．７０ｇ／ｃｍ^3 以上で、灰分が０．５質量％以下、酸抽出ＩＣＰ分析によるＦｅ，Ｃｕ，Ｚｎの総和が１００ｐｐｍ以下である。 - 特許庁

Parts other than a region of the seed layer 14 in the groove 10A are selectively removed by etching and thereafter, a metal 15 (e.g. copper (Cu)) is selectively grown on the seed layer 14 by plating to form a wire layer L1.例文帳に追加

エッチングにより、シード層１４の溝１０Ａ内の領域以外の部分を選択的に除去した後、めっきによりシード層１４上に金属１５（例えば銅（Ｃｕ））を選択的に成長させて配線層Ｌ１を形成する。 - 特許庁

The device further includes a means DCM which intervenes in a link and compensates wavelength variance, and the means DCM executes compensation that is dynamically adjusted by the controlling means CU so as to optimize the quality of received optical signal Srλ.例文帳に追加

装置は、さらに、リンクに介在して波長分散を補償する手段ＤＣＭを含み、この手段は、受信した光信号Ｓｒλの品質を最適化するように制御手段により動的に調整される補償を実施する。 - 特許庁