「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

Crystal A: the crystal of the optically active 4-amino-3-(4-chlorophenyl)butanoic acid having diffraction peaks in 8.7 to 9.4° range, 12.2 to 12.8° range and 24.8 to 25.4° range diffraction angle 2θ in a powder X-ray diffraction measurement at a Cu-Kα wavelength.例文帳に追加

Ａ晶： Ｃｕ−Ｋα波長の粉末Ｘ線回折測定において、回折角２θが８．７°〜９．４°の範囲内、１２．２°〜１２．８°の範囲内および２４．８°〜２５．４°の範囲内に回折ピークを有する光学活性４−アミノ−３−（４−クロロフェニル）ブタン酸の結晶。 - 特許庁

Crystal B: the crystal of the optically active 4-amino-3-(4-chlorophenyl)butanoic acid having diffraction peaks in 20.8 to 21.4° range, 26.7 to 27.3° range and 29.7 to 30.3° range diffraction angle 2θ in the powder X-ray diffraction measurement at the Cu-Kα wavelength.例文帳に追加

Ｂ晶： Ｃｕ−Ｋα波長の粉末Ｘ線回折測定において、回折角２θが２０．８°〜２１．４°の範囲内、２６．７°〜２７．３°の範囲内および２９．７°〜３０．３°の範囲内に回折ピークを有する光学活性４−アミノ−３−（４−クロロフェニル）ブタン酸の結晶。 - 特許庁

The copper alloy material has a composition comprising, by mass, 0.05 to 0.3 mass% Zr, and comprising one or more kinds selected from Mg, Ti, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Ag, In and Sn by 0.01 to 0.3 mass% in total, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

銅合金材は、Ｚｒを０．０５〜０．３質量％含有し、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎの中から選択した１種以上を総量で０．０１〜０．３質量％含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

To sufficiently cope with further large-scale integration in the future in a semiconductor device, by improving the corrosion resistance of a fuse and suppressing the generation of corrosion by disconnection for the fuse constituting a wiring structure together with wiring (especially wiring containing Cu).例文帳に追加

配線（特にＣｕを含有する配線）と共に配線構造を構成するヒューズについて、当該ヒューズのコロージョン耐性を高め、切断によるコロージョンの発生を抑制して、半導体装置における将来の更なる大規模集積化に十分対応する。 - 特許庁

In this way, even in the case the surface of the object to be plated does not exhibit catalytic activity, the surface of the object to be plated is activated to start plating reaction, thus a metallic film of Cu, Ni or the like can be precipitated over the surface of the object to be plated.例文帳に追加

これにより被めっき物表面が触媒活性を示さない場合であってもエネルギ障壁が低下し、前記被めっき物表面が活性化してめっき反応を開始し、被めっき物表面にＣｕやＮｉ等の金属皮膜を析出させることができる。 - 特許庁

To provide a method for recovering an NbTi alloy where, when an NbTi alloy is recovered from an NbTi-based superconducting wire rod, which can be performed in a short time while evading the use of toxic gas and dangerous substance, and in which the residual concentration of Cu can be reduced as much as possible.例文帳に追加

ＮｂＴｉ系超電導線材からＮｂＴｉ合金を回収するに際し、毒性ガスや危険物の使用を回避しつつ、短時間で実施でき、しかもＣｕ残存濃度を極力低減できるようなＮｂＴｉ合金の回収方法を提供する。 - 特許庁

The catalyst body is characterized by having a form in which a powder of mainly one element selected from among Ni, Co, and Cu existing in a mesh structure body and/or firmly adhering to it surface and the powder has a porous surface formed by partial elution.例文帳に追加

本発明はメッシュ構造体中および／またはその表面上に、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕから選ばれる１種を主成分とする粉末が固着した形態をなし、該粉末は、部分溶出された多孔質表面を有することを特徴とする触媒体である。 - 特許庁

As one example of the production method, in addition to Cr and Cu, the powder of W and/or Mo is mixed, thereafter, the mixture is sintered and is cooled at a cooling rate of ≤30°C/min, and the obtained sintered compact is subjected to aging heat treatment in the temperature range of 500 to 750°C.例文帳に追加

その製造方法の一例として、ＣｒとＣｕに加えてＷおよび／またはＭｏの粉末を混合した後、焼結して３０℃／分以下の冷却速度で冷却し、得られた焼結体を５００〜７５０℃の温度範囲で時効熱処理する。 - 特許庁

To provide a melting and removing method of impurity in iron, with which the impurities of harmful Cu, Sn, etc. to the material and the stable production from a viewpoint of the production of a steel material when recycling an iron scrap, etc., can efficiently be removed in the molten state.例文帳に追加

鉄スクラップ等のリサイクルに際して鋼材製造の観点から材質と安定製造に有害なＣｕ、Ｓｎ等の不純物元素を溶融状態で安価に効率よく除去することができる鉄中不純物元素の溶融除去方法を提供すること。 - 特許庁

The anchor connector 2 is provided with a connecting projecting section 5 which is constituted of the Cu alloy containing Si and Zn and not containing Pb to a projecting shape and has slits 11 extending in an axial direction, which gives elasticity in an axial direction to the section 5.例文帳に追加

アンカーコネクタ２は、ＳｉとＺｎとを含有する一方Ｐｂを含有しないＣｕ合金で突起状に構成され、軸方向に延びるスリット１１が形成されて該スリット１１により軸直方向への弾性が付与された接続突起部５を備えている。 - 特許庁

Next, the rough film 110 which is released from the base material, is stored in a vacuum chamber, the metallic film is formed on the roughened surface by a Cr sputtering process (122) and a Cu sputtering process (123) in that order, and further, copper is plated on the metallic film to obtain the metal-coated substrate 130.例文帳に追加

次に基材から剥がした粗化フィルムを真空チャンバ内に収容して、Ｃｒスパッタ（１２２）、Ｃｕスパッタ（１２３）を順にすることにより粗化面上に金属薄膜を形成し、更にその上にＣｕメッキすることにより金属被覆基板１３０を得る。 - 特許庁

The rolled copper foil comprises copper (Cu) with inevitable impurities and includes as additive elements: titanium (Ti); a metal which has a crystal structure other than a face-centered cubic structure and is solid-solved in the copper; and a metal which has a crystal structure of a face-centered cubic structure and is solid-solved in the copper.例文帳に追加

圧延銅箔は、銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物に、添加元素として、チタン（Ｔｉ）と、面心立方構造以外の結晶構造を有し、銅に固溶する金属と、面心立方構造の結晶構造を有し、銅に固溶する金属を含んでいる。 - 特許庁

A fuel electrode material solid mixture comprising a starting material containing at least nickel (Ni) and copper (Cu) and the electrolyte is dispersed in a solvent and formed in slurry, and the slurry is applied to a porous supporting substrate or the electrolyte 1 and baked.例文帳に追加

少なくともニッケル（Ｎｉ）と銅（Ｃｕ）を含む出発原料および電解質からなる燃料極材料固体混合物を溶剤に分散させて、スラリー化させ、金属あるいはセラミックスからなる多孔質支持基体あるいは電解質１上に塗付し、焼成する。 - 特許庁

By allowing a reformed gas 8 of hydrocarbon fuel with addition of oxygen or air to flow in the gas passage 16 and bringing into contact with the Cu-based CO selective oxidation catalyst 17, CO in the reformed gas 9 is selectively oxidized to reduce the CO concentration.例文帳に追加

炭化水素系燃料の改質ガス８を、酸素又は空気を添加した状態でガス流路１６に流してＣｕ系ＣＯ選択酸化触媒１７と接触させることで、改質ガス９中のＣＯを選択的に酸化させてＣＯ濃度を低減させる。 - 特許庁

As electrode material, W-based electrode material such as W-Ag, W-Cu and W-Au is formed in through-holes 2, so that a board material, having W-based electrodes 3 which is dense and superior in thermal resistance and has small working step-difference to a board, is obtained.例文帳に追加

電極材としてＷ−Ａｇ,Ｗ−Ｃｕ,Ｗ−ＡｕなどのＷ系電極材をスルーホール２に形成することにより、緻密で基板１との加工段差の小さい耐熱性にすぐれたＷ系電極３を有する基板材料を得る。 - 特許庁

The rolled copper foil comprises copper (Cu) with inevitable impurities, and includes as additive elements: boron (B) as an additive element; a metal which has a crystal structure other than a face-centered cubic structure and is solid-solved in the copper; and a metal which has a crystal structure of a face-centered cubic structure and is solid-solved in the copper.例文帳に追加

圧延銅箔は、銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物に、添加元素として、硼素（Ｂ）と、面心立方構造以外の結晶構造を有し、銅に固溶する金属と、面心立方構造の結晶構造を有し、銅に固溶する金属とを含んでいる。 - 特許庁

The method is characterized in that, using flexibility of a metallic or metallic alloy porous body containing Ni, Cu, Ti, Al, Ag or W, the porous body is inserted into the gap to strengthen the weld zone in combination with the carrying of a brazing filler metal.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ或いはＷを含む金属或いは合金金属の多孔体の柔性を利用して、該間隙に多孔体を挿入し、且つ挿入される多孔体をしてろう材の担持と併せて接合部を強化せしめることを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor device 100 is provided with: a semiconductor chip 102; AlCu pads 107 formed on the semiconductor chip 102, containing Al as a main constituent and further containing Cu; and CuP wires 111 being connection members connecting inner leads 117 arranged in the outside of the semiconductor chip 102 to the semiconductor chip 102, and mainly containing Cu; and is sealed by a sealing resin 115 substantially without containing halogen.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体チップ１０２、半導体チップ１０２に設けられ、Ａｌを主成分としＣｕをさらに含むＡｌＣｕパッド１０７、および、半導体チップ１０２の外部に設けられたインナーリード１１７と半導体チップ１０２とを接続するとともに、Ｃｕを主として含む接続部材であるＣｕＰワイヤ１１１を備え、実質的にハロゲンを含まない封止樹脂１１５により封止されている。 - 特許庁

To provide manufacturing means by which vibration (run-out deviation) during wire drawing is not generated even when high-speed wire drawing is continued for a long time in the wire drawing operation of bonding wires such as an Au-wire, an Al-wire and a Cu-wire as a metallic wire.例文帳に追加

金属線材としてのＡｕ線、Ａｌ線、Ｃｕ線等のボンディングワイヤの伸線作業において高速伸線を長時間継続しても伸線中の振動（ブレ現象）が生じない製造手段を提供する。 - 特許庁

The steel excellent in sulfuric-acid dew-point corrosion resistance contains, by mass, ≤0.010% C, ≤0.10% Si, 0.05 to 1.00% Cu, ≤0.030% P, ≤0.050% S, ≤0.10% Al and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

質量％で、Ｃ：≦０．０１０％、Ｓｉ：≦０．１０％、Ｃｕ：０．０５〜１．００％、Ｐ：≦０．０３０％、Ｓ：≦０．０５０％、Ａｌ：≦０．１０％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる耐硫酸露点腐食性に優れた鋼。 - 特許庁

To provide a superconducting element which is excellent in high frequency characteristics by improving grain growth and c-axis orientation of a superconducting body and suppressing volatilization of volatile components and dispersion of Cu at the time of heating a metal thickness film.例文帳に追加

超伝導体の粒成長およびｃ軸配向を促進させると同時に、金属厚膜加熱時に超伝導体からの揮発成分の揮発やＣｕの拡散を抑制し、高周波特性に優れた超伝導素子を提供する。 - 特許庁

Connecting conditions of particles are improved by making whiskers 10 growing from the Sn coating layer 7 of adjoining Cu particles 6 intertwine with each other, and separation of particles is prevented in the thermal shock.例文帳に追加

隣接するＣｕ粒子６のＳｎコーティング層７から成長するウィスカ１０同士が絡み合うことで、粒子同士の接合状態を向上させ、熱衝撃時などにおいて、粒子同士が離間するのを阻止することができる。 - 特許庁

This heat-resistant aluminum alloy, excellent in toughness, contains 5.0-6.5 mass% Cu, 0.05-1.0 mass% Mg, 0.10-0.35 mass% Zn, 0.05-1.0 mass% Ag, and the balance Al with unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｃｕ：５．０〜６．５質量％、Ｍｇ：０．０５〜１．０質量％、Ｚｎ：０．１０〜０．３５質量％、Ａｇ：０．０５〜１．０質量％を含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなる靭性に優れた耐熱アルミニウム合金。 - 特許庁

The electrode reaction part contains anode activator containing Sn and first elements (Zn, Al, Ag, In, Sb, Pb or the like) other than Sn not electrochemically reacting with Li, and second elements (Co, Cu, Mn, Fe, Ni, Cr or the like) not electrochemically reacting with Li.例文帳に追加

電極反応部は、Ｓｎと、Ｓｎ以外でＬｉと電気化学的に反応可能な第１元素（Ｚｎ，Ａｌ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｐｂなど）と、Ｌｉと電気化学的に反応しない第２元素（Ｃｏ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒなど）とを含む負極活物質を含有している。 - 特許庁

The Cu alloy for the heat spreader has (100 to 200) N/mm^2 0.2% proof stress, ≥350 W/m.K thermal conductivity, 0.14 to 0.18 work hardening index and ≤25 μm grain size in a width direction of a rolled surface sheet.例文帳に追加

ヒートスプレッダ用Ｃｕ基合金は、０．２％耐力が１００〜２００Ｎ／ｍｍ^２、熱伝導率が３５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、加工硬化指数が０．１４〜０．１８、圧延表面板の幅方向の結晶粒径が２５μｍ以下である。 - 特許庁

The rolled copper foil has a composition comprising 0.01 to 0.2 mass% Sn so that the total of Sn and Cu is controlled to ≥99.9 mass%, and a recrystallized structure in which the average crystal grain size is ≤5 μm, and the maximum crystal grain size is ≤15 μm.例文帳に追加

Ｓｎを0.01〜0.2 mass％含有しＳｎとＣｕの合計が99.9 mass％以上であり、平均結晶粒径が５μｍ以下、最大結晶粒径が１５μm以下である再結晶組織を有することを特徴とする圧延銅箔。 - 特許庁

To provide a joining member having an excellent adhesion in which a defect harmful to the heat conductivity is eliminated and a practically sufficient joining strength is provided at the joined zone where such different kind of material as W and Cu or Ni whose heat expansion coefficients are largely different are joined.例文帳に追加

ＷとＣｕやＮｉのように、熱膨張係数の差が大きい異種材料において接合部で熱伝導性有害な欠陥のない密着性に優れ、実用十分な接合強度を有する接合体を提供する。 - 特許庁

When the same data are continuously inputted, a writing control part 11 stores the first data of the data in a memory as writing data DAI and outputs a count-up signal CU each time the same data are inputted.例文帳に追加

書込制御部１１は、同一データが連続して入力されるとき、当該データの最初のデータをメモリ１２に書込データＤＡＩとして格納するとともに、同一データが入力される毎にカウントアップ信号ＣＵを出力する。 - 特許庁

To form an antiferromagnetic layer in a higher-vacuum by suppressing inter-layer bonding caused between a fixed magnetized layer and a variable magnetized layer even when a Cu film forming a nonmagnetic layer is made thin.例文帳に追加

非磁性層となるＣｕ膜を薄膜化した場合でも、磁化固定層と磁化自由層との間に作用する層間結合を抑制することを可能とし、反強磁性層をより高真空の状態で成膜することを可能とする。 - 特許庁

The brazing filler metal is composed by mixing copper powder and quarternary alloy powder which comprises, in a composition ratio, 0.1-27.4 mass% Sn, 0.8-5.1 mass% Ni, 2.2-10.9 mass% P and the balance being Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

０．１〜２７．４質量％のスズ、０．８〜５．１質量％のニッケル、２．２〜１０．９質量％のリン、残部が銅および不可避不純物の組成比率で構成された４元合金粉未と、銅粉末とを混合してろう材を構成する。 - 特許庁

In addition, the massive graphite particle group has an apparent density of 0.70 g/cm^3 or more by the tap method, with an ash content of 0.5 mass% or less, and with a total of Fe, Cu, and Zn by the acid extracting ICP analysis of 100 ppm or less.例文帳に追加

なお、塊状黒鉛粒子群は、タップ法による見掛け密度が０．７０ｇ／ｃｍ^3 以上で、灰分が０．５質量％以下、酸抽出ＩＣＰ分析によるＦｅ，Ｃｕ，Ｚｎの総和が１００ｐｐｍ以下である。 - 特許庁

The surfaces of the SiC films expected to come into contact with the Ta film 28 is placed in an Si rich state and then the Ta film 28 can be controlled into a crystal structure suppressing penetration of Cu.例文帳に追加

Ｔａ膜２８と接触することとなるＳｉＣ膜の表面をあらかじめＳｉリッチな状態にしておくことにより、Ｔａ膜２８をＣｕの突き抜けが抑えられるような結晶構造に制御することが可能になる。 - 特許庁

This catalyst for a fuel cell contains tungsten carbide for which a half-value width of the maximum diffraction peak in a region having a diffraction angle 2θ(±0.3°) of 40°-60° by an X-ray diffraction method (Cu-K_α ray) is not less than 0.80°.例文帳に追加

Ｘ線回折法（Ｃｕ−Ｋ_α線）による回折角２θ（±０．３゜）が４０゜以上６０゜以下の領域における最大回折ピークの半値幅が、０．８０゜以上である炭化タングステンを含有する燃料電池用触媒。 - 特許庁

This wear resistant copper or copper base alloy is the one in which an oxidized film layer of 10 to 1000 nm thickness is formed on the topmost surface, and an intermetallic compd. layer essentically consisting of Cu-Sn of 0.1 to 10 μm thickness is formed on the inside.例文帳に追加

最表面に厚さ１０〜１０００ｎｍの酸化皮膜層とその内側に厚さ０．１〜１０μｍのＣｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物層を形成させる耐摩耗性銅または銅基合金とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a Cu wiring containing a basic crystal structure which is not affected by variation in wiring width and capable of reducing a surface defect to a level lower than a practicable level, and to provide its inspecting technique.例文帳に追加

配線幅の変遷に影響されない、表面欠陥を実用可能なレベルよりさらに低いレベルまで低減できる基本的な結晶構造を具備したＣｕ配線を有する半導体装置及びその検査技術を提供する。 - 特許庁

This heat radiating body is composed of a compact 1 consisting of a mixture of Cu powder and cuprous oxide powder and incorporated with a heat pipe 3 in which a working solution to be evaporated and condensed at prescribed temperature is stored.例文帳に追加

Ｃｕの粉末と酸化第１銅の粉末の混合物より構成され、内部に、所定の温度で蒸発し、凝縮する作動液を収容したヒートパイプ３を内蔵させた成型体１によって放熱体を構成する。 - 特許庁

To provide a sliding structure excellent in seizure resistance, including a sliding member having a Cu-based bearing alloy layer and a sliding object member having a diamond like carbon layer, and to provide a sliding member used for the sliding structure.例文帳に追加

Ｃｕ基軸受合金層を有する摺動部材とダイヤモンドライクカーボン層を有する被摺動部材とを備えたものであって、非焼付性に優れる摺動構造およびその摺動構造に用いる摺動部材を提供する。 - 特許庁

This muffler device is composed such that the catalyst unit CU is housed in the muffler case 20 while having a space and is supported by a communication pipe 54 which is a functional component of a muffler for passing an exhaust gas therethrough and is fixed to a separator 28.例文帳に追加

マフラーケース２０内に触媒ユニットＣＵを空隙を存して収容し、その触媒ケースＣＵをセパレータ２８に固定される、排ガスを流通させるための、マフラーの機能部品である連通管５４により支持した。 - 特許庁

This core material contains 0.1 to 0.6% Si, 0.3 to 0.5% Cu, 0.6 to 1.0% Mn, 0.1 to 0.3% Mg, and 0.005 to 0.20% Ti, is regulated in Fe to ≤0.3% and consists of the balance Al and impurities.例文帳に追加

また、前記芯材は、Ｓｉ：０．１〜０．６％、Ｃｕ：０．３〜０．５％、Ｍｎ：０．６〜１．０％、Ｍｇ：０．１〜０．３％およびＴｉ：０．０５〜０．２０％を含み、Ｆｅが０．３％以下に規制され、残部がＡｌおよび不純物からなる。 - 特許庁

The silicon nitride sintered compact preferably contains rear earth element by 0.5-10 mass % in terms of oxide, and total of Al, Li, Na, K, Ca, Fe, Ni, Cr, Mo, Cu, Ba, Mn, and B, as impurity of cation elements by ≤0.03 mass %.例文帳に追加

また、前記高熱伝導性窒化けい素焼結体が希土類元素を酸化物に換算して０．５〜１０質量％，不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃａ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．０３質量％以下含有することが好ましい。 - 特許庁

To provide a Cu-N-Si based copper alloy sheet which has satisfactory fatigue resistance and spring properties and has excellent stress relaxation resistance even if being used in a high temperature-high vibration environment for a long time after being bent into a prescribed shape as the material for various electronic parts.例文帳に追加

各種電子部品の素材として所定形状に曲げ加工後に長時間に亘り高温・高振動環境下で使用されても良好な耐疲労特性およびばね特性を有し耐応力緩和特性に優れる。 - 特許庁

The copper alloy rolled foil comprises, by weight, 0.05 to 0.2% Sn and 0.005 to 0.02% P, and the balance Cu, and its crystal grain size in a state of being annealed before final cold rolling is ≤20 μm.例文帳に追加

０.０５〜０.２重量％のＳｎ、０.００５〜０.０２重量％のＰ、及び残部のＣｕからなる銅合金圧延箔であって、最終冷間圧延前の焼鈍された状態での結晶粒径が２０μｍ以下である。 - 特許庁

The trolley wire contains ≥0.05 mass% but <0.1 mass% In and the balance being Cu and unavoidable impurities and has a tensile strength of ≥400 MPa and an electric conductivity of ≥95% IACS.例文帳に追加

Ｉｎが０．０５質量％以上０．１質量％未満であり、残部がＣｕと不可避不純物で構成されて、引張強さが４００ＭＰａ以上、導電率が９５％ＩＡＣＳ以上であることを特徴とするトロリー線。 - 特許庁

To provide a technique for reducing the generation of splashes, particularly, initial splashes in the case an Al-(Ni, Co)-(La, Nd) based alloy or an Al-(Ni, Co)-(La, Nd)-(Cu, Ge) based alloy is used as a sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングターゲットとしてＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）系合金またはＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）系合金を用いた場合にスプラッシュ、特に初期スプラッシュの発生を低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

An optional Ni covering layer, a Cu-Sn alloy covering layer and a surface plating layer comprising an Sn covering layer are formed in this order on a copper or copper alloy sheet and graphite particles are dispersedly attached onto the Sn covering layer.例文帳に追加

銅又は銅合金板上に、Ｎｉ被覆層（必要に応じて）、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層及びＳｎ被覆層からなる表面めっき層がこの順に形成され、Ｓｎ被覆層の上に黒鉛粒子が分散して付着している。 - 特許庁