「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

In this audio and video data recording method, an original stream file and a postrecording data file are managed respectively as different files and also data are constituted as partial data (CU (Continuous Unit) and CA (Continuous Area)) which is divided for every prescribed spacing respectively in the original stream file and the postrecording data file.例文帳に追加

オリジナルストリームファイルとアフレコデータファイルとがそれぞれ別のファイルとして管理されると共に、オリジナルストリームファイルおよびアフレコデータファイルのそれぞれでは、所定の間隔毎に分割された部分データ（ＣＵおよびＣＡ）としてデータが構成される。 - 特許庁

The ornament comprises one or a plurality of first phases essentially consisting of Pt and one or a plurality of second phases comprising Cu in the surface, and in the surfaces of both the phases, the arithmetic average surface roughness of the first phase(s) is higher than that of the second phase(s).例文帳に追加

Ｐｔを主成分とする１または複数の第１相と、Ｃｕを含む１または複数の第２相と、を表面に有し、両相の表面において第１相は第２相よりも算術平均表面粗さが大きいこと。 - 特許庁

The super-extra-fine copper-alloy wire can be obtained by preparing a wire rod where Ag of ≥99.99 mass% purity is added in amounts of 1.0-5.0 mass% to high-purity Cu containing ≤1 mass ppm, in total, of inevitable impurities and subjecting the wire rod to wire drawing to ≤0.08 mm diameter.例文帳に追加

この超極細銅合金線は、不可避不純物の総和が１ ｍａｓｓｐｐｍ以下の高純度Ｃｕに、純度９９．９９ｍａｓｓ％以上のＡｇを１．０〜５．０ｍａｓｓ％添加した線材を直径０．０８ｍｍ以下に伸線したものである。 - 特許庁

To suppress and prevent the formation of a projecting part formed on the surface of a substrate caused by the impurities contained in water/and the atmosphere used in a cleaning and a drying stages and containing at least one of C, O, Al, Si, Fe, Cu, Zn and Zr.例文帳に追加

洗浄・乾燥工程で使用する水や雰囲気中に含まれる不純物が原因で基板表面上に形成されるＣ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部の形成を抑制し、防止する。 - 特許庁

To provide a magnesium oxide powder having good crystallinity in which the half width of the peak of a specific surface in the powder X-ray diffractometry using Cu-Kα line is 0.20 degree or less, respectively, and the crystallite diameter is not less than 700 Å.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｋα線を用いた粉末Ｘ線回折法における特定の面のピークの半価幅がそれぞれ０．２０度以下であり、かつ結晶子径が７００Å以上である結晶性が良好な酸化マグネシウム粉末を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device including the cleaning step of cleaning the embedded copper (Cu) plug after the plug is polished, no treatment using pure water is performed continuously after treatment using pure water is performed in the cleaning step.例文帳に追加

埋め込み形成された銅（Ｃｕ）プラグを研磨した後に洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法において、洗浄工程で行われる純水を用いた処理の後に、連続して純水を用いた処理を行わない。 - 特許庁

An electrical contact material for a connector is also provided, in which a metal layer comprising Ni, Sn, Al, Zn, Cu, In, or an alloy thereof is formed on a substrate and an electroconductive oxide layer or an electroconductive hydroxide layer is formed on the metal layer.例文帳に追加

基材上に、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｉｎまたはこれらの合金からなる金属層が形成されており、金属層の上に導電性酸化物層または導電性水酸化物層が形成されているコネクタ用電気接点材料。 - 特許庁

To use a Cu-Sn-P alloy as a working electrode for producing, with high current efficiency, hydrocarbon gases relatively insoluble in aqueous solution, such as methane and ethylene, as substitutes for petroleum in electrochemical reduction of carbon dioxides.例文帳に追加

二酸化炭素の電気化学的還元において石油代替物であるメタンやエチレンなど水溶液に比較的不溶性な炭化水素ガスを高電流効率に製造するために作用電極としてＣｕ／Ｓｎ／Ｐ合金を使用する事を提共する。 - 特許庁

There is provided a liquor obtained by filling one of wine, Sake, whisky, brandy, Shochu, Awamori and Laojiu in the glass container such as a bottle comprising soda lime glass as a base glass material and having Cu content in a range of CuO: 0.5-4.0 wt.% as an analytic value.例文帳に追加

ソーダライムガラスをベースガラス材料としＣｕの含有量が分析値においてＣｕＯ：０．５〜４．０重量パーセントの範囲内としたびん等のガラス容器内に、ワイン、清酒、ウイスキー、ブランデー、焼酎、泡盛、老酒のいずれかを充填して得た酒。 - 特許庁

In the lead-free solder alloy, ≥ 0.01% and < 0.1% Al, by weight, is added to the alloy of hypo-eutectic composition containing metal of one metal selected from a group consisting of Ag, In, Cu, Zn and Bi with Sn as a base metal.例文帳に追加

Ｓｎを母材としてＡｇ、Ｉｎ、Ｃｕ、ＺｎおよびＢｉからなる群より選ばれた一種類の金属を含有する亜共晶組成の合金にＡｌを０．０１ｗｔ％以上０．１ｗｔ％未満添加して鉛フリーはんだ合金とする。 - 特許庁

A gas occluding material is produced by loading a catalyst precursor such as Fe, Ni, Cu, Cr or Co onto a porous ceramic which has been obtained by unidirectional freeze vacuum drying and which is excellent in the gas permeability and low in the relative density, and then synthesizing carbon fibers in inner pores or on the surface of the ceramic using the formed catalyst.例文帳に追加

一方向凍結真空乾燥することによりガス透過能が優れる相対密度の低い多孔質セラミックスに、触媒となるＦｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｃｏ等の前駆体を坦持させ後、この触媒を用いて該セラミックスの内部気孔や表面に炭素繊維を合成し、ガス吸蔵体を作製する。 - 特許庁

The composite material includes: one or more first phases essentially consisting of Pt; and one or more second phases containing Cu, also, the reflectance of natural light in the surface monotonously increases to the wavelength in a visible light region, and further, the points of inflexion are provided in the range of 520 to 600 nm wavelength.例文帳に追加

Ｐｔを主成分とする１または複数の第１相と、Ｃｕを含む１または複数の第２相と、を有し、かつ、表面における自然光の反射率が可視光領域の波長に対して単調増加するとともに、変曲点を波長５２０〜６００ｎｍの範囲に有すること。 - 特許庁

The massage machine is provided with: a driving means for individually driving the treater back and forth in different shaft directions; and a control part CU for driving the driving means in the respective shaft directions on the basis of control data and making the treater make movements drawing required trajectories by the combination of the movements in the respective shaft directions.例文帳に追加

施療子を異なる軸方向に個別に往復駆動する駆動手段と、制御データに基づ（て各軸方向の駆動手段を駆動して各軸方向の動きの組み合わせで施療子に所要の軌跡を苗く動きを行わせる制御部ＣＵとを備える。 - 特許庁

At heat treatment, in a reaction in the interface of the core material and the coating layer 2 when Cu is included in the coating layer 2, a diffusion reaction is loosened compared to a reaction between a coating layer 2 consisting of a pure metal and the copper core material 1, so that sufficient adhesion is obtained even when the heat treatment temperature is raised.例文帳に追加

被覆層２にＣｕを含んでいると、熱処理時、芯材と被覆層２の界面における反応は、純金属からなる被覆層２と銅芯材１との間の反応に比べて拡散反応が緩やかとなって熱処理温度を上げても十分な密着性を得る。 - 特許庁

Ni-Cu-Zn based ferrite porcelain is obtained by including CuO in the range of 1.75 to 7.0 mol%, substituting a part of Fe_2O_3 with Mn_2O_3 in the range of 1.5 to 7.5 mol% (preferably 2 to 5 mol%), and sintering in an atmosphere having an oxygen concentration of ≤0.1 vol.%.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト磁器は、ＣｕＯが１．７５〜７．０mol％の範囲で含有されると共に、Ｆｅ_２Ｏ_３の一部が、１．５〜７．５mol％（好ましくは、２〜５mol％）の範囲でＭｎ_２Ｏ_３と置換され、かつ、酸素濃度が０．１体積％以下の雰囲気で焼結されてなる。 - 特許庁

Further, in the semiconductor device, the barrier film and the seed film are specified, and a proportion (frequency) of a corresponding (CSL) grain boundary in which the grain boundary Σ value is 3 in the whole crystal grain boundary of the Cu wiring is set at ≥40%, thereby an effect similar to surface defect reduction can be acquired.例文帳に追加

または、該半導体装置において、バリア膜及びシード膜を特定すると共に、Ｃｕ配線の全ての結晶粒界に占める、粒界Σ値３の対応（ＣＳＬ）粒界の割合（頻度）を４０％以上とすることにより、表面欠陥低減の同様の効果を得ることができる。 - 特許庁

In the semiconductor device 100 in which an insulating layer 105 having an overhung section 109 protruded from the end face of a silicon substrate 101 is formed on the element forming surface of the substrate 101, the overhung section 109 has Cu wiring 107 buried in the insulating layer 105.例文帳に追加

シリコン基板１０１の素子形成面に絶縁層１０５が設けられ、絶縁層１０５がシリコン基板１０１の端面から突出した張出部１０９を有する半導体装置１００において、張出部１０９は絶縁層１０５中に埋設されたＣｕの配線１０７を有する。 - 特許庁

To provide a brazing sheet excellent in formability as well as brazability (erosion resistance) in the brazing sheet for heat exchanger in which an Al-Si-Mg brazing filler metal is used for a shell material, an Al-Mn alloy or the alloy added with one kind or more among Mg, Cu, Ti, Si is used for a core material and these are cladded.例文帳に追加

Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系ろう材を皮材とし、Ａｌ−Ｍｎ系合金もしくはこれにＭｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｓｉの１種以上を添加した系の合金を芯材としてクラッドしてなる熱交換器用ブレージングシートにおいて、成形性とろう付け性（耐エロージョン性）とがともに優れたものを提供する。 - 特許庁

The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Cu and Mg in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, Zr in the ratio of 0.01 to 1.0 wt.% and/or Si in the ratio of 0.02 to 2.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Ｃｕ，Ｍｇから選択される少なくとも１種の元素を0.3〜10.0重量％、 Ｚｒを0.01〜1.0重量％及び／又はＳｉを0.02〜2.0重量％の割合で含有し、 残部が主成分であるＡｌと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁

Preferably, the powder contains Zn by 15-35 mol% in terms of ZnO and one, two, or more kinds of elements selected out of Ni, Mn, Cu, Mg, and Co by 15-50 mol% in total in terms of NiO, MnO, CuO, MgO and CoO.例文帳に追加

また、前記フェライト粉がＺｎＯ換算で１５〜３５ｍｏｌ％のＺｎを含有し、さらにはＮｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｍｇ及びＣｏの内から選ばれる１種又は２種以上を含有し、ＮｉＯ，ＭｎＯ、ＣｕＯ、ＭｇＯ、ＣｏＯに換算した合計量が１５〜５０ｍｏｌ％であることが好ましい。 - 特許庁

Since, in the tin-copper alloy plating bath, ditioaniline and a nonionic surfactant are jointly used, a tin-copper alloy film small in current density dependency can be obtd., and an Sn/Cu film compositional ratio can be stabilized in a wide region from low current density to high current density.例文帳に追加

スズ−銅合金メッキ浴にジチオジアニリンと特定のノニオン系界面活性剤を併用するため、電流密度依存性の小さいスズ−銅合金皮膜を得ることができ、低電流密度から高電流密度までの広い領域でＳｎ／Ｃｕ皮膜組成比を安定にできる。 - 特許庁

To provide an Ni-Cu-based brazing filler metal for a heat exchanger made of stainless steel, even if variation is present in the gaps of respective components, which can securely braze and fix the spaces in the contact parts of all the components, further, has high corrosion resistance in a fillet part after brazing, and has specified or more strength.例文帳に追加

各部品の隙間にバラつきが存在していても、全ての部品の接触部間を確実にろう付け固定できるとともに、ろう付け後のフィレット部の耐食性が高く、一定以上の強度を有するステンレス製熱交換器用Ｎｉ−Ｃｕ系ろう材を提供する。 - 特許庁

In the frame of spectacles, a bridge 3 or a browbar 4 or a temple 7 is formed of alloy containing Mn in the range of ≥5 wt% and ≤20 wt% and Al in the range of ≥3 wt% and ≤10 wt% and the balance Cu and an inevitable impurity element.例文帳に追加

Ｍｎが５ｗｔ％以上から２０ｗｔ％以下の範囲、Ａｌが３ｗｔ％以上から１０ｗｔ％以下の範囲を含み、残部Ｃｕと不可避不純物元素から構成された合金で、ブリッジ３、またはワタリ４、またはテンプル７が形成された眼鏡フレーム。 - 特許庁

To reduce friction coefficient and improve minute slide wear resistance in a fitting type connector consisting of a female terminal and a male terminal manufactured from a plate material with a surface covered layer in which a Cu-Sn alloy layer and an Sn layer are formed in this order on a surface of copper or copper alloy mother material.例文帳に追加

銅又は銅合金母材の表面にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ層がこの順に形成された表面被覆層付板材から製造されたメス端子とオス端子からなる嵌合型コネクタにおいて、摩擦係数を低減しかつ耐微摺動摩耗性を改善する。 - 特許庁

Deposited on a base substrate is a metal layer containing an alloy consisting of Cu and another metal of 20-50 weight % or a composite layer of Cu and the alloy, which is heat-treated to obtain an electrode with a thin film containing more other metals in the surface than the other portions.例文帳に追加

Ｃｕと２０〜５０ａｔ％の他の金属との合金層又は該合金層とＣｕ層との積層体を少なくとも含む金属層を基体上に形成し、金属層を熱処理することにより、金属層の表面に、表面以外の部分より他の金属を多く含む被膜を有する電極を形成することを特徴とする電極の形成方法により上記の課題を解決する。 - 特許庁

By using a mixed gas composed of CHF_3 and N_2 in forming interconnection grooves 30 on the Cu interconnections 21 by dry-etching a multilayer film including a silicon carbide/nitride film, sidewalls of the interconnection grooves 30 are worked perpendicular and the trouble allowing deposits or the insulating reaction byproducts to adhere on the surface of the Cu interconnections 21 exposed on the bottoms of the interconnection grooves 30 is suppressed.例文帳に追加

炭化窒化シリコン膜を含む積層膜をドライエッチングしてＣｕ配線２１の上部に配線溝３０を形成する際、ＣＨＦ_３とＮ_２とからなる混合ガスを使用することにより、配線溝３０の側壁を垂直に加工すると共に、配線溝３０の底部に露出したＣｕ配線２１の表面に堆積物や反応物が付着する不具合を抑制する。 - 特許庁

To cut even a Cu-Ga alloy ingot, which is manufactured by, for example, the dissolved casting and has relatively large composition ratio of Ga, into a desired shape without causing cracking, cracking or chipping, and to provide a sputtering target consisting of a Cu-Ga alloy and having an excellent surface smoothness Ra of ≤0.1 μm by the surface polishing in a relatively short period of time.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の形状に切断し、Ｒａが０．１μｍ以下の優れた表面平滑性を有するＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを比較的短時間の表面研磨により提供する。 - 特許庁

This complex-material 10 for brazing is formed of the brazed layer 15 on the surface of a base material 11, and on the surface of the above base material 11, the brazed layer 15 constituted of Ti or Ti alloy layer 12 and Cu or Cu alloy layer 13 is formed and the ratio of Ti component occupied in the whole brazed layer is made ≤10 wt%.例文帳に追加

本発明に係るろう付け用複合材１０は、基材１１の表面にろう付け層１５を形成してなるものであって、上記基材１１の表面に、Ｔｉ又はＴｉ合金層１２とＣｕ又はＣｕ合金層１３とで構成されるろう付け層１５を形成し、かつ、そのろう付け層１５全体に占めるＴｉ成分の割合を１０ｗｔ％以下に形成したものである。 - 特許庁

The toner contains a styrene polymer or a styrene-acrylic acid derivative copolymer as a binder resin, a Cu phthalocyanine derivative whose solubility in styrene at 25°C is ≤5 mass%, and carbon black or a Cu phthalocyanine pigment as a colorant, wherein toner particles whose circularity is <0.950 occupy 1-30% and a standard deviation of circularity is 0.010-0.040.例文帳に追加

結着樹脂として、スチレン重合体またはスチレン−アクリル酸誘導体の共重合体と、２５℃におけるスチレンへの溶解度が５質量％以下のＣｕフタロシアニン誘導体と、着色剤としてカーボンブラックまたはＣｕフタロシアニン顔料を含有し、円形度０．９５０未満のトナー粒子が１〜３０％で円形度標準偏差が０．０１０〜０．０４０であるトナーとする。 - 特許庁

A sliding layer is formed from an alloy containing Sn, Sb, and Cu, wherein the mix proportion is 5-20 wt.% St, 0.5-20 wt.% Cu, and Sn as remainder, characterized by that lead content is <0.7 wt.%, the total content of the other components is <0.5 wt.%, and that Sn crystals in the sliding bearing layer have chiefly globular shape.例文帳に追加

滑り層は合金成分スズ、アンチモンおよび銅を含む合金から形成され、前記成分の割合が、アンチモン：５〜２０重量％、銅：０．５〜２０重量％、残部：スズであり、ここで、鉛の含有量が＜０．７重量％、他の成分の総含有量が＜０．５重量％であり、滑り軸受層においてスズ結晶が主に球状であることを特徴とする。 - 特許庁

Additionally, the thickness of the barrier film 30 is set to the film thickness for preventing the diffusion of the Cu atoms on an interlayer insulating film 7 below upper-layer wiring 21, thus improving EM resistance, and forming optimum wiring structure in terms of the prevention of Cu contamination.例文帳に追加

上層配線のビアプラグ１１と下層配線５との間に挟まれるバリア膜２０の膜厚をＣｕ原子が上下に互いに拡散出来る膜厚とし、さらに、上層配線２１の下の層間絶縁膜７上ではＣｕ原子の拡散を防止できる厚さのバリア膜３０とすることにより、ＥＭ耐性向上、Ｃｕ汚染防止の面から見て最適な配線構造を形成することができる。 - 特許庁

The plated material comprises an undercoating layer 2 consisting of any one of metals belonging to group 4, group 5, group 6, group 7, group 8 or group 9 of the periodic table or an alloy containing any one of those metals as a main component, an intermediate coating layer 3 of Cu or a Cu alloy, and a top-coating layer of Sn or an Sn alloy in this order.例文帳に追加

本めっき材料は、導電性基体１の表面に、周期律表４族、５族、６族、７族、８族、もしくは９族に含まれるいずれか１種の金属またはそれを主成分とする合金から成る下地めっき層２と、ＣｕまたはＣｕ合金から成る中間めっき層３と、ＳｎまたはＳｎ合金から成る表面めっき層とをこの順序で形成したものである。 - 特許庁

The nickel hydroxide particles with the covering layer containing cobalt in which the average oxidation number of cobalt in the covering layer exceeds 2 is used, and high crystalline lithium cobaltate particles in which a half-value width (2θ) of a peak of a (101) face in powder X-ray diffraction using Cu-Kα is 0.15° or less is used.例文帳に追加

コバルトを含む被覆層を備える水酸化ニッケル粒子としては、被覆層のコバルトの平均酸化数が２を超えたものを用い、コバルト酸リチウム粒子としては、Ｃｕ−Ｋαを用いた粉末Ｘ線回折における（１０１）面のピークの半値幅（２θ）が０．１５°以下の結晶性の高いものを用いる。 - 特許庁

The method of growing single crystal and the device for glowing single crystal is characterized in that in the case of growing single crystal by Czochralski method, there is provided a cooling cylinder 11 which is made of Cu or a metal having lager thermal conductivity than the Cu, in the vicinity of crystal growing interface, surrounding the growing single crystal, and cooling the crystal growing interface forcedly by a coolant flowing through the cooling cylinder.例文帳に追加

チョクラルスキー法により単結晶を育成する方法において、少なくとも結晶成長界面近傍に、引上げ中の単結晶を取り囲むように、銅または銅より熱伝導度の大きい金属により形成された冷却筒１１を配置し、該冷却筒に冷却媒体を流通することによって、結晶成長界面近傍を強制的に冷却しながら単結晶を育成することを特徴とする単結晶育成方法ならびに単結晶育成装置。 - 特許庁

A Li(lithium) component, a P(phosphorus) component and A component(where, A is one kind selected from Co, Ni, Mn, Fe, Cu, and Cr) are added to liquid such as water and the like, and it is heated in a vessel to synthesize the Li_xA_yPO_4.例文帳に追加

水などの液体にＬｉ（リチウム）成分およびＰ（リン）成分およびＡ成分（ただし、ＡはＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｆｅ、Ｃｕ，Ｃｒから選ばれた１種）を加え、これを容器中で加熱してＬｉ_ｘＡ_ｙＰＯ_４を合成する。 - 特許庁

As an electrode material, a mixture of a metal or an alloy selected from a group of Pb, Sn, Ag, Bi, Zn, In, Cd, Sb, and Cu, and an alkaline metal with a work function equal to or lower than 4eV is used.例文帳に追加

陰極材料として、例えば、仕事関数４ｅＶ以下のアルカリ金属に、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｃｕからなる群から選択される金属又は合金を混合したものを使用する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with buried wiring that suppresses diffusion of the component of a cap metal layer formed on a Cu wiring layer onto an interlayer insulating film and also suppresses an increase in connection resistance.例文帳に追加

Ｃｕ配線層に形成したキャップメタル層による層間絶縁膜上への拡散を抑制でき、かつ、接続抵抗の上昇を抑制できる埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for forming metal wiring for a semiconductor device, which can improve the reliability of processes and electrical characteristics of the device by improving the EM characteristics of a Cu thin film in a narrow and deep via hole.例文帳に追加

狭くて深いビアホールにおいてもＣｕ薄膜のＥＭ特性を向上させて工程の信頼性及び素子の電気的特性を向上させることが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

By using a reactive gas in which Cl_2 and/or HBr is added to HI, the reactive gas is dissolved with high density plasma, and the iodine is made to react with the Cu layer not covered with the mask, to produce Culx.例文帳に追加

ＨＩにＣｌ_２及びまたはＨＢｒを添加した反応性ガスを用いて、該反応性ガスを高密度プラズマで分解し、ヨウ素をマスクで覆われていないＣｕ層を反応させＣｕｌｘを生成させる。 - 特許庁

The oxide film is formed on the surface of the contact hole by a deposition method, the oxide film in a section extensively over the circuit on the A surface side is removed by the etching, and a barrier seed (TiN/Cu) is formed after the washing by chemicals.例文帳に追加

次いで、コンタクトホール表面にデポジション法にて酸化膜を形成した後、Ａ面側の回路にかかる部分の酸化膜をエッチングにて除去し、薬品洗浄した後にバリアシード（ＴｉＮ／Ｃｕ）を形成する。 - 特許庁

To provide a dielectric porcelain capable of being sintered simultaneously with a low-resistance conductor such as an Ag-based metal and a Cu-based metal, with excellent mechanical strength and capable of providing an excellent dielectric characteristic in a GHz band.例文帳に追加

Ａｇ系金属及びＣｕ系金属等の低抵抗導体と同時焼結が可能であり、機械的強度に優れ、且つ、ＧＨｚ帯において優れた誘電特性を得ることができる誘電体磁器を提供する。 - 特許庁

The solder ball also contains one or more of 0.01-0.1 wt.% Cu, 0.01-0.1 wt.% S, 0.1-1 wt.% Ge, and 0.1-1 wt.% Si in addition to the above-mentioned elements.例文帳に追加

上記に加え、０．０１〜０．１重量％のＣｕ、０．０１〜０．１重量％のＳ、０．１〜１重量％のＧｅ、０．１〜１重量％のＳｉの１種又は２種以上を含有する７６０μｍ以下のはんだボール。 - 特許庁

The grains 2 containing at least Ni, Mn and Cu whose size is 0.3-0.8 μm and the grains 3 whose size is 2-5 μm coexist and disperse in the matrix 1 containing Ti of 98 at.% or more.例文帳に追加

Ｔｉを９８ａｔ％以上含有するマトリックス１中に、少なくともＮｉ，Ｍｎ，Ｃｕを含有する０．３〜０．８μｍのサイズのグレイン２と２〜５μｍのサイズのグレイン３とが共存して分散するものである。 - 特許庁

The cut angle of the θ rotation Y-X substrate of LiTaO3 or LiNbO3 is optimized at an angle higher than that in the conventional practice with respect to the added mass of an Au or Cu electrode formed on a substrate surface.例文帳に追加

ＬｉＴａＯ３ あるいはＬｉＮｂＯ３ のθ回転Ｙ−Ｘ基板のカット角を、基板表面に形成されたＡｕあるいはＣｕ電極の付加質量に対して、従来よりも高角度側に最適化する。 - 特許庁

An inverter control unit INV-CU controls on-off of a switching element in a motor inverter unit INV based on a magnetic pole position detection signal of a rotor magnetic pole position detection section MPD, and sequentially energizes respective phase coils.例文帳に追加

インバータ制御部ＩＮＶ−ＣＵは、回転子磁極位置検出部ＭＰＤの磁極位置検出信号に基づいて、モータインバータ部ＩＮＶのスイッチング素子をオンオフ制御し、各相コイルに順次通電する。 - 特許庁