「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

Alternatively, the composite material further comprises a third phase, in a space between the first phase and the second phase, contacted with both the phases, and containing an intermetallic compound formed of Pt and Cu, and the maximal value of the reflectivity of natural light in the surface lies in the range of 560 to 640 nm in wavelength.例文帳に追加

更に第１相と第２相との間において、両相に接し、ＰｔとＣｕにより形成された金属間化合物を含む第３相を有している、表面における自然光の反射率の極大値が波長５６０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲にある複合材。 - 特許庁

In the surface acoustic wave element 12, segregation of Cu, etc., occurs in the thin film electrode 18, and inventors newly finds out that such segregation is effective to prevent a crack occurring in the piezoelectric substrate 28 at the time of ultrasonic joining of flip chip mounting in an experiment.例文帳に追加

この表面弾性波素子１２においては、薄膜電極１８にＣｕ等の偏析が生じており、このような偏析は、フリップチップ実装の超音波接合の際に圧電性基板２８に亀裂が入る事態を抑止することに有効であることが、発明者らの実験により新たに見出された。 - 特許庁

Otherwise, in pores in a porous sintered body of Fe-alloy having such texture in which a granular Fe-alloy phase containing martensite is enclosed with a Cu-alloy phase, lubricant mixture comprising lubricating oil dispersed as liquid in wax, or lubricating oil gel that is thermo-reversible is filled.例文帳に追加

また、マルテンサイトを含有する粒状Ｆｅ合金相がＣｕ合金相によって取り囲まれるような組織を有するＦｅ合金系多孔質焼結体の気孔内に、ワックス中に潤滑油が液的に分散してなる潤滑剤混合物もしくは熱可逆的な潤滑油ゲルを充填する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an interlayer insulating film 103 formed on a semiconductor substrate 101; a contact hole 104 formed in the interlayer insulating film 103; a Cu film 107 filling the contact hole 104; and a metal-containing substrate film 13 formed on a sidewall inside the contact hole 104 and serving as a substrate of the Cu film 107.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板１０１に形成された層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３に形成されたコンタクト孔１０４と、コンタクト孔１０４を埋め込むＣｕ膜１０７と、コンタクト孔１０４の内部の側壁に形成され、Ｃｕ膜１０７の下地となる金属含有下地膜１３と、を備える。 - 特許庁

In this method the wiring having excellent electrical characteristics is formed by forming wiring composed of an electroplated copper film and an electroplated nickel film on Cr/Cu, on which signal passing wiring joined to solder is formed by sputtering by using Cr/Cu/Cr wiring formed at a portion for grounding by sputtering.例文帳に追加

本発明は、グランドの役割を果たす部分にスパッタ成膜したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒから成る配線を用い、信号が通りかつ、はんだと接合する配線をスパッタ成膜したＣｒ／Ｃｕの上に、電気銅めっき膜、電気ニッケルめっき膜から成る配線を形成することで、電気特性に優れた配線を形成することが可能となる。 - 特許庁

The method for manufacturing the reflow Sn or Sn alloy plated sheet superior in migration resistance is characterized by forming an Ag plated layer on a copper or copper alloy sheet, forming a Cu or Ni plated layer on the Ag plated layer, forming a Sn or Sn alloy plated layer on the Cu or Ni plated layer, and then performing reflow treatment.例文帳に追加

銅または銅合金薄板の上にＡｇメッキ層を形成し、このＡｇメッキ層の上にＣｕまたはＮｉメッキ層を形成し、ＣｕまたはＮｉメッキ層の上にＳｎまたはＳｎ合金メッキ層を形成したのちリフロー処理することを特徴とする耐マイグレーション性に優れたリフローＳｎまたはＳｎ合金メッキ薄板の製造方法。 - 特許庁

The conjugated valve seat excellent in thermal conductivity and wear resistance is constituted by firmly joining, through a joining layer of 50 to 1000 μm thickness, a compound layer of intermetallic compound, carbide, boride, silicide, nitride, etc., to the part including the valve seal surface of a valve seat body composed of Al or Al alloy or a valve seat body composed of Cu or Cu alloy.例文帳に追加

ＡｌもしくはＡｌ合金からなるバルブシート本体またはＣｕもしくはＣｕ合金からなるバルブシート本体のバルブシール面を含む部位に、金属間化合物、炭化物、硼化物、珪化物、窒化物などの化合物層を厚さ：５０〜１０００μｍの接合層を介して強固に接合してなる熱伝導性および耐摩耗性に優れた複合バルブシート。 - 特許庁

To provide a laminated dielectric element that uses an inexpensive base metal material such as Cu as an electrode, can sufficiently join an electrode material such as the Cu to a ceramic material, and can fully show characteristics in a dielectric ceramic layer, to provide a method for manufacturing the laminated dielectric element, and to provide a paste material for electrodes.例文帳に追加

Ｃｕ等の低価格の卑金属材料を電極として使用して，Ｃｕ等の電極材料とセラミック材料とを十分に接合させることができると共に誘電セラミック層の特性を十分に発揮させることができる積層型誘電素子及びその製造方法，並びに電極用ペースト材料を提供すること。 - 特許庁

A vacuum vessel 11, a plasma beam generator 13, a main hearth 30 as an anode with evaporating material Cu stored and arranged in the vessel 11 and an auxiliary anode 31 composed of an annular permanent magnet 35 and a coil 36 around the main heath are provided, and a Cu film is formed on a substrate 41 arranged oppositely to the main hearth.例文帳に追加

真空容器１１と、プラズマビーム発生器１３と、真空容器内に配置され、蒸発物質Ｃｕを収容している陽極としての主ハース３０と、該主ハースの周囲に環状の永久磁石３５とコイル３６とから成る補助陽極３１とを備え、前記主ハースに対向して配置した基板４１にＣｕ膜を成膜する。 - 特許庁

This golf club head is constituted by using a Cu-Zn-Sn-base vibration damping alloy which is a Cu-Zn-Sn-base having a β phase permitting martensite transformation and having vibration damping characteristics by accompanying the transformation twinning of this β phase and has an Sn content of 0.5 to 20 wt.% in at least a portion of a head of the golf club head.例文帳に追加

ゴルフクラブの少なくともヘッドの一部に、マルテンサイト変態が可能なβ相を有し、このβ相の変態双晶に伴い制振特性を有するＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金であって、Ｓｎ含有量が０．５〜２０ｗｔ％であるＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系制振合金を用いたことを特徴とするゴルフクラブとした。 - 特許庁

This method for separating Ag comprises selectively removing Ag by electrolysis from the chloride bath containing monovalent ions of Cu and having such a concentration as to dissolve Ag, then changing the electrolytic solution into a sulfate bath containing a small amount of Cl, reversely electrolyzing it to dissolve Ag again by setting Cu electrodeposits containing Ag obtained on a cathode by Ag-removing electrolysis as an anode, and collecting Ag in a form of AgCl.例文帳に追加

Ｃｕの一価イオンを含むＡｇが溶解する濃度の塩化物浴から、電解でＡｇを選択的に除き、その後Ｃｌを少量含む硫酸浴に電解液を入れ替え、Ａｇ除去電解で得られたＡｇを含む陰極Ｃｕ電析物を陽極として逆電解することにより再溶解し、ＡｇをＡｇＣｌとして回収する。 - 特許庁

The semiconductor device having a multilayer trench-wiring structure using Cu as the main material thereof is characterized in that there are used respectively an insulation film having a low dielectric constant, as the interlayer film of its Cu-wiring portion, and an insulation film having a high dielectric constant, as the interlayer film of its portion having such a metallic pole as a plug whereby its wirings are joined to each other.例文帳に追加

Ｃｕを主な材料とする、多層の溝配線構造を有する半導体装置において、比誘電率の低い絶縁膜を、Ｃｕ配線部分の層間膜として、また、比誘電率の高い絶縁膜を、配線間を接合するプラグなどの金属柱が存在する部分の層間膜として、それぞれ、構成したことを特徴とする。 - 特許庁

The selective absorbent of isoprene is composed of a porous complex obtained by reacting a Co and/or Cu compound with a pyridine or a pyrazine derivative in a solvent and evaporating and removing the solvent from the resultant precipitation and containing the Co and/or Cu complex using pyridine or the pyrazine derivative as a ligand as a basic unit.例文帳に追加

Ｃｏおよび／またはＣｕ化合物とピリジンまたはピラジン誘導体とを溶剤中で反応させ、生成する沈澱から溶剤を揮発除去することによって得ることのできる、ピリジンまたはピラジン誘導体を配位子とするＣｏおよび／またはＣｕ錯体を基本構成単位とする多孔質錯体からなるイソプレンの選択的吸着剤を開示する。 - 特許庁

Thus, the boundary face of Cu and a barrier metal is not exposed, and the grain growth of Cu is not carried out in the introduction stage of Si so that the deposition of Si can be prevented even when Si is added with high concentration, and that the migration of the whole wiring or via can be suppressed since Si is uniformly introduced to the wiring or via.例文帳に追加

これにより、Ｓｉの導入段階ではＣｕとバリアメタルとの界面が露出しておらずＣｕのグレイン成長も行われていないため、Ｓｉを高濃度に添加してもＳｉの析出を防止することができ、配線やビア中に均一にＳｉが導入されているため配線やビア全体のマイグレーションを抑制することができる。 - 特許庁

The generator is constituted to dissolve trace copper into the water and to generate the water having sterilizability from the other side of a container section by applying pressure to the water desired to be treated from the one side of the container section to push in the water to the particles of the Cu formed to minute polyhedrons composed, as material, of the Cu packed at high density into a container.例文帳に追加

容器部内に高い密度で充填されたＣｕを素材とする微小な多面体に構成されたＣｕの粒子に対して、容器部の一方側から処理を所望する水を圧力をかけて押込むことで微量の銅を水の中に溶け込ませ、容器部の他方側から殺菌性のある水が発生するよう構成されている。 - 特許庁

The surface treatment method is characterized in that a wire type Al vapor deposition material containing Cu and/or Mg is vaporized while continuously supplied to a heated melting and vaporizing section so as to vapor deposit an Al coating film containing Cu and/or Mg by 0.1 wt.% to 20 wt.% on the surface of the object to be treated.例文帳に追加

本発明の表面処理方法は、Ｃｕおよび／またはＭｇを含むワイヤー状Ａｌ蒸着材料を、加熱した溶融蒸発部に連続供給しながら蒸発させることで、Ｃｕおよび／またはＭｇを０．１ｗｔ％〜２０ｗｔ％含むＡｌ被膜を被処理物の表面に蒸着形成することを特徴とする。 - 特許庁

The Cu-Fe-based copper alloy comprises 10.0-50.0 mass% Fe, 0.001-5.0 mass% total of one or two of Ni and C_O, and ≥10 ppm C; where an Fe-based secondary phase crystallizes and precipitates in the Cu mother phase, the electroconductivity is ≥20% IACS, and the magnetic permeability is ≥3.0.例文帳に追加

Ｆｅを１０．０ｍａｓｓ％以上５０．０ｍａｓｓ％以下、Ｎｉ，Ｃｏを１種又は２種の合計で０．００１ｍａｓｓ％以上５．０ｍａｓｓ％以下、及びＣを１０ｐｐｍ以上含み、Ｃｕ母相内にＦｅ系第二相が晶出及び析出し、導電率が２０％ＩＡＣＳ以上、透磁率が３．０以上であるＣｕ−Ｆｅ系銅合金。 - 特許庁

In the circuit board, at least a metal circuit layer principally comprising Cu out of the metal circuit layer and a heat dissipation layer is bonded onto a ceramic substrate through a solder material comprising 6.0-60% of Sn, 2.0-9.5% of at least one kind of Ti, Nb, Hf and Zr, and the remainder of Cu and not containing Ag.例文帳に追加

本回路基板はセラミック基板上にＣｕを主成分とした金属回路層及び放熱層のうちの少なくとも金属回路層がろう材によって各々接合されており、上記ろう材は、６．０〜６０％のＳｎ、２．０〜９．５％のＴｉ、Ｎｂ、Ｈｆ及びＺｒのうちの少なくとも１種、及び残部Ｃｕとからなり、Ａｇを含有しない。 - 特許庁

A method for forming a Cu wiring film on a TiN film for diffusion barrier, after the TiN is formed, includes an annealing step of heating a base film to a temperature of 200-500°C in a vacuum state without exposing the base film to the atmosphere after a step of forming the base film between the steps of forming the TiN film and the Cu wiring film.例文帳に追加

このＣｕ配線膜形成方法は、拡散バリア用ＴｉＮ膜を成膜し、ＴｉＮ膜の上にＣｕ配線膜を成膜する方法であり、ＴｉＮ膜の成膜工程とＣｕ配線膜の成膜工程の間に下地膜の成膜工程後大気にさらすことなく真空一貫の状態で２００〜５００℃の温度で加熱するアニール工程を設ける。 - 特許庁

The composite material 10 for brazing is for brazing materials-to-be-brazed with each other and is structured with a brazing layer 15 which is composed of superposing, in three layers or more, a combination of a Ti or Ti alloy layer 12, a Cu or Cu alloy layer 13 or an Ni or Ni alloy layer 78, and an Al or Al alloy layer 14.例文帳に追加

本発明に係るろう付け用複合材１０は、被ろう付け材同士をろう付けするものであって、Ｔｉ又はＴｉ合金層１２、Ｃｕ又はＣｕ合金層１３或いはＮｉ又はＮｉ合金層７８、及びＡｌ又はＡｌ合金層１４を組み合わせたものを３層以上に重ねてなるろう付け層１５で構成したものである。 - 特許庁

In the CoPt or FePt alloy magnetic material obtained by a plating method, at least or one more elements of Cu, Ni and B is contained in the alloy magnetic material at 1 at%-40 at% altogether.例文帳に追加

めっき法により得られたＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体において、該合金磁性体にＣｕ、Ｎｉ、Ｂの少なくとも一つ以上の元素が合わせて１ａｔ％以上〜４０ａｔ％以下で含まれている磁性体。 - 特許庁

A metal film 7 bonded to the pad electrode 2 is formed over the substrate 1 in the shape of a re-wiring pattern, and a plated power supply layer metal film 8 and a Cu plated layer 11 are formed in sequence on the metal film 7 to form a wiring layer.例文帳に追加

基板１上にパッド電極接着メタル膜７が再配線パターン状に形成され、このメタル膜７上にメッキ給電層メタル膜８及びＣｕメッキ層１１が順次形成されて配線層が形成されている。 - 特許庁

The high temperature age strength is improved by adding much Cu in the core, and besides, intergranular corrosion due to generation of Al-Mn group compound is suppressed to prevent deterioration in the corrosion resistance by limiting Mn.例文帳に追加

心材にＣｕを多く添加することにより高温経時強度を向上させ、一方、Ｍｎを制限することによりＡｌ−Ｍｎ系化合物の生成による粒界腐食を抑制して耐食性の低下を防止することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming an electrically conductive layer whose main component being Cu in a recess in an improved state of the embedding characteristics according to reflow processing even if the reflow processing at a high temperature ≥400°C is not carried out.例文帳に追加

４００℃以上の高温でのリフロー処理を行わなくても、リフロー処理による埋め込み特性が改善された状態で、凹部内にＣｕを主成分とする導電層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a cell corresponding to two neighboring partition walls 30, a pair of display electrodes 22, 23 (scan electrode 22, sustaining electrode 23), made of metal materials (Ag or Cr/Cu/Cr, etc.), are provided split in three thin line parts 22a-22c, 23a-23c respectively.例文帳に追加

2つの隣接する隔壁30に対応したセル内において、金属材料（AgまたはCｒ/Cｕ/Cｒなど）からなる一対の表示電極22、23（スキャン電極22、サステイン電極23）をそれぞれ3本の細いライン部22a〜22c、23a〜23cに分割して配設する。 - 特許庁

A CU 500 directs a TXU 504 and an RXU 505 to define a plurality of kinds of transaction, classify bits for use in the ports according to the kinds of transaction, changes the destinations of the ports, and varies bit width for use in each of the kinds of transaction.例文帳に追加

CU500は、複数のトランザクション種を定義し、トランザクション種によって前記ポートにおいて使用するビットを分別すると共にポートの宛先を変更し、トランザクション種毎に使用するビット幅を変更するように、TXU504、RXU505に指示を行う。 - 特許庁

Since the Al-Cu alloy is used for the wiring 18, even if it is used in a high-temperature condition, the highly reliable wiring 18 capable of preventing failure due to diffusion of the wiring material in the interlayer insulating film 12 can be formed.例文帳に追加

配線１８にＡｌ−Ｃｕ合金を用いるため、高温環境下で使用しても配線材料が層間絶縁膜１２中に拡散して不具合を生じることがない信頼性の高い配線１８を形成することができる。 - 特許庁

To provide a high-strength Cu-Ga-based sputtering target material for use in manufacturing a light-absorbing thin layer of a solar cell, which can be highly densified by preventing the powder from being melted in a molding process at high temperature, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering target is composed of at least either of high- purity Ta and high-purity TaN and contains high-purity Ta and N in amounts of ≤2 atomic %, and Cu content in the target-constituting material is regulated to ≤50 ppm.例文帳に追加

高純度Ｔａ、窒素を2at%以下の範囲で含有する高純度Ｔａ、および高純度ＴａＮから選ばれる少なくとも1種からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット構成材料中のＣｕ含有量を50ppm以下とする。 - 特許庁

In the Cu-Zn based alloy tin-plated strip using a copper based alloy comprising, by mass, 15 to 40% Zn as a base metal, the concentration of C in the boundary face between a plated layer and the base metal is controlled to ≤0.10%.例文帳に追加

１５〜４０質量％のＺｎを含有する銅基合金を母材とするＣｕ−Ｚｎ系合金すずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１０質量％以下に調整する。 - 特許庁

To provide a multilayer interconnection structure excellent in a Cu diffusion, a heat resistance, an electrical performance, especially, a dielectric constant, and an adhesion; and to provide a semiconductor device having the structure and excellent in the electrical performance.例文帳に追加

Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、およびこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供する事を目的としてなされたものである。 - 特許庁

Pair of Ta_2N layer 11 and Ta layer area alternately and continuously formed in two pairs or more on the surface of Cu wiring 5a of the pad of a semiconductor device 1 and a barrier metal film 13 of pad in the composite lamination structure is also provided.例文帳に追加

半導体装置１のパッド部Ｃｕ配線５ａの表面上にＴａ_2Ｎ層１１およびＴａ層１２のペアを連続して交互に２ペア以上積層し、複合積層構造のパッド部バリアメタル膜１３を設ける。 - 特許庁

To provide an oxide magnetic material having high Q value, excellent temperature characteristics (small in the change of magnetic permeability with the change of temperature) and high anti-stress characteristics in the Ni-Zn-Cu-based ferrite material (oxide magnetic material).例文帳に追加

Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料（酸化物磁性材料）において、高いＱ値、良好な温度特性（温度変化に対する透磁率変化が小さい）、高い抗応力特性を兼ね備えた酸化物磁性材料を提供する。 - 特許庁

The method for producing the sputtering target includes a step of pressure-sintering a mixed powder of an alloy powder which includes one or more of Ga, In, and Se, and Cu, and a pure Se powder, in a vacuum or an inert gas atmosphere.例文帳に追加

このスパッタリングターゲットの製造方法は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金粉と、純Ｓｅ粉との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中で加圧焼結する工程を有している。 - 特許庁

The copper alloy for an electronic device comprises Mg in a range of 2.6-9.8 atom%, Al in a range of 0.1-20 atom% and the balance substantially being Cu and unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｍｇを、２．６原子％以上９．８原子％以下の範囲で含み、かつ、Ａｌを、０．１原子％以上２０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされていることを特徴とする。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte secondary battery formed by laminating or winding a negative electrode and a positive electrode through a separator, a woven fabric composed of carbon fibers 31, 33 and Cu fibers 32, 34 is used in a negative current collector.例文帳に追加

負極および正極をセパレータを介して積層または巻回し外装体に収納した非水電解液二次電池において、負極集電体に炭素繊維３１、３３とＣｕ繊維３２、３４からなる織布を用いる。 - 特許庁

The positive electrode oxide film 14 is formed by applying positive electrode oxidation treatment to the aluminum base material 13 in an electrolyte solution containing a metal ion of either Mn, Sn, Fe, Ni, Cr, Co, Cu, Pb, or Ag in sulfate.例文帳に追加

陽極酸化被膜１４は、硫酸塩中にＭｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ａｇのうちいずれかの金属イオンを含む電解液中でアルミニウム基材１３を陽極酸化処理することにより形成される。 - 特許庁

In a stack circuit board, inner conductor patterns 2 and via hole conductors 3, which are formed of the any material of Au, Ag and Cu or the alloy of it, are arranged in a stack body 1 obtained by stacking plural glass ceramic layers 1a-1e.例文帳に追加

複数のガラスセラミック層1a〜1eが積層されて成る積層体1 の内部に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのいずれかの材料またはその合金からなる内部導体パターン2 及びビアホール導体3 を配置して成る積層回路基板である。 - 特許庁

In an Al-Mg-Si alloy or an Al-Mg-Si-Cu alloy, intergranular precipitates are present at the intervals of ≥110 nm, and, furthermore, the dimensions of the precipitates in the intergranular direction are controlled to ≥70 nm.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金あるいはＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金において、粒界析出物が１１０nm以上の間隔で存在するとともに、析出物の粒界方向における寸法を７０nm以上とする。 - 特許庁

The contents of Cr, Fe, Mn, Ti, Si, Cu, N, Al, C, Mg, Mo, B, Zr, Nb+Ta in the Ni-based alloy weld metal are appropriately defined to restrict the amounts of Co, P and S in unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｎｉ基合金溶接金属中のＣｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｎ、Ａｌ、Ｃ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｎｂ＋Ｔａの含有量を適正に規定し、不可避的不純物中のＣｏ、Ｐ及びＳ量を規制する。 - 特許庁

In the apparatus, at least one IDT mainly composed of Cu is formed on a LiTaO_3 substrate of a 23°-46° rotation Y board, and the SiO_2 film is formed on the LiTaO_3 substrate in a manner to cover the IDT.例文帳に追加

２３°〜４６°回転Ｙ板のＬｉＴａＯ_3基板上に、Ｃｕを主体とする少なくとも１つのＩＤＴが形成されており、該ＩＤＴを覆うように、ＬｉＴａＯ_3基板上にＳｉＯ_2膜が形成されている、弾性表面波装置。 - 特許庁

After motion of the Cu foil 50 in the width direction is restrained by the air chuck 11, the stopper bolt 122 is loosened in such a state, and a clearance between the clamping 12 and the flange 13 is removed to provide a clearance d2 between the end face 50a and the flange 13.例文帳に追加

Ｃｕ箔５０は、エアチャック１１で幅方向への動きが規制されて後、この状態でストッパボルト１２２を緩め、クランピング１２とフランジ１３との隙間がなくして、端面５０ａとフランジ１３との間に隙間ｄ２を設ける。 - 特許庁

The toner contains metal particles containing Au, Ag, Cu or Pt or their alloy of ≥1 to ≤300 nm in volume mean particle diameter or ≥10 to ≤200 nm in mean maximum length, and a binder resin.例文帳に追加

体積平均粒子径が１ｎｍ以上３００ｎｍ以下又は平均最大長が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下のＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ若しくはＰｔ又はこれらの合金を含む金属粒子と、結着樹脂と、を含有するトナー。 - 特許庁

This particulate metal oxide contains a component originated in Cu, Ag and Mn in a particle comprising an oxide using at least one kind selected from a group comprising Zn, Ti and Ce as a metal element.例文帳に追加

本発明にかかる微粒子状金属酸化物は、Ｚｎ、ＴｉおよびＣｅからなる群より選ばれる少なくとも１種を金属元素とする酸化物からなる粒子内にＣｕ、Ａｇ、Ｍｎに由来する成分が含有されてなる。 - 特許庁

At least solder particles including Sn/Zn, metal grains 7 made of Cu and the lead free solder paste mixed in flux are used in a solder joining of a copper bump 5 of a electronic parts with a copper terminal 2.例文帳に追加

電子部品の銅バンプ５を銅端子２に半田により接合する半田接合において、少なくともＳｎ／Ｚｎを含む半田粒子とＣｕをベースとする金属粒子７とフラックスに混合した鉛フリー半田ペーストを用いる。 - 特許庁