「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

An Al-based or Cu-based bearing ally layer comprises a resin coating layer in which a solid lubricant having a relative C-axial strength ratio defined by the following equation of 85% or more is dispersed.例文帳に追加

Ａｌ系又はＣｕ系軸受合金層に、下記式で定義される相対Ｃ軸強度比が85％以上である固体潤滑剤を分散した樹脂系コーティング層を設ける。 - 特許庁

Since the grain diameter of Cu of the plating 21 is rough, a projection part 21a is produced in a surface thereof and a first air oxide film 25 of an irregular thickness is formed thereon.例文帳に追加

無電解Ｃｕめっき２１はそのＣｕの粒子径が粗いために表面に突部２１ａが生じ、その上に不均一な厚みの第１の空気酸化皮膜２５が形成される。 - 特許庁

A bonding layer A17 is in contact with a Cu foil 15b as the conductive layer formed on one surface of a polyimide film 15a as a resin film forming FPC(Flexible Printed Circuit board).例文帳に追加

接着層Ａ１７には、ＦＰＣを構成する樹脂フィルムであるポリイミドフィルム１５ａの一方の表面に形成された導電性層であるＣｕ箔１５ｂが接触している。 - 特許庁

The deposition substrate 21B is made of a metal material which has low reactivity with Li, such as Cu, Ni, Ti, Mo, Ta, stainless steel, and Li deposits on the interface with the inorganic compound layer 21C in charging.例文帳に追加

析出基板２１ＢはＣｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，ステンレスなどのＬｉとの反応性が低い金属材料よりなり、充電時に無機化合物層２１Ｃとの界面にＬｉが析出する。 - 特許庁

The sealing material is selected from metals or alloys, such as In, Al, Cu, Au, Ag, Pt, Ti, Ni or the like, or organic adhesives, inorganic adhesives or the like with surfaces coated with the metal or the alloy.例文帳に追加

シール材は、Ｉｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属や合金、および表面にこれらをコーティングした有機接着剤や無機接着剤等から選択する。 - 特許庁

To provide a method for forming wiring in a semiconductor element which superior EM resistance by suppressing crystal effects from a base film with respect to fine damascene Cu wiring.例文帳に追加

微細ダマシンＣｕ配線に対する下地膜からの結晶的な影響を抑制することにより、ＥＭ耐性に優れた半導体素子における配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming multilayer interconnect structure in which wiring grooves are not exposed to prevent film peeling when a Cu layer on the outer peripheral edge of a wafer is removed.例文帳に追加

膜剥がれを防止するために、ウエハ外周縁部上のＣｕ層を除去する際、配線溝を露出させないようにした多層配線構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sampling method and a sampling facility for sampling efficiently a sample for analyzing a recycling raw material including CU, AU, AG, PT and PD, used in copper smelting.例文帳に追加

銅製錬にて使用する、ＣＵ、ＡＵ、ＡＧ、ＰＴ、ＰＤを含んでいるリサイクル原料の分析のためのサンプルを効率的にサンプリングするためのサンプリング方法及びサンプリング設備を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 0, an interlayer insulation film 10 formed on the substrate 0, a groove 10a on which a barrier metal layer 2 is formed, and a Cu interconnection line 100 formed in the groove 10a.例文帳に追加

半導体基板０上に形成された層間絶縁膜１０に設けられ、表面にバリアメタル層２が形成された溝１０ａにＣｕ配線１００が形成されてなる。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si-Co-Cr based copper alloy for an electronic material having excellent characteristics in which strength and electric conductivity are remarkably improved.例文帳に追加

本発明の課題は、強度と導電率を飛躍的に向上させた、優れた特性を有する電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ−Ｃｒ系銅合金を提供することである。 - 特許庁

A heat storage body 24 composed of a Cu thick plate or the like having a high thermal conductivity and a high specific heat is set between the evaporator 14 in the refrigeration cycle and one junction of the Peltier element 21.例文帳に追加

冷凍サイクルの蒸発器１４とペルチェ素子２１の一方の接合部との間には、銅の厚板等からなる熱伝導度が高く、かつ比熱の大きい蓄熱体２４を介在させる。 - 特許庁

An insulation film 8 of an insulation material containing no oxygen is formed selectively on a metallization 2 containing Cu buried in a trench 4 of an interlayer insulation film 3.例文帳に追加

層間絶縁膜３の溝部４に埋め込まれたＣｕを含む金属配線２上に、酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜８が選択的に形成されている。 - 特許庁

Wiring electrodes including at least Ag or Cu are formed in processes including a heat-treatment on a glass substrate of which the surface includes Sn of concentration not less than 10 ppm.例文帳に追加

表面に１０ｐｐｍ以上の濃度のＳｎを含有するガラス基板上に、少なくともＡｇ又はＣｕを含む配線電極が、熱処理を含む工程によって形成する。 - 特許庁

The compressor and pump each comprise sliding parts of a copper(Cu)-Nickel(Ni) based porous sintered alloy, through which a gaseous refrigerant passes, preventing an increase in sliding loss and improving the efficiency.例文帳に追加

冷媒ガスが内部を通り抜ける銅（Ｃｕ）−ニッケル（Ｎｉ）基の多孔質の焼結合金の摺動部品から成ることより、摺動損失の増加を防止し、効率が向上する。 - 特許庁

One waveform element that is different for each phase, is selected in each unit phase, thereby generating triangular wave carriers Cu, Cv, Cw having a predetermined phase difference between phases.例文帳に追加

そして、各単位区間において、各相ごとに異なる波形要素を１つ選択することにより、各相間で所定の位相差を持った三角波キャリアＣｕ，Ｃｖ，Ｃｗを発生させる。 - 特許庁

In addition, since the Mo has a low contact resistance to the carbon nanotube 6, the good carbon nanotube 6 can be formed by securing a low-resistance connection with the lower-layer Cu wiring 1.例文帳に追加

さらに、Ｍｏはカーボンナノチューブ６との間の接触抵抗が低いため、下層Ｃｕ配線１との低抵抗接続を確保しつつ、良好なカーボンナノチューブ６を形成することができる。 - 特許庁

In the presence of ozone or oxygen, the surface of a natural oxide film 2 is irradiated with ultraviolet rays, so that Fe particle 4 and Cu particle 5 are oxidized to provide iron oxide 8 and copper oxide 9.例文帳に追加

オゾンまたは酸素の存在下、自然酸化膜２の表面に紫外線を照射することにより、Ｆｅ粒子４やＣｕ粒子５を酸化して酸化鉄８、酸化銅９とする。 - 特許庁

By limiting an additional element amount of the core material and by limiting the area ratio of the copper or copper alloy coating layer, a Cu/Al composite wire excellent in extensibility and conductivity is provided.例文帳に追加

芯材の添加元素量の限定と銅または銅合金被覆層の面積比を限定することで、伸線性と導電性に優れたＣｕ／Ａｌ複合線を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a low wiring resistance by decreasing the density of an impurity metal residing in a Cu wiring having a self-forming barrier film.例文帳に追加

自己形成バリア膜を有するＣｕ配線中に残留する不純物金属の濃度を下げることにより、配線抵抗の低い半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu-Cr-Zr based copper alloy obtained by the composition of Cr and Zr capable of realizing the balance of strength, bending workability, and electric conductivity in a high level.例文帳に追加

強度、曲げ加工性、及び導電率のバランスを高いレベルで実現し得るＣｒ、Ｚｒの組成を見出し、これにより得られるＣｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系銅合金を提供する。 - 特許庁

In the spinel type lithium manganese oxide, the Fe content rate is preferably 200 ppm or less, and a part of Mn may be substituted by other elements, such as Al, Cu, B or the like.例文帳に追加

また、上記スピネル型リチウムマンガン酸化物は、そのＦｅ含有量が２００ｐｐｍ以下であることが好ましく、そのＭｎの一部がＡｌ、Ｃｕ、Ｂなどの他元素で置換されていてもよい。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device which inhibits Cu elution in an insulation film of wiring and occurrence of a short circuit between wiring, and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

配線の絶縁膜内へのＣｕ溶出を抑制すると共に、配線間におけるショートの発生を抑止し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the tube contains one or ≥two kinds among Cr, Ni, Mo, Cu, Ti and Nb by ≤3% in total by mass.例文帳に追加

また更に加えてＣｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｂのうちの１種または２種以上を質量百分率の合計で３％以下含有することを特徴とする高強度鋼管。 - 特許庁

The Cu-Ag alloy wire has excellent wire drawability and flexibility since foreign matters causing disconnection in the base material are suppressed to the minimum, and has excellent tensile strength since Ag is comprised as an additional element.例文帳に追加

母材中の断線の原因となる異物を最小限に抑えているので、伸線性および屈曲性に優れ、Ａｇを添加元素としているので、引張強度に優れる。 - 特許庁

To provide a Cu-Cr based alloy suitably usable in both of etching working and press (blanking) working and attaining the improvement of productivity for a lead frame material, a terminal connector, a switch material or the like.例文帳に追加

リードフレーム材、端子・コネクター材、スイッチ材等の生産性向上が図れるエッチング加工とプレス（打ち抜き）加工の双方で好適に使用できるＣｕ−Ｃｒ系合金を提供する - 特許庁

To provide the forming technology of multi-layers wiring capable of preventing the generation of pin holes on an etching stopper film upon forming a wiring, and suppressing the dissolution of Cu (copper) in an underlying wiring layer.例文帳に追加

配線形成時において、エッチングストッパー膜にピンホールが発生することを防止して下層配線層Ｃｕの溶解を抑制できる多層配線形成技術を提供する。 - 特許庁

After the preliminary diffusion of Cu and Zn at 125 to 350°C, when solution treatment is performed, the metallic elements comprised in the metal powder are diffused into the work by atomic diffusion.例文帳に追加

１２５〜３５０℃でＣｕ及びＺｎの予備拡散を行った後、溶体化処理を行えば、金属粉末に含まれる金属元素が原子拡散によってワークの内部に拡散する。 - 特許庁

The thin sheet of the low thermal expansion alloy superior in rust resistance for electronic components includes 30-52 mass% Ni, 0.01-0.1 mass% Cu, and 10-20 mass ppm S.例文帳に追加

耐発銹性に優れた電子部品用低熱膨張性合金薄板は、Ｎｉ：３０〜５２ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．０１〜０．１ｍａｓｓ％、Ｓ：１０〜２０ｍａｓｓ ｐｐｍを含有する。 - 特許庁

In concrete, the core 1 includes a wound core 10 and flanges 11 on both ends, and the electrode 2 is formed of an Ag film 20, an Ni film 21, a Cu film 22, and an Sn film 23.例文帳に追加

具体的には、コア１は、巻芯部１０と両端の鍔部１１とを有し、電極部２は、Ａｇ膜２０，Ｎｉ膜２１，Ｃｕ膜２２及びＳｎ膜２３で形成されている。 - 特許庁

To attain a stable plasma state over a long period of time in the case where e.g. a TaN film used as a barrier layer to a Cu wiring film is deposited by applying e.g. bias sputtering.例文帳に追加

Ｃｕ配線膜に対するバリア層として用いられるＴａＮ膜などを、例えばバイアススパッタを適用して形成する場合に、長時間にわたって安定したプラズマ状態を実現する。 - 特許庁

To provide a secondary cooling method in a continuous casting machine capable of preventing billet cracking in a straightening part in the continuous casting machine caused by variation of cooling, when molten steel containing Nb, Ti, V, and/or Cu, Ni, etc is continuously cast.例文帳に追加

Ｎｂ、Ｔｉ、V、あるいはさらに、Ｃｕ、Ｎｉなどを含む溶鋼を連続鋳造する際に、冷却ばらつきに起因する連続鋳造機内の矯正部における鋳片割れを防止するための連続鋳造機内の二次冷却方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu-Al sintering material improved in sintering processability and good in dimensional precision and, as a result, to provide a sintered sliding member and a composite sintered sliding part having high strength and excellent in wear resistance, seizure resistance and corrosion resistance thereby.例文帳に追加

Ｃｕ−Ａｌ系焼結材料の焼結性を改善して寸法精度の良い焼結材料を提供し、これによって広く高強度、耐摩耗、耐焼付性、耐食性に優れた焼結摺動部材および複合焼結摺動部材を提供する。 - 特許庁

To provide a copper insulation bonding wire using Cu lower in cost and higher in joining property than Au as a core material to prevent electric short circuit caused by contact of a loop upon sealing with a resin, excellent in stitch bonding and allowing formation of a favorable completely spherical ball.例文帳に追加

Ａｕよりも安価で接合性が良好なＣｕを芯材とし、ステッチボンディング性に優れ、良好な真球ボールの形成を可能とする樹脂封止時のループの接触による電気的短絡を防止する銅絶縁ボンディングワイヤを提供する。 - 特許庁

In the display device, the thin-film transistor has a bottom gate-type structure, and a gate electrode and scanning lines in the thin-film transistor comprise the Cu alloy film for a display device and are in direct contact with the glass substrate.例文帳に追加

該表示装置としては、該薄膜トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであって、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が、該薄膜トランジスタのゲート電極および走査線に用いられ、ガラス基板に直接接触されている態様が好ましい。 - 特許庁

Silver oxide is added into the second mixing tank 3 so as to make Cu concentration in the supernatant liquid in the second sedimentation tank 4 ≤0.05 g/l and silver oxide is added into the first mixing tank 1 so as to make pH of the first mixing vessel 1 in a range 4-6.例文帳に追加

第２沈降槽４の上澄液のＣｕ濃度が０.０５ｇ／ｌ以下となるように第２混合槽３に酸化銀を添加し、第１混合槽１のｐＨが４〜６の範囲となるように第１混合槽１に酸化銀を添加する。 - 特許庁

In the case of the CPP type magnetic detecting element, a decrease in change (ΔR A) in resistance per unit area is small even if the non-magnetic material layer 24, which is positioned between the fixed magnetic layer 23 and a free magnetic layer 25, is made of a material differing from Cu.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気検出素子であるため、前記固定磁性層２３とフリー磁性層２５との間に位置する非磁性材料層２４をＣｕと異なる材質で形成しても、単位面積当たりの抵抗変化（ΔＲ・Ａ）の低下は小さい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a damascene wiring structure, which suppresses an increase in leakage current and an reduction in a dielectric constant in a Cu wiring structure due to etching damage to a fluorocarbon film, and which secures reliability.例文帳に追加

ダマシン配線構造を有する半導体装置において、フルオロカーボン膜へのエッチングダメージによるＣｕ配線構造でのリーク電流の増加や誘電率の低下を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A gas outlet 12 is arranged at an in-furnace position in which the temperature profile in a baking furnace is not higher than the thermal decomposition temperature of binder resin, and a formed body containing at least Cu powder and binder resin is fed to the baking furnace by a belt conveyor 9.例文帳に追加

焼成炉内の温度プロファイルがバインダ樹脂の熱分解温度以下である炉内位置にガス排出口１２を配設し、少なくともＣｕ粉末とバインダ樹脂とを含有した成形体をベルトコンベア９で焼成炉に供給する。 - 特許庁

In this method, the concentration of Cu and the concentration of Pb in fly ash are measured, and the addition amount of a liquid chelating agent required for adding to the fly ash is decided from the above measured values and the concentration of a dithiocarbamic group in the liquid chelating agent.例文帳に追加

飛灰中のＣｕの含有濃度及びＰｂ含有濃度を測定し、これらの測定値と液体キレート剤中のジチオカルバミン酸基濃度とから飛灰に添加するに必要な液体キレート剤の添加量を決定する方法を用いる。 - 特許庁

In particular, the Cu-Al-Mn-Ni alloy has a recrystallized structure composed of an austenite(β) single phase in which crystal orientation is uniformized by thermomechanical treatment, or a (β+α) two phases in which the α phase is precipitated into the austenite (β) phase.例文帳に追加

特に、Ｃｕ−Ａｌ−Ｍｎ−Ｎｉ合金は、加工熱処理により結晶方位が揃ったオーステナイト（β）単相、または、オーステナイト（β）相中にα相が析出した（β＋α）２相からなる再結晶組織であることが好ましい。 - 特許庁

In a ferrite temperature transducer which uses a spinel type- ferrite material containing an oxide of Ni, Cu, Zn, Fe, or Cu, Zn, Fe as main components, the ferrite material is structured by a ferrite sinter which is integrally baked with a molding body obtained by compositing ferrite powders of different compositions, and inductance is continuously decreased along with the increase in temperatures.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、又はＣｕ、Ｚｎ、Ｆｅの酸化物を主成分として含有するスピネル型フェライト材料を用いたフェライト感温素子において、前記フェライト材料を、組成の異なるフェライト粉末を複合化して得た成形体を一体焼成してなり、温度の上昇とともに、インダクタンスが連続的に減少するフェライト焼結体で構成する。 - 特許庁

A semiconductor device according to this invention includes: a first copper alloy wiring disposed in a first interlayer insulation film and formed by adding Al to Cu that is a main component; a second interlayer insulation film formed on the first interlayer insulation film; and a second copper alloy wiring disposed in the second interlayer insulation film and formed by adding Al to Cu that is a main component.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置では、第一の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるＣｕにＡｌを添加した第一の銅合金配線と、第一の層間絶縁膜上に形成される第二の層間絶縁膜と、第二の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるＣｕにＡｌを添加した第二の銅合金配線とを、備えている。 - 特許庁

The Pb-free solder alloy contains, by mass, 0.01 to 10% Sn, one or more kinds selected from Al and Cu by 0.03 to 1.0% in the case of Al and by 0.01 to 1.8% in the case of Cu, and 0 to 0.5% P, and the balance Bi with inevitable impurities.例文帳に追加

Ｓｎを０.０１質量％以上１０質量％以下含有し、ＡｌまたはＣｕのいずれか１種以上を、Ａｌの場合は０.０３質量％以上１.０質量％以下、Ｃｕの場合は０.０１質量％以上１.８質量％以下含有し、Ｐを０質量％以上０.５質量％以下含有し、残部が不可避不純物を除いてＢｉからなる。 - 特許庁

The hydrogen permeable film unit is obtained by bonding a structure 3 consisting of one or more metallic material selected from Ni, Ni alloy, Cu, Cu alloy, Al, and Al alloy for reinforcing an amorphous metal membrane 2 to the amorphous metal membrane 2 having hydrogen permeability, and it is characterized in that the amorphous metal membrane 2 in the bonded part substantially holds an amorphous structure.例文帳に追加

水素透過性能を有する非晶質金属膜材２に、この非晶質金属膜材２を補強するＮｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｌおよびＡｌ合金のうちの１以上の金属からなる構造体３が接合されてなり、かつ上記接合部における非晶質金属膜材２は、実質的に非晶質構造を保持していることを特徴とする。 - 特許庁

A trace but fixed quantity of C is positively incorporated into a Cu-Fe-P type copper-alloy sheet and the cohesion of O and H present in the Cu-Fe-P type copper-alloy sheet is thus inhibited to increase the starting points of inclusions and pores and reduce the size of generated inclusions and pores, hereby prevent these inclusions and pores from causing the abnormal precipitation shown in figure 1.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板に、微量だが一定量のＣを積極的に含有させ、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板中に存在する、Ｏ、Ｈの凝集を抑制し、介在物やポアの起点を増加させ、生成する介在物やポアのサイズを微細化させて、これら介在物やポアが、図１に示す異常析出の起点となるのを防止する。 - 特許庁