「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby, an Mn residue amount in a second Cu wiring consisting of the Cu layer 20 can be reduced.例文帳に追加

よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 - 特許庁

To provide a decorative part superior in corrosion resistance and adhesion, and having an Au-Cu-based alloy hardened layer.例文帳に追加

耐食性、密着性に優れた表面にAu-Cu系合金硬化層を有する装飾部品を提供する。 - 特許庁

The steel may further also include both Ni and Cu of each specific amount in combination, as needed.例文帳に追加

また、必要に応じてさらに、それぞれ特定量のNiとCuを複合して含有するものであってもよい。 - 特許庁

By forming the Cu film in this way, adhesion between the barrier metal film and the Cu film is improved.例文帳に追加

このようにＣｕ膜を形成することにより、バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性が向上する。 - 特許庁

The ferritic stainless steel preferably includes one or more elements among Cu, V, Ca, Mg and B in place of a part of Fe.例文帳に追加

Cr＋3Mo＋6Ni≧23 ・・・（A) Al／Nb≧10 ・・・（B) Feの一部にかえてCu、V、Ca、Mg、Bのいずれか1種または２種以上を含むことが望ましい。 - 特許庁

In the clathrate compound, the composition ratio (Cu×100/(Ba+Ga+Sn+Cu)) of the copper represents from more than 0 to 0.061 or less.例文帳に追加

クラスレート化合物におけるＣｕの組成比（Ｃｕ×１００／（Ｂａ＋Ｇａ＋Ｓｎ＋Ｃｕ））は０より大きく０．０６１以下である。 - 特許庁

Sn-Ag-Cu-Bi-In SOLDER FOR ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

電子機器用Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだ - 特許庁

A barrier layer and a Cu wiring layer are formed in the wiring groove.例文帳に追加

配線溝にバリア層とＣｕ配線層を形成する。 - 特許庁

THIN FILM THERMAL HEAD EMPLOYING Cu-Ag ALLOY IN CONDUCTOR LAYER例文帳に追加

導体層にＣｕ−Ａｇ合金を用いた薄膜サーマルヘッド - 特許庁

Cu(Ga AND/OR In)Se2 THIN FILM LAYER, Cu(InGa)(S, Se)2 THIN FILM LAYER, SOLAR BATTERY AND METHOD FOR FORMING Cu(Ga AND/OR In)Se2 THIN FILM LAYER例文帳に追加

Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）２薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層の形成方法 - 特許庁

Then, the Zn prevents Sn in the solder from combining with Cu in the copper ball, and the bonding strength from lowering.例文帳に追加

本発明の微小銅ボールは、Cu中にZnが0.01〜0.5質量％含有しているため、はんだ中のSnと銅ボールのCuとが結合するのを妨げて接合強度を低下させない。 - 特許庁

To provide Cu (copper) wiring forming method, in which elution of Cu will not be generated upon CMP (chemical mechanical polishing) when the Ru material is employed as a barrier metal film for the Cu wiring.例文帳に追加

Ｒｕ材料をＣｕ配線のバリアメタル膜として使用した際、ＣＭＰ時にＣｕ溶出の発生しないＣｕ配線形成方法を提供する。 - 特許庁

[%Cu]+8×[%Sn]<α×[%Ni], [%Cu]>0[%Sn]≥0, α>0, and [%Cu], [%Sn], and [%Ni] show the mass % of the content of each element in the steel.例文帳に追加

［％Ｃｕ］＋８×［％Ｓｎ］＜α×［％Ｎｉ］］［％Ｃｕ］＞０［％Ｓｎ］≧０α＞０、［％Ｃｕ］、［％Ｓｎ］、［％Ｎｉ］は、鋼中の各元素の含有率の質量％を示す。 - 特許庁

In soldering by the reflow method using Sn-Ag-Cu based Pb-free Sn solder alloy, the concentration of Ag is controlled to more than 3.8 mass% to 4.2 mass% or less and that of Cu is controlled to 0.8 to 1.2 mass% during soldering in the solder bath.例文帳に追加

Sn-Ag-Cu系の鉛フリーSn基はんだ合金を用いてリフロー法ではんだ付けをする際に、はんだ浴のAg濃度を3.8 質量％超4.2 質量％以下、Cu濃度を0.8 〜1.2 質量％に管理しながらはんだ付けを行う。 - 特許庁

In soldering by the reflow method using Sn-Ag-Cu based Pb-free Sn solder alloy, the concentration of Ag is controlled to more than 3.8 mass% and 4.2 mass% or less and that of Cu is controlled to 0.8-1.2 mass% during soldering in the solder bath.例文帳に追加

Sn-Ag-Cu系の鉛フリーSn基はんだ合金を用いてリフロー法ではんだ付けをする際に、はんだ浴のAg濃度を3.8 質量％超4.2 質量％以下、Cu濃度を0.8 〜1.2 質量％に管理しながらはんだ付けを行う。 - 特許庁

The purification method comprises adding an arsenious acid together with zinc dust to the liquid in a Cu removal process, sending the post-decupirization liquid including the generated decupirization residue to a Co removing process without filtration, and implementing the Co removal by adding the zinc dust again to the liquid.例文帳に追加

脱Cu工程で、亜鉛末と共に亜砒酸を添加し、生成した脱Cu残渣含みの脱Cu後液を、濾過すること無く脱Co工程に送り、亜鉛末を再添加することにより脱Coを実施する。 - 特許庁

In addition, the method for manufacturing the copper ball is characterized by melting a small piece of an alloy with a large surface tension consisting of 0.5-40 mass% Zn and the balance Cu at a temperature not lower than the melting point of Cu higher, to make spherodized balls.例文帳に追加

また本発明の銅ボールの製造方法は、表面張力の大きいZn0.5〜40質量％、残部Cuからなる合金の小片をCuの溶融温度以上で溶融して球状化する。 - 特許庁

Alternatively, in the production method, Cu is infiltrated into a porous body obtained by sintering Cr powder and Cu powder to make a Cr-Cu alloy stock, and it is subjected to warm rolling to obtain a Cr-Cu alloy sheet.例文帳に追加

Ｃｒ粉末とＣｕ粉末との混合粉末を焼結した多孔質体にＣｕを溶浸して、Ｃｒ−Ｃｕ合金素材とし、これを温間圧延でＣｒ−Ｃｕ合金板とする製造方法。 - 特許庁

The sliding material is made of a Cu-Ni-Si-based alloy and includes 0.5-10.0 mass% of Ni, 0.1-5.0 mass% of Si, 0.1-5.0 mass% of Cr, with the balance comprising Cu and inevitable impurities, and Sn in the level of impurities.例文帳に追加

Cu-Ni-Si系合金で構成される摺動材料で、Niを0.5〜10.0質量％、Siを0.1〜5.0質量％、Crを0.1〜5.0質量％含み、残部がCuと不可避的な不純物からなり、不純物レベルでSnを含む。 - 特許庁

Or, by arranging a Ta pipe 13 in an inner side of the Nb or Nb-Ta alloy pipe, a (Mg+B)/Ta/Nb/Cu (or a Cu alloy) or (Mg+B)/Ta/Nb-Ta/Cu (or the Cu alloy) structure is provided.例文帳に追加

あるいは、ＮｂまたはＮｂ−Ｔａ合金パイプの内側にＴａパイプ１３を配置することにより、（Ｍｇ＋Ｂ）／Ｔａ／Ｎｂ／Ｃｕ（またはＣｕ合金）、あるいは（Ｍｇ＋Ｂ）／Ｔａ／Ｎｂ−Ｔａ／Ｃｕ（またはＣｕ合金）構造とする。 - 特許庁

The wire more preferably contains ≤3% Mo, ≤2% Cu and one or more kinds selected from Zr, V, Nb, Ti and Ta by ≤2% in total.例文帳に追加

より好ましくは、Moを3%以下、Cuを2%以下、Zr、V、Nb、Ti、Taのうち一種又は二種以上を合計で２%以下含有する。 - 特許庁

To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.例文帳に追加

Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁

To provide a nitride-dispersed reinforced copper (Cu) alloy superior in tensile strength and conductivity and its manufacturing method.例文帳に追加

引張強度および導電率に優れた窒化物分散強化Cu合金およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

At this point, the remaining part of the Cu foil 5 is set smaller in area than that of the Cu plating layer 3.例文帳に追加

このとき、残存するＣｕ箔５の面積がＣｕメッキ層３の面積よりも小さくなるようにする。 - 特許庁

In addition, the Cu-diffused ZAS alloy has no clear interface between Cu and the ZAS alloy.例文帳に追加

なお、このＣｕ拡散ＺＡＳ合金においては、ＣｕとＺＡＳ合金との間に明確な界面は存在しない。 - 特許庁

A via hole 3 connecting a Cu wiring 1 is formed in an interlayer insulation film 2 covering the Cu wiring 1.例文帳に追加

Ｃｕ配線１を覆う層間絶縁膜２内に、Ｃｕ配線１に接続するビアホール３を形成する。 - 特許庁

CU-NI-SI-BASED ALLOY STRIP EXCELLENT IN PLATING ADHESION例文帳に追加

めっき密着性に優れるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金条 - 特許庁

The Cu content in the substrate exceeds 5 weight %.例文帳に追加

基板内のＣｕの含有量は５重量％以上である。 - 特許庁

This leadless solder is composed by incorporating, by weight %, 0.1 to 2.0% Cu, 0.01 to 20.0% In, 0.01 to 1.5% P, 0.1 to 6.5% Bi and the balance Sn into the solder.例文帳に追加

本発明による無鉛半田は重量％で、Cu：0.1〜2.0％、In：0.01〜2.0％、P：0.01〜1.5％、Bi：0.1〜6.5％、残量Snを含んで組成される。 - 特許庁

METHOD OF EVALUATING CONTAINED AMOUNT OF Cu AND Ni IN SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板中のＣｕ及びＮｉ含有量の評価方法 - 特許庁

A ratio (Ca/(Cu+Ca)) of calcium (Ca) to copper (Cu) in the raw liquid is in a range of 0.05-1.0 wt.%.例文帳に追加

原料液中の銅（Ｃｕ）に対するカルシウム（Ｃａ）の割合（Ｃａ／（Ｃｕ＋Ｃａ））を、０．０５〜１．０重量％の範囲とする。 - 特許庁

To form vias and trenches in a copper (Cu) dual damascene process.例文帳に追加

銅（Ｃｕ）デュアルダマシンプロセスによりビア及びトレンチを形成する。 - 特許庁

And damascene wiring of copper (Cu) is performed in the grooves 15.例文帳に追加

そして、その溝１５に銅（Ｃｕ）によるダマシン配線を行う。 - 特許庁

Cu-Ni-Si-BASED COPPER ALLOY SUPERIOR IN HOT WORKABILITY例文帳に追加

熱間加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金 - 特許庁

IMPROVED METHOD FOR Cu ELECTROPLATING IN INTEGRATED CIRCUIT FABRICATION例文帳に追加

集積回路製造における改良された銅電気メッキ方法 - 特許庁

Cu-Zn-Sn-BASED ALLOY THREAD EXCELLENT IN BENDING WORKABILITY例文帳に追加

曲げ加工性に優れるＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金条 - 特許庁

Cu-Ni-Zn ALLOY IMPROVED IN ANNEALING CRACK PROPERTY例文帳に追加

焼鈍割れ性を改善したＣｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系合金 - 特許庁

The metal which can be diffused in Cu is diffused in at least a surface layer of the foundation electrode layer 15 in the first Cu plating film 16.例文帳に追加

第１のＣｕめっき膜１６の少なくとも下地電極層１５側の表層には、Ｃｕに拡散し得る金属が拡散している。 - 特許庁

To provide a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer, a solar battery, a method for forming a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, and a method for forming a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer.例文帳に追加

Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ，Ｓｅ）_２ 薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層の形成方法及びＣｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）_２薄膜層の形成方法を提供 - 特許庁

The Cu-Mn based brazing filler metal fine wire is composed of, by mass, 20 to 45% Mn, and the balance Cu with inevitable impurities, and in which a coating film having a composition satisfying the following inequality (1) is formed on the surface: Cu%/(Cu%+Mn%)≥0.85 (1).例文帳に追加

質量％で、Ｍｎ：２０〜４５％を含む、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、表面に下記式を満たす組成の被膜が形成させたことを特徴とするＣｕ−Ｍｎ系ろう材細線。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a high reliability of an electrical connection with a Cu plug and little leakage current in a configuration of electrically connecting between wirings by the Cu plug, and a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

配線間をCuプラグによって電気的に接続する構成において、Cuプラグとの電気的接続の信頼性が高く、リーク電流が少ない半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The mixed phase of these phases such as Cu liquid phase forms a region 21 at which a Cu oxide is present in a discontinuous manner inside the Cu plating film 22 at least at the interfaces between the ceramic body 9 and the Cu plating films 22.例文帳に追加

これらＣｕ液相等の混合相は、Ｃｕめっき膜２２の内部における、少なくともセラミック素体９との界面側に、不連続状にＣｕ酸化物が存在する領域２１を形成する。 - 特許庁

To provide a homogenizing method where Cu (a solute element) is uniformly dispersed in an Al-Cu alloy, and also, the grains of Cu to be precipitated is made finer.例文帳に追加

Ａｌ−Ｃｕ合金内においてＣｕ（溶質元素）を均一に分散させ、かつ、析出するＣｕの粒子をより微細にするための均質化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate with a Cu pattern in which adhesiveness between a resin and a metal Cu layer is excellent, and the substrate with a Cu pattern obtained thereby.例文帳に追加

樹脂と金属Ｃｕ層の接着性が良好であるＣｕパターン付基板の製造方法及びそれにより得られるＣｕパターン付基板を提供する。 - 特許庁

Thus, Cu to be diffused from the Cu wiring 24 can be captured by the coating layer 31, and Cu in the coating layer 31 can be prevented from diffusing.例文帳に追加

これにより、Ｃｕ配線２４から拡散しようとするＣｕを被覆層３１で捕獲することができ、被覆層３１中におけるＣｕの拡散を防止することができる。 - 特許庁