「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

With this diffusion of Mn into the sacrificial layer 31, an amount of Mn included in the Cu layer 20 is reduced.例文帳に追加

この犠牲層３１へのＭｎの拡散により、Ｃｕ層２０に含まれるＭｎの量が減少する。 - 特許庁

A core wire material 1 is externally coated in a Zn layer 2 and furthermore externally coated in a Cu-Zn alloy layer 3, before wiredrawing followed by heat treatment of diffusing Zn in the Zn layer 2 into the Cu-Zn alloy layer 3 to increase the Zn concentration of the Cu-Zn layer 3 to a desirable one.例文帳に追加

心線材１の外周にＺｎ層２を被覆形成すると共に、その外周にＣｕ−Ｚｎ合金層３を被覆し、伸線加工後、熱処理を施して上記Ｚｎ層２中のＺｎをＣｕ−Ｚｎ合金層３側に拡散させてそのＣｕ−Ｚｎ層３中のＺｎ濃度を所望の濃度まで高める。 - 特許庁

Then, the mixed powder compact is set in an arc-melting apparatus, and a Cu infiltrant is superposed on the compact and melted to infiltrate into the Cu and Cr mixed powder compact (step 3).例文帳に追加

ついで、この混合粉末成形体をアーク溶解装置にセットし、成形体の上にＣｕ溶浸材を重ね、Ｃｕ溶浸材を溶解し、Ｃｕ、Ｃｒ混合粉末成形体に溶浸する（工程３）。 - 特許庁

To provide a Cu alloy film for a display apparatus which is excellent in adhesiveness to an insulating film (for example, SiN film) while maintaining low electric resistivity that is a characteristic of Cu based material.例文帳に追加

Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗率を維持しつつ、絶縁膜（例えばＳｉＮ膜）との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。 - 特許庁

The oxide magnetic material for the laminated inductor is used for the DC/DC converter which operates in current discontinuous mode, and 15 to 50% by mass of ZrSiO_4 is added to Ni-Cu-Zn based ferrite.例文帳に追加

電流不連続モードで動作するDC／DCコンバータに用いられる、積層型インダクタ用酸化物磁性材料であって、Ni-Cu-Zn系フェライトに15質量%を超え50質量%以下のZrSiO_4を添加する。 - 特許庁

The conducting material has a Cu-Sn alloy covering layer consisting mainly of a Cu_6Sn_5 phase, and an Sn covering layer, which are formed in this order on the surface of a base material composed of a Cu alloy plate strip.例文帳に追加

Ｃｕ合金板条からなる母材の表面に、Ｃｕ_６Ｓｎ_５相を主体とするＣｕ−Ｓｎ合金被覆層と、Ｓｎ被覆層がこの順に形成された導電材料。 - 特許庁

The laminate comprises forming an adhesive layer on the surface of the adherent which is composed of Cu, V, a Cu alloy or a V alloy and in which deposits with a height of 500 nm or below are scattered.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｖ、Ｃｕ合金またはＶ合金からなり、かつ、５００ｎｍ以下の高さの析出物が点在する被接着体表面に、接着剤層を形成してなる積層体。 - 特許庁

(1) In the thin Al-Cu joined structure, a brazed member with Ag used for an insert on a joining surface of an Al member with a Cu member is rolled.例文帳に追加

（１）Ａｌ部材とＣｕ部材との接合面にＡｇをインサート材として用いたろう付け接合部材を圧延加工したことを特徴とする薄型Ａｌ−Ｃｕ接合構造物である。 - 特許庁

Consequently, an air gap can be prevented from being formed in the wiring groove G2 and via hole V2 when a Cu film 9 is formed by electric field plating using the Cu seed film 9a as an electrode.例文帳に追加

これにより、Ｃｕシード膜９ａを電極として電界メッキ法によりＣｕ膜９を形成した際に、配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２内に空隙が形成されることを防ぐ。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, a Cu wiring layer 13 is formed by electrolytic plating, and a resin film 14 is formed to cover the Cu wiring layer 13.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、電解メッキ法によりＣｕ配線層１３を形成し、Ｃｕ配線層１３を被覆するように樹脂膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide slurry for CMP in which polishing power can be controlled for an insulating film while sustaining good polishing power for a film of Cu or a Cu alloy.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕ合金の膜に対して良好な研磨能力を維持しつつ、絶縁膜に対する研磨性を抑制することが可能なＣＭＰ用ＣＭＰ用スラリを提供する。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the semiconductor device, after forming the Cu layer 4 on an insulating film 2 for filling wiring grooves 1 in the insulating film 2 by electroplating, the surface of the Cu layer 4 is sputtered by using rare gas ions.例文帳に追加

絶縁膜２上に、絶縁膜２に形成された配線溝１を埋め込むＣｕ層４を電気めっきで形成したのち、Ｃｕ層４の表面を稀ガスイオンを用いてスパッタする。 - 特許庁

Vias 13 reaching a Cu foil 12 are formed into an insulation base 11 of a first printed board 10, and through-conductors 17 are formed in the vias 13, while an adhesive 30 is applied to specified regions of a Cu foil 22 surface of a second printed board 20, except corresponding portions of the foil surface to the through-conductors 17.例文帳に追加

第１プリント基板１０の絶縁基材１１に銅箔１２に届くバイアホール１３を形成し、そのバイアホール１３内に貫通導体１７を形成する。 - 特許庁

The powder 12 of W-type hexagonal ferrite is expressed by a composition formula Co_xMe_2-xBaFe_16O_27, and Me is one kind or more kinds selected from Mg, Mn, Fe, Ni, Cu, and Zn which may be in a bivalent metal ion state.例文帳に追加

Ｗ型六方晶フェライトの粉体１２は組成式が Co_xMe_2-xBaFe_16O_27 で示され、Meは２価の金属イオン状態となり得る金属、Mg, Mn, Fe, Ni, CuおよびZnから選ばれた１種または２種以上である。 - 特許庁

The Cu bonding wire is characterized in consisting of 2 mass ppm or less of Cl, 2 to 7.5 mass% of Au, and remaining Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

Ｃｌの含有量が２質量ｐｐｍ以下である、２質量％以上７．５質量％以下のＡｕを含み、残部Ｃｕと不可避不純物からなることを特徴とするＣｕボンディングワイヤ。 - 特許庁

To provide a Cu alloy film for reducing resistance in a process temperature region of a wiring film of a flat display device or the like, and a sputtering target material for forming the Cu alloy film.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing fine particles of a Cu-P alloy and fine particles of a Cu-Sn-P alloy, which reduces the formation of dendrite by conducting a reduction reaction in a liquid phase.例文帳に追加

液相で還元反応を行うことにより、デンドライト化が抑制されたＣｕ−Ｐ合金微粒子、及びＣｕ−Ｓｎ−Ｐ合金微粒子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The Cu-Ga based alloy powder includes, in atom%, not less than 25% and less than 40% of Ga, the balance comprising Cu and unavoidable impurities, wherein the powder has an oxygen content of 200 ppm or less.例文帳に追加

原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２００ｐｐｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金粉末。 - 特許庁

To provide low-resistance and high-reliability Cu wiring by eliminating influences caused by so-called battery effect in a semiconductor device and manufacturing method thereof for forming Cu wiring through Damascene techniques.例文帳に追加

Ｃｕ配線をダマシン法で形成する半導体装置及びその製造方法において、いわゆる電池効果による影響を無くし、低抵抗で信頼性の高いＣｕ配線を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer grinding method capable of maintaining a gettering sink effect and decreasing a metal atom such as copper (Cu) contained in a wafer, assuring flexural strength.例文帳に追加

ゲッタリングシンク(gettering sink)効果を維持するとともに抗折強度を確保しつつウエーハの内部に含有している銅（Cu）等の金属原子を減少させることができるウエーハの研削方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a Cu-Zn alloy sheet which has excellent bending workability while preventing the surplus increase of a load in cold rolling after intermediate annealing upon production of a Cu-Zn alloy sheet.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｚｎ合金板の製造に際し、中間焼鈍後の冷間圧延の負荷が過度に大きくなるのを防止しつつ、曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｚｎ合金板を得る。 - 特許庁

To provide a Cu sputtering target which can stabilize a plasma and keep a self-maintaining discharge for a long time in a self-ion-sputtering method of Cu.例文帳に追加

Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。 - 特許庁

A CU pass section 124 executes calculation in which a result of RLC is zero (0) in step S141, calculation in which a result of RLC is one (1) in step S142, calculation of first UNIFORM encode in step S143, and calculation of second UNIFORM encode in step S144.例文帳に追加

CUパス部１２４は、ステップＳ１４１においてRLCの結果が０である計算を行い、ステップＳ１４２においてRLCの結果が１である計算を行い、ステップＳ１４３において１番目のUNIFORMエンコードの計算を行い、ステップＳ１４４において２番目のUNIFORMエンコードの計算を行う。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING In-Se ALLOY POWDER, SINTERED In-Se ALLOY, Ga-Se ALLOY POWDER, SINTERED Ga-Se ALLOY, In-Ga-Se ALLOY POWDER, SINTERED In-Ga-Se ALLOY, Cu-In-Ga-Se ALLOY POWDER, AND SINTERED Cu-In-Ga-Se ALLOY例文帳に追加

Ｉｎ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｓｅ合金焼結体、Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法 - 特許庁

The Zn-Cu based ferrite consists of the crystal grains 1 of Fe_2O_3 in the compositional range of 45 to 48 mol%, CuO in 10 to 13 mol% and Zn-Cu ferrite in 40 to 45 mol%, and CuO 2 precipitated into the grain boundaries thereof.例文帳に追加

Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライトは、４５〜４８ｍｏｌ％のＦｅ_2Ｏ_3、１０〜１３ｍｏｌ％のＣｕＯ、４０〜４５ｍｏｌ％の組成範囲のＺｎ−Ｃｕフェライトの結晶粒１と、その結晶粒界に析出するＣｕＯ２で構成される。 - 特許庁

After forming the Cu plating layers 7a, 7b, the Cu plating layers 7a, 7b are recrystallized by performing a heat treatment at a temperature more than a temperature at which the Cu plating layers 7a, 7b are recrystallized, and at a temperature at which any glass contained in conductive paste is not softened.例文帳に追加

Ｃｕめっき層７ａ，７ｂの形成後、Ｃｕめっき層７ａ，７ｂが再結晶化する温度以上の温度で、かつ、導電性ペーストに含まれるガラスが軟化しない温度で熱処理することによりＣｕめっき層７ａ，７ｂを再結晶化させる。 - 特許庁

The fine roughened particle layer in which a copper-alloy fine roughened particle layer consisting of the Cu alloy is laminated on the copper fine roughened particle layer composed of Cu is used as the particle layer, and it is preferable that the fine roughened particle layer is formed of a Cu-Co-Ni alloy.例文帳に追加

前記微細粗化粒子層は、Ｃｕからなる銅微細粗化粒子層の上にＣｕ合金からなる銅合金微細粗化粒子層を積層した微細粗化粒子層であり、前記微細粗化粒子層はＣｕ−Ｃｏ−Ｎｉ合金で形成するとよい。 - 特許庁

Furthermore, when a film of Cu layer/Cu alloy layer/Cu plated buried layer 6 is formed, by conducting this at a room temperature, with the result that a close adhesion between the respective laminated layers have full strength, and a leveling process by a CMP in a next step can be executed.例文帳に追加

またＣｕ層／Ｃｕ合金層／Ｃｕメッキ埋め込み層の成膜時の基板温度は何れも室温で行うことで、各積層間の密着性は十分な強度をもつものとなり、次工程のＣＭＰによる平面化処理を実施することができる。 - 特許庁

The conductive material has a Cu-Sn alloy covering layer which contains a Cu of 20 to 70at% and has an average thickness of 0.2 to 3.0 m, and an Sn covering layer having an average thickness of 0.2 to 5.0 μm formed formed in this order on the surface of a base material composed of a Cu plate strip.例文帳に追加

Ｃｕ板条からなる母材の表面に、Ｃｕ含有量が２０〜７０ａｔ％で平均の厚さが０．２〜３．０μｍのＣｕ−Ｓｎ合金被覆層と平均の厚さが０．２〜５．０μｍのＳｎ被覆層がこの順に形成された導電材料。 - 特許庁

Acid is added to a solution containing copper (I)-ammine complex ions to reduce its pH, and copper (I) ions (Cu^1+) are subjected to disproportionation decomposition reaction into copper (II) ions (Cu^2+) and metallic copper (Cu), so that the metallic copper is precipitated in the shape of ultrafine grains to produce the copper ultrafine grains.例文帳に追加

銅(I)アンミン錯イオンを含む溶液に酸を加えてｐＨを低下させて、銅(I)イオン（Ｃｕ^1+）を、銅(II)イオン(Ｃｕ^2+)と金属銅（Ｃｕ）とに不均化分解反応させることで、金属銅を超微粒子状に析出させて銅超微粒子を製造する。 - 特許庁

A process for eliminating an insulating film formed on a Cu film in a method for eliminating the insulating film comprises a process for etching under conditions, where the penetration of an etching active species onto the surface of a Cu film is 15 nm or less on the surface of the Cu film; and a process for washing the surface of the Cu film after eliminating the insulating film.例文帳に追加

Ｃｕ膜上に形成された絶縁膜を除去する工程において、Ｃｕ膜表面へのエッチング活性種の入り込みがＣｕ膜表面から１５ｎｍ以下となる条件でエッチングを行う工程と、絶縁膜を除去した後Ｃｕ膜表面を洗浄する工程と、を備えることを特徴とする絶縁膜の除去法方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent generation of a void in forming a Cu wiring and prevent deterioration in adhesiveness between a barrier metal layer and a Cu layer, and a semiconductor device manufactured by this method.例文帳に追加

Ｃｕ配線形成時のボイドの発生を抑制し、バリアメタル層とＣｕ層の密着性低下を抑制できる半導体装置の製造方法とこの方法で製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the reflow Sn plated member, a reflow Sn layer is formed on the surface of a base material made of Cu or a Cu based alloy, and the orientation index of the (101) face in the surface of the reflow Sn layer is 2.0 to 5.0.例文帳に追加

Ｃｕ又はＣｕ基合金からなる基材の表面にリフローＳｎ層が形成され、該リフローＳｎ層の表面の（１０１）面の配向指数が２．０以上５．０以下であるリフローＳｎめっき部材である。 - 特許庁

To provide a practical and formable sputtering target of a Cu-Ga alloy or a Cu-Ga-In alloy for a thin film solar battery high in reliability and to provide a method for producing it.例文帳に追加

実用的で成形可能な信頼性の高い薄膜太陽電池用のＣｕ−Ｇａ合金或いはＣｕ−Ｇａ−Ｉｎ合金のスパッタリングターゲットを提供すること及びその製造方法を提供すること - 特許庁

In this regard, single cavity nitride based compound semiconductor lasers LD1-7 are employed in a chip state and mounted on a heat dissipation block 10 made of Cu or a Cu alloy through a submount 9.例文帳に追加

そして半導体レーザーとして、チップ状態のシングルキャビティ窒化物系化合物半導体レーザーＬＤ１〜７を用い、それらをサブマウント９を介してＣｕまたはＣｕ合金製放熱ブロック１０上に実装する。 - 特許庁

In the austenitic stainless steel, the content of Cu is 0.5 to 3.0 mass%, and concentration of Cu in an outermost surface layer measured by Auger electron spectral analysis is ≤0.5 atomic%, preferably, ≤0.1 atomic%.例文帳に追加

Ｃｕ含有量が０.５〜３.０質量％であり、オージェ電子分光分析により測定される極表層のＣｕ濃度が０.５原子％以下好ましくは０.１原子％以下であるオーステナイト系ステンレス鋼材。 - 特許庁

The Cu-Ga alloy powder is obtained by stirring and alloying a mixed powder, in which a Cu powder and Ga are blended at a mass ratio from 85:15 to 55:45, in an inert atmosphere at a temperature of 30-700°C.例文帳に追加

Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。 - 特許庁

The state of CNT can be adjusted in accordance with plating conditions, to a state that CNT is completely embedded in an electroless Cu plating film or to a state that tops of CNT protrude from the surface of an electroless Cu plating film.例文帳に追加

めっき条件によって、ＣＮＴが無電解Ｃｕめっき皮膜内に完全に埋没している状態や、無電解Ｃｕめっき皮膜表面にＣＮＴの先端が突出している状態に調整できる。 - 特許庁

To provide a rear earth sintered magnet wherein its residual magnetic-flux density is improved in comparison with the case of Al and Cu being added to it, while exhibiting its coercive force nearly equal to its coercive force obtained in the case of Al and Cu being added to it.例文帳に追加

ＡｌやＣｕを添加された場合の保磁力と同等の保磁力を発揮しつつ、ＡｌやＣｕを添加された場合よりも残留磁束密度を向上した希土類焼結磁石を提供する。 - 特許庁

To provide a copper alloy for an electronic material having satisfactory solderability and plating properties and moreover excellent in stress relaxing characteristics in a Cu-Ni-Si series alloy having sufficient strength and electrical conductivity.例文帳に追加

十分な強度及び電気伝導度を有するCu−Ni−Si系合金において，良好な半田付け性およびめっき性を有し，さらには応力緩和特性にも優れた電子材料用銅合金を提供する。 - 特許庁

This silver brazing filler metal has a composition essentially consisting of silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), tin (Sn) and indium (In), comprising by weight, 52 to 54% Ag, 21 to 23% Cu, 10 to 13% Zn, 9 to 12% Sn and 1 to 5% In, and the balance inevitable impurities.例文帳に追加

この銀ろうは，銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），亜鉛（Ｚｎ），錫（Ｓｎ），インジウム（Ｉｎ）を主成分とし，Ａｇ：５２〜５４ｗｔ％，Ｃｕ：２１〜２３ｗｔ％，Ｚｎ：１０〜１３ｗｔ％，Ｓｎ：９〜１２ｗｔ％，Ｉｎ：１〜５ｗｔ％を含み，さらに、残部の不可避不純物を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a Cu-Co-Si-based copper alloy which is suitably used in various kinds of electronic components, and in particular excellent in uniform adhesion property of plating.例文帳に追加

各種電子部品に用いるのに好適で、とりわけ、めっきの均一付着性に優れたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金を提供する。 - 特許庁

The sensors SU and SW are disposed in a gap formed in the corresponding magnetism collecting cores CU and CW, respectively.例文帳に追加

電流センサＳＵ及びＳＷはそれぞれ対応する集磁コアＣＵ及びＣＷに設けられた間隙内に配設されている。 - 特許庁

To form a Cu film in even deep parts of a fine pattern by cleaning a substrate to be treated with a medium in a supercritical state.例文帳に追加

超臨界状態の媒体を用いた被処理基板のクリーニングにより、微細パターンへのＣｕ膜の埋め込みを可能にする。 - 特許庁

A wiring groove M1 is formed in a first insulating film 1, and a Cu film 2b is provided in the wiring groove M1.例文帳に追加

第１の絶縁膜１には配線溝Ｍ１が形成されており、配線溝Ｍ１内にはＣｕ膜２ｂが設けられている。 - 特許庁