「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a cheaper solder alloy having a best soldering feature by improving the wettability of a Sn-Cu base lead-free solder alloy poorer than that of a Sn-Ag base lead-free solder alloy while better in cost effectiveness.例文帳に追加

Sn−Ag系鉛フリーはんだ合金に比べてコスト面で優位であるが、ぬれ性の悪いSn−Cu系鉛フリーはんだ合金のぬれ性を改善して、安価ではんだ付け性の良好なはんだ合金を提供する。 - 特許庁

When the Ag plating 1 and Cu plating 12 applied onto the seal ring body 10 are melted by heating the seal ring, an unmelted part is prevented from occurring in the Ag plating 14 and Cu plating 12.例文帳に追加

そして、シールリングを加熱して、シールリング本体１０に施されたＡｇめっき１４とＣｕめっき１２とを溶融させた際に、そのＡｇめっき１４とＣｕめっき１２とに不溶融箇所が発生するのを防ぐ。 - 特許庁

In an electronic apparatus 100, when sounds uttered by a plurality of users CU are input in a plurality of microphones 121, 122, a sound recognition portion 131 recognizes the sounds uttered by the users CU on the basis of the input results, and a language determination portion 132 individually determines languages used by a plurality of users CU on the basis of the recognized sounds.例文帳に追加

電子機器１００では、複数の利用者ＣＵが発声した音声が複数のマイクロフォン１２１，１２２に入力されると、その入力結果から利用者ＣＵが発声した音声を音声認識部１３１が認識し、認識された音声から複数の利用者ＣＵの言語を言語判定部１３２が個々に判定する。 - 特許庁

Cu-Ga alloy powders are directly formed by stirring Cu powders in a mixed gas atmosphere including hydrogen gas at a temperature of 150-300°C, mixing Ga at a ratio of 10-45 mass% with the stirred Cu powders, and stirring the mixed powders in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 30-300°C.例文帳に追加

Ｃｕ粉末を、水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で１５０℃〜３００℃の温度で撹拌し、撹拌したＣｕ粉末に、Ｇａを１０質量％〜４５質量％の割合で配合した混合粉末を、真空又は不活性雰囲気中で３０℃〜３００℃の温度で攪拌することにより、直接、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を形成する。 - 特許庁

To obtain a wafer in which fluctuations in transistor characteristics are reduced by preventing the diffusion into silicon of Cu produced by a heat treatment such as a Cu interconnection forming process and a manufacturing method therefor, as well as to obtain a semiconductor device formed of the same wafer.例文帳に追加

Ｃｕ配線形成工程などの熱処理により発生するＣｕのシリコン中への拡散を防止してトランジスタ特性の変動を少なくさせたウェーハ及びその製造方法、このウェーハから形成された半導体装置を提供する。 - 特許庁

The solder powder of the Sn-Zn alloy of which the area ≥50% of the surface is coated with a layer of an Sn alloy consisting essentially of Sn and containing at least one element of Ag, In, Ge, Cu or Bi.例文帳に追加

本発明は、Sn−Zn合金のはんだ粉末において、Snを主成分としAg, In, Ge, Cu,又はBiの少なくとも一元素を含有したSn合金の被覆層により、該はんだ粉末の表面積の５０％以上が被覆されているSn−Zn合金のはんだ粉末を提供する。 - 特許庁

The coaxial cable 1 is protected from disconnection by bending or twisting, and has excellent fatigue characteristics, by comprising the Cu-Ag alloy wire 11 containing Ag in a specified range and having a specified size, and the central conductor 10 satisfying conductivity and tensile strength in the specified range.例文帳に追加

Agを特定の範囲で含有し、かつ特定の大きさを有するCu-Ag合金線11を具え、導電率・引張強さが特定の範囲を満たす中心導体10を具えることで、同軸ケーブル1は、屈曲や捻回により断線し難く、疲労特性に優れる。 - 特許庁

To provide a Co film formation method capable of effectively removing impurity in the film and on the film surface and realizing higher low resistance and excellent adhesion to a barrier layer and a Cu wiring layer in application to a Cu wiring structure.例文帳に追加

膜中及び膜表面の不純物が効果的に除去でき、Ｃｕ配線構造に適用したときにバリア層及びＣｕ配線層に対する密着性に優れて一層の低抵抗を実現できるＣｏ膜形成方法を提供する。 - 特許庁

A solder alloy containing 60 to 100 mass ppm P is fed to an Sn-Ag based or Sn-Ag-Cu based solder alloy for replenishing a solder bath against the reduction of a P content in the solder bath occurring in the process of the working of a jet, and the P content is retained.例文帳に追加

噴流稼働中に見られるはんだ浴内のＰ含有量の減少に対して、はんだ浴補充用にSn−Ag系またはSn−Ag−Cu系はんだ合金にＰ60〜100 質量ppm含有するはんだ合金を供給してＰ含有量の維持を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is excellent in adhesion and operation characteristics while preventing the diffusion of Cu included in a Cu wiring layer to the circumference, a method for manufacturing the same, and a sputtering target used for the manufacture of the device.例文帳に追加

Ｃｕ配線層に含まれるＣｕの周囲への拡散を抑制すると共に密着性および動作特性に優れた半導体装置およびその製造方法、並びに、その半導体装置の製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The brazing filler metal sheet has a metal layer composed of an In layer or an In alloy layer on the surface of a foil material of Ag, Cu or an Ag-Cu alloy.例文帳に追加

本発明はＡｇ、ＣｕまたはＡｇ−Ｃｕ合金の箔材の表面にＩｎ層またはＩｎ合金層からなる金属層を有するロウ材シートであり、好ましくは前記Ａｇ、ＣｕまたはＡｇ−Ｃｕ合金の箔材の平均厚さが２０〜２００μｍである。 - 特許庁

In laser irradiation, the Cu powder 20 melts instantaneously by absorbing laser energy of the YAG second harmonic efficiently and the inside of the through hole 16 is rendered conductive thus forming a conductor plug 22 composed of Cu in the through hole 16.例文帳に追加

このレーザ照射において、Ｃｕパウダー２０はＹＡＧ第２高調波のレーザエネルギーを効率的に吸収して瞬間的に溶融し、スルーホール１６内が導電化され、スルーホール１６内にＣｕから成る導体プラグ２２が形成される。 - 特許庁

The high Mn-contained molten metal can further contain by mass% of one or more elements selected in the group composed of ≤1% Si, ≤0.5% P, ≤0.5% S, ≤20% Cr, ≤1% Cu, and ≤10% Ni in stead of a part of Mn and Fe.例文帳に追加

高Ｍｎ含有溶融金属が,Mnおよび鉄の一部に代えて,Siを1質量%以下,Pを0.5質量%以下,Sを0.5質量%以下,Crを20質量%以下,Cuを1質量%以下およびNiを10質量%以下からなる群から選ばれた一種以上をさらに含有してもよい。 - 特許庁

To realize a method of manufacturing a semiconductor device having metal electrodes whereby Cu contamination of the side walls of fine openings and growth of voids in the metal electrodes are avoided when burying the metal electrodes in the fine openings on a Cu wiring.例文帳に追加

銅配線上の微細な開口部に金属電極を埋め込む際、開口部の側壁の銅汚染及び金属電極内に生じる空洞の発生を防止した金属電極を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the terminal, a surface layer composed of a quaternary alloy of Sn-Ag-Cu-In or Sn-Ag-Cu-Bi is formed on the whole face or a part of an electrically conductive substrate by electroplating.例文帳に追加

本発明の端子は、導電性基体上の全面または部分に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−ＩｎまたはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉからなる四元合金により構成される表面層を電気めっきにより形成したことを特徴としている。 - 特許庁

An RE-Ba-Cu-O bulky superconductor (RE is La, Nd, Sm, Eu, Gd, Y, Ho or Dy) is irradiated with neutrons to disperse and incorporate 5-50% 'amorphous phase' having 10-500 nm particle diameter or 5-50% 'recrystallized phase different from parent phase in crystal orientation' in the parent phase of the superconductor.例文帳に追加

中性子照射等により、ＲＥ−Ba−Cu−Ｏバルク超電導体（ＲＥはLa，Nd，Sm，Eu，Gd，Ｙ，Ho又はDy）の母相中に粒径10〜 500nmの“アモルファス相”あるいは“母相とは結晶方位の異なる再結晶相”を５〜５０％分散含有させる。 - 特許庁

The process for producing the sputtering target comprises the steps of: forming a molded object comprising a mixed powder composed of an NaF powder and a Cu-Ga powder or a mixed powder composed of an NaF powder, a Cu-Ga powder and a Cu powder; and sintering the molded object in a vacuum atmosphere, an inert gas atmosphere or a reductive atmosphere.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、ＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末との混合粉末、又はＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末とＣｕ粉末との混合粉末からなる成形体を形成し、その後、真空、不活性ガスまたは還元雰囲気中で焼結する工程を有している。 - 特許庁

In performing sputtering deposition under an oxidizing atmosphere of the barrier layer which constructs the thin-film transistor, a Cu alloy sputtering target is used, which is constructed of a Cu alloy which has a component composition consisting of Al of 1 to 10 atom%, Ca of 0.1 to 2 atom%, and the balance comprising Cu and inevitable impurities (1% or less).例文帳に追加

薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 - 特許庁

In order to obtain a favorable wiring structure, a Cu oxide formed on the exposed surface of Cu can be reduced sufficiently, the thermal expansion of the exposed surface of Cu can be prevented, and annealing performed by using a hydrogen gas as reducing gas is performed under a condition that a annealing temperature and annealing pressure are adjusted to 200-350°C and ≤80 Pa, respectively.例文帳に追加

Ｃｕ露出表面のＣｕ酸化物の十分な還元及びＣｕ露出表面における熱膨張の防止の各観点を全て満足し、良好な配線構造を得るには、水素ガスを還元ガスとして用いるアニール処理を、処理温度を２００℃〜３５０℃、且つ処理圧力を８０Ｐａ以下の条件で実行する。 - 特許庁

After melting the iron scrap containing Cu and the inevitable impurities with the total weight of the iron and the soluble elements into the iron, as 100 wt.%, C is added in the range shown in the inequality 5.0×(1-Cu/100)≤C≤20, (Cu, C are shown in the wt.%) into this molten iron.例文帳に追加

鉄および鉄に可溶性の元素の重量合計を１００重量％としてＣｕおよび不可避元素を含む鉄スクラップを溶解した後、この溶鉄に次式で示す範囲でＣを添加し、次いで溶融状態でＦｅ富化層とＣｕ富化層に分離し、両者の比重差を利用して該鉄スクラップに含まれるＣｕをＣｕ富化層に沈殿分離させることによりＦｅ富化層から除去する。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy plate for a printing plate in which unetched parts are reduced and coarsened pits are not formed on the surface in an electrolytic etching treatment stage, and the content of Cu in the surface part is low.例文帳に追加

電解エッチング処理工程において表面に未エッチング部分が少なく、粗大化したピットが生じないような印刷用アルミニウム合金板を提供する。 - 特許庁

To provide a non-oriented magnetic steel sheet for a small transformer excellent in exciting characteristic in a low magnetic field which contains Cu and secures and improves an exciting characteristic in the low magnetic field.例文帳に追加

Ｃｕを含有し、かつ低温の歪取焼鈍でも優れた低磁場励磁特性を確保・改善する小型トランス用の無方向性電磁鋼板を提供する。 - 特許庁

In this case, the electrode of the board is solder connected to the electrode of the component by using a lead-free solder containing Cu of O to 2.0 mass%;, In of 0.1 to 10 mass%; and Sn of the residue.例文帳に追加

本発明は、上記目的を達成するために、回路基板と、該回路基板の有する電極と電気的に接続する電子部品と、該回路基板の有する電極と該電子部品の有する電極とをCu:0〜2.0mass%、In:0.1〜10mass%、残りSnからなる鉛フリーはんだを用いてはんだ接続したものである。 - 特許庁

To obtain a Cu-Ga alloy sputtering target which has high Ga concentration and in which cracks, abnormal discharge, and generation of particles are suppressed.例文帳に追加

高Ｇａ濃度を有し、割れや異常放電、パーティクルが発生が抑制されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁

The SO_2 absorption amount α (mol × SO_2/mol × Cu) of the desulfurization/denitrification agent is preferably 0.3 or more and sulfur oxide and nitrogen oxide in gas can be removed by the desulfurization/denitrification agent.例文帳に追加

脱硫脱硝剤は、ＳＯ_２ 吸収量α（ｍｏｌ・ＳＯ_２ ／ｍｏｌ・Ｃｕ）が０．３以上であることが好ましい。 - 特許庁

A conductive layer 3 made of mainly a Cu-plated film is formed and flattened in a stepped recess of an interlayer insulating film 2.例文帳に追加

層間絶縁膜２の段差を有した窪みに主にＣｕメッキ膜でなる導電層３が形成され平坦化されている。 - 特許庁

In the opening regions 29 and 33, a metal layer 34 for plating and a Cu plating layer 36 are laminated on the electrode 26 for connection.例文帳に追加

開口領域２９、３３では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３４、Ｃｕメッキ層３６が積層される。 - 特許庁

In the opening regions 29 and 31, a metal layer 32 for plating and a Cu plating layer 34 are laminated on the electrode 26 for connection.例文帳に追加

開口領域２９、３１では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３２、Ｃｕメッキ層３４が積層される。 - 特許庁

In step 4, the film formation speed of the Cu film can be accelerated dependently upon crystallinity on the surface of the Ru film.例文帳に追加

このＳＴＥＰ４では、Ｒｕ膜の表面の結晶性に依存して、Ｃｕ膜の成膜速度を大きくすることができる。 - 特許庁

To provide a high concentration Co-containing Cu-Co-Si alloy having high strength, high conductivity and high bendability in combination.例文帳に追加

高強度、高導電性及び高曲げ加工性を兼備する高濃度Ｃｏ含有Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金を提供する。 - 特許庁

In the component composition of the wire and flux for submerged welding, Mo is added together with suitable contents of Ni and Cu.例文帳に追加

潜弧溶接用ワイヤおよびフラックスの成分組成において、Ｍｏを適当な量のＮｉおよびＣｕとともに添加する。 - 特許庁

To form a Cu film with an excellent buried shape in an interior of a wiring groove and a connecting hole by electrolysis plating.例文帳に追加

配線溝および接続孔の内部に、良好な埋め込み形状を有するＣｕ膜を電解めっきにより形成する。 - 特許庁

A CU (card unit) connected to an S machine (slot machine) using awarded points, stores the awarded points usable in a game on the S machine.例文帳に追加

持点式のＳ台（スロットマシン）と接続されるＣＵ（カードユニット）は、Ｓ台で遊技に使用可能とされる持点を記憶する。 - 特許庁

The silver alloy preferably comprises 0.1 to 5 wt.% of one or more kinds of elements selected from the group consisting of Zn, Mg, Au, Pd, Cu, Sn and In as well.例文帳に追加

さらに、Ｚｎ，Ｍｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｉｎからなる群より選択される１種以上の元素を０．１〜５重量％含むことが好ましい。 - 特許庁

A wiring main body layer of Cu is formed on the barrier layer of the substrate W placed in the second unit 13.例文帳に追加

次に、第２成膜ユニット１３中にセットされた基板Ｗのバリア層上に、Ｃｕからなる配線本体層を形成する。 - 特許庁

To provide a treatment method by which Cu and In can be recovered simultaneously at high recovery rate from a zinc leaching residue.例文帳に追加

亜鉛浸出残渣からＣuおよびＩnを同時に高い回収率で回収することのできる処理方法を提供する。 - 特許庁

The Pt-Cu base alloy contains 20-40% Pt in the ratio of the number of atoms as a composition ratio.例文帳に追加

ここで、Ｐｔ−Ｃｕ系合金は、組成比としては原子数比でＰｔ含有量が２０〜４０％であることを特徴とする。 - 特許庁

A CU (card unit) connected with a gained point type P machine (game machine) stores the number of game balls usable for a game in the P machine.例文帳に追加

持点式のＰ台（遊技機）と接続されるＣＵ（カードユニット）は、Ｐ台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

To provide an electronic part material, usable in replace of Cu alloy, and capable of saving weight and reducing raw material cost.例文帳に追加

Ｃｕ合金の代わりに使用でき、軽量化が図れると共に、原材料費の低減も図れる電子部品材を提供する。 - 特許庁

A plating base film material such as Ti/Cu is deposited thereupon to form a plating base film 18 in the opening 17.例文帳に追加

この上からＴｉ／Ｃｕなどのメッキ下地膜材料を堆積させて開口１７内にメッキ下地膜１８を形成する。 - 特許庁

In the formula, X+Y+Z=3, X>0, Y≥0, and Z>0 are satisfied, and L and M each is Co, Ni, Fe, Cu, or Si.例文帳に追加

式中、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝３、Ｘ＞０、Ｙ≧０、Ｚ＞０であり、Ｌ及びＭは、それぞれＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ及びＳｉのいずれかである。 - 特許庁

The composite solder 1 is composed in such a manner that metal nets 2 made of Cu are held between two pieces of solder foils and press-fixed.例文帳に追加

複合はんだ１は、Ｃｕからなる金属網２が２枚のはんだ箔３によって挟まれて圧着された構成からなる。 - 特許庁

In this case, the hot forging mold can further include, by mass%, 0.1 to 1.0% of Co, and further 0.1 to 1.0% of Cu.例文帳に追加

この場合に、更に、質量％で、Ｃｏ：０．１〜１．０％を含有し、更に、Ｃｕ：０．１〜１．０％を含有することができる。 - 特許庁

The biaxially oriented polyester film contains Cu element and is characterized in that the amount of terminal carboxylic acid is ≤26 equivalent/ton.例文帳に追加

Ｃｕ元素を含有し、末端カルボン酸量が２６当量/トン以下であることを特徴とする二軸配向ポリエステルフィルム。 - 特許庁

Cu wirings 46a to 46e to be buried in wiring grooves 40 of silicon oxide film 39, are formed by means of polishing using CMP.例文帳に追加

シリコン酸化膜３９の配線溝４０に埋め込むＣｕ配線４６ａ〜４６ｅをＣＭＰを用いた研磨で形成する。 - 特許庁