「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A Cu-Mn alloy sputtering target for forming the copper alloy wiring of the semiconductor contains: 0.05-20 wt.% of Mn; ≤500 wt.ppm in total of Be, B, Mg, Al, Si, Ca, Ba, La, and Ce; and the balance being Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、Ｂｅ，Ｂ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｂａ，Ｌａ，Ｃｅの総計が５００ｗｔｐｐｍ以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物であることを特徴とするＣｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

The copper micro-ball includes 0.01-0.5 mass% Zn in Cu.例文帳に追加

また従来の銅ボールで作られた銅核はんだボールは、外被のはんだを溶融させて電子部品に接合したときに、はんだ中のSnと銅ボールのCuとが脆い金属間化合物を生成して接合強度を低下させていた。 - 特許庁

The TaN film for the semiconductor device is a TaN film used as a barrier layer to a wiring film made of Cu or Cu alloy, and is characterized by having 5% or less of the in-plane uniformity of thickness of the formed film.例文帳に追加

半導体デバイス用ＴａＮ膜はＣｕまたはＣｕ合金からなる配線膜に対するバリア層として用いられるＴａＮ膜であって、膜厚の面内均一性が5％以下とされている。 - 特許庁

Solid Ag is homogeneously melted into the homogeneous liquid phase of a Cu-Ni alloy obtained by melting Cu and Ni in a blending weight ratio of 83.5:16.5 so that the blending weight ratio is controlled to 45.5:54.5.例文帳に追加

ＣｕとＮｉを配合重量比８３．５：１６．５で溶解して得たＣｕ−Ｎｉ合金の均質な液相に対して固体のＡｇを配合重量比が４５．５：５４．５となるように均質に溶解する。 - 特許庁

Alternatively, the solder alloy has a composition comprising 3.0 to 10.0% Sb, ≤1.0% (not including zero as the lower limit value in the range) Cu, 0.01 to 1.0% Ni and 0.01 to 1.0% Ge, and the balance Sn with inevitable impurities.例文帳に追加

あるいは、Sbを3.0〜10.0質量％、Cuを1.0質量％以下（範囲下限値の零を含まず）、Niを0.01〜1.0質量％、Geを0.01〜1.0質量％含有し、残部はSn及び不可避的不純物からなるものとする。 - 特許庁

This high purity Cu composing the Cu sputtering target contains at least one kind of chemical element selected from Ag and Au, of which the total content is in the range of 0.005-500 ppm.例文帳に追加

このＣｕスパッタリングターゲットを構成する高純度Ｃｕは、ＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも1種の元素を含有し、かつＡｇおよびＡｕの合計含有量が0.005〜500ppmの範囲とされている。 - 特許庁

To provide a method for easily and highly precisely detecting Pb and/or Cu in Zn-based compounds which can contain Pb and/or Cu as impurities without having to use hazardous reagents.例文帳に追加

不純物としてＰb及び／又はＣｕを含み得るＺｎ系化合物中のＰb及び／又はＣｕを有害な試薬を使用することなく簡便且つ高精度で検出する方法提供する。 - 特許庁

To provide a coated copper wire for ball bonding which avoids inconvenience by oxidation of a Cu or Cu alloy core material in ball-up after tear-off.例文帳に追加

ボールボンディング用被覆銅ワイヤにおいて、引きちぎり後のボールアップに際してＣｕまたはＣｕ合金芯材の酸化による不都合を回避することができるボールボンディング用被覆銅ワイヤを提供する。 - 特許庁

Subsequently, the Cu film 13 on the sacrifice film 14 and the insulation film 11 is polished using a chemical mechanical polishing method thus forming wiring formed of the Cu film 13 in the wiring forming part 12.例文帳に追加

その後、化学的機械研磨法を用いて、犠牲膜１４及び絶縁膜１１上のＣｕ膜１３を研磨することにより、Ｃｕ膜１３による配線を配線形成部１２内に形成する。 - 特許庁

The oxide of the base metal is a compound oxide of two or more base metals selected from the group consisting of Mn, Fe, Co, Ni and Cu and in particular may contain the Cu-Mn compound oxide.例文帳に追加

ここでこの卑金属酸化物は、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＣｕからなる群より選択される２種以上の卑金属の複合酸化物、特にＣｕ−Ｍｎ複合酸化物を含むことができる。 - 特許庁

When reflow soldering is performed, an Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 with Ni and a solder composition metal can be made ((B) of Fig.) in the interface of a nickel layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46.例文帳に追加

半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図６（Ｂ））。 - 特許庁

The lead-free solder material is obtained by adding particulates, preferably nanoparticles, containing elements substantially insoluble in an Sn-Ag-Cu based solder material to the Sn-Ag-Cu based solder material.例文帳に追加

Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ材料に実質的に溶解しない元素を含む微粒子、好ましくはナノ粒子を、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ材料に添加して鉛フリーはんだ材料を得る。 - 特許庁

In addition, the thin films 28b, 29b of pure Cu or Cu alloys are connected to the semiconductor layer 33 of the thin film transistor through the nitrogen containing layer or the oxygen/nitrogen containing layers 28a, 29a.例文帳に追加

また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、窒素含有層または酸素窒素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 - 特許庁

When reflow soldering is performed, the Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 of Ni and solder composition metal is made ((B) of Fig.) in the interface of a nickel layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46.例文帳に追加

半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図８（Ｂ））。 - 特許庁

To provide a photoresist stripping agent composition which can peel the photoresist without corroding aluminum or aluminum alloy wiring and also Cu or Cu alloy wiring in a FPD manufacturing processes.例文帳に追加

ＦＰＤ製造工程において、Ａｌ又はＡｌ合金配線を腐食することなく、かつ、Ｃｕ又はＣｕ合金配線を腐食することなく、フォトレジストを剥離できるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。 - 特許庁

The method for assembling and inspecting the electronic component comprises a soldering step of soldering an Sn-Ag-Cu alloy not containing Pb in an inert atmosphere having an oxygen concentration of 10,000 ppm or less, and an inspecting step of determining non-defective or defective soldering.例文帳に追加

Ｐｂを含まないSn-Ag-Cu系の合金のはんだ付けを10000ppm以下の酸素濃度を有する不活性雰囲気中で行うはんだ付けステップと、はんだ付けの良否判定を行う検査ステップとを有する。 - 特許庁

In the Cu-Ge target, there is a need of suppressing the mixing amounts of impurity elements other than Cu, Ge to ≤2 atom% for controlling the above intensity ratio to ≤1, therefore, it is produced by a powder sintering process.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 - 特許庁

In the plating step, the Cu plating layer 6 and the Zn plating layer 7 are formed on the surface of the metallic base wire 3 so that a Cu content can be 51 to 61 wt.% of the brass plating layer 4 after having been solidified.例文帳に追加

このとき、凝固後のブラスめっき層４のＣｕ含有比が５１〜６１ｗｔ％となるように、金属素線３の表面にＣｕめっき層６及びＺｎめっき層７を形成する。 - 特許庁

In the joining material, the Ag/(Ag+Cu) compositional ratio lies in the range of 0.55 to 0.65 by weight fraction, and the content of Ni lies in the range of 5 to 8wt%.例文帳に追加

この接合材は、Ａｇ／（Ａｇ＋Ｃｕ）組成比が重量分率において０．５５〜０．６５の範囲にあり、Ｎｉ含有量が５〜８ｗｔ％の範囲である。 - 特許庁

After a barrier metal layer 20 is formed in concave portions 16, 17 formed in an interlayer insulating film 15, a Cu wiring layer 23 is formed in the concave portions 16, 17.例文帳に追加

層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内にバリアメタル層２０を形成した後、凹部１６、１７内にＣｕ配線層２３を形成する。 - 特許庁

In the layer 3, besides, Cu particles of an average particle diameter of 45 μm or less are compounded by 5-20 wt.% in the coating.例文帳に追加

また、導電性樹脂塗膜層３には、平均粒径４５μｍ以下のＣｕ粒子が塗料中５〜２０重量％配合される。 - 特許庁

The thick Cu electrode layer 72 is formed in an opening part 55a at an upper part of the 2ndAl film 54 in the P-SiN film 55.例文帳に追加

Ｐ−ＳｉＮ膜５５のうち、２ｎｄＡｌ膜５４の上方部分における開口部５５ａに厚いＣｕ電極層７２を形成する。 - 特許庁

To suppress occurrence of chip cracks in a semiconductor device in which a semiconductor chip including an SiC substrate is mounted on a mounting portion of Cu.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を含む半導体チップがＣｕ実装部に実装された半導体装置において、チップクラックの発生を抑制すること。 - 特許庁

A CU (card unit) connected to a Pachinko machine (game machine) in which points already gained in earlier rounds are used, memorizes a game ball number usable at the Pachinko machine.例文帳に追加

持点式のＰ台（遊技機）と接続されるＣＵ（カードユニット）は、Ｐ台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

In the wiring layer 11, atomic vacancy in a film is discharged by a high-stain film 36 having strain higher than that of Cu (copper) and heat treatment.例文帳に追加

配線層１１は、Ｃｕ（銅）よりも応力が高い高応力膜３６と熱処理により膜中の原子空孔（Vacancy）が排出される。 - 特許庁

To provide a method of reproducing a silicon wafer in which no Cu is deposited on a surface in a step of manufacturing a semiconductor device etc.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程等において、表面にＣｕが析出することがないシリコンウエーハの再生方法を提供する。 - 特許庁

In the wiring layer 6, atomic vacancy in a film is discharged by a high-stain film 26 having strain higher than that of Cu (copper) and heat treatment.例文帳に追加

配線層６は、Ｃｕ（銅）よりも応力が高い高応力膜２６と熱処理により膜中の原子空孔（Vacancy）が排出される。 - 特許庁

(3) Acting in the presence of Mn^2+ ion, and not substantially acting in the presence of Ca^2+, Cu^2+ ion or EDTA.例文帳に追加

(3)Ｍｎ^２＋イオンの存在下で作用し、Ｃａ^２＋若しくはＣｕ^２＋イオン又はＥＤＴＡの存在下では実質的に作用しない。 - 特許庁

To provide a method for evaluating Cu contamination in a silicon wafer with high-sensitivity in non-destructive manner by using a strong excitation micro photoluminescence method.例文帳に追加

強励起顕微フォトルミネッセンス法を用いてシリコンウェーハ中のＣｕ汚染を高感度かつ非破壊で評価する方法を提供する。 - 特許庁

However, when the invention described in Claim 2, the reagent for the analysis not only releases the iron from the serum, enhances the current-voltage curves of Fe+2→Fe+3+e, Fe+3+e→Fe+2, and shifts the current-voltage curves of Cu+2+e→Cu+1 and separates it from that of Fe+2→Fe+3+e, eliminating the confounding effect of the copper ions in the solution and allows an accurate estimate of the iron. 例文帳に追加

しかしながら、請求項２の発明の試薬組成物を用いると血清と結合している鉄を解放するとともに、Fe＋2→Fe＋3＋e 、Fe＋3＋e→Fe＋2の電流－電圧曲線が明確になり、さらに、Cu＋2＋e→Cu＋1の電流－電圧曲線がシフトしてFe＋2→Fe＋3＋eの電流－電圧曲線と分離するので、試料中の銅イオンによる影響を排除して正確に鉄の量を測定することができる。 - 特許庁

The ratio between the Cu concentration (X) in the surface and the Cu concentration (Y) in the central part, (X/Y) is ≤5.0.例文帳に追加

Ｆｅを０．１〜０．５重量％、Ｓｉを０．０１〜０．２重量％及びＣｕを０．００１〜０．０５重量％含む組成を有し、かつ表面のＣｕ濃度（Ｘ）と中心部のＣｕ濃度（Ｙ）との比（Ｘ／Ｙ）が５．０以下であるアルミニウム合金板とした。 - 特許庁

Since the Al film 14 in (111) orientation is provided under the film 10, this induces crystallization in the film which tends to be easily aligned with the Cu (111) surface, increasing the (111) orientation of the Cu film 13 thereabove.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ−ＴｉＮ膜１０は、その下に（１１１）配向したＡｌ膜１４を設けたことで、膜中にＣｕ（１１１）面と整合しやすい結晶性を誘起し、上部のＣｕ膜１３の（１１１）配向性を高められる。 - 特許庁

To provide an electroconductive material for connecting parts, in which plated multi-layers are formed on the surface of a base metal made of Cu or a Cu alloy, and which keeps low contact resistance in a high-temperature atmosphere for a long period of time.例文帳に追加

Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に表面多層めっき層を形成した材料について、高温雰囲気下で長時間経過後も低接触抵抗を維持することができる接続部品用導電材料を得る。 - 特許庁

At least one of catalyst metal selected from Pt, Pd, Rh, Ir, Ag, and Cu is carried onto substituted zeolite, where at least a part of Al element is substituted with at least one of metal element selected from B, Ga, In, and Tl, by ion exchange.例文帳に追加

ゼオライト中のAl元素の少なくとも一部がＢ，Ga，In及びTlから選ばれる少なくとも一種の金属元素で置換された置換ゼオライトに、Pt，Pd，Rh，Ir，Ag及びCuから選ばれる少なくとも一種の触媒金属をイオン交換担持した。 - 特許庁

When Cu wires 36 and 37 connected to pn junctions are formed in a chip formation region of a semiconductor wafer 1, first and second Cu electrodes 38 and 39 connected to the pn junction are also formed in a TEG region.例文帳に追加

半導体ウエハ１のチップ形成領域に、ｐｎ接合に接続されたＣｕ配線３６、３７を形成する際、ＴＥＧ領域にもｐｎ接合に接続された第１Ｃｕ電極３８、および第２Ｃｕ電極３９を形成する。 - 特許庁

The Co-Si based copper alloy sheet comprises, by mass, 0.5 to 3.0% Co and 0.1 to 1.0% Si, and the balance Cu with inevitable impurities, and satisfies ratio of (surface roughness Ra(RD) in a direction parallel to a rolling direction)/(surface roughness Ra(TD) in a direction orthogonal to a rolling direction)≤0.8.例文帳に追加

Co：0.5〜3.0質量％、Si：0.1〜1.0質量％を含有し残部がCu及び不可避不純物からなるCo-Si系銅合金板であって、(圧延平行方向の表面粗さRa(RD)/圧延直角方向の表面粗さRa(TD))≦0.8である。 - 特許庁

To prevent redissolution of indium when manufacturing a Cu-In laminating film by electrolytic plating, which comprises alternately a Cu layer and an In layer formed on the surface to be plated of an object to be plated, and which is used for a solar battery.例文帳に追加

めっき対象物の被めっき面に、Ｃｕ層とＩｎ層とが交互に形成されて成るＣｕ−Ｉｎ積層膜は太陽電池に使用されているが、これを電解めっきによって製造する際に、インジウムの再溶出を防止する。 - 特許庁

By mixing the Cu brazing filler metal 20 added with Cu raising potential with such a Zn brazing filler metal 10, potential in the junction 30 becomes high, and corrosion resistance can be secured in the brazing filler metal of the junction 30, too.例文帳に追加

このようなＺｎろう材１０に、電位を貴とするＣｕを添加させたＣｕろう材２０を混合させることで、接合部３０では電位が貴となり、接合部３０のろう材にも耐食性を確保することができる。 - 特許庁

In this case, a contact Cu foil 4 having its surface roughened through Cu roughening processing is used and then a surface (principal surface MP1) of a dielectric layer B1 provided in contact therewith also has sufficient roughness.例文帳に追加

この際、Ｃｕ粗化処理によって表面が粗化された密着Ｃｕ箔４を用いていることから、これと密着して設けられる第１誘電体層Ｂ１の面（主面ＭＰ１）も十分な粗度を有するものとなる。 - 特許庁

The Ag paste for liquid phase diffusion bonding, which is used when performing liquid phase diffusion bonding of the metal members made from aluminum or aluminum alloy, includes a metal powder component containing Ag and Cu, a resin, and a solvent, and a mass ratio Cu/Ag of Ag and Cu in the metal powder component is set up within a range of 1/9≤Cu/Ag≤4/6.例文帳に追加

アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材を液相拡散接合する際に使用される液相拡散接合用Ａｇペーストであって、ＡｇおよびＣｕを含む金属粉末成分と、樹脂と、溶剤と、を含み、前記金属粉末成分におけるＡｇおよびＣｕの質量比Ｃｕ／Ａｇが、１／９≦Ｃｕ／Ａｇ≦４／６の範囲内に設定されていることを特徴とする。 - 特許庁

When an arbitrary observation viewing field is taken within 1,000 nm×1,000 nm in the cross section of this Cu-Ag alloy wire, the area ratio of crystalline precipitate, in which a maximum length of a straight line that cuts the crystalline precipitate does not exceed 100 nm, is at least 40%, in the crystalline precipitate of Ag existing in the observation viewing field.例文帳に追加

このCu-Ag合金線の断面において1000nm×1000nm以内で任意の観察視野をとったとき、この観察視野中に存在するAgの晶析出物のうち、晶析出物を切断する直線の最大長さが100nm以下である晶析出物の面積率が40％以上である。 - 特許庁

In the tinned strip of Cu-Sn-P-based alloy comprising, as a base material, a Cu-based alloy containing Sn in an amount of 1-12 mass% and P in an amount of 0.01-0.35 mass%, the C-concentration in the boundary face between a plated layer and the base material is adjusted to be ≤0.10 mass%.例文帳に追加

１〜１２質量％のＳｎ及び０．０１〜０．３５質量％のＰを含有する銅基合金を母材とするＣｕ−Ｓｎ−Ｐ系合金すずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１０質量％以下に調整する。 - 特許庁

The metal material contains at least one selected from a group (B) of Al and Cu, each element in an amount of 0.01 to 0.5 mass%.例文帳に追加

（Ｂ）ＡｌまたはＣｕから選ばれる少なくとも１種を、１種あたり０．０１〜０．５質量％含有する。 - 特許庁

In the inevitable impurities, the content of Cu is controlled to ≤0.01%, and the content of Fe is controlled to ≤0.15%.例文帳に追加

前記不可避的不純物のうち、Ｃｕは０．０１質量％以下、Ｆｅは０．１５質量％以下に規制されている。 - 特許庁

To provide a technique for controlling Cu concentration in solder without lowering the operating ratio of a solder dipping apparatus.例文帳に追加

半田ディップ装置の稼働率を低下させることなく半田中のＣｕ濃度を制御できる技術を提供する。 - 特許庁