「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, one or more kinds selected from Ag, Cu, Fe and Ni may be added thereto by 0.01 to 5% in total.例文帳に追加

さらに、Ａｇ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％を添加してもよい。 - 特許庁

In the chemical formula A, M is at least one transition metal selected from V, Cr, Mn, Fe, Co, No, and Cu, and the range of x is 0<x<2.例文帳に追加

化学式Ａ：Ｔｉ_2-x Ｍ_ｘＯ_4 （ただし、Ｍ＝Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕから選ばれる少なくとも１種の遷移金属、０＜ｘ＜２） - 特許庁

Within the channel 14 formed in the insulating films 5, 6, a lead wire 8 formed of barrier metal 7 and Cu is embedded.例文帳に追加

絶縁膜５，６内に形成された溝１４内には、バリアメタル７およびＣｕからなる配線８が埋め込まれている。 - 特許庁

To suppress stress-migration and electro-migration in Cu wiring to sufficiently improve the electrical reliability.例文帳に追加

Ｃｕ配線におけるストレスマイグレーション及びエレクトロマイグレーション等を抑制して電気的信頼性の十分な向上を得る。 - 特許庁

The interlayer insulating film IL is provided on the semiconductor substrate SB so as to bury the Cu wiring WR in the film IL.例文帳に追加

層間絶縁膜ＩＬはＣｕ配線ＷＲを埋め込むように半導体基板ＳＢ上に設けられている。 - 特許庁

Al-Mg-Si-Cu BASED ALLOY PLATE EXCELLENT IN PHOSPHATE PROCESSABILITY AND AFTER COATING CORROSION RESISTANCE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

リン酸塩処理性と塗装後耐食性に優れたＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金板およびその製造方法 - 特許庁

In addition, Cu or Fe is used as a material for the metallic board 21 to make its thickness thin.例文帳に追加

また、金属基板２１の材料としてＣｕまたはＦｅを採用することにより、その厚みを薄くすることができる。 - 特許庁

Cu-Ni-Si-Zn-Sn BASED ALLOY STRIP EXCELLENT IN THERMAL PEELING RESISTANCE OF TIN PLATING, AND TIN PLATED STRIP THEREOF例文帳に追加

すずめっきの耐熱剥離性に優れるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金条およびそのすずめっき条 - 特許庁

To provide a method for manufacturing solder bumps, which can improve the accuracy in the weight ratio of Sn to Cu.例文帳に追加

ＣｕとＳｎとの重量比率の精度を向上することが可能な半田バンプの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Further, 0.01-5 mass% in total of one or more of Ag, Cu, Fe and Ni may be added to the brazing filler metal.例文帳に追加

さらに、Ａｇ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％を添加してもよい。 - 特許庁

A shot 1 loaded in a cartridge 2 of a shotgun is made from carbide alloy, Cu-W alloy, or heavy metal.例文帳に追加

散弾銃の装弾２に装填される散弾１を超硬合金，Ｃu−Ｗ合金，またはヘビーメタルから作製した。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si-Mg alloy in which satisfactory solder wettability, plating properties and bendability can be stably obtained.例文帳に追加

良好なはんだ濡れ性、めっき性、曲げ性が安定して得られるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｇ合金を提供する。 - 特許庁

The aluminum alloy material is the 5,000 series alloy in which a Cu content is regulated to less than 0.05% (by mass%, hereinafter the same).例文帳に追加

Ｃｕの含有量を０．０５％（質量％、以下同じ）未満に規制した５０００系アルミニウ合金よりなる。 - 特許庁

The wear resistant and erosion resistant alloy is a Ti-Ni alloy and contains Cu in an amount at least exceeding 5.0 atomic%.例文帳に追加

耐摩耗・耐エロージョン合金は、Ｔｉ−Ｎｉ系合金であって、少なくとも５．０原子％を超えるＣｕを含む。 - 特許庁

Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY SHEET EXCELLENT IN FATIGUE RESISTANCE AND SPRING PROPERTY AFTER BENDING WORKING, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

曲げ加工後の耐疲労特性及びばね特性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板及びその製造方法 - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF LIGHT ABSORPTION LAYER FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM SOLAR CELL, AND In-Cu ALLOY SPUTTERING TARGET例文帳に追加

化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法、およびＩｎ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

To prevent a stress migration and an electromigration from deteriorating in a semiconductor device having a barrier film on Cu wiring.例文帳に追加

Ｃｕ配線上にバリア膜を有する半導体装置において、ストレスマイグレーション、エレクトロマイグレーションの劣化を防止する。 - 特許庁

To obtain a Cu-Ni-Si based copper alloy sheet for electrical/electronic components in which high strength and excellent bending workability are consistent.例文帳に追加

高強度と優れた曲げ加工性を両立させた電気電子部品用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板を得る。 - 特許庁

To make the performance index M concerned with the combination of strength and electrical conductivity satisfy M>400 in a simple alloy composition composed of a Cu-Zr binary system or a Cu-Zr-B ternary system, and to enable selection in a wide range in accordance with the use of electronic components.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｚｒニ元系あるいはＣｕ−Ｚｒ−Ｂ三元系からなる単純な合金組成において、強度と導電性の組合せに係る性能指数ＭがＭ＞４００となり、電子部品の用途に応じて広い範囲で選択することができること。 - 特許庁

To provide a sputtering target composed of Cu-In-Ga-Se four-element based alloy in which the composition segregation is considerably less, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

組成偏析の極めて少ないＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent corrosion caused by Cu ion in an aluminum constitution used in the seawater environment and whose surface is coated by an Al-Zn alloy film to prevent corrosion.例文帳に追加

海水環境下で使用され、表面がＡｌ−Ｚｎ合金皮膜で防食されたアルミ構造物のＣｕイオンによる腐食を防止する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which a recess, e.g. a via hole, can be filled well with a Cu film by plating while eliminating void by preventing aggregation of a seed Cu film becoming a plating electrode.例文帳に追加

メッキ法により、ビアホール等の凹部にＣｕ膜を埋め込む際、メッキ電極となるシードＣｕ膜の凝集を防止し、ボイドの無い、良好な埋め込みを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since an adhesion Cu foil 4 having a surface roughened through Cu roughening is employed, a first dielectric layer B1 provided in tight contact therewith also has a surface (major surface MP1) of sufficient roughness.例文帳に追加

この際、Ｃｕ粗化処理によって表面が粗化された密着Ｃｕ箔４を用いていることから、これと密着して設けられる第１誘電体層Ｂ１の面（主面ＭＰ１）も十分な粗度を有するものとなる。 - 特許庁

Thereafter, unnecessary parts of the film 7 for a Cu interconnection and the TaN film 4 on the insulation film 2 are polished and removed by CMP to form a Cu interconnection 7a and barrier layers 4a in the trenches 3 for interconnections.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法を用いて絶縁膜２上の不要なＣｕ配線用膜７及びＴａＮ膜４を研磨除去することにより、配線用溝３内にＣｕ配線７ａ及びバリア層４ａを形成する。 - 特許庁

In a structure of a semiconductor device, a low thermal expansion plate is inserted between a semiconductor chip and each Cu electrode, and each chip side is joined via a high-temperature lead-free solder while each Cu electrode side is joined via a porous Ag layer having a porosity of 20-70%.例文帳に追加

半導体チップとＣｕ電極間に低熱膨張板を挿入し、チップ側を鉛フリーの高温はんだ、Ｃｕ電極側を空孔率が２０〜７０％の多孔質のＡｇ層で接合した構造とした。 - 特許庁

In addition, Al dual damascene wiring 12a is provided above the pad section 6a of the Cu damascene wiring 6 while the wiring 12a is exposed from the upper surface of an SiO_2 film 8 formed on the SiO_2 film 2 and the Cu damascene wiring 6.例文帳に追加

Ｃｕダマシン配線６のパッド部６ａの上方で、ＳｉＯ_２膜２およびＣｕダマシン配線６の上に設けられたＳｉＯ_２膜８の上面から露出して、Ａｌデュアルダマシン配線１２ａが設けられている。 - 特許庁

Wire electrical discharge machining is carried out on the Cu-Ga alloy lump along its overall length by relatively moving the Cu-Ga alloy lump which is a machining object 15 and a wire 12 in a direction where they cross with each other.例文帳に追加

加工対象物１５であるＣｕ−Ｇａ合金塊とワイヤー１２とを互いに交わる方向に相対移動させ、Ｃｕ−Ｇａ合金塊に対してその全長にわたってワイヤー放電加工を行う。 - 特許庁

Further, in the Sn-Cu alloy thin film having antibacterial properties, the total value of forming ratios at which the above Cu forms at least either Cu_6Sn_5 or Cu_3Sn is 10 to 100%.例文帳に追加

また、本発明の抗菌性を有するＳｎ−Ｃｕ合金薄膜は、前記Ｃｕが、Ｃｕ_6Ｓｎ_5およびＣｕ_3Ｓｎの少なくとも一方を形成している形成率の合計値が１０〜１００％である構成としている。 - 特許庁

Regarding the sliding material, Bi is unevenly distributed in the range of 2 to 16 mass% into a Cu-Sn matrix, and, each part where a large quantity of Bi is unevenly distributed is made into an oil reservoir by the fall-off of Bi owing to its movement under the use.例文帳に追加

本発明の摺動材料は、Cu-Snのマトリックス中にBi２〜１６質量％の範囲で偏在しており、Biが大量に偏在した部分では使用中にBiの移動で抜けることにより油溜りとなる。 - 特許庁

A lead-free solder flip-chip connection structure that features Ni of 0.01-0.5 mass%, Cu of 0.3-0.9 mass%, and Sn for the remaining portion is used as the flip-chip connection structure in a semiconductor package that uses lead-free solder.例文帳に追加

鉛フリーはんだを用いた半導体パッケージ内のフリップチップ接続構造体として、Ni0.01〜0.5質量％、Cuを0.3〜0.9質量％、残部Snからなることを特徴とする鉛フリーはんだフリップチップ接続構造体を用いる。 - 特許庁

A support part 19U of the terminal fitting piece 10A in relation to the carrier CU is formed with a displacement allowing part 20 for allowing the displacement of an upper part of the terminal fitting piece 10A with respect to the carrier CU.例文帳に追加

また、その端子金具素片１０ＡのキャリアＣＵへの支持部１９Ｕには、端子金具素片１０Ａの上部がキャリアＣＵに対して相対的に接離変位すること許容する変位許容部２０を形成した。 - 特許庁

To provide a cutter and cutter material which have a necessary and sufficient amount of Cu appropriately arranged in material thereby exhibiting excellent antibacterial property by the action of Cu, and to provide a method of manufacturing the cutter material.例文帳に追加

必要かつ十分な量のＣｕを材料の中に適切に配置したことによって、Ｃｕの作用により優れた抗菌性を発揮する刃物及び刃物用材料、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A Cu-Ga alloy lump as an object 13 to be machined and a blade 11 are relatively moved in a direction intersecting with each other, and the Cu-Ga alloy lump is subjected to blade-saw machining over its entire length.例文帳に追加

加工対象物１３であるＣｕ−Ｇａ合金塊とブレード１１とを互いに交わる方向に相対移動させ、Ｃｕ−Ｇａ合金塊に対してその全長にわたってブレードソー加工を行う。 - 特許庁

To improve the Cu barrier property of TaN film the superior reproducibility in depositing a TaN film used, e.g. as a barrier layer for a Cu wiring film by means of reactive sputtering using a Ta target.例文帳に追加

Ｃｕ配線膜に対するバリア層などとして用いられるＴａＮ膜を、Ｔａターゲットを用いて化相スパッタすることにより形成する際に、ＴａＮ膜のＣｕバリア性をより一層かつ再現性よく高める。 - 特許庁

Then, by using an ultraviolet ray 6 having energy capable of removing the thin film 5 of the Cu mesh 4 without influencing the flake 3, the thin film 5 of the Cu mesh 4 in contact with the flake 3 is removed.例文帳に追加

次に、薄片３に影響を与えることなくＣｕメッシュ４の有機薄膜５を除去することができるエネルギーの紫外線光６を用いて、薄片３が接しているＣｕメッシュ４の有機薄膜５を除去する。 - 特許庁

Thus, Cu electrode can be formed precisely and with high production efficiency by patterning A1 easy to work and burying Cu in a part where the A1 pattern never exists and removing the A1 pattern.例文帳に追加

このように、加工が容易なＡｌをパターニングし、Ａｌパターン２が存在しない部分にＣｕを埋め込んでＡｌパターン２を除去することで、高精度でかつ高い生産効率でＣｕ電極を形成することができる。 - 特許庁

To provide a photoresist stripping agent composition with which a photoresist can be stripped off without corroding Cu or Cu alloy wiring lines formed on a substrate in the process of manufacturing a wiring board for a FPD (flat panel display).例文帳に追加

ＦＰＤのための配線基板製造工程において、基板上に形成されたＣｕ又はＣｕ合金配線を腐食させることなくフォトレジストを剥離する事ができるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。 - 特許庁

This protective insulating film prevents the diffusion of Cu or the like, which is an interconnection material, into a chip forming region of the wafer 100, thereby suppressing fluctuations in transistor characteristics caused by Cu diffusion.例文帳に追加

この保護絶縁膜によって、配線材料のＣｕなどがウェーハ１００のチップ形成領域内に拡散するのを防止し、Ｃｕ拡散が原因で生じるトランジスタ特性の変動を抑制するものである。 - 特許庁

This composite material has the Cu layer formed on the resin substrate by a sputtering technique with the use of Ar gas, wherein the Cu layer comprises crystals with an average grain size of 37 nm or larger in the surface parallel to the resin substrate.例文帳に追加

樹脂基材上に、Ａｒガスを用いたスパッタによってＣｕ層を設けた複合材料であり、Ｃｕ層の、樹脂基材に対して平行な面での平均結晶粒径を３７ｎｍ以上としたものである。 - 特許庁

(2) In the Al-Cu joined structure manufacturing method, when brazing the Al member and the Cu member, Ag is used for the insert of the joining surface thereof, and the Ag layer is remained thereon.例文帳に追加

（２）Ａｌ部材とＣｕ部材とをろう付け接合するに際し、これらの接合面のインサート材としてＡｇを用い、当該Ａｇ層を残存させることを特徴とするＡｌ−Ｃｕ接合構造物の製造方法である。 - 特許庁

After the surface of the parent material is coated with the Ni plated layer, it is coated with the Cu plated layer and the Sn plated layer in that order once, twice or more, and then is given a heat treatment to complete the Cu-Sn alloy layer.例文帳に追加

母材表面にＮｉめっき層を形成した後、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層をこの順に１回又は２回以上繰り返し形成し、熱処理を行って前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層を形成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive soldering alloy having satisfactory soldering properties by improving wettability of an Sn-Cu based lead-free soldering alloy which is advantageous in cost but has the inferior wettability as compared with an SN-Ag based lead-free soldering alloy.例文帳に追加

Sn−Ag系鉛フリーはんだ合金に比べてコスト面で優位であるが、ぬれ性の悪いSn−Cu系鉛フリーはんだ合金のぬれ性を改善して、安価ではんだ付け性の良好なはんだ合金を提供する。 - 特許庁

Prior to a Cu film 25 is deposited on the surface of an inter- layer insulating film 21 comprising BCB, Ti is implanted in to the surface of the inter-layer insulating film 21 comprising the BCB using a Ti ion 23 extracted from an ionized plasma of Ti.例文帳に追加

BCBで構成される層間絶縁膜２１の表面にCu膜２５を堆積する前に、Tiのイオン化プラズマから引き出されたTiイオン２３で、BCBで構成される層間絶縁膜２１表面にTiを注入する。 - 特許庁

As for the semiconductor wiring where the Cu wiring containing Ti is embedded in a recessed part formed at an insulating film on a semiconductor substrate, a TiC layer may be formed between the insulating film and the Cu wiring.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部に、Ｔｉを含有するＣｕ配線が埋め込まれた半導体配線であり、前記絶縁膜と前記Ｃｕ配線の間に、ＴｉＣ層を形成すればよい。 - 特許庁

In an Sn-Cu-Bi series alloy, the content of Cu is controlled, by weight, to 2 to 20%, preferably, to 4 to 12%, and the content of Bi is controlled to 1 to 15%, preferably, to 2 to 10%.例文帳に追加

Ｓｎ−Ｃｕ−Ｂｉ系の合金において、Ｃｕの含有量としては２〜２０ｗｔ％、好ましくは４〜１２ｗｔ％、Ｂｉの含有量としては１〜１５ｗｔ％、好ましくは２〜１０ｗｔ％とする。 - 特許庁