「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

The light shielding film has a composition consisting of 5-50% Ta, 1-6% Mo and the balance Ni with inevitable impurities or further containing 1-10%, in total, of Cu and/or V and 0.5-3% Nb.例文帳に追加

Ｔａ：５〜５０％、Ｍｏ：１〜６％を含有し、さらに必要に応じてＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜１０％含有し、さらに必要に応じてＮｂ：０．５〜３％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびその遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

This method for paper making comprises adding a polyethylene amine after adding Fe^2+ or Cu^2+ to neutral or alkaline paper containing 30-100 wt.% mechanical pulp and/or deinked pulp and a filler to fix an anion trash such as hemicellulose, dissolved and remaining lignin, a resin acid and, a fatty acid, derived from the mechanical pulp on the pulp fibers efficiently in a paper making system.例文帳に追加

機械パルプ及び／または脱墨パルプを30〜100重量％含むパルプと填料から成る、中性及至アルカリ性の紙料に対して、Ｆｅ^２＋あるいはＣｕ^２^＋を添加した後に、ポリエチレンイミンを添加して、抄紙系内の機械パルプ由来のヘミセルロースや溶存リグニン、樹脂酸、脂肪酸などのアニオントラッシュを効果的にパルプ繊維に定着させる。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device has a process for forming an insulating film above a semiconductor substrate; a process for forming a recessed part in the insulating film; a process for forming a barrier metal layer on an inner surface of the recessed part; a process for forming a seed layer containing Ru and Cu on the barrier metal layer; and a process for forming a copper layer on the seed layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の内面に、バリアメタル層を形成する工程と、バリアメタル層上に、ＲｕとＣｕを含むシード層を形成する工程と、シード層上に銅層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The memory device 10 has an arrangement in which a memory thin film 4 is sandwiched between a first electrode 2 and a second electrodes 6, wherein the memory thin film 4 comprises an insulating material or semiconductor material, and a thin film 3 containing Cu and Te is formed between the memory thin film 4 and the first electrode 2 or the second electrode 6.例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶用薄膜４が挟まれて構成され、記憶用薄膜４が絶縁材料又は半導体材料から成り、記憶用薄膜４と第１の電極２或いは第２の電極６との間に、Ｃｕ及びＴｅが含まれている薄膜３が形成されている記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor apparatus comprises a process for forming an insulating film having a relative dielectric constant of 3 or smaller on a substrate, a process for forming wiring made of Cu in the insulating film, a process for supplying reducing gas on the wiring surface, and a process for forming the barrier film on the wiring after supplying the reducing gas.例文帳に追加

基板上に３以下の比誘電率を有する絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜内にＣｕからなる配線を形成する工程と、配線表面上に還元性ガスを供給する工程と、還元性ガスを供給した後、前記配線上にバリア膜を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device comprising a semiconductor element, wiring for inputting/outputting signals, and a heat dissipating plate, the heat dissipating plate is made of a composite material of Cu and at least one kind of particles of Cu2O, Al2O3 and SiO2 and a metal layer bonded to an insulating substrate or the semiconductor element is bonded directly to the heat dissipating plate.例文帳に追加

半導体素子と、信号を入出力する配線と、放熱板とを有する半導体装置において、前記放熱板はＣｕとＣｕ_2Ｏ，Ａｌ_2Ｏ_3及びＳｉＯ_2の少なくとも１種の粒子との複合材であり、絶縁基板に接合されている金属層、あるいは半導体素子に接合されている金属層は放熱板と直接接合されている。 - 特許庁

The ceramics wiring board provides such wiring layers laminated in sequence on its top surface as a groundwork metallization layer, a primary diffusion preventive layer, a conductor layer, a secondary diffusion preventive layer, a layer mainly consisting of at least one kind of material among Ti, Ag, Cu, or Bi, Au or Au-Sn alloy layer, and a soldering layer comprising Sn or Sn alloy.例文帳に追加

セラミック基板の上面に、下地金属層、第１拡散防止層、導体層、第２拡散防止層、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉの少なくとも１種を主成分とする層と、ＡｕまたはＡｕ−Ｓｎ合金層、ＳｎまたはＳｎ合金からなる半田層が順次積層された配線層を具備していることを特徴とするセラミックス配線基板。 - 特許庁

The golf club is provided with a structural member consisting of a metallic material essentially consisting of Ag, containing, by weight, 0.1 to 4.9% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Co and Si by 0.1 to 4.9% in total.例文帳に追加

本発明に係るゴルフクラブは、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上４．９ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上４．９ｗｔ％以下含有する金属材料からなる構成部材を具備するものである。 - 特許庁

The Cu alloy film for a display device comprising films 25, 26, 34 is directly connected to transparent conductive films 5, 41 on the substrate, and contains 0.1 to 0.5 atom% of Ge and 0.1 to 0.5 atom% in total of one kind or more selected from a group comprising Ni, Zn, Fe and Co.例文帳に追加

基板上にて、透明導電膜５，４１に直接接続する表示装置用Ｃｕ合金膜２５，２６，３４であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有し、かつＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、及びＣｏよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜。 - 特許庁

To provide a method for preventing Fe erosion of soldering equipment member coated with Fe and Fe-based alloy in the case of using a soldering member coated with the Fe and Fe-based alloy and subjecting the same to soldering with a lead-free solder alloy of an Sn-Ag-Cu system composed of Sn as a principal component.例文帳に追加

本発明の課題は、ＦｅおよびＦｅ系合金を被覆したはんだ付け部材を用いてＳｎを主成分としたＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛フリーはんだ合金をはんだ付けをする際に、ＦｅおよびＦｅ系合金被覆したはんだ付け機器部材のＦｅ喰われ防止方法およびＦｅ喰われ防止はんだを提供する。 - 特許庁

Ag, and the balance Cu and inevitable impurities is subjected to cold working for reduction, in the process of this cold working, heat treatment is executed for one or more times, and, after the final heat treatment, cold working is executed to a final wire diameter at ≥90% reduction of area.例文帳に追加

２乃至１４重量％のＡｇを含有し残部がＣｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ基合金の鋳造ロッドに縮径のための冷間加工を行い、この冷間加工の途中で１回以上の熱処理を施し、最後に熱処理を施した後に９０％以上の減面率で最終線径にまで冷間加工を行う。 - 特許庁

In the method for fabricating a slidable member 100 having a slidable part 14, an iron-based metal bulk material 30 functioning as a main part 13 of the slidable member 100 is solid-state bonded to a Cu-alloy bulk material 31 functioning as the slidable part 14 by applying heat and pressure according to a spark plasma sintering method.例文帳に追加

摺動部１４を有する摺動部材１００の製造方法であって、摺動部材１００の本体部１３として機能する鉄系金属のバルク材３０と摺動部１４として機能するＣｕ合金のバルク材３１とを放電プラズマ焼結法による加熱加圧によって固相接合して摺動部材１００を製造する。 - 特許庁

When a hydrogen radical is discharged from a nozzle 25e at a stage where all via holes are formed at necessary places on a substrate W by a laser drill main body 13, the hydrogen radical reduces the bottoms of the respective via holes, so the top surface of a metal conductive layer of Cu, etc., oxidized by desmearing in drill machining is reduced and purified to form a metal surface.例文帳に追加

レーザドリル本体１３によって基板Ｗ上の必要箇所にすべてのビアホールを形成した段階で、ノズル２５ｅから水素ラジカルを吐出させると、水素ラジカルが各ビアホールの底部を還元するので、ドリル加工中のデスミヤに際して酸化されたＣｕ等の金属導電層の表面を還元・純化して、金属表面とすることができる。 - 特許庁

A sterilization processing apparatus (workpiece processing apparatus) including a plasma generating unit PU to make plasma of a supplied processing gas and apply it as a plume includes a sterilization processing unit SU to apply the sterilization processing to the workpieces to be processed in a chamber 510 by applying the plume P, and a control unit CU to control the action of the sterilization processing unit SU.例文帳に追加

滅菌処理装置Ｓ（ワーク処理装置）は、供給される処理ガスをプラズマ化してプルームＰとして照射するプラズマ発生ユニットＰＵを含み、処理対象であるチャンバー５１０内のワークにプルームＰの照射による滅菌処理を施与する滅菌処理ユニットＳＵと、滅菌処理ユニットＳＵの動作を制御する制御ユニットＣＵとを備えている。 - 特許庁

In a multilayer module structure of a printed circuit board, a Cu film is formed between pads on a lowermost layer, coupled with solder balls of a topmost layer and on corresponding parts of the lowermost layer to a pattern formed on an upper layer of the lowermost layer, thereby removing signal interference and noise, and matching the impedance.例文帳に追加

プリント回路板の多層モジュール構造において、最上層のソルダボール１１３に連結された最下層のパッド１６１とパッド１６１との間、及びこの最下層の上層に形成されたパターン１５２に対応する前記最下層の該当部分に銅膜１６３を形成して信号干渉及び雑音を除去し、インピーダンスを合わせるように構成した。 - 特許庁

Surface of a copper film 3 is changed to cuprous oxide (Cu_2O)5 insoluble to water by polishing the wafer surface by using a cleaning agent having pH adjusted to 7-12 immediately after a barrier metal film polishing process in the Cu-CMP process when copper interconnections are formed, and an antioxidation film 6 is formed by making an oxidation inhibitor adhere to the surface of Cu_2O5.例文帳に追加

銅配線形成時のＣｕ−ＣＭＰ工程におけるバリアメタル膜研磨工程直後に、ｐＨを７〜１２に調整した洗浄剤を用いてウエハ表面を研磨することで、銅膜３表面を水に不溶な酸化第一銅（Ｃｕ_２Ｏ）５に変化させると共に、Ｃｕ_２Ｏ５表面に酸化防止剤を付着させて酸化防止膜６を形成する。 - 特許庁

In an insulative heat sink of semiconductor device and a method of manufacturing the same, the heat sink is formed of a carbon fiber composite Al or carbon fiber composite Al alloy, an insulating plate is formed of Cu layer or AlN joined with the Al layer and the insulating plate and heat sink are joined with the Sn-Pb based alloy or conductive resin.例文帳に追加

この発明に係わる半導体装置の絶縁性放熱板およびその製造方法は、放熱板を炭素繊維複合Ａｌまたは炭素繊維複合Ａｌ合金とし、絶縁板はＣｕ層またはＡｌ層が接合されたＡｌＮとし、絶縁板と放熱板の接合材はＳｎ−Ｐｂ系合金または導電性樹脂とするものである。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises steps of: forming a silicon carbide film 31 on the back of a semiconductor substrate 1 and forming a transistor on the surface thereof; forming an interlayer insulating film 12 on the semiconductor substrate 1 and the transistor; and burying a Cu interconnection 13 in the interlayer insulating film 12.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１の裏面に炭化シリコン膜３１を形成し、かつ半導体基板１の表面にトランジスタを形成する工程と、半導体基板１上及びトランジスタ上に層間絶縁膜１２を形成する工程と、層間絶縁膜１２にＣｕ配線１３を埋め込む工程とを具備する。 - 特許庁

The copper bonding wire is formed in such a way that a copper ultra-thin wire of oxygen-free copper consisting of ≤1 ppm of Cl, 10 to 200 ppm of P, Cu as the rest and inevitable impurities as the rest is used as a core, the Pd coating is provided on a surface of the core and a thermosetting copolymerization type polyimide resin coating is formed on a surface of the Pd coating.例文帳に追加

Ｃｌを１ｐｐｍ以下、Ｐを１０ｐｐｍ以上、２００ｐｐｍ以下含み、残部Ｃｕと残部不可避不純物とからなる無酸素銅の銅極細線を芯材とし、前記芯材の表面にＰｄ被膜を設け、前記Ｐｄ被膜の表面に熱硬化性共重合型ポリイミド樹脂被膜が形成されていることを特徴とする銅ボンディングワイヤ。 - 特許庁

In an external electrode 8 provided on a semiconductor device 1 of P-VQFN as one of non-lead surface mounting, a metal plating layer 8b composed of a metal such as copper (Cu) and a solder plating layer 8c composed of a solder are respectively formed on the upper surface and lower surface of an electrode part 8a (on the mount face side and opposite side of a package 7).例文帳に追加

ノンリード表面実装の１つであるＰ−ＶＱＦＮの半導体装置１に設けられた外部電極８には、電極部８ａの上面と下面（パッケージ７の実装面側とその反対面側）に銅（Ｃｕ）などの金属による金属めっき層８ｂ、およびはんだによるはんだめっき層８ｃがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A ceramic substrate 1 comprising metal elements, in which Ti occupies not less than 20 mol% thereof, comprises a wiring conductive layer having a consecutive lamination of a contact metal layer 2 consisting of Cr or Ta2N, a diffusion preventing layer 3 consisting of one selected from Cr, Pd, Pt, Ni, Ni-Cr, Ti and Ti-W, and a main conductive layer 4 consisting of Au or Cu.例文帳に追加

含有された金属元素のうち２０ｍｏｌ％以上がＴｉであるセラミック基板１上に、ＣｒまたはＴａ_2Ｎからなる密着金属層２、Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔｉ−Ｗのうちのいずれか１種からなる拡散防止層３、ＡｕまたはＣｕからなる主導体層４が順次積層されて成る配線導体層が形成されている。 - 特許庁

An Ni or Ti barrier metal layer 2 in the range of 50-150 nm thickness which is not directly reactive with Cu is formed by vapor deposition or sputtering film forming method on regions 4 times as wide as the area of a surface for laminating a semiconductor light emitting element 5 at the surface for laminating the light emitting element 5 and a light emitting surface.例文帳に追加

その後、半導体発光素子５を接着する面および光出射される側の面に、半導体発光素子５の接着面の面積の４倍に値する領域に、蒸着およびスパッタ成膜法により、銅と直接反応しないNiまたはTiからなるバリア金属層２を50ｎｍ以上150ｎｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

In X-ray diffraction using Cu as a target, the half-value width of a (300) face is not more than 0.5° and the half-value width of a (0012) face is not more than 0.45°.例文帳に追加

リチウムイオン伝導体を、組成式Ｌｉ_1+aＸ_aＺ_2-a（ＰＯ_4）_3［ＸはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種、ＺはＴｉ、Ｈｆ、Ｇｅから選ばれる少なくとも１種；０≦ａ＜０．７］で表され、ＣｕをターゲットとしたＸ線回折において（３００）面の半値幅が０．５°以下であり、かつ（００１２）面の半値幅が０．４５°以下となるように構成する。 - 特許庁

The metallic optical element 1 has a maximum shape error PV of the optical surface 2 of ≤5μm, has a surface roughness Ra of ≤20 nm, contains either one of Al, Cu, Ni, Ag, Zn, Sn, Fe and Ti by 97 mol% or more and has impurities and inevitable impurities besides the same in which the maximum particle size of the impurities is adjusted to 500μm or less.例文帳に追加

本発明による金属製光学素子１は、光学面２の最大形状誤差ＰＶが５μm以下、表面あらさＲaが２０nm以下であって、アルミニウム，銅，ニッケル，銀，亜鉛，錫，鉄，チタンの何れか１つを９７モル％以上含み、それ以外の不純物および不可避不純物の最大粒径が５００μm以下に調整されている。 - 特許庁

A solar cell is equipped with a transparent anti-reflection film 1 which contains crystalline fine particles that are 0.1 μm or below in grain diameter and is formed on a light receiving surface 2, where the crystalline fine particles are doped with at least one element selected out of an element group composed of Ce, Eu, Tb, Sm, Yb, Au, Cu, Mn, and Sb.例文帳に追加

粒子径０．１μｍ以下の結晶性微粒子を含む透明反射防止膜１を受光面２に形成してなり、この結晶性微粒子が、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｓｍ、Ｙｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＳｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素がドープされたものであることを特徴とする太陽電池を構成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, at least a part of a cold working step or a hot working step and an annealing step are performed, by cold working preceded by an intermediate annealing treatment performed at temperatures of 520-750°C, which is higher than the recrystallizing temperature of a standard Cu-Sn alloy and a quenching process cooling to 100°C or lower, within less than 30 seconds.例文帳に追加

この、製造方法は、標準的なＣｕ−Ｓｎ合金の再結晶温度以上である５２０℃〜７５０℃の温度で実行される中間アニール処理と、３０秒未満内に１００℃以下へ冷却する急冷処理とにより先行される冷間加工により冷間加工ステップ又は高温加工ステップの少なくとも一部分及びアニールステップを実行する。 - 特許庁

The brazing material has a composition comprising, by mass, 10 to 30% Cu and 5 to 20% Co, respectively, and the balance ≥30% Ti and ≥20% Zr with inevitable impurities, and in which the total of Ti and Zr is controlled to 60 to 80%.例文帳に追加

本発明のろう付け材料は、 Ｃｕ：１０質量％以上３０質量％以下、 Ｃｏ：５質量％以上２０質量％以下、をそれぞれ含有し、 残部が、３０質量％以上のＴｉ、２０質量％以上のＺｒ及び不可避不純物からなり、ＴｉとＺｒとの合計を６０質量％以上８０質量％以下とする。 - 特許庁

To provide a method for solidifying incineration ash which can decompose dioxin contained in the ash, reduce the concentration of harmful volatile substances (chlorine, NOx, SOx, mercury, etc.), prevent the elution of heavy metals (Cr6+, Pb, Cu, Zn, Cd, Hg), and separate/remove the heavy metals by applying discharge plasma sintering treatment to the ash while the ash is pressurized.例文帳に追加

焼却灰に加圧を行いながら放電プラズ焼結処理を施すことにより、灰中に含有されるダイオキシンの分解、有害揮発物質（塩素、ＮＯｘ、ＳＯｘ、水銀等）濃度の低減、及び重金属（Ｃｒ^6+、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ）の溶出防止、分離除去が可能である焼却灰の固化処理方法。 - 特許庁

By forming a diffusive metal compound layer 9a of Cu and Zn surrounding the metal grain 7 inside melting solder 3' of the junction, a diffusive metal compound layer 9b in a joint interface of the melted solder 3' with the copper terminal 2 and the copper bump 5 is suppressed; the strength degradation is prevented and the reliability after joining is ensured.例文帳に追加

接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁

In the storage element 10, a memory layer 4 and an ion source layer 3 are sandwiched between a first electrode 2 and a second electrode 6 wherein the ion source layer 3 contains an element selected from Cu, Ag and Zn, an element selected from Te, S and Se, and boron (or rare earth element and silicon).例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に、記憶層４及びイオン源層３が挟まれて構成され、イオン源層３に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素と、Ｔｅ，Ｓ，Ｓｅから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、さらに、ホウ素（又は、希土類元素及びシリコン）が含有されている記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

This information recording medium of surface light incident type has a feature that a granular structural reflective layer containing a metal selected from among Ag, Au, Al and Cu, and a magneto-optical recording layer are provided in this order at least on one surface of a supporting body.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、及びＣｕから選択される金属を含むグラニュラー構造の反射層、光磁気記録層をこの順に有することを特徴とする表面光入射型情報記録媒体、及び上記表面光入射型情報記録媒体にレーザー光を照射して情報を記録再生する情報記録再生方法。 - 特許庁

The spectacles are provided with a structural member consisting of a metallic material essentially consisting of Ag, containing, by weight, 0.1 to 4.9% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Co and Si by 0.1 to 4.9% in total.例文帳に追加

本発明に係る眼鏡は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上４．９ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上４．９ｗｔ％以下含有する金属材料からなる構成部材を具備するものである。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte secondary battery, a positive electrode contains a lithium cobalt nickel composite oxide represented by the general formula, LiCOxNi1-xO2 (0≤x≤1) and a spinel lithium manganese composite oxide represented by general formula, LiMxMn2-xO4 (M is at least one selected from the group comprising Cr, Fe, Co, Ni, Cu and Zn, and 0<x≤0.5).例文帳に追加

非水電解質二次電池において、正極中に、一般式ＬｉＣｏ_xＮｉ_1__—_xＯ_2（ただし、０≦ｘ≦１）で示されるリチウムコバルトニッケル複合酸化物と、一般式ＬｉＭ_xＭｎ_2_—_xＯ_4（ただし、ＭはＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎからなる群から選ばれた少なくとも１種、０＜ｘ≦０．５）で示されるスピネル型リチウムマンガン複合酸化物とを含む。 - 特許庁

To provide a measuring apparatus which can precisely, simply, and quickly specify measuring pattern species, measure a film thickness and process end points in a film eliminating process and a film forming process, for a substrate having a pattern structure constituted of various pattern species, a substrate in an STI(shallow trench isolation) process and a substrate in a Cu process in which a barrier metal layer exists.例文帳に追加

様々なパターン種から構成されるパターン構造を有する基板、更にＳＴＩ工程の基板及びバリアメタル層の存在するＣｕ工程の基板に対しても、測定しているパターン種（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ）の特定、膜厚の測定、膜の除去工程、成膜工程に於ける工程終了点の測定を精度良く、簡便、且つ高速に行うことができる測定装置及び測定方法及びこの測定装置を用いた研磨装置及びこの測定方法を用いた研磨方法を提供すること。 - 特許庁

When a headword list as prefix search results is generated and displayed in a headword list area E2 according to one-by-one input of characters of a search character string of an English word to be examined by incremental search, in the headword list, a cursor Cu is displayed to be overlapped to a first English word among headwords (English word: basic form) associated with a focus level "3" set by a user.例文帳に追加

インクリメンタルサーチにより調べたい英単語の検索文字列が１文字ずつ入力されるのに伴い、先頭一致検索された見出し語リストが生成されて見出し語リストエリアＥ２にリスト表示されるときには、当該見出し語リストの中で、ユーザ設定されたフォーカスレベル“３”に対応付けられている見出し語（英単語：基本形）のうちの最初の英単語にカーソルＣｕが合わされて表示される。 - 特許庁

This method for producing the dielectric ceramic composition comprising barium titanate, a glass component and an additive component is characterized by using a barium titanate raw material in which a (111) plane diffraction peak is observed in an X-ray diffraction using Cu-Kα beam as the X-ray source, and the half-value width of the diffraction peak is controlled to be 0.2° or less.例文帳に追加

チタン酸バリウムと、ガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、Ｘ線源にＣｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折において、（１１１）面の回折ピークが観察され、該回折ピークの半値幅が０．２°以下に制御されたチタン酸バリウム原料を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 - 特許庁

The iridium plating solution uses an iridium compound obtained by adding and stirring one or more compounds selected from a group comprising saturated monocarboxylic acid, saturated monocarboxylate, saturated dicarboxylic acid, saturated dicarboxylate, saturated hydroxy carboxylic acid, saturated hydroxy carboxylate, amide and urea in an iridium(III) complex in which an anion component is halogen, wherein one or more kinds of Fe, Co, Ni and Cu are contained.例文帳に追加

本発明は、アニオン成分がハロゲンであるイリジウム（ＩＩＩ）錯塩に、飽和モノカルボン酸、飽和モノカルボン酸塩、飽和ジカルボン酸、飽和ジカルボン酸塩、飽和ヒドロキシカルボン酸、飽和ヒドロキシカルボン酸塩、アミド、尿素からなる群より選ばれた一種以上の化合物を加えて撹拌して得られるイリジウム化合物を用いるイリジウムめっき液において、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの少なくとも一種以上を含有することを特徴とするものとした。 - 特許庁

The method of producing the galvannealed steel sheet excellent in appearance and processability, in which after pre-metal-plating containing at least one element among elements selected from Ni, Co, Cu, and In is applied to a steel sheet containing at least, by mass%, Si:0.01-2%,例文帳に追加

質量％で少なくともＳｉ：０．０１〜２％、Ｍｎ：０．０１〜３％、Ｐ：０．０１〜０．２％を含有する、鋼板に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｎの中から選ばれる元素の少なくとも１種の元素を含有するプレめっきを金属分換算値で下記式（１）に従う量付与した後、還元雰囲気中で焼鈍し、Ａｌを０．１０〜０．２０％含有したＺｎ浴を用いて合金化溶融亜鉛めっきをすることを特徴とする、外観、加工性の良好な合金化溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法。 - 特許庁

The catalyst for catalytically reducing nitrogen oxide in the exhaust gas of the diesel engine using unburnt carbon contained in the exhaust gas of the diesel engine is composed of acid type zeolite (a), zeolite (b) containing an alkali metal and/or alkaline earth metal, zeolite (c) containing a rare earth metal or zeolite (d) containing at least one kind of a transition metal selected from Fe, Co, Ni and Cu.例文帳に追加

本発明によれば、（ａ）酸型ゼオライト又は（ｂ）アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属含有ゼオライト又は（ｃ）希土類金属含有ゼオライト又は（ｄ）Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＣｕから選ばれる少なくとも１種の遷移金属含有ゼオライトからなることを特徴とするディーゼルエンジン排ガスに含まれる未燃カーボンを還元剤としてディーゼルエンジン排ガス中の窒素酸化物を接触還元するための触媒が提供される。 - 特許庁

When performing depth direction analysis of at least one metal element of Ga, In, Cu, Au or Ag in a sample using monocrystal silicon as a base material by a mass spectrometry method by using oxygen as primary ion, at least a deeper domain than a domain where the sample is oxidized by oxygen as primary ion, is reformed beforehand as a diffusion suppression domain for suppressing diffusion of the metal element resulting from oxidation of the sample.例文帳に追加

一次イオンに酸素を用いて単結晶シリコンを母材とする試料中のＧａ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｕ或いはＡｇの少なくとも一つの金属元素の深さ方向分析を二次イオン質量分析法によって行う際に、前記試料が前記一次イオンとしての酸素により酸化される領域より少なくとも深い領域を、予め試料の酸化に伴う前記金属元素の拡散を抑制する拡散抑制領域に改質しておく。 - 特許庁

The conductive paste contains conductive filler constituents selected from Sn and a combination of one or more of elements selected from a group of Bi, In, Ag, and Cu, a thermosetting resin constituent, and a curing agent constituent corresponding to the thermosetting resin constituent as basic constituents, and also includes a thixotropy-giving additive for giving thixotropy to the thermosetting resin constituent in a range of mounting temperature by adding to the basic constituents.例文帳に追加

導電性ペーストは、Ｓｎと、Ｂｉ、Ｉｎ、ＡｇおよびＣｕの群から選ばれる１種またはそれ以上の元素との組合せから選ばれる導電性フィラー成分、熱硬化性樹脂成分およびこれに対応する硬化剤成分を基本成分とし、上記の基本成分に添加することによって、装着温度範囲にて熱硬化性樹脂成分にチクソトロープ性を付与するチクソ性付与添加剤を更に含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated structure excellent in the adhesion between a low permittivity first insulating film which can be satisfactorily used for a semiconductor device and a second insulating film which can be satisfactorily used for a Cu diffusion prevention and a stopper at the time of etching, to provide a laminated structure manufactured by the method for manufacturing, and to provide a semiconductor device using the laminated structure.例文帳に追加

半導体装置に好適に使用できる、低誘電率である第１の絶縁膜とＣｕの拡散防止やエッチング時のストッパーに好適に使用できる第２の絶縁膜との密着性に優れた積層構造体を製造する方法、その製造方法により製造された積層構造体、及び積層構造体を用いてなる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric ceramic contains a third compound containing Bi, at least one kind of divalent metal element selected from the group comprising Mg, Fe, Co, Ni, Cu and Zn, at least one kind of tetravalent metal element selected from the group consisting of Zr and Sn, and oxygen in addition to a first compound having a rhombohedral perovskite-structure and a second compound having a tetragonal perovskite-structure.例文帳に追加

菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第１の化合物および正方晶系ペロブスカイト構造を有する第２の化合物に加えて、Ｂｉと、Ｍｇ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＣｕおよびＺｎからなる群のうちの少なくとも１種の二価金属元素と、ＺｒおよびＳｎからなる群のうちの少なくとも１種の四価金属元素と、Ｏとを含む第３の化合物を含有する。 - 特許庁

The Si alloy powder is synthesized by a single roll method or an atomization method, and has an eutectic phase 11 including an intermetallic compound phase 11A containing at least Si and one kind within a group comprising Cu, Ni and Co as constituent elements, and a phase 11B of Si; and a primary crystal phase 12 of Si dispersed in the eutectic phase 11.例文帳に追加

このＳｉ合金粉末は、単ロール法あるいはアトマイズ法により合成されたものであり、ＳｉとＣｕ，ＮｉおよびＣｏからなる群のうちの少なくとも１種とを構成元素として含む金属間化合物相１１Ａと、Ｓｉの相１１Ｂとを含む共晶相１１と、この共晶相１１に分散されたＳｉの初晶相１２とを有している。 - 特許庁

Alternatively, the production method comprises a step wherein the Mn-based high-damping alloy powder is obtained by mixing a Cu-Ni-Fe alloy powder, which has been compounded to achieve a desired alloy composition and subsequently gas-atomized, and a separately prepared Mn powder in a prescribed mix ratio and a step wherein the alloy powder is molded and sintered.例文帳に追加

また、予め別途に製造したＭｎ粉末と、所要の合金組成となるように配合し且つガス噴霧して得たＣｕ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金粉末と、を所定の比で混合して所要の合金組成のＭｎ系制振合金粉末を得る工程と、係る合金粉末を成形および焼結する工程と、を含む、Ｍｎ系制振合金焼結体の製造方法も含まれる。 - 特許庁