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Cu-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2149



例文

Furthermore, with catalyst particles 6a, formed in an activation process as nucleus, a Cu layer 6b and an Ni-P alloy layer 6c are formed, in the order, by nonelectrolytic plating.例文帳に追加

さらに、活性化処理により形成される触媒粒子6aを核として、無電解めっきにより、Cu層6b及びNi−P合金層6cを順に形成する。 - 特許庁

A Cu wiring 100 is formed in a groove formed in an inter layer insulation film 10 formed on a semiconductor substrate 0 with a barrier metal layer 2 formed thereon.例文帳に追加

半導体基板0上に形成された層間絶縁膜10に設けられ、表面にバリアメタル層2が形成された溝にCu配線100が形成されてなる。 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITING DOPANT METAL IN BULK OF SEMICONDUCTOR WAFER, METHOD OF ANALYZING SEMICONDUCTOR WAFER AND MEHTOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER WITHOUT DOPANT Cu IN BULK例文帳に追加

半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法、半導体ウェハの分析方法、及びバルク中に不純物Cuのない半導体ウェハの製造方法 - 特許庁

To provide a double-sided wiring tape carrier capable of reducing amount of warpage in a tape by removing a Cu foil layer remaining at both ends in tape width direction.例文帳に追加

テープ幅方向両端に残存するCu箔層の除去してテープ反り量の低減を図った両面配線テープキャリア及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

The permanent magnet is constituted by forming an Ni plating film having characteristics of ≥-0.1 V in natural electrode potential (to an SCE saturated calomel electrode) in an aqueous solution containing 10 ppm Cu ions and ≥0 V in an aqueous solution containing 100 ppm Cu ions on the extreme surface layer of the magnet surface.例文帳に追加

自然電極電位(対SCE飽和カロメル電極)がCuイオンを10ppm含む水溶液中で−0.1V以上であり、かつ、Cuイオンを100ppm含む水溶液中で0V以上の特性を有するNiめっき被膜を磁石表面の最表層に形成したことを特徴とする。 - 特許庁


例文

Then, a Cu film is formed on the interlayer insulating film with a Ta film 8 in-between in a manner that the first wiring groove 7 is embedded, and they are polished by CMP method, thereby forming a first embedded wiring 9a wherein only the first wiring groove 7 is embedded by the Cu film with the Ta film 8 in between.例文帳に追加

その後、第1配線溝7内を埋め込む状態で、層間絶縁膜上にTa膜8を介してCu膜を形成し、これらをCMP法によって研磨することにより、第1配線溝7内のみにTa膜8を介してCu膜を埋め込んでなる第1埋め込み配線9aを形成する。 - 特許庁

In the shield cable which contains one or a plurality of signal lines with insulating coating and in which the surroundings of these are covered by a shield layer and an insulating sheath in the order, the shield layer is made of a braid structure using strands made of Cu-Sn alloy (Sn 0.2-0.3%, and the remainder Cu (weight reference)).例文帳に追加

1本又は複数本の絶縁被覆付信号線を内包し、これらの周りをシールド層及び絶縁性シースで順次被覆してなるシールドケーブルにおいて、前記シールド層を、Cu−Sn合金(Sn0.2〜0.3%、残部Cu:(重量基準))からなる素線を用いた編組構成としたことを特徴とするシールドケーブル。 - 特許庁

To provide a technique to improve reliability of Cu wiring in a damascene process which employs a low dielectric constant material for an insulating layer.例文帳に追加

絶縁層に低誘電率材料を採用したダマシンプロセスにおけるCu配線の信頼度を向上することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an In sputtering target, capable of reducing impurity content by suppressing diffusion of Cu from a backing plate.例文帳に追加

バッキングプレートからのCuの拡散を抑制して不純物の含有を低減可能なInスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。 - 特許庁

例文

This connection lead plate 20 is composed by forming, in a stripe-like form, conductive layers 202 and 203 formed of Cu on a welding layer 201 formed of Ni.例文帳に追加

接続リード板20は、Niからなる被溶接層201上に、Cuからなる導電層202、203がストライプ状に形成されている。 - 特許庁

例文

The damping sintered alloy is characterized in that graphite grains are dispersed into an Al based matrix comprising Cu, Mg and Si.例文帳に追加

Cu、Mg及びSiを含むAl系マトリックス中に黒鉛粒子が分散してなることを特徴とする制振性焼結合金に係る。 - 特許庁

In the metallic material for an electronic component, a substrate layer of Cu plating with a thickness of 0.05 to 3 μm is formed on the surface, and Sn plating is applied to the surface thereof.例文帳に追加

電子部品用金属材料表面に厚さ0.05〜3μmのCuメッキの下地層を施し、その上にSnメッキを施した。 - 特許庁

To provide a method for treating a Cu_3Sb-containing substance such as Cu-removed dross and Sb-removed dross generated in a dry process such as lead smelting.例文帳に追加

鉛製錬の乾式プロセスから発生する脱Cuドロスや脱Sbドロスなどの、Cu_3Sb含有物質を低コストで処理する方法を提供する。 - 特許庁

The contents of Fe, In, Cr and Cu down to at least a depth of 10 μm from the surface of the plasma resistant member is confined to <1.0 ppm.例文帳に追加

耐プラズマ部材において表面から少なくとも10μmの深さまでのFe、Ni、Cr及びCuの含有量を1.0ppm 未満とした。 - 特許庁

A second insulation layer 4 is formed so as to cover the Cu plating layers 8b, and a plating layer 10 comprising tin is formed in openings 11.例文帳に追加

Cuめっき層8bを覆うように第2絶縁層4が形成され、その開口部11に錫からなるめっき層10が形成されている。 - 特許庁

In this general formula, a B component is at least one kind among a group composed of Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ce, Zr and W, 0<x≤1 and 1≤y≤4.例文帳に追加

ただし、B成分はTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Ce,Zr及びWからなる群のうち少なくとも一種であり、0<x≦1であり、1≦y≦4とする。 - 特許庁

To provide a Cu-Co-Si-based copper alloy which attains strength and electrical conductivity at a high level, and is also excellent in settling resistance.例文帳に追加

高次元で強度と導電率を達成するとともに、耐へたり性についても優れたCu−Co−Si系銅合金を提供する。 - 特許庁

Preferably, at least one kind selected from a group composed of Ag and Cu may be contained in the negative electrode material for a lithium secondary battery.例文帳に追加

また、リチウム二次電池用負極材料において、Ag及びCuからなる群から選ばれた少なくとも一種を含むことが好ましい。 - 特許庁

The sputtering target includes: an alloy phase, which includes one or more of Ga, In, and Se, and Cu; and a pure Se phase.例文帳に追加

スパッタリングターゲットが、Ga,In,Seのうち1種または2種以上とCuとからなる合金相と、純Se相とで構成されている。 - 特許庁

A lead wire 4 formed of barrier metal 3 and Cu is embedded within a channel 11 formed in insulating films 1, 2 that are sequentially laminated.例文帳に追加

順次積層された絶縁膜1,2内に形成された溝11内には、バリアメタル3およびCuからなる配線4が埋め込まれている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using Cu wiring effectively improved in EM resistance, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、効果的にEM耐性を向上させたCu配線を用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a Cu-based metal glass alloy having high amorphous formability, and having excellent workability, mechanical properties, and corrosion resistance in combination.例文帳に追加

大きな非晶質形成能を有し、優れた加工性、機械的性質、耐食性を兼ね備えたCu基金属ガラス合金を提供する。 - 特許庁

To provide an Ag-Cu-graphite electric contact material having a small contact resistance and excellent in consumption resistance while having welding resistance.例文帳に追加

耐溶着性を有しながら、接触抵抗が小さくて、耐消耗性に優れるAg−Cu−黒鉛系の電気接点材料を提供する。 - 特許庁

The dissolution of the Ag plated layer used in a printed wiring board can be prevented by adding Pd to an Sn-Cu solder alloy.例文帳に追加

Sn−Cuはんだ合金にPdを添加することで、プリント配線基板に用いられているAgの食われを防止することができる。 - 特許庁

In this external ornamental parts for a watch, instead of an exceedingly expensive pure Pd plating, Pd-Cu alloy plating is applied as finish plating.例文帳に追加

この時計用外装部品においては、非常に高価な純Pdメッキに代えてPd−Cu合金メッキを仕上げメッキとして施している。 - 特許庁

In such a state, a Ni film is formed on the first coating film 16 by plating and further a second coating film 18 comprising a Cu film or a Cr film is formed.例文帳に追加

この状態でメッキ処理を行い、第1皮膜16上にNi膜、Cu膜又はCr膜からなる第2皮膜18を形成する。 - 特許庁

In the coils 18 and 20, 18a and 20a are magnetic cores consisting of an Ni-Fe alloy, etc., and 18b and 20b are conductive layers consisting of Cu, etc.例文帳に追加

コイル18,20において、18a,20aはNi−Fe合金等からなる磁心、18b,20bはCu等からなる導電層である。 - 特許庁

As a result, even if the position or the attitude of the work W is changed by rotating the positioner P as shown in (b), the user coordinate system Cu can follow.例文帳に追加

このことによって、(b)のように、ポジショナPが回転してワークWの位置姿勢が変化したとしても、ユーザ座標系Cuが追従する。 - 特許庁

The elements are preferably composed of at least one kind selected from the group consisting of Cu, In, Sn, Pb, Ge, Sb, Cd and Ag.例文帳に追加

前記元素は、Cu、In、Sn、Pb、Ge、Sb、Cd、及びAgよりなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。 - 特許庁

It is preferable that further addition of Mg in amounts of 0.1-5% and one or more elements among Si, Ni, Fe, Co, Sb, Pb and Cu is performed and that undercoat Ni plating of (0.2 to 2) g/m2 coating weight is applied.例文帳に追加

Mg:0.1〜5%やSi,Ni,Fe,Co,Sb,Pb,Cuの1種以上のさらなる添加、0.2〜2g/m^2 の下層Niめっきの適用が好ましい。 - 特許庁

To provide an Sn-Cu solder alloy based lead-free solder alloy which has satisfactory thermal fatigue characteristics and in which the occurrence of cracks on a soldering part is prevented.例文帳に追加

熱疲労特性が良く、半田付け部にクラックが入ることを防止するSn−Cu半田合金系の無鉛半田合金を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu-containing age hardening type steel member which is subjected to precipitation hardening in a short time, and to provide a warm press forming method therefor.例文帳に追加

短時間で析出硬化することを特徴とするCu含有時効硬化型鋼材及びその温間プレス成形方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a member made of an aluminum alloy where the eutectic fusion of Al-Cu compounds in solution treatment is prevented.例文帳に追加

溶体化処理時におけるAl−Cu化合物の共晶融解を防止するアルミニウム合金製部材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a Cu-Fe-based copper alloy for an electromagnetic shielding material high in electromagnetic shielding effects to electromagnetic waves of ≥5 MHz frequency.例文帳に追加

周波数が5MHz以上の電磁波に対して電磁波遮蔽効果の高い電磁波シールド材用Cu−Fe系銅合金を提供する。 - 特許庁

A metallic pattern made of aluminum (Al) containing 1% of copper (Cu) is corroded when dicing because of difference in the standard electrode potential between the aluminum and the copper.例文帳に追加

1%の銅(Cu)を含むアルミニウム(Al)で形成された金属パターンは、標準電極電位の違いからダイシング時に腐食が生じる。 - 特許庁

To prepare a Cu-containing automotive aluminum alloy sheet improved in filiform erosion resistance while maintaining its high formability and to provide its producing method.例文帳に追加

高い成形性を保ちつつ耐糸錆性を改善したCuを含む自動車用アルミニウム合金板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents oxidization of a barrier film in a wiring layer as well as leak of Cu from wiring, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

配線層のバリア膜の酸化を防ぎ、配線からのCuの漏れを防止する半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, electrode fingers 5B, 6B other than the adjacent electrode fingers 5C, 6C are formed using Cu more enhanced in the electric power resistance than that of Al.例文帳に追加

また、隣接電極指5C、6C以外の電極指5B、6Bは、Alよりも耐電力性に優れたCuを用いて形成されている。 - 特許庁

Copper wiring lines are made of a Cu film 209 in an interlayer insulating film consisting of an L-Ox film 203 and an SiO_2 film 204.例文帳に追加

L−Ox膜203およびSiO_2膜204が積層した層間絶縁膜中にCu膜209からなる銅配線を形成する。 - 特許庁

Thus, titanyl phthalocyanine crystals having a peak at 27.2±0.2° in an X-ray diffraction diagram with Cu-Kα ray can be produced without using sulfuric acid or the like.例文帳に追加

硫酸等を使用せずにCu−Kα線によるX線回折図で27.2±0.2°にピークをもつチタニルフタロシアニン結晶を製造できる。 - 特許庁

Alternatively, in the weight made of a tungsten based sintered alloy, as the inevitable impurities, preferably, Cu is not contained by ≥1%.例文帳に追加

さらに、好ましくは前記不可避不純物として、Cuが1質量%以上含有されていないタングステン基焼結合金製ウェートとした。 - 特許庁

A rare earth metal electrode in which the total content of Fe, Co, Ni, Cu and Al is controlled to 5 to 500 ppm is used as an electrode for rotary electrode atomizing.例文帳に追加

Fe,Co,Ni,Cu及びAlの総量が5〜500ppmである希土類金属電極を、回転電極アトマイズ用電極として使用する。 - 特許庁

In a method for MOCVD processing for forming a copper thin film on a semiconductor wafer W, a Cu(hfac)tmvs is used as a copper material liquid.例文帳に追加

半導体ウエハW上に銅薄膜を形成するためのMOCVD処理方法において、Cu(hfac)tmvsが銅原料液として使用される。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si based copper alloy having high strength and having excellent bending workability in a Bad Way.例文帳に追加

本発明の目的は、強度が高く、Bad Wayの曲げ加工性に優れるCu−Ni−Si系銅合金を提供することである。 - 特許庁

This trolley line comprises a core 3 of hard copper wire arranged in the center and a Cu-Cr-Zr precipitated reinforce alloy 4 covering the circumference thereof.例文帳に追加

中心に硬銅線による芯3を配置し、その周囲をCu−Cr−Zr系析出強化型合金4で覆ったトロリ線とする。 - 特許庁

The solder material consists of Ti, Zr, or Hf added to an alloy containing Sn and at least one kind of Sb, Ag, Cu, Ni and In.例文帳に追加

Snと、Sb,Ag,Cu,Ni,Inの少なくとも1種を含む合金材に、Ti,ZrまたはHfが添加されて成ることを特徴とするろう材。 - 特許庁

This trolley line comprises a core 3 of Cu-Cr-Zr precipitated reinforced alloy arranged in the center and a hard copper 4 covering the circumference thereof.例文帳に追加

中心にCu−Cr−Zr系析出強化型合金による芯3を配置し、その周囲を硬銅4で覆ったトロリ線とする。 - 特許庁

To provide a copper alloy for a sliding part, in which embrittlement is hard to occur even when the contents of Al is increased and which has excellent wear resistance and seizure resistance.例文帳に追加

Cu-Al系合金においてAl含有量を高くしても脆化を起こさず、耐摩耗性及び耐焼付性がすぐれた摺動材料を提供する。 - 特許庁

The sand in sand boxes and the soil in farm lands, hedges and the like are disinfected by mixing an inorganic antimicrobial agent that includes at least one metal ion selected from the group consisting of Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Zn in the sand or soil in an amount of 0.01-5 wt.%.例文帳に追加

Mn、Fe、Co、Ni、CuおよびZnからなる金属イオンの内の少なくとも1種を含有した無機系抗菌剤を土壌に0.01〜5重量%混合する砂場、土壌の抗菌方法。 - 特許庁

例文

In addition, a TaN barrier layer 15 with Ta adhesive layers 31, 41 stuck thereon is provided along the entire surfaces of inner walls of the trench T2 and the via hole Vi, and further, a Cu layer 16 formed with Cu embedded by plating processing is provided thereon.例文帳に追加

また、トレンチT2及びヴィアホールViの内壁の全面に沿ってTa接着層31,41が被着されたTaNバリア層15が設けられており、更にその上にCuがめっき処理で埋め込まれて形成されたCu層16を備えている。 - 特許庁




  
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